2014电子科技大学考研真题_832微电子器件
2014年电子科技大学微机原理复试真题
2014年电⼦科技⼤学微机原理复试真题共5页第1页电⼦科技⼤学硕⼠研究⽣⼊学考试复试笔试试题《微机原理与应⽤》试题卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试⽇期： 2014年 3⽉⽇⼀、选择题（每题2分，共50分）1. ⽚内AMBA 总线中，APB 桥是（）。
A 、⽀持突发传输数据的B 、AHB ⾼性能系统的中枢C 、APB 中的唯⼀总线主设备D 、⼀种总线仲裁器2. 超标量微处理器的特点有（）。
A 、不仅能进⾏32位运算，也能进⾏64位运算B 、内部含有多条指令流⽔线和多个执⾏部件C 、数据传输速度很快，每个总线周期最⾼能传送4个64位数据D 、芯⽚内部集成的晶体管数超过100万个，功耗很⼤ 3. RISC 执⾏程序的速度优于CISC 的主要原因是（）。
A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的⽬标程序较短 C 、RISC 只允许Load/Store 指令访存D 、RISC 的指令平均周期数较少4. 以下ARM 指令中，（）的源操作数采⽤了相对寻址⽅式。
A 、MOV R0,#2 B 、LDR R0,[R1]C 、BL SUB1D 、ADD R0,R1,R2,LSL #15. ⽤于存放待执⾏指令所在地址的是（）。
A 、程序计数器B 、数据指针C 、指令寄存器D 、地址寄存器6. 在某64位总线系统中，若时钟频率为1GHz ，传送⼀个字需要5个时钟周期，则该总线的带宽为（）MB/s 。
A 、400B 、800C 、1600D 、32007. ARM 处理器中⽤于反映其⼯作状态的是CPSR 寄存器中的（）。
A 、I 位B 、T 位C 、F 位D 、C 位8. 某系统的总线操作时序如下图所⽰。
可知：该系统的最⼤寻址空间为（①）；数据线D0~7上传送的是（②）信息；总线可能采⽤了（③）时序控制⽅式。
① A 、1KB B 、2KB C 、4KB D 、8KB ② A 、写存储器 B 、写端⼝ C 、读存储器 D 、读端⼝③ A 、异步B 、同步C 、周期挪⽤D 、以上都不对9. 下列关于DMA 的说法中，错误的是（）。
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、用括号中动词的正确形式填空。
（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。
电子科技大学2014年硕士研究生信号与系统考研真题_电子科大考研真题
x1 ( t )
1 t -1 0 图 2（a） 1
1
y2 ( t )
1 2 t
-1
0
图 2（b）
七、 （15 分） 连续线性时不变系统如图 3 所示， 其中，h1 ( t ) =
1、求整个系统的频率响应 H ( jw ) 2、求输入 x ( t ) = sin
h3 ( t ) = e− t u ( t ) ， h4 ( t ) = u ( t ) ，其中 wc > 0 。 wc 3w t t + cos c 时的输出 y ( t ) 2 2 + h1 ( t ) h2 ( t )
+∞ 2sin π t ， p ( t ) = ∑ δ ( t − kT ) 。 πt k =−∞
2、确定采样周期 T 的范围，使信号 r2 ( t ) 可以从其采样的样本信号 r3 ( t ) 无失真还原 3、如果采样周期 T=0.5s，画出 r3 ( t ) 的频谱 共4页 第3页
4、若采样周期满足 2 的要求，请确定 H ( jw ) 的相关参数，使 y ( t ) = r2 ( t )
图3
d sin 2wc t sin wc t ，h2 ( t ) = ， dt 2π t πt
x (t )
h3 ( t )
h4 ( t )
y (t )
八、 （12 分）周期信号 x ( t ) 的傅立叶级数系数为 ak ，证明，信号 x * ( t − 1) 的傅立叶级数系数 为 a *− k e
[ ]
[ ]
共4页
第4页
dx ( t ) dt
δ (t )
四、 （12 分）已知信号 x ( t ) 的偶部 xe ( t ) 如图 1（a）所示，信号 x ( t + 1) u ( −t − 1) 如图 1（b） 所示 1、画出 x ( t ) 的奇部 xo ( t ) 的图形，并标注坐标 2、写出 xo ( t ) 的闭式表达
电子科技大学微电子器件 (习题解答)
s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构 的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同）， 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
2014年电子科技大学832微电子器件考研真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
电子科技大学2014集成电子学试卷
1 电子科技大学研究生试卷 （考试时间： 至 共2 小时） 课程名称 集成电子学 教师 陈勇 学时 50 学分 2.5 教学方式 课堂教学 考核日期 2014 年 6 月 日 成绩 考核方式： （学生填写） 1. (25分) 填空： (1)、ESD 的中文翻译是（ ），TDDB 的中文翻译为（ ），Polysilicon 的中文翻译为（ ）；耗尽区的英文翻译为（ ），速度过冲的英文翻译为（ ），阈值电压的英文翻译为（ ）。
(3)、MOS 器件中，量子尺寸效应在表现为（ ）；量子隧道效应表现为（ ）。
(4)、CMOS 电路功耗由（ ）、（ ）和（ ）组成，其中与阈值电压无关的是（ ），与工作频率无关的是（ ），降低CMOS 电路功耗最有效的方法是（ ）和（ ）。
(5)、应变沟道MOSFET 迁移率提高的物理机理是（ ）和（ ）。
(6)、MOSFET 采用氮氧硅栅介质的优点是（ ）和（ ）。
(7)、下图是CMOS 倒相器转移特性曲线，曲线中A 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）区；B 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）区，C 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）。
2．(20分)解释以下专业名词。
(1)、按比例缩小规则的CE 律；学号姓名学院……………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………………(2)、天线效应；(3)、高K栅介质MOS器件的FIBL效应(4)、SOI MOSFET 的Kink效应；(5)、应变沟道MOS器件；3．(20分)绘图。
(1). 对比画出HALO 结构和普通结构MOSFET 的表面势示意图；2(2). 画出经典理论和量子理论得到的MOSFET反型层纵向电荷分布示意图；(3).画出n+-p+双栅MOSFET的能带示意图；(4). 画出短沟道效应和反短沟道效应的阈值电压示意图；4．(20分) 简要回答下列问题：(1).N阱工艺和P阱工艺哪一种的更有利于抑制闩锁效应？为什么？(2).从降低短沟道效应考虑，如何设计逆向掺杂MOSFET的低掺杂区浓度N A1 、厚度d以及体掺杂浓度N A2三个参数？3(3).纳米尺度的MOSFET，泄漏电流包括哪几项？哪一项最重要？该项泄漏电流如何降低？(4).什么是MOSFET的DIBL效应？通过怎样测量评价某器件的DIBL效应？(5).在集成电路差分对电路版图设计中，如何实现良好的匹配？5．(15分) 分析讨论(1).对于双栅MOSFET，电势的抛物线近似(a).x和y方向分别是指哪两个方向？(b).边界条件是什么？(c).根据边界条件，推出C0、C1和C2的表达式。
电子科技大学832微电子器件2020年考研专业课初试大纲
考试形式 笔试（闭卷）
考试时间 180 分钟
考试总分 150 分
一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本
理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容
1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN 结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN 结空间电荷区的形成 3）耗尽近似与中性近似 4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算 5）正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况 6）PN 结的能带图 7）PN 结的少子分布图 8) PN 结的直流伏安特性 9）PN 结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点 11）大注入效应 12）PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击 穿的机理 13）PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN 结的交流小信号参数与等效电路 15）PN 结的开关特性与少子存储效应 3．双极型晶体管 1）双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图 2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的结构与电学特性 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图 9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量方法 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量方法、基区穿通效应 12）方块电阻的概念及计算 13）晶体管的小信号参数
14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
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2014电子科技大学考研真题_832微电子器件
一、填空题（共48分，每空1.5分）
1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的
（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流
为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越
（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理
意义为（），因此τb/τB可以表示（
）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，
第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有
8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是
（）特性曲
线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si 材料的双极型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。
（填“增大”、“减小”或“不变”）
11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。
12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。
13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值将（），该效应叫做（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）
二、简答与作图题(共57分)
1、如图所示，一块掺杂浓度为ND的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。
（9分）
（1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。
（只考虑少子在x方向的运动）（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？
2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN结，由于横向扩散，在PN结终止的地方会形成弯曲的结面。
发现该PN结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。
3、请画出PNP缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
4、某PN+结在一定的外加正向电压下发生了大注入现象。
（10分）（1）请问大注入发生在哪个区？
（2）大注入将在中性区引入自建电场，指出该自建电场的方向，并说明自建电场的形成过程。
（3）发生大注入的区域，其中性区与耗尽区交界处的少子浓度是多少？
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