0.8 18GHz 系列幅相跟踪中功率放大器设计
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计程知群;傅开红;李进;周云芳【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2010(033)002【摘要】设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器.电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺.仿真结果显示,在频带3～5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW.【总页数】4页(P178-181)【作者】程知群;傅开红;李进;周云芳【作者单位】杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018【正文语种】中文【中图分类】TN4【相关文献】1.1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 [J], 何小威;李晋文;张民选2.CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计 [J], 李海松;李智群;王志功3.可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计 [J], 汪珍胜;陈效建;郑惟彬;李辉4.具有平坦增益的3.1～10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计 [J], 杜四春;王春华;张光祥5.2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计 [J], 丘聪;叶甜春;范军因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
智能化5.8GHz双向功率放大器的设计
通路动态范围高达100dBm。
发射通路主要由驱动级功放、
主功放和自动功率电平控制模块构
成，对需要发射的信号进行增益调
节，使双向放大器的发射信号稳定 图1 智能化5.8GHz双向功率放大器的结构框图
2011.11
7319
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次增益控制的结果进行修证，以确保 输出功率的精度。
系统设计方案 本文设计的智能化5.8GHz双向功
率放大器系统构架如图1所示，主要 由电源模块、接收通道、接收通路、 开关控制、自动功率控制等模块构
在某个功率水平，输出信号功率大小 可根据应用要求进行调节。图3所示 是发射通道的电平图，可见自动增益 调节范围可达15dB～35dB，能够处 理-3dBm～17 dBm的信号，可方便地
关键模块设计 大动态范围接收通路的设计 接收通路的动态范围很大程度上
都取决于低噪声放大器的噪声性能和
成。
接收通路采用了LNA、数控衰减
器和增益模块级联的方案，有效提高
接收灵敏度的同时扩展了动态范围。
图2所示是接收通道的电平图。P 1dB表 示接收通路能够处理的最大功率信
号；P max表示能够处理的最大线性功 率，P min表示接收机能够处理的最小 信号，由图可以看出本次设计的接收
责任编辑：王莹
表1 HSMS2850的检波输出电压和输入功
其中BW 为接收机带宽，
率的关系
P in （dBm）
-22 -19 -16 -13 -12 -11 -10 -9 -8 -7 -6
V out （V）
7 12 20 41 52 55 66 77 89 115 120
P in （dBm）
一种折叠共源共栅运算放大器的设计
一种折叠共源共栅运算放大器的设计杨俊;卞兴中;王高峰【摘要】折叠共源共栅运放结构的运算放大器可以使设计者优化二阶性能指标,这一点在传统的两级运算放大器中是不可能的.特别是共源共栅技术对提高增益、增加PSRR值和在输出端允许自补偿是有很用的.这种灵活性允许在CMOS工艺中发展高性能无缓冲运算放大器.目前,这样的放大器已被广泛用于无线电通信的集成电路中.介绍了一种折叠共源共栅的运算放大器,采用TSMC 0.18混合信号双阱CMOS工艺库,用Hspice W-2005.03进行设计仿真,最后与设计指标进行比较.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2006(029)018【总页数】3页(P28-30)【关键词】CMOS;运算放大器;折叠共源共栅;Hspice W-2005.03【作者】杨俊;卞兴中;王高峰【作者单位】武汉大学,微电子与信息技术研究院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,微电子与信息技术研究院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072【正文语种】中文【中图分类】TN722.7+71 引言随着集成电路技术的不断发展，高性能运算放大器广泛应用于高速模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、开关电容滤波器、带隙电压基准源和精密比较器等各种电路系统中，成为模拟集成电路和混合信号集成电路设计的核心单元电路，其性能直接影响电路及系统的整体性能。
高性能运算放大器的设计一直是模拟集成电路设计研究的热点之一，以折衷满足各种应用领域的需要。
许多现代集成CMOS运算放大器被设计成只驱动电容负载。
有了这样只有电容的负载，对于运算放大器，就没有必要使用电压缓存器来获得低输出阻抗。
因此，有可能设计出比那些需要驱动电阻负载的运算放大器具有更高速度和更大信号幅度的运算放大器。
微波宽频段高性能高集成TR组件设计
第2期2021年4月Vol.19No.2April2021雷达科学与技术!ada$Science and TechnologyDOI：10.3969".issn.1672-2337.2021.02.003微波宽频段高性能高集成T/R组件设计桂勇锋，金来福，丁德志，解启林，吴士伟，邹永庆(中国电子科技集团公司第三十八研究所，安徽合肥230088)摘要：基于微波宽频段有源相控阵系统T/R组件工程化迫切，针对传统T/R组件工作频带不够宽、体积尺寸大、稳定性差、移相衰减精度不高等问题，本文了一种X-Ku波段宽频段高性能高集成T/R组件。
在突破八通道组件架构技术、基于LTCC整板的高密成设计技术、宽带GaN高可靠高效率及散热技术、高频宽带高隔离防腔体效技术、组件模块化可制造技术等关键技术基G上，研制出X-Ku波段10〜18GHz八通道T/R组件。
组件具有、幅相和安保护等主要功能，实测频带出功率％23.9W、噪声系数&3.52dB、移相精度&3.90°(RMS,均方根值)、衰减精度&0.94dB(RMS)、驻波98、效率％23%。
其中，工作带宽指标由之前的单频段10〜12GHz、15〜17GHz拓宽到宽频段10—18GHz，输出功率由之前的10W量级提高到20W量级，噪声系数由之前的4.3dB提升到小于3.52dB。
本组件具有高频、宽带、高效、高集成的特性，可应用于新型综合传雷达系统、多功能综合电子系统等装备中。
关键词：宽频段；X-Ku波段；T/R组件；高性能；高集成；氮化'中图分类号:TN957.3；TN957.5文献标志码：A文章编号：1672-2337(2021)02-0137-07 Development of Microwave Broadband High-Performance andHigh-Integration T/R ModuleGUI Yongfeng,JIN Laifu,DING Dezhi,XIE Qilin,WU Shiwei,ZOU Yongqing(The38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Hefei230088,China)Abstract:Aiming at the urgent need of T/R module engineering in micro w ave broadband active phased array system and the problems of traditional T/R module,such as insufficient bandwidth,large size,poor stabil-ityBndlow precision of phBse shiftBnd B t enuBtion this pBper designs Bn X-Ku bBnd broBdbBnd high-performance and high-integration T/R module.Based on the breakthrough of eigh--channel module architecture designtechnique thehigh-densityintegrBteddesigntechniquebBsedonLTCCentireboBrd highreliBbilityBnd highe f iciencyandheatdissipationdesigntechniquesofbroadbandGaNpoweramplifier high-frequencybroad-bandhighisolationcavitye f ectdesigntechnique modularizationdesignandmassmanufacturabilitydesigntech-nique the X-Ku band10〜18GHz eight-channel T/R module is developed.The module has the main functions oftransceiveramplification amplitudeandphasecontrolandsafetyprotection.Themeasuredresultsshowthat the output power in the whole frequency band is%23.9W,the noise figure is&3.52dB,the phase shifting accuracy is&3.90°(RMS),the attenuation accuracy is&0.94dB(RMS),the standing wave ratio is&1.98,and the efficiency is%23%.Among them,the working bandwidth index is increased from10〜12GHz and15〜17GHz to 10〜18GHz,the output power is increased from10W to20W,and the noise figure is decreased from4.3dB to less than3.52dB.This module has the characteristics of high frequency,wide band,high efficiency and high integratiom It canbeusedinnewintegratedsensorradarsystem multi-functionalintegratedelectronicsystem etc( Key words:broadband&X-Ku band；T/R module；high-performance&high-integration&GaN0引言瓣特性更好、性能高的阵理、雷达管理以及能力更高等一系列优点,将会占据越来越多的应用先进防天线的相控阵雷达具有探测要求雷达系统子功能,这离远、效率高、可靠性高、纟好、波束波的多功能需求要求天期：2021-03-04；期：2021-04-10138雷达科学与技术第19卷第2期系统能雷达频段带宽上+4。
0.18umCMOS工艺5GHzWLAN功率放大器的设计
0.18umCMOS工艺5GHzWLAN功率放大器的设计
随着互联网的普及,人们需求更高速率的无线局域网。
通过使用免许可证信息基础频段,无线局域网可以提供高达几十兆比特每秒的速率。
射频集成电路(RFIC)是无线通信领域中不可缺少的关键电路,是无线通信的主要瓶颈。
近年来,随着无线通信系统的容量和速率的提升,系统对RFIC的性能提出了更高的要求。
同时,为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求,用CMOS工艺实现单片集成的RFIC正逐渐成为人们研究的一个热点。
本文研究了采用TSMC 0.18μm CMOS工艺应用于5 GHz无线局域网(WLAN)发射机的功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果。
电路采用三级A类放大结构,在3.3V工作电压下,模拟得到的增益为25.9dB;1dB压缩点输出功率为24.7dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%,可用于无线局域网802.11a标准的系统中。
本文先讨论了无线局域网的标准以及收发信机的结构特点。
然后详细分析各种功率放大器的电路结构和性能特点,并且讨论了放大器的线性化技术。
随后分别从六方面,即模块划分、稳定性分析、匹配网络设计、直流偏置设计、主放大电路设计以及静电保护电路设计来具体讲述功率放大器的电路设计细节,给出了电路各个模块的电路示意图和最终电路的结构图。
进而讲述功率放大器的版图设计。
先介绍了深亚微米CMOS工艺的特点,给出了射频CMOS电路版图需要考虑的几个因素。
为了适应电路环境的需要,本次设计对于工艺厂商提供的版图结构的一些改动。
最后给出了芯片的测试方法与结果以及结果分析。
北斗系统射频功率放大器的研究与设计
北斗系统射频功率放大器的研究与设计作者：王钟来源：《中国新通信》2014年第08期【摘要】本文设计了一款可应用于我国北斗卫星导航系统的单片微波集成功率放大器。
该功率放大器基于台湾WIN半导体公司的InGaP/GaAs 异质结双极型晶体管（HBT）器件Q360模型，仿真结果表明，其在1.5—1.7GHz的工作频率范围内，小信号增益稳定在40dB左右，输入输出反射系数均在-10dB以下，P1dB输出功率为35dBm，大信号功率增益达到36.5dB，效率附加效率（PAE）达到56%，可满足我国北斗系统的常规应用。
【关键词】北斗卫星导航系统功率放大器 InGaP/GaAs HBT 小信号增益 P1dB输出功率一、引言北斗卫星导航系统（简称“北斗系统”）是我国自行研究与设计开发的全球卫星定位与通信系统，是继美国的Global Positioning System（GPS）、俄罗斯的GLONASS之后第三个成熟的卫星导航系统[1]。
射频功率放大器是北斗卫星导航系统中不可缺少的重要组成部分，功放特性的好坏将直接影响整个北斗系统的性能。
随着北斗系统技术的不断发展，尤其是其独特的双向通讯技术，对应用于其射频端的功率放大器的研究已成为一个极为重要的课题，也是近年来国内外研究的一个重点和热点。
目前，应用在北斗系统中的功率放大器大多是由3-4个放大器级联组成的[2]，面积较大且电路复杂成本较高，本文设计的单片微波集成功率放大器，大大简化了传统射频功率放大器的电路结构。
本文基于台湾WIN半导体公司的InGaP/GaAs 异质结双极型晶体管（HBT）器件Q360模型，采用美国AWR公司的Microwave office微波仿真软件，仿真结果表明，该功率放大器在1.5-1.7GHz的工作频率范围内，小信号增益S21稳定在40dB左右，输入反射系数S11、输出反射系数S22均在-10dB以下。
工作频率为1.6GHz时对应的P1dB输出功率为35dBm，大信号功率增益达到36.5dB，效率附加效率（PAE）稳大于50%，可为北斗系统功率放大器的研究者们提供一定的参考。
2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制
2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制文晓敏;李斌【摘要】低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。
采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为2 mm×1 mm。
放大器电路采用三级级联放大、双电源供电拓扑结构,常温在片测试结果显示,全频带增益大于28 dB,噪声温度平均值为93 K,直流功耗150 mW,无条件稳定。
该放大器芯片覆盖了射电天文S,C,X,Ku 4个传统观测波段,适用于厘米波段超宽带接收前端和毫米波段超宽带中频放大模块。
【期刊名称】《天文研究与技术－国家天文台台刊》【年(卷),期】2019(16)3【总页数】7页(P278-284)【关键词】低噪声放大器;GaAs;mHEMT;超宽带;单片微波集成电路【作者】文晓敏;李斌【作者单位】中国科学院上海天文台,上海200030;中国科学院大学,北京100049【正文语种】中文【中图分类】TN722.3作为射电天文望远镜接收机前端的核心器件，低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)不仅要将天线接收到的来自外太空的微弱信号进行低噪声放大，还要求具有较高的增益抑制后级链路的噪声，保持接收系统的灵敏度。
单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuits, MMIC)形式的低噪声放大器芯片是实现超宽带、低噪声、高增益器件的重要途径。
变组分高电子迁移率晶体管(Metamorphic High-eletron-mobility Transistor, mHEMT) 具有高频、高功率及噪声性能好的优点，广泛应用于雷达、遥感、辐射测量等领域[1]。
本文设计单片微波集成电路低噪声放大器芯片所用的OMMIC D007IH mHEMT工艺，拥有70 nm栅长和高掺铟沟道，在组分缓变的缓冲层上生长高铟浓度的外延活跃层，从而实现与砷化镓(GaAs)衬底的平稳过渡，因而使其具有极低的噪声和超高频特性[2]。
20-1000MHz 100W GaN宽带功率放大器研制
摘 要 ：随 着 通 信 、对 抗 和 测 试 设 备 的 工 作 带 宽 逐 渐 增 加 ，对 相 应 功 率 放 大 器 的 带 宽 要 求 也 越 来 越
宽，而基于第三代半导体材料的 GaN HEMT 具备宽工作频带的特性，有满足新需求的潜力。运用
传输线变压器（Transmission Line Transformer，TLT）加载铁氧体磁芯的技术对 GaN HEMT 进行宽带
ferrite core
功率放大器是通信系统发射链路中的重要组成 式适用于高频 ，若 [1-3] 需兼顾低频，输出功率往往难以
部分。目前很多军、民用电台，广播电视等发射系统 大 于 10 W[4]。 单 纯 运 用 传 输 线 变 压 器（transmission
都工作在 20~1 000 MHz 频段。随着宽带通信、干扰 和 测 试 系 统 的 发 展 ，对 能 覆 盖 整 个 频 段 的 功 率 放 大 器需求非常迫切。20~1 000 MHz 有近 6 个倍频层，
Abstract: As the working bandwidth of communication， electronic warfare and test equipment increases，the bandwidth requirements of the corresponding power amplifiers are also increasing. The GaN HEMT based on the third- generation semiconductor material，has the characteristics of broadband operating，which has the potential to meet the demands of new applications. Using the transmission line transformer（TLT）with ferrite core to match GaN HEMT，designed a broadband power amplifier working in the 20 MHz to 1 000 MHz band. The model of TLT with ferrite core is established，and its parameters are optimized by simulation，which expands the low frequency of the power amplifier. The test results show that in the entire bandwidth， the output power≥107 W， gain≥11.3 dB， power additional efficiency≥34.5% . Successfully expand operation octave from 3 to above 5. This power amplifier is suitable for EMC testing，electronic warfare，broadband communication and other systems with wide bandwidth and high-power requirements. Key words: power amplifier；broadband impedance march；GaN HEMT；transmission line transformer；
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于±５。的帼馥粥推嘲中功璋彩吠器系列的设计。谚渤吠器系列睬用行波、平筏等多种电路设计，
０．８～１８ＧＨｚ幅相跟踪中功率放大器系列采用行波、平衡等多种电路设计，有许多文献对平衡放
大电路的没汁方法有｛鞋叶沧述，这里仅对行波放大电路进行介绍，许多作眷聍甬觑妇唱甜疆匿｝仑和实
验结果进行了论述Ｄ｝【４】。两个管芯连接的行波电路原理图如图ｌ所示，根据电压和电流我们可以得
式（３）给出了行波放大电路自够曾益的精确解。
ｆ３ｃ
２设计
根据电子设备要求，我“舛毓殳ｉ书顷段翅侈｝为０．８—２ＧＨｚ、２—４ａ七、４—８１５Ｈｚ、６—１８ＧＨｚ四个 设计频段，下面对整个设计方法叙述如下。 谢吠电路和平衡放大电路，利用ＭＥＳＦＥＴ管芯和瑚ｃ单片进
输入输出电压驻波比小于２。放大器采甩瀵央化，具有良好的可级联睦，可级联出２０ｄＢ、３０ｍ、４０ｄＢ 等不同增益的放大器。实际电路采用０．３８ｍｍ厚的陶瓷基片微带电路结构，电路片Ｊ焊接在０．７６ｒａｍ
厚的可伐载体已电路献大小为６．３５ｍｍ
Ｘ
１２．８０ｒａｍ
Ｘ
１．２０ｍｍ。
６１０
２．２幅相—致放大器
通常的放大器需要多级级联以获得较高的增益，绷司采用５０ｎ传输线和电容耦合级联。为了获
行设汁。每级撒太电路采用了兰个相同管芯组成的行波电路破丽阱嘈芯的平衡电路。单甥嘲吠器的
级行波放大电路的匹配参数利用ＨＰ ＡＤＳ软件进行优化，在１—８Ｇｔｔｚ频率范围内增益大于１０诹，
为了满足幅度和相位的—致睦，设讣蚴ｉ一次到位，对电路只能进行少量调试，否则相位指标
设沌泓脯好的稳定性和驻波特性，以便于实现多级级联。按最佳增益和驻波为优化目标，对单
得系统所要求的增益大于２（ｋ］Ｂ，放大器采用了两级放大模块级联。由于频带宽，在设计及组装过程
中采取了—些特别目｛旒，以使彭唠案僦的特陆得以充分发挥，放砖省踟连接、焊接线的要求以
及腔体的没汁瓤蟛页良好，保国＃呔器的幅度和阳住特性—致。意畎器中加人稳压电路，避免外郎
电源波动造成的不良髟响，馈电采用电磁兼容滤波器，以避免外部电信号的影响，提高放大器的可 靠性。
８ＧＩ－Ｉｚ范围内Ｐ．１大于２４ｄＢｍ，在８—１８ＧＩ－Ｉｚ范围内Ｐ１１大于１９ｄＢｍ，输久输出驻波≤２。该碧陴＃具有 可靠性高、体积小、自Ⅱ］［简单、威本低、模块化便于集成的特点，适用于宽带电子列拐ｊ系统。
参考文献
１ ２
ＫＬＣ，ｉｎａｍ Ｗｗ．Ｒａ－ｌｍｖｌｅ扼Ｊ．Ｈ．Ｊａｓｂａｒ．Ｄｉ．ｍｎ＇ｌⅫｅｄ∞叫政鲥∞Ｐ＇∞１Ｒｔ！；１９４８，３６固：９５６－９６９． ＷＷ｝ｈ蜘，ＬＷＪａｓｌ）曩ｇ，ｍｄ Ｊ．Ｄ．Ｎｏｅ一－Ｄｉｍｈ栅ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ：ｏ嘣ｄ自埘ｍ
３试验络果
０．８—１８Ｃｆｆ／ｚ幅相跟踪中功埠渤ｅ蠕系列，单卟－彭ｄ违魁起增益为１０ｄＢ。对１０条融ｊ．黼
增益、驻波、功率及幄睡Ｆ丰瞅垂■改性等性能迭彳亍ｉ煲ｔ试。由于澳蝴缎汰多，这童呶歹｛Ｊ出
幅度相位—致女生测试曲线，如图２一图７所示。在０．８—１８ＧＩ－Ｉｚ频率范围实现了功率增益
大于２０ｄＢ，幅度■致陛眈于±ＩｄＢ，相位■改隆肝±５。，ＩｄＢ压缩输出功取在ｏ．８．
；巩代替集总元件ＺＧ、Ｚ。，
１
％＋匕：）
Ａ２。 ０
（２ｄ）
Ｋ２
ｌ
０ ０
Ｏ （２ｅ）
Ｏ
Ａｌ＝ Ｏ ０
乙，ｏ
ｏ
１ Ｏ
Ｏ乙●
根据（２）式矩阵可以确定出放ｊ誉｝自增益为
面拥＝１。Ｋ剖２
其中
Ｃ．＝Ｄ。，＋Ｒ－ｔＤ。。＋ｙ００）。＋民～Ｄ，。）
Ｃ：：Ｄ：，＋民“４。＋如“ｈ，＋民。Ｄ¨）
３ａ］
３ｂ
ｃ：ｃｌｂ，＋ＫＤ：：＋％一１（Ｄ１．＋ＫＤ．：目一Ｇ∞。＋ＹｏＯ．．：＋Ｋ慨。＋ＫＤ。习
４８—７５３ ｍｄ
ｅｘｔｍｉｍｍｔａｌ．ＩＲＥ，１９５０，３８∽：７
３
Ｙ
Ａｙ＇商２ｉ，ＩＬｖ（ｘｔ四ｌｓ，ＲＬＭ删，ＵＤ且斜∞Ｉｄ＆‰ｌｉｆｉａｉｅ
ＧａＡ譬ｌｒａｖｄｉｎｇ
ｗ辩蕊唧ｌｉ６口．Ｅ＆ｃｍｏ．．￡礁，１９８
１，１５⑩：４１３－４１４．
４
Ｙ．Ａ．Ａｙａｓｌｉ，ＬＤ黜ｙｎｏｌ趣ｎ．Ⅵｘｔｍ塌ａｎｄ ｌＪｋ啪＆Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ
Ｌｅｔ－ｔ．．１９８２，１８０３：５９６～５９８
２－：２０Ｇｌｌｚ
ＧａＡｓ们ｖｅｍ略ｗａｖｅ蚰驴ｌｉ６臣Ｅ／ｅａｔｏｎ．
６１１
图２ ０．８－２Ｃ＿珏Ｉｚ增益曲线（１０件严
图３
ｏ啪Ｇ№相位曲线１０佾＊
图４
２－．．４ＧＨｚ增益曲线（１０件，
图５
２训３Ｈｚ相位曲线１０件）。
图６
扯８Ｇ＊乜增益和梧位曲线（１０件）
图７
６—１８Ｇ｝ｋ增益和相位曲线１０件）
注：带‘＊”测试曲线含２０ｄＢ衰减器。
６１２
大于１９ｄＢｍ，输＾输出驻波≤２。
关键阋ＭＥＳＦＥＴ行波故大幅蝴相㈣
０引言
大器等等，但是的㈣内具有圃割嘶卜蜀啪放大掰牛不多见。这种特牲的浇煳颁境带电子对
具有较好自嘴益平坦度，低的反射系数和尉剐慨§定性。
１工作原理
目前有许垂ａ匿用挣瞄恸矧滞的产品，比女嘴嗽低噪声Ａ映器、微波办轲划蠕和瞠嘣报瞰
抗系统所必需的重要部件。本文报道在０．８—１８ＧＨｚ频段内，幅度—致性沈于±ｌｄＢ，相位—致性优
ｇＧＩ－Ｉｚ范围内Ｐ．１大于２４ｄＢｍ，在８—１８ＧＨｚ范围内Ｐ．１大于１９ｄＢｍ，输人输出驻波≤２。 电源电压＋９—１２Ｖ，电流３００ｒｎＡ，昂多痨ｔ受输＾功本耳１５ｄＢｍ。
１．
４结论
采甩行波电路和平衡电路研制的幅相跟踪中功率故走；｝系列，在０．８—１８ａ舷带宽范围内实现
了功率增益太于２０ｄＢ，幅匿＿｛改牲优于±ＩｄＢ，相位■致陛优于±５０，ＩｄＢ压缩鼬功黎在０．８．
出如下力程：
ｙＤ０＋ＲＤ，ｍ＝０ 和％２＋Ｒ６，６２＝０
（１）
对于ｎ级相连负载端口接％和如，可以得出如下矩阵方程：
‰
Ｄ
‰∥‰‰
对于任意连接项可得：
羔巍
Ｄ＝ｎ＾
＾－０
对于相同莲接项为
Ｄ＝Ａ”
（２ｂ）
矩阵ｆＡ］可以表达为
Ａ＝ＡＩＡ２ＡＩ
㈤
如果用传输线特性阻抗 ｚＧ、ＺＤ及电长度÷吼、
：喜
▲ｌ
晶粥麴导纳％拗：
０．８～１８ＧＨｚ系列幅相跟踪中功率 放大器的设计
胡昌洪
（成都６１００３６・中国电子利鼓集团公司第２９硼究所） 【摘要】采用ＭⅨ’ＨⅡ管芯行波放大电路和ＭＭ贮单片电路设计了０．８。１８ＧＨｚ幅相跟
踪中功率放大器系列。该中功率放大器系，批者欹于２０ｄＢ，幅度—致ｆ生洗于±ＩｄＢ，相位
—致性优于±５。输出功率在ｎ８—８ＧＨｚ范围内Ｐ＿ｌ大于２４ｄＢｍ，在８～１８ＧＨｚ范围内Ｐ１