MOS管分类及参数
MOS管参数解释
MOS管参数解释莫斯管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）是一种电子器件，常用于放大、开关和模拟电路中。
它有三个电极：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
MOS管的参数非常重要，决定了MOS管的性能和特性。
本文将详细解释MOS管的主要参数。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指当栅极电压等于源极电压时，MOS管开始导通的电压。
阈值电压可以通过改变栅极电流和源极电流来控制，影响MOS管的导通和截止特性。
2. 漏极电流（Drain Current）：漏极电流是指MOS管工作时从漏极到源极的电流。
漏极电流可以通过调节栅极电压和源极电压来控制。
漏极电流是MOS管的输出电流，在放大电路中起到重要作用。
3. 开关速度（Switching Speed）：MOS管的开关速度是指它从导通到截止或从截止到导通的时间。
开关速度受到MOS管内部电容和电荷传输的影响。
较高的开关速度可以使MOS管在高频应用中更为有效。
4. 导通电阻（On-resistance）：导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小。
导通电阻直接影响MOS管的功耗和效率。
较低的导通电阻可以减小功率损失。
5. 对耗（Power Dissipation）：对耗是指MOS管的功率损耗。
对耗主要由漏极电流和漏极电压决定，较高的对耗可能导致MOS管过热和损坏。
6. 压降（Voltage Drop）：压降是指从源极到漏极之间的电压差。
压降与MOS管的电流和导通电阻有关。
较大的压降可能会影响电路的正常工作。
7. 输出容载（Output Capacitance）：输出容载是指MOS管输出端的电容。
输出容载影响MOS管的开关速度和频率特性。
较大的输出容载可能导致MOS管在高频应用中的性能下降。
8. 噪声系数（Noise Figure）：噪声系数是指MOS管对输入信号中的噪声的放大程度。
mos管参数解读
mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。
在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。
第一步：了解MOS管的型号。
MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。
常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。
其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。
第二步：了解MOS管的参数。
1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。
2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。
5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。
6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。
第三步：正确选择MOS管。
根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。
总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管是一种常用的电力器件，广泛应用于电子电路和电源装置中。
本文将介绍MOS管的主要参数及使用注意事项。
1.MOS管的主要参数(1) 导通电阻（Rds(on)）：即MOS管导通时的电阻，也称为开态电阻。
导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越小。
(2) 饱和电压（Vgs(sat)）：指MOS管在饱和区时，栅极与源极间的电压差。
饱和电压越小，MOS管的导通能力越好。
(3) 压降（Vds）：即栅极与源极间的电压差。
对于负载电路，要保证MOS管的压降在一定范围内，以避免过压损坏MOS管。
(4) 最大耐压（Vds(max)）：指MOS管能够承受的最大电压。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大耐压能够满足应用需求。
(5) 最大电流（Id(max)）：指MOS管能够承受的最大电流。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大电流能够满足应用需求。
(6) 开关速度（tf/td）：指MOS管从关态到开态或从开态到关态的时间。
开关速度越快，MOS管的响应时间越短，适用于高频应用。
(1)静电防护：MOS管对静电敏感，由于静电的高压可能导致器件损坏。
在操作MOS管时，应采取防静电措施，如穿戴静电消除器或接地腕带，以保护MOS管的正常工作。
(2)温度控制：MOS管的工作温度范围一般在-55℃至150℃之间。
当环境温度超过此范围时，应采取散热措施，如加散热片或风扇，以防止MOS管过热损坏。
(3)电流限制：在设计电路时，应根据MOS管的最大电流参数选择合适的负载电阻，以确保MOS管工作在安全电流范围内。
同时，在开关MOS 管时，要注意控制电流斜率，以减小MOS管的开关损耗。
(4) 输入电压（Vgs）控制：应根据具体的MOS管型号和应用需求，选择合适的输入电压（Vgs）范围，以保证MOS管正常开关。
(5)输出负载：要在MOS管的输出端加入合适的负载电路，以防止过压、过流等情况对MOS管造成损坏。
(6) 压降控制：在设计电源装置时，要合理选择MOS管的导通电阻，并确保输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的压降在规定范围内，以保证电路的稳定工作。
mos管 参数
mos管参数MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的半导体器件，具有许多重要的参数。
以下是MOS管的主要参数：1.额定电压VRMS：指管子所能承受的高直流电压值。
2.额定电流IS：指管子所能承载的大直流电流值。
3.高耐压VSSS：指管子能够承受的高交流电压峰值。
4.小通态压降VDIF：指大允许泄漏量。
5.正向电阻rds（only）：正向导电性。
6.反向电阻rdg（only）：反向导电性。
7.导通延迟tdi（only）：正向偏置下导通的延迟。
8.截止频率ftoff ：截止状态下导通的小周期数。
9.阈值电压threshold voltage（including threshold voltages and threshtrimmed gate volts）：当流过二极管的电流超过某一数值后晶体管开始饱和并逐渐减小到稳定状态时的临界电压。
10.阈值功率threshold power ：当流过二极管的电流超过某一数值时晶体管开始饱和并逐渐减少到稳定状态时的临界功率。
11.存储温度范围TSTG：器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。
12.静态参数V(BR)DSS：漏源击穿电压，是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。
13.△V(BR)DSS/△Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃。
14.R DS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。
15.V GS(th)：开启电压（阀值电压），此参数一般会随结温度的上升而有所降低。
16.I DSS：饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。
以上是mos管的一些重要参数，不同的mos管参数可能会有所不同。
MOS管参数详解及驱动电阻选择精编版
MOS管参数详解及驱动电阻选择精编版MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场效应晶体管，用于放大和开关电路中。
它由源极、栅极和漏极组成，通过控制栅极电压来改变源极和漏极之间的电流流动。
在使用MOS管时，需要了解一些关键参数，以便正确选择驱动电阻。
以下是一些常见的MOS管参数及其详细解释：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指栅极电压达到一定值时，MOS管开始导通的电压。
阈值电压的大小决定了MOS管是否容易导通。
选择适当的驱动电阻可以确保在给定的栅极电压下，MOS管能够可靠地导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当栅极电压和源极电压之间的电压达到一定值时，MOS管最大的可持续电流。
选择适当的驱动电阻可以确保在饱和区域内工作，并避免过载情况。
3. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指当MOS管导通时，源极和漏极之间的电阻。
导通电阻的大小直接影响到MOS管的功耗和效率。
较小的导通电阻意味着更高的效率和更低的功耗。
4.最大耗散功率（Pd）：最大耗散功率是指MOS管可以安全承受的最大功率。
选择适当的驱动电阻可以确保MOS管在其额定功率范围内正常工作，避免过热和损坏。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指当MOS管切换时，输入电荷和输出电荷之间的电容。
输出电容的大小影响到切换速度和功耗。
选择适当的驱动电阻可以更好地控制输出电容，提高切换速度。
驱动电阻的选择是根据上述参数来决定的。
首先，需要考虑MOS管的最大耗散功率，以确定可以使用的最大驱动电流。
然后，根据阈值电压、饱和电流和导通电阻来选择合适的驱动电阻，以确保MOS管能在指定的工作条件下正常工作。
此外，还需要考虑MOS管的响应速度和切换速度，以选择合适的驱动电路或电源。
总之，了解MOS管的关键参数并选择适当的驱动电阻是确保正确使用和驱动MOS管的关键。
只有充分理解这些参数，并根据具体的应用需求进行选择，才能保证电路的稳定性和性能。
MOS管分类及参数
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双极型三极管 噪声 较大 温度特性 受温度影响较大 输入电阻 几十到几千欧姆 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成
场效应三极管 较小 较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响 适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
四种MOS管的比较：
1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电 路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬 底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道 为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟 道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。
) （当U GS(off) uGS 0时）
U GS(off)
(2)极间电容：三个极间均存在电容。
uDS (3)输出电阻rd：rd iD
U GS＝C
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主要参数
三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
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栅 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
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绝 缘 栅 场 效 应 管
P 沟 道 增 强 型
P 沟 道 耗 尽 型
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1.4.3
场效应三极管的参数和型号
பைடு நூலகம்
一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。 (2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为 零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电 流）。 (3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理1N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。
由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
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场效应三极管的特性曲线类型比较多， 根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗 尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电 压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方 向，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来 设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。
iD gm uGS
U DS＝常量
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1.4.3 场效应管的主要参数
gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。
2 I DSS (1 gm
uGS U GS ( off )
) （当U GS(off) uGS 0时）
U GS(off)
(2)极间电容：三个极间均存在电容。
uDS (3)输出电阻rd：rd iD
U GS＝C
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1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较
双极型三极管 结构 NPN型 PNP型 场效应三极管 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D与S(有的型号)可倒置使用 多子漂移 电压输入 电压控制电流源VCCS(gm)
C与E一般不可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 输入量 电流输入 控制 电流控制电流源CCCS(β)
四种MOS管的比较：
1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电 路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬 底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道 为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟 道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。
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结 型 场 效 应 管
N 沟 道
P 沟 道
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图02.18 各类场效应三极管的特性曲线 N 沟 道 绝 增 缘 强 型
栅 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
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绝 缘 栅 场 效 应 管
P 沟 道 增 强 型
P 沟 道 耗 尽 型
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(4)直流输入电阻RGS（DC） 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型 场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型 场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 二、交流参数 (1)低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，即 uGS对 iD的控制作用。
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双极型三极管 噪声 较大 温度特性 受温度影响较大 输入电阻 几十到几千欧姆 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成
场效应三极管 较小 较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响 适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
主要参数
三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
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1.4.3
场效应三极管的参数和型号
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一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。 (2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为 零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电 流）。 (3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。