PECVD工艺原理及操作
PECVD工艺原理及操作
烘烤基片
将清洗后的基片进行烘烤 ，去除表面的水分和溶剂 ，使基片表面更加干燥和 清洁。
放置电极
在基片上放置电极，以便 在PECVD工艺中进行电场 驱动和监控。
薄膜制备工艺参数设置
真空度
温度
在一定范围内，提高真空度可以改善薄膜 质量，因为高真空度可以减少气体分子对 薄膜形成过程的干扰。
射频功率
温度对薄膜形成速度和质量有很大影响， 温度过低会导致薄膜不均匀，温度过高则 可能导致薄膜性能下降。
不稳定，影响薄膜质量；微波功率过低则会导致反应速度慢，影响生产
效率。因此，需要选择合适的微波功率。
设备改进方案及实施计划
升级反应室材料
目前使用的反应室材料存在一些问题，如耐高温性能不足、抗腐蚀性能差等。因此，建议 升级反应室材料，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括选择合适的材料、进行材料 加工和装配等。
增加冷却系统
为了降低设备运行温度和减少故障率，建议增加冷却系统。具体实施计划包括设计冷却系 统、选择合适的冷却液等。
改进进样系统
目前使用的进样系统存在一些问题，如进样速度慢、进样精度低等。因此，建议改进进样 系统，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括设计新的进样系统、进行设备调试等。
工艺材料改进方案及实施计划
控。
基片材质
基片材质对PECVD工艺中的化学 反应和薄膜附着力有重要影响。选 择合适的基片材质可以提高薄膜质 量和附着力。
工艺参数稳定性
工艺参数稳定性对薄膜质量有很大 影响。保持工艺参数稳定可以减少 薄膜缺陷和提高薄膜质量。
04
PECVD工艺优化及改进
工艺参数优化建议
01
优化反应温度
降低反应温度可以减少薄膜中的缺陷和杂质，提高薄膜质量。同时，适
PECVD工艺原理及操作
PECVD工艺原理及操作PECVD（Plasma enhanced chemical vapor deposition）是一种常用的化学气相沉积（CVD）技术。
其原理是在气相条件下，将所需的材料沉积到基板上，通过离子处理气体形成低能量等离子体，从而促进材料的沉积。
1.气体混合：将沉积材料的前体气体和携带离子的气体混合在一起。
前体气体会分解形成可沉积材料，携带离子的气体则会通过离子助推器产生等离子体。
2.等离子体生成：混合气体进入到反应室，通过加热和放电等方法，激发气体产生等离子体。
等离子体可以通过碰撞和电场加速等作用，激活、分解和重新组合气体分子，形成可沉积的材料。
3.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面发生反应，沉积成薄膜。
反应过程通常涉及的反应类型有：氧化、硝化、碳化、氮化以及聚合等反应。
4.控制沉积速率：PECVD工艺中可以通过控制沉积材料的浓度、气体流量、反应温度和反应时间等参数，来调节薄膜的厚度和生长速率。
1.准备基板：选择适当材料制备基板，并进行必要的清洗和表面处理，以提供更好的薄膜附着性能。
2.载入基板：将基板放置在PECVD反应室中，并确保其与反应室壁保持一定的距离，以避免基板受到过多的电子轰击或损坏。
3.气体进料：根据所需的薄膜材料，选择合适的前体气体，并将其与携带离子的气体混合。
通过控制进气流量和组分比例，使气体在反应室中均匀混合。
4.产生等离子体：通过加热、放电或高频电源等方式激发混合气体产生等离子体。
通过调节参数，如加热功率、电压、频率等来控制等离子体的大小和活性。
5.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面反应，形成薄膜。
通过调节反应参数的时间，控制沉积速率和薄膜厚度。
6.完成沉积：反应时间到达后，停止进料，并将反应室中的气体排出。
等离子体消失后，取出沉积好的基板。
1.温度低：PECVD工艺可以在相对较低的温度下进行，避免了对基板的热应力和退火效应。
2.厚度均匀：PECVD工艺可以在大面积基板上实现均匀的材料沉积，产生薄膜的厚度均匀性较好。
PECVD工艺原理及操作 ppt课件
设备结构
➢设备结构__管P
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设备结构
设备结构
➢装载区 ➢炉体 ➢特气柜 ➢真空系统 ➢控制系统
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设备结构
➢ 设备结构：
装载区： 桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。
•
桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防
变形等性能。作用是将石墨舟放入或
取出石英管。
•
LIFT： 机械臂系统，使舟在机械臂作用下在
目录
一．基本原理 二．工艺流程 三．设备结构 四．基本操作 五．异常处理
2
基本原理
➢PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等离子 增强 化学 气相 沉积
➢等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部 分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物 组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。
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镀膜工艺流程
1. processing started 工艺开始
2. fill tube with N2 充氮
3. loading boat (paddle in upper position) 进舟（桨在高位）
4. paddle moves downwards 桨降至低位
5. move out (paddle in lower position ) 桨在低位移出管外
6
基本原理
➢PECVD种类:
间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子）
7
基本原理
➢PECVD种类:
直接式—基片位于电极上，直接接触等离子体（低频放电10500kHz或高频13.56MHz）
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PECVD工艺原理及操
总结词
氧化锌纳米结构具有独特的物理和化学性质 ，如宽禁带、高激子束缚能、高迁移率等， 因此在光电器件、传感器和催化等领域有广 泛的应用前景。PECVD技术可用于制备氧 化锌纳米结构。
详细描述
在氧化锌纳米结构制备中，常用的反应气体 为锌烷或锌甲胺等含锌化合物，通过
PECVD工艺在基材表面形成氧化锌纳米结 构。实验过程中需要控制反应温度、气体流 量和压力等参数，以获得高质量的氧化锌纳 米结构。氧化锌纳米结构在发光二极管、紫 外探测器、传感器和光催化等领域有广泛应
PECVD工艺原理及操作
目录
• PECVD工艺原理 • PECVD设备与材料 • PECVD工艺参数 • PECVD应用领域 • PECVD操作流程 • PECVD实验案例分析
01
PECVD工艺原理
等离子体基本概念
等离子体
由带电粒子（电子和离子）和中性粒子（原子、分子或自由基） 组成的宏观上呈中性的物质状态。
微电子器件封装
PECVD工艺可以用于制备微电子 器件的封装材料，如氮化硅、碳 化硅等，具有高硬度、低介电常 数和良好的化学稳定性。
光学领域
光学薄膜
PECVD工艺可用于制备各种光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光片等，具有高反射、高透射和高稳定性等特点。
激光器谐振腔
PECVD工艺可以用于制备激光器谐振腔内的介质薄膜，如氧化硅、氮化硅等，具有高反射率和良好的热稳定性。
工艺参数
包括真空度、反应气体和载气流量、辉光放电功率和频率 等。
工艺特点
可在较低温度下实现化学气相沉积，适用于大面积基底处 理，可制备多种薄膜材料。
02
PECVD设备与材料
PECVD设备介绍
01
02
PECVD作业指导书
PECVD作业指导书PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）被广泛应用于半导体、微电子和涂层行业，用于制备高品质的薄膜材料。
本文将介绍PECVD的基本原理，工作过程以及在不同领域的应用。
一、基本原理PECVD是一种基于化学气相沉积的薄膜制备技术，其核心原理是利用等离子体激活气体分子，在较低的温度下生成和沉积薄膜。
其主要步骤包括气体进样、气体激活、离子束加速和沉积薄膜。
通常，PECVD系统由真空室、进气系统、高频发生器和沉积室等部分组成。
二、工作过程1. 气体进样：待沉积的薄膜材料会以气体形式通过进气系统输入到PECVD系统中。
常用的气体包括硅烷、氨气、二甲基酮等。
2. 气体激活：高频发生器产生的高频电场作用下，原质子分解为阳极、阴极和自由电子，形成等离子体。
等离子体释放出的电子和原子之间发生碰撞，激活气体分子。
3. 离子束加速：在等离子体激活气体的作用下，离子在电场的作用下被加速，形成离子束。
离子束的能量和速度决定了薄膜生长的速度和质量。
4. 沉积薄膜：离子束撞击基片表面，使原子重新排列并沉积在基片上，形成薄膜。
具体沉积过程中，离子以电子作为中间体，通过吸附、解离和重组等反应形成化学键。
三、应用领域1. 半导体工业：PECVD被广泛应用于半导体器件的制造中。
例如，可以使用PECVD在晶圆上沉积硅氮氧化物作为绝缘层，或者沉积多晶硅用于构建晶体管等。
2. 微电子工业：PECVD可以在平板显示器、光伏电池和传感器等微电子器件的制造过程中发挥重要作用。
例如，PECVD可用于制备SiNx和SiOx薄膜用于光学薄膜和阻隔层。
3. 涂层工业：PECVD还被应用于不同类型的涂层，例如防反射涂层、耐磨涂层和阻隔膜等。
通过控制沉积参数，可以调节薄膜的光学、电学和机械性能，以满足不同的应用需求。
总之，PECVD作为一种重要的化学气相沉积技术，在半导体、微电子和涂层领域发挥着重要作用。
pecvd 气体工作原理
pecvd 气体工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的气体工作原理，广泛应用于半导体行业中的薄膜沉积工艺。
本文将从PECVD的基本原理、工作过程和应用领域等方面进行介绍。
一、基本原理PECVD是一种通过等离子体激发的化学气相沉积技术，其基本原理是在低压条件下将气体引入真空室中，通过高频电场或射频电场激发气体分子，产生等离子体，并使气体分子激发到高能态。
随后，高能态的气体分子与基底材料表面发生反应，形成所需的薄膜。
二、工作过程PECVD的工作过程主要包括气体供应、等离子体激发和薄膜沉积三个阶段。
1. 气体供应阶段：将所需的气体通过进气管道引入真空室中。
常用的气体有硅烷、氨气、二氧化硅等，这些气体的选择根据所需的薄膜材料来确定。
2. 等离子体激发阶段：在真空室中加入高频电场或射频电场，使气体分子激发到高能态，形成等离子体。
等离子体的激发有助于提高气体分子的反应活性，加快薄膜沉积速度。
3. 薄膜沉积阶段：高能态的气体分子与基底材料表面发生反应，沉积形成所需的薄膜。
在此过程中，需要控制气体的流量、反应温度、沉积时间等参数，以获得所需的薄膜性能。
三、应用领域PECVD技术在半导体行业中有着广泛的应用，主要用于薄膜沉积和表面改性等方面。
1. 薄膜沉积：PECVD技术可用于沉积氮化硅、二氧化硅、氮化铝等薄膜，这些薄膜在半导体器件的制备过程中起到绝缘、隔离、保护等作用。
2. 表面改性：通过PECVD技术可以在基底表面形成各种功能性薄膜，如抗反射膜、防刮伤膜、阻隔层等，提高半导体器件的性能和可靠性。
除了在半导体行业中的应用，PECVD技术还可用于涂层材料、光电子器件、太阳能电池等领域。
例如，在太阳能电池的制造过程中，PECVD技术可用于沉积透明导电膜，提高光电转换效率。
总结：PECVD是一种基于等离子体激发的化学气相沉积技术，通过激发气体分子形成高能态，与基底材料表面发生反应，实现薄膜的沉积。
PECVD工作工艺原理
PECVD工作工艺原理PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，即等离子体增强化学气相沉积，是一种用于薄膜制备的工艺技术。
它通过产生等离子体和化学反应，将气体中的原子或分子沉积在基底表面上，形成具有所需性质的薄膜。
PECVD工艺在微电子、光电子、光伏等领域有广泛的应用。
一、工艺设备：PECVD工艺需要一个具有产生等离子体能力的等离子体反应腔体。
一般采用的反应腔体有平板状腔体、圆柱腔体和圆筒形腔体等。
其中，平板状腔体是最常见的设计，由两块平行的金属电极和绝缘材料构成。
电极上加上高频电压，产生等离子体区域，通过给气体供给能量，使其发生等离子体化，然后进一步与基底反应，形成薄膜。
二、材料选择：PECVD工艺所用的气体材料可以根据所需的薄膜类型和特性进行选择。
一般使用的气体有硅烷类气体、碳氢类气体、氧化物类气体等。
硅烷类气体如SiH4可以用于氢化非晶硅（a-Si:H）、多晶硅（μc-Si）、氮化硅（SiNx）等薄膜制备。
碳氢类气体如CH4用于制备含碳材料如石墨烯、钻石薄膜等。
氧化物类气体如N2O、O2用于制备氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）等薄膜。
1.等离子体产生：先在等离子体反应腔体内引入气体，然后加上高频电压，产生电磁场，激发电子，使其中的气体分子电离为正、负离子和自由电子。
这些离子和自由电子共同形成等离子体。
2.等离子体活化：等离子体中的电子具有高能量，可以激发气体分子内部的化学反应。
通过调节等离子体的参数，如功率、气压和流量等，可以控制等离子体激发和反应的效果。
3.气体沉积：等离子体中的活性物种在反应腔体的基底表面发生化学反应，产生薄膜物质。
这些活性物种可以是离子（正、负离子）、自由基或激发态分子。
薄膜的成分和性质可以通过改变气体的组成和工艺参数来控制。
4.薄膜沉积速率和性质调控：在PECVD过程中，可以通过调整工艺参数，如功率、气体流量、压力和基底温度等，来控制薄膜的沉积速率和性质。
PECVD工艺原理及操作
b
3
基本原理
真空 蒸发
电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热
➢ 物理气相沉积 （PVD）
溅射 沉积
直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射
离子镀
直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀
b
4
基本原理
➢工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑
利用低温等离子体作能量源，利用一定方式使硅片升温到 预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反 应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法区 别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电 子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气 相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过 程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉 积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得 以在低温下实现。
阳能电池的效率。
b
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基本原理
➢工作原理__管P Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频
等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子 发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。所用的活 性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。可以改变硅烷对氨的比率，来 得到不同的折射率。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离 子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。
b
5
基本原理
➢ 其它方法的沉积温度： APCVD —常压CVD，700-1000℃ LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar
➢ PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化 （<450℃）。因此带来的好处：
最新PECVD工艺原理及操作PPT课件
设备结构
➢设备结构__管P
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设备结构
设备结构
➢装载区 ➢炉体 ➢特气柜 ➢真空系统 ➢控制系统
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设备结构
➢ 设备结构：
装载区： 桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。
•
桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防
变形等性能。作用是将石墨舟放入或
取出石英管。
•
LIFT： 机械臂系统，使舟在机械臂作用下在
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镀膜工艺流程
16. fill tube with N2 充氮
17. move in paddle – lower position 桨在低位进入管内
18. SLS moving to upper position SLS移到高位
19. unloading boat 退舟
20. end of process 结束工艺
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镀膜工艺流程
6. evacuate tube and pressure test 管内抽真空并作压力测试
7. plasma preclean and check with NH3 通过高频电源用氨气预清理和检查
8. purge cycle 1 清洗管路1
9. leak test 测漏
10. wait until all zones are on min temperature 恒温
6
基本原理
➢PECVD种类:
间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子）
基本原理
➢PECVD种类:
直接式—基片位于电极上，直接接触等离子体（低频放电10500kHz或高频13.56MHz）
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基本原理
PECVD
PECVD工艺原理及操作
它具有非常好的薄膜均匀性，而且具有大规模生产的能力。
在PECVD工序中，等离子体中的H（氢）对硅表面的钝化和 在烧结工序中SiN中的氢原子向硅内扩散，使H（氢）钝化了 硅表面和体内的晶界，悬挂键等缺陷，使它们不再起复合中 心的作用，减少了少数载流子的复合，提高了少数载流子的
寿命，从而改善了硅片质量，提高了太阳能电池的效率。
• CESAR：控制电脑，每一个系统都安装了CESAR控制电脑及
工艺部
报告人:
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基本操作_板P
1、准备工作：双手配带,PVC手套，佩戴活性炭口罩。 2、领片:从烘干机中小心取一组硅片，将硅片篮倾斜45度，仔细检查硅 片是否有损坏现象，是否仍有有水珠存在。将检查好的硅片整齐的放于 小推车上，并核查流程单记录篮号是否与实际相符，将核查好的流程单 放于小车旁边的工具盒里面。 注意事项：从烘干机领片时，确保硅片表面没有水珠后，再进行装片。 带实验单的流程单一定要看清楚实验要求。
目录
一．基本原理
二．工艺流程 三．设备结构
四．基本操作
五．异常处理
工艺部
报告人:2Fra bibliotek 基本原理PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等离子 增强 化学 气相 沉积
等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部 分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物 组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。
工艺部
报告人:
5
基本原理
其它方法的沉积温度： APCVD —常压CVD，700-1000℃ LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化 （<450℃）。因此带来的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 其他优点： 沉积速率快 成膜质量好 缺点： 设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高 镀膜过程中产生的剧烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害 报告人: 工艺部
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工艺部
报告人:王松
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基本原理
➢工作原理__管P Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频
等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子 发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。所用的活 性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。可以改变硅烷对氨的比率，来 得到不同的折射率。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离 子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。
PECVD工艺原理及操 作
毛振乐 2010.3.20
目录
一．基本原理 二．工艺流程 三．设备结构 四．基本操作 五．异常处理
工艺部
报告人:
2
基本原理
➢PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等离子 增强 化学 气相 沉积
➢等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部 分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物 组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。
19. unloading boat
退舟
20. end of process
结束工艺 工艺部
报告人:
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设备结构
管式PECVD系统
工艺部
板式PECVD系统
报告人:
设备结构
➢设备结构__板P
工艺部
报告人:王松
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设备结构
➢设备结构__板P
工艺部
报告人:王松
19
设备结构
➢设备结构__板P
工艺部
报告人:王松
桨在低位移出管外
工艺部
报告人:
13
镀膜工艺流程
6. evacuate tube and pressure test
管内抽真空并作压力测试
7. plasma preclean and check with NH3 通过高频电源用氨气预清理和检查
8. purge cycle 1
清洗管路1
9. leak test
提高产能
减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减
➢ 其他优点：
沉积速率快
成膜质量好
➢ 缺点：
设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高
镀膜过程中产生的剧烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害
工艺部
报告人:
6
基本原理
➢PECVD种类:
间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子）
工艺部
报告人:
抽真空及测试压力
15. purge cycle 1
清洗管路1 工艺部
报告人:
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镀膜工艺流程
16. fill tube with N2 充氮
17. move in paddle – lower position
桨在低位进入管内
18. SLS moving to upper position
SLS移到高位
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基本原理
➢PECVD种类:
直接式—基片位于电极上，直接接触等离子体（低频放电10-
500kHz或高频13.56MHz）
工艺部
报告人:
8
基本原理
PECVD
直接法
管式PECVD系统 板式PECVD系统
Centrotherm 、 四 十 八 所、七星华创
日本岛津
间接法
微波法 直流法
Roth&Rau OTB
工艺部
报告人:
5
基本原理
➢其它方法的沉积温度：
APCVD —常压CVD，700-1000℃
LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar
PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar
➢PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化
（<450℃）。因此带来的好处：
节省能源，降低成本
测漏
10. wait until all zones are on min temperature
恒温 工艺部
报告人:
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镀膜工艺流程
11. ammonia plasma preclean
通过高频电源用氨气清理
12. deposition
镀膜
13. end of deposition
结束镀膜
14. evacuate tube and pressure test
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设备结构
➢设备结构__板P
压力
压力
传送带1
压力 传送带速度
上载
工艺部
预热
反应
冷却
下载
报告人:
设备结构
➢设备结构__板P
冷却水 温度
压力
工艺部
时间 日期
账号 工艺名称 运行状态
报告人:
工艺部
报告人:
基本原理
➢ PECVD 的作用
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上 的光的透射，减少反射。
氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
工艺部
报告人:
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基本原理
➢ 工作原理__板P SiNA 系统采用的是一种间接微波等离子体增强化学气
相沉积的方法沉积硅太阳能电池的氮化硅（SiN）减反射膜。 它具有非常好的薄膜均匀性，而且具有大规模生产的能力。 在PECVD工序中，等离子体中的H（氢）对硅表面的钝化和 在烧结工序中SiN中的氢原子向硅内扩散，使H（氢）钝化了 硅表面和体内的晶界，悬挂键等缺陷，使它们不再起复合中 心的作用，减少了少数载流子的复合，提高了少数载流子的 寿命，从而改善了硅片质量，提高了太阳能电池的效率。
工艺部
报告人:
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镀膜工艺流程
1. processing started
工艺开始
2. fill tube with N2 充氮
3. loading boat (paddle in upper position)
进舟（桨在高位）
4. paddle moves downwards
桨降至低位
5. move out (paddle in lower position理
➢ 物理气相沉积 （PVD）
工艺部
真空 蒸发
溅射 沉积
离子镀
电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热
直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀
报告人:
基本原理
➢工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑
利用低温等离子体作能量源，利用一定方式使硅片升温到 预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反 应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法 区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的 电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与 气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离 过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜 沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程 得以在低温下实现。