半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

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半导体物理学[刘恩科]第七版完整课后题答案解析

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第一章习题1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为:E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求:为电子惯性质量,nm a ak 314.0,1==π(1)禁带宽度;(2) 导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)eV m k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以:准动量的定义:2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a )(100)晶面 (b )(110)晶面(c )(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求(1)布里渊区边界; (2)能带宽度;(3)电子在波矢k 状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*n m ;(5)能带顶部空穴的有效质量*p m解:(1)由0)(=dk k dE 得 an k π= (n=0,±1,±2…) 进一步分析an k π)12(+= ,E (k )有极大值,214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-):():():(222)mak E MAX=( ank π2=时,E (k )有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== (4)电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=, 且**n p m m -=,所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案百

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半导体物理学(刘恩科)第七版第⼀章到第五章完整课后题答案百第⼀章习题1.设晶格常数为a的⼀维晶格,导带极⼩值附近能量Ec(k和价带极⼤值附近能量EV(k分别为:Ec=(1)禁带宽度;(2)导带底电⼦有效质量;(3)价带顶电⼦有效质量;(4)价带顶电⼦跃迁到导带底时准动量的变化解:(1)2. 晶格常数为0.25nm的⼀维晶格,当外加102V/m,107 V/m的电场时,试分别计算电⼦⾃能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:得补充题1分别计算Si(100),(110),(111)⾯每平⽅厘⽶内的原⼦个数,即原⼦⾯密度(提⽰:先画出各晶⾯内原⼦的位置和分布图)Si在(100),(110)和(111)⾯上的原⼦分布如图1所⽰:(a)(100晶⾯(b)(110晶⾯(c)(111晶⾯补充题2⼀维晶体的电⼦能带可写为,式中a为晶格常数,试求(1)布⾥渊区边界;(2)能带宽度;(3)电⼦在波⽮k状态时的速度;(4)能带底部电⼦的有效质量;(5)能带顶部空⽳的有效质量解:(1)由得(n=0,1,2…)进⼀步分析,E(k)有极⼤值,时,E(k)有极⼩值所以布⾥渊区边界为(2能带宽度为(3)电⼦在波⽮k状态的速度(4)电⼦的有效质量能带底部所以(5能带顶部,且,所以能带顶部空⽳的有效质量半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原⼦严格按周期性排列并静⽌在格点位置上,实际半导体中原⼦不是静⽌的,⽽是在其平衡位置附近振动。

(2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若⼲杂质。

(3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和⾯缺陷等。

2. 以As掺⼊Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

As有5个价电⼦,其中的四个价电⼦与周围的四个Ge原⼦形成共价键,还剩余⼀个电⼦,同时As原⼦所在处也多余⼀个正电荷,称为正离⼦中⼼,所以,⼀个As 原⼦取代⼀个Ge原⼦,其效果是形成⼀个正电中⼼和⼀个多余的电⼦.多余的电⼦束缚在正电中⼼,但这种束缚很弱,很⼩的能量就可使电⼦摆脱束缚,成为在晶格中导电的⾃由电⼦,⽽As原⼦形成⼀个不能移动的正电中⼼。

半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案

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第一章习题1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为:E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求:为电子惯性质量,nm a ak 314.0,1==π(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以:准动量的定义:2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:t k hqE f ∆∆== 得qEk t -∆=∆ sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a )(100)晶面 (b )(110)晶面(c )(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求(1)布里渊区边界; (2)能带宽度;(3)电子在波矢k 状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*n m ;(5)能带顶部空穴的有效质量*p m解:(1)由0)(=dk k dE 得 an k π= (n=0,±1,±2…) 进一步分析an k π)12(+= ,E (k )有极大值,214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-):():():(222)mak E MAX =( ank π2=时,E (k )有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== (4)电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-== 能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=, 且**n p m m -=,所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

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半导体物理学第一章习题(公式要正确显示,请安装字体MTextra)1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E c(k)和价带极大值附近能量E V(k)分别为:........................................................................................1...2.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

...............................................3.1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E c(k)和价带极大值附近能量E V(k)分别为:Ec2222223k(k k)k11,E(k)V3mm6m0002km2m为电子惯性质量,k1,a0.314nm。

试求:a(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化1解:10k 1=109a0.31410(1) 导带:由dE C dk 2 2 k 3m0 2 2 (k mk)1 0得: k3 4 k12 dE 2c 又因为: dk2 2 3m 0 2 2 m 0 2 8 3m0 所以:在 k 3 4 k 处,Ec 取极小值Ec 122 k 14m0 (1.054 1049.110 1031 10 ) 2 3.05 * 10 17J 价带:dEV dk6 2 km 00 得 k0 又因为 2 dE V 2 dk2 6 m0 0, 所以 k 0 处, E 取极大值 V E(k V ) 22k 1 6m 0因此: E g E C ( 3 4 k) 1 E(0) V 22 k 1 4m 0 22 k 1 6m 0 22 k 1 12m 0 (1.054 12 34 10 9.108 10 10 31 10 ) 2 1.02 * 10 17 J *(2)m nC d2 3 2E 8C m 0dk 2 k 34 k 1*(3)mnV d 2 2 EV m 0 62 dkk0 (4)pk准动量的定义:所以:p(k) k 3 4 k 1 ( k) k 0 3 4 k 1 0 3 4 6.625 2 1034 0.314109 3 41.541034 10 107.95 10 25 N /s 23.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第七章完整课后题答案

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第一章习题1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k )分别为:E C (K )=0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求:为电子惯性质量,nm a ak 314.0,1==π(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以:准动量的定义:2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:t k hqE f ∆∆== 得qEk t -∆=∆ sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a)(100)晶面 (b )(110)晶面(c)(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求(1)布里渊区边界; (2)能带宽度;(3)电子在波矢k 状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*n m ;(5)能带顶部空穴的有效质量*p m解:(1)由0)(=dk k dE 得 an k π= (n=0,±1,±2…) 进一步分析an k π)12(+= ,E (k )有极大值,214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-):():():(222)mak E MAX =( ank π2=时,E (k )有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== (4)电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-== 能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=, 且**n p m m -=,所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

半导体物理学(刘恩科第七版)习题集标准答案(比较完全)

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第一章习题1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为:E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求:为电子惯性质量,nm a ak 314.0,1==π(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以:准动量的定义:2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a )(100)晶面 (b )(110)晶面(c )(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求(1)布里渊区边界; (2)能带宽度;(3)电子在波矢k 状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*n m ;(5)能带顶部空穴的有效质量*p m解:(1)由0)(=dk k dE 得 an k π= (n=0,±1,±2…) 进一步分析an k π)12(+= ,E (k )有极大值,214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-):():():(222)mak E MAX=( ank π2=时,E (k )有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== (4)电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=, 且**n p m m -=,所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =第二章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

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2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6) 。
2.证明:si、Ge 半导体的E(IC) ~ K关系为
2 2 h 2 k x k y k z2 E( EC ( ) C k) 2 mt ml ' 令k x ( 1 ma m 1 m 1 ' ) 2 kx , ky ( a ) 2 k y , k z' ( a ) 2 k z mt mt ml
2 8 mn l
1 Z0 V 4 (
Ec
100 h 2
2 8 mn l
EC * n
g ( E )dE
3 2
EC

2
4 (
1 * 3 2m n 2 2 ) ( E E ) dE C 2 h
2m ) h2
2 ( E EC ) 3
3
Ec Ec
100h 2 2 8mn L
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第三章习题
1. 计算能量在 E=Ec 到 E E C 解:
100h 2 之间单位体积中的量子态数。 2 8m * nL
1 * 3 2m n 2 g ( E ) 4 ( 2 ) ( E EC ) 2 V h dZ g ( E )dE dZ 单位体积内的量子态数Z 0 V Ec 100 h 2
所以布里渊区边界为 k ( 2n 1)

a 2 2 ma 2
(2)能带宽度为 E(k ) MAX E ( k ) MIN (3)电子在波矢 k 状态的速度 v (4)电子的有效质量

半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案-百(精)

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第一章习题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k和价带极大值附近能量EV(k分别为:Ec=〔1〕禁带宽度;〔2〕导带底电子有效质量;〔3〕价带顶电子有效质量;〔4〕价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:〔1〕2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:得补充题1分别计算Si〔100〕,〔110〕,〔111〕面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度〔提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图〕Si在〔100〕,〔110〕和〔111〕面上的原子分布如图1所示:〔a〕(100晶面〔b〕(110晶面〔c〕(111晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为,式中a为晶格常数,试求〔1〕布里渊区边界;〔2〕能带宽度;〔3〕电子在波矢k状态时的速度;〔4〕能带底部电子的有效质量;〔5〕能带顶部空穴的有效质量解:〔1〕由得〔n=0,1,2…〕进一步分析,E〔k〕有极大值,时,E〔k〕有极小值所以布里渊区边界为(2能带宽度为(3〕电子在波矢k状态的速度〔4〕电子的有效质量能带底部所以(5能带顶部,且,所以能带顶部空穴的有效质量半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:〔1〕理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

〔2〕理想半导体是纯洁不含杂质的,实际半导体含有假设干杂质。

〔3〕理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。

2. 以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个As 原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导电的自由电子,而As原子形成一个不能移动的正电中心。

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半导体物理学
第一章习题
(公式要正确显示,请安装字体MT extra)
1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极
大值附近能量EV(k)分别为: (1)
2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场
时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

(3)
1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附
近能量E V (k)分别为: 0
2
20122021202236)(,)(3Ec m k m k k E m k k m k V -=-+= 0m 。

试求:
为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1==π
(1)禁带宽度;
(2)导带底电子有效质量;
(3)价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
解:10911010314.0=-⨯==
ππa k
(1)
J m k m k m k E k E E m k k E E k m dk E d k m k dk dE J m k Ec k k m m m dk E d k k m k k m k dk dE V C g V V V V c C 17312103402120122021210
12202220
217312
103402
12102
02022210
120210*02.110108.912)1010054.1(1264)0()43(6)(0,0600610*05.310
108.94)1010054.1(4Ec 430382324
30)(232------=⨯⨯⨯⨯==-=-===<-===-==⨯⨯⨯⨯===>=+==
=-+= 因此:取极大值处,所以又因为得价带:
取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04
3222*
83)2(1m dk E d m k k C
nC === s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.71010054.14
310314.0210625.643043)()
()4(6
)3(251034934104300
222
*1----===⨯=⨯⨯⨯=⨯⨯⨯⨯=-=-=∆=-==ππ 所以:准动量的定义:
2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:t
k qE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆ s a t s a t 137192821993421911028.810
106.1)0(1028.810106.11025.0210625.610106.1)0(-------⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯-⨯-⨯⨯=⨯⨯--=∆π
πππ
补充题1
分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度
(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)
Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:
(a )(100)晶面 (b )(110)晶面
(c )(111)晶面
2142
2142
2142822/1083.734232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-():():(
补充题2
一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 8
7()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求
(1)布里渊区边界;
(2)能带宽度;
(3)电子在波矢k 状态时的速度;
(4)能带底部电子的有效质量*n m ;
(5)能带顶部空穴的有效质量*
p m
解:(1)由0)(=dk k dE 得 a
n k π= (n=0,±1,±2…) 进一步分析a n k π
)12(+= ,E (k )有极大值,
222)ma k E MAX
=( a n k π
2=时,E (k )有极小值 所以布里渊区边界为a n k π
)12(+=
(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN
MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 4
1(sin 1ka ka ma dk dE v -== (4)电子的有效质量
)2cos 21(cos 222*ka ka m dk E d m n
-==
能带底部 a
n k π2= 所以m m n 2*= (5)能带顶部 a
n k π)12(+=
, 且**n p m m -=, 所以能带顶部空穴的有效质量3
2*
m m p =
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)。

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