辉芒微FMD电源管理芯片方案
FM33G0xx 低功耗 MCU 芯片 技术手册说明书

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章节列表章节列表 (3)表目录 (14)图目录 (15)1产品综述 (17)1.1概述 (17)1.2产品型号列表 (19)1.3性能指标 (19)1.3.1极限参数 (19)1.3.2电参数 (19)1.4引脚和封装定义 (25)1.4.1LQFP80封装图 (25)1.4.2LQFP64封装图 (26)1.4.3LQFP48封装图 (27)1.4.4QFN32封装图 (28)1.4.5TSSOP16封装图 (29)1.4.6引脚功能定义 (30)1.4.7功能引脚分布 (35)1.4.8封装尺寸图 (37)1.5焊接安装说明 (45)1.6MSL等级 (46)2寄存器 (47)3电源管理 (57)3.1概述 (57)3.2功耗模式 (57)3.2.1功耗模式与外设功能 (58)3.2.2LP Run模式 (58)3.2.3SLEEP模式 (59)3.2.4DEEPSLEEP模式 (59)3.2.5RTCBKP模式 (59)3.2.6唤醒源 (60)3.2.7休眠唤醒后的时钟控制 (60)3.3寄存器 (61)3.3.1低功耗控制寄存器LPMCFG (61)3.3.2唤醒时间控制寄存器WKDLYCON (62)3.3.3引脚唤醒标志寄存器WKPFLAG (62)3.3.4PMU中断使能寄存器LPREIE (63)3.3.5PMU中断标志寄存器LPREIF (63)4CPU (65)4.1概述 (65)4.1.1处理器配置 (65)4.2编程模型 (65)4.2.1内核工作模式 (65)4.2.2内核寄存器 (66)4.2.3系统控制寄存器 (66)4.3异常和中断 (66)4.3.2中断优先级 (68)4.3.3错误处理 (68)4.3.4锁定(Lockup) (69)4.3.5VTOR (69)4.4调试特性 (69)4.4.1调试功能引脚 (70)4.4.2调试状态下的看门狗控制 (70)4.4.3DEBUG的复位 (70)4.5扩展寄存器 (70)4.5.1MCU DEBUG配置寄存器 (70)4.5.2HardFault标志寄存器 (71)5总线与存储 (73)5.1系统总线 (73)5.2存储空间分配 (73)5.3F LASH读取 (74)5.4F LASH编程 (74)5.4.1概述 (74)5.4.2Flash擦写方法 (75)5.5F LASH的内容保护 (77)5.5.1Debug接口保护(DBRDP) (77)5.5.2应用代码保护(ACLOCK) (77)5.5.3Flash访问权限说明 (77)5.6NVR5说明 (78)5.7寄存器 (78)Flash读取控制寄存器 (78)用户配置寄存器 (78)代码锁定寄存器1 (78)Flash擦写控制寄存器 (79)Flash Key输入寄存器 (79)Flash中断使能寄存器 (79)Flash中断标志寄存器 (79)5.7.1Flash读取控制寄存器FLSRDCON (79)5.7.2用户配置字寄存器OPTBR (79)5.7.3ACLOCK寄存器1ACLOCK1 (80)5.7.4Flash擦写控制寄存器EPCON (80)5.7.5Flash Key输入寄存器FLSKEY (81)5.7.6Flash中断使能寄存器FLSIE (81)5.7.7Flash中断标志寄存器FLSIF (82)6复位 (84)6.1概述 (84)6.2模块框图 (84)6.3上下电复位(BOR+PDR) (85)6.4独立看门狗(IWDT) (86)6.4.1概述 (86)6.4.2IWDT操作 (86)6.5窗口看门狗(WWDT)复位 (86)6.5.1功能描述 (86)6.5.2WWDT工作方式 (87)6.6软件复位 (88)6.7引脚复位(NRST) (88)6.8其他复位源 (89)6.9.1PDR配置寄存器PDRCON (89)6.9.2BOR配置寄存器BORCON (90)6.9.3复位配置寄存器RSTCFG (90)6.9.4软件复位寄存器SOFTRST (91)6.9.5复位标志寄存器RSTFLAG (91)6.9.6IWDT清除寄存器IWDTSERV (92)6.9.7IWDT配置寄存器IWDTCFG (93)6.9.8IWDT计数值寄存器IWDTCNT (93)6.9.9WWDT控制寄存器WWDTCON (94)6.9.10WWDT配置寄存器WWDTCFG (94)6.9.11WWDT计数寄存器WWDTCNT (95)6.9.12WWDT中断使能寄存器WWDTIE (95)6.9.13WWDT中断标志寄存器WWDTIF (96)6.9.14WWDT预分频寄存器WWDTDIV (96)7时钟与振荡器 (97)7.1概述 (97)7.2时钟树 (98)7.3高频RC振荡器(RCHF) (99)7.4低功耗RC振荡器(RCLP) (99)7.5低频RC振荡器(RCLF) (99)7.6低频晶体振荡电路(XTLF) (100)7.6.1概述 (100)7.6.2工作方式 (100)7.6.3停振检测 (100)7.7锁相环(PLL) (100)7.8寄存器 (102)7.8.1停振检测中断使能寄存器FDETIE (102)7.8.2停振检测中断标志寄存器FDETIF (103)7.8.3系统时钟配置寄存器SYSCLKSEL (103)7.8.4RCHF时钟控制寄存器RCHFCON (104)7.8.5RCHF调校寄存器RCHFTRIM (105)7.8.6PLL时钟控制寄存器PLLCON (105)7.8.7RCLP时钟控制寄存器RCLPCON (106)7.8.8RCLP调校寄存器RCLPTRIM (107)7.8.9XTLF振荡强度配置寄存器XTLFIPW (107)7.8.10外设时钟控制寄存器1PERCLKCON1 (108)7.8.11外设时钟控制寄存器2PERCLKCON2 (109)7.8.12外设时钟控制寄存器3PERCLKCON3 (110)7.8.13外设时钟控制寄存器4PERCLKCON4 (111)7.8.14AHB Master控制寄存器MPRIL (112)7.8.15RCLF时钟控制寄存器RCLFCON (113)7.8.16RCLF调校寄存器RCLFTRIM (113)8电源电压监测(SVD) (115)8.1概述 (115)8.2工作原理 (115)8.3应用说明 (116)8.4寄存器 (118)8.4.1SVD配置寄存器SVDCFG (118)8.4.2SVD控制寄存器SVDCON (119)8.4.3SVD状态和标志寄存器SVDSIF (119)8.4.4SVD参考电压选择寄存器SVDVOL (120)9AES硬件运算单元 (122)9.1功能描述 (122)9.2工作模式 (122)9.3AES数据流处理模式 (123)9.3.1ECB模式 (123)9.3.2CBC模式 (124)9.3.3暂停模式 (126)9.3.4CTR模式 (127)9.3.5CTR模式下的暂停模式 (128)9.3.6GCM模式 (128)9.3.7MultH模块 (131)9.3.8推荐的GCM流程 (133)9.4数据类型 (133)9.5工作流程 (135)9.5.1模式1:加密 (135)9.5.2模式2:密钥扩展 (135)9.5.3模式3:解密 (136)9.5.4模式4:密钥扩展+解密 (137)9.5.5使用MultH模块 (137)9.6DMA接口 (138)9.6.1MultH模块与DMA间接口 (139)9.7错误标志 (139)9.8寄存器 (140)9.8.1AES控制寄存器AESCR (140)9.8.2AES中断标志寄存器AESIF (141)9.8.3AES数据输入寄存器AESDIN (142)9.8.4AES数据输出寄存器AESDOUT (143)9.8.5AES秘钥寄存器AESKEYx (143)9.8.6AES初始向量寄存器AESIVRx (144)10随机数发生器(TRNG) (145)10.1概述 (145)10.2设计方案 (145)10.2.1随机数产生 (145)10.2.2CRC运算 (146)10.3寄存器 (147)10.3.1TRNG控制寄存器TRNGCON (147)10.3.2随机数/CRC结果输出寄存器RNGOUT (147)10.3.3RNG中断标志寄存器RNGIF (148)10.3.4CRC控制寄存器CRCCON (148)10.3.5CRC输入数据寄存器CRCIN (149)10.3.6CRC完成标志寄存器CRCFLAG (149)11模拟比较器(COMPARATOR) (151)11.1概述 (151)11.2结构框图 (151)11.3输出连接 (151)11.4寄存器 (152)11.4.1COMP1控制寄存器COMP1CR (152)11.4.2COMP2控制寄存器COMP2CR (152)11.4.3COMP中断配置寄存器COMPICR (153)11.4.4COMP中断标志寄存器COMPIF (154)12I2C (155)12.1概述 (155)12.2接口时序 (155)12.2.1接口时序图 (155)12.2.2接口时序描述 (156)12.3I2C工作流程 (157)12.3.1数据发送流程 (157)12.3.2数据接收流程 (158)12.3.3数据双向数据读写流程 (159)12.3.4DMA支持 (159)12.3.5复位I2C模块 (162)12.4I2C配置 (162)12.4.1IO配置 (162)12.4.2波特率配置 (162)12.5寄存器 (162)12.5.1I2C控制寄存器I2CCTRL (163)12.5.2I2C状态寄存器I2CSTA (164)12.5.3波特率设置寄存器I2CBRG (165)12.5.4收发缓冲寄存器I2CBUF (165)12.5.5中断寄存器I2CIR (166)12.5.6错误标志寄存器I2CERR (166)13UART (168)13.1概述 (168)13.2接口时序 (168)13.3工作流程 (169)13.3.1数据发送流程 (169)13.3.2数据接收流程 (170)13.4波特率发生 (170)13.4.1波特率发生 (170)13.4.2波特率自适应 (171)13.5红外调制 (171)13.6寄存器 (172)13.6.1中断允许寄存器UARTIE (173)13.6.2中断标志寄存器UARTIF (174)13.6.3红外调制配置寄存器IRCON (176)13.6.4接收状态控制寄存器RXSTAx (177)13.6.5发送状态控制寄存器TXSTAx (177)13.6.6接收缓存寄存器RXREGx (178)13.6.7发送缓存寄存器TXREGx (179)13.6.8波特率产生寄存器SPBRGx (179)13.6.9发送Buffer状态控制寄存器TXBUFSTAx (180)13.6.10接收Buffer状态控制寄存器RXBUFSTAx (180)13.6.11接收发送取反控制寄存器RTXCONx (181)14LPUART (181)14.1概述 (182)14.2结构框图 (182)14.3接口时序 (183)14.4软件应用指南 (183)14.4.1接收流程 (183)14.4.2发送流程 (183)14.4.3休眠模式下的数据接收唤醒 (183)14.4.5使用说明 (184)14.5寄存器 (185)14.5.1接收数据寄存器LPURXD (185)14.5.2发送数据寄存器LPUTXD (186)14.5.3状态标志寄存器LPUSTA (186)14.5.4控制寄存器LPUCON (187)14.5.5中断标志寄存器LPUIF (188)14.5.6波特率寄存器LPUBAUD (189)14.5.7发送接收使能寄存器LPUEN (189)14.5.8数据匹配寄存器COMPARE (190)14.5.9调制控制寄存器MCTL (190)15HSPI (192)15.1概述 (192)15.2应用场景 (192)15.2.1单主单从应用 (192)15.3工作流程 (193)15.3.1Master模式 (193)15.3.2Slave模式 (194)15.3.3TXONLY模式 (194)15.4接口时序 (194)15.5SPI配置 (195)15.5.1I/O配置 (195)15.5.2数据传输配置 (196)15.5.3数据冲突 (196)15.6寄存器 (196)15.6.1HSPI控制寄存器1HSPICR1 (197)15.6.2HSPI控制寄存器2HSPICR2 (198)15.6.3HSPI控制寄存器3HSPICR3 (199)15.6.4HSPI中断控制寄存器HSPIIE (199)15.6.5HSPI中断标志寄存器HSPIIF (200)15.6.6HSPI发送缓存寄存器HSPITXBUF (201)15.6.7HSPI接收缓存寄存器HSPIRXBUF (201)16SPI1/2 (202)16.1概述 (202)16.2结构框图 (202)16.3应用场景 (203)16.3.1单主单从应用 (203)16.4工作流程 (204)16.4.1Master模式 (204)16.4.2Slave模式 (204)16.4.3TXONLY模式 (205)16.5接口时序 (205)16.5.1CPHA=0 (205)16.5.2CPHA=1 (206)16.5.3从器件SSN (206)16.6SPI配置 (207)16.6.1I/O配置 (207)16.6.2数据传输配置 (208)16.6.3数据冲突 (208)16.7寄存器 (208)16.7.1SPI控制寄存器1SPIxCR1 (209)16.7.3SPI控制寄存器3SPIxCR3 (211)16.7.4SPI中断控制寄存器SPIxIE (211)16.7.5SPI中断标志寄存器SPIxIF (212)16.7.6SPI发送缓存寄存器SPIxTXBUF (213)16.7.7SPI接收缓存寄存器SPIxRXBUF (213)17智能卡接口(U7816) (214)17.1概述 (214)17.2接口时序 (214)17.3通信流程 (215)17.3.1数据接收 (215)17.3.2数据发送 (215)17.4寄存器 (216)17.4.17816通道控制寄存器U7816CTRLx (217)17.4.2U7816帧格式控制寄存器U7816FRCx (218)17.4.3U7816EGT配置寄存器U7816EGTx (219)17.4.4U7816工作时钟分频寄存器U7816CLKDIVx (219)17.4.5U7816预分频控制寄存器U7816PDIVx (220)17.4.6U7816接收缓冲寄存器U7816RXBUFx (220)17.4.7U7816发送缓冲寄存器U7816TXBUFx (221)17.4.8U7816中断使能寄存器U7816IEx (221)17.4.9U7816中断标志寄存器U7816IFx (222)17.4.10U7816错误标志寄存器U7816ERRx (223)17.4.11U7816状态标志寄存器U7816STAx (223)18DMA (225)18.1概述 (225)18.2工作原理 (225)18.3工作流程 (226)18.4访问带宽 (226)18.5通道控制 (227)18.5.1通道控制器 (227)18.5.2通道优先级 (227)18.6寄存器 (228)18.6.1DMA全局控制寄存器GLOBALCTRL (228)18.6.2通道0控制寄存器CH0CTRL (229)18.6.3通道0RAM指针寄存器CH0RAMAD (230)18.6.4通道1控制寄存器CH1CTRL (230)18.6.5通道1RAM指针寄存器CH1RAMAD (231)18.6.6通道2控制寄存器CH2CTRL (232)18.6.7通道2RAM指针寄存器CH2RAMAD (233)18.6.8通道3控制寄存器CH3CTRL (233)18.6.9通道3RAM指针寄存器CH3RAMAD (234)18.6.10通道4控制寄存器CH4CTRL (235)18.6.11通道4RAM指针寄存器CH4RAMAD (236)18.6.12通道5控制寄存器CH5CTRL (236)18.6.13通道5RAM指针寄存器CH5RAMAD (237)18.6.14通道6控制寄存器CH6CTRL (238)18.6.15通道6RAM指针寄存器CH6RAMAD (239)18.6.16通道7控制寄存器CH7CTRL (239)18.6.17通道7Flash指针寄存器CH7FLSAD (240)18.6.18通道7RAM指针寄存器CH7RAMAD (241)18.6.19DMA状态标志寄存器CHSTATUS (241)19CRC (243)19.1概述 (243)19.2CRC算法说明 (243)19.3软件配置过程 (243)19.4DMA接口 (243)19.5F LASH数据完整性校验 (244)19.6寄存器 (244)19.6.1CRC数据寄存器CRCDR (244)19.6.2CRC控制状态寄存器CRCCR (245)19.6.3CRC LFSR寄存器CRCLFSR (246)19.6.4CRC输出异或寄存器CRCXOR (246)19.6.5CRC Flash校验控制寄存器CRCFLSEN (247)19.6.6CRC Flash校验起始地址CRCFLSAD (247)19.6.7CRC Flash校验数据长度CRCFLSSIZE (248)20基本定时器(BT) (249)20.1概述 (249)20.2结构框图 (249)20.3工作模式 (250)20.3.1计数和定时 (250)20.3.2输入捕捉 (252)20.3.38bit PWM (254)20.3.4脉冲输出 (255)20.3.5Toggle输出 (256)20.3.6其他功能说明 (256)20.4寄存器 (257)20.4.1BT1/BT2控制寄存器1BT1CR1/BT2CR1 (258)20.4.2BT1/BT2控制寄存器2BT1CR2/BT2CR2 (259)20.4.3BT1/BT2配置寄存器1BT1CFG1/BT2CFG1 (260)20.4.4BT1/BT2配置寄存器2BT1CFG2/BT2CFG2 (261)20.4.5BT1/BT2预分频寄存器BT1PRES/BT2PRES (262)20.4.6BT1/BT2加载控制寄存器BT1LOADCR/BT2LOADCR (262)20.4.7BT1/BT2低位计数器寄存器BT1CNTL/BT2CNTL (263)20.4.8BT1/BT2高位计数器寄存器BT1CNTH/BT2CNTH (264)20.4.9BT1/BT2预置数寄存器BT1PRESET/BT2PRESET (264)20.4.10BT1/BT2加载寄存器低位BT1LOADL/BT2LOADL (265)20.4.11BT1/BT2加载寄存器高位BT1LOADH/BT2LOADH (265)20.4.12BT1/BT2比较寄存器低位BT1CMPL/BT2CMPL (266)20.4.13BT1/BT2比较寄存器高位BT1CMPH/BT2CMPH (266)20.4.14BT1/BT2输出脉冲宽度寄存器BT1OUTCNT/BT2OUTCNT (267)20.4.15BT1/BT2输出控制寄存器BT1OCR/BT2OCR (267)20.4.16BT1/BT2中断使能寄存器BT1IE/BT2IE (268)20.4.17BT1/BT2中断标志寄存器BT1IF/BT2IF (269)21扩展定时器(ET) (271)21.1概述 (271)21.2结构框图 (271)21.3输入信号 (272)21.4外部引脚输入数字滤波 (272)21.5功能说明 (273)21.5.1计数和定时 (273)21.5.2输入捕捉 (273)21.5.3PWM (274)21.6寄存器 (274)22低功耗定时器(LPTIMER) (283)22.1概述 (283)22.2结构框图 (283)22.3工作模式 (283)22.3.1普通定时器 (283)22.3.2Trigger脉冲触发计数 (284)22.3.3外部异步脉冲计数 (284)22.3.4Timeout模式 (284)22.3.5计数模式 (284)22.3.6外部触发的超时唤醒 (284)22.3.716bit PWM (284)22.4软件工作流程 (284)22.5寄存器 (285)22.5.1配置寄存器LPTCFG (285)22.5.2计数值寄存器LPTCNT (286)22.5.3比较值寄存器LPTCMP (287)22.5.4目标值寄存器LPTTARGET (287)22.5.5中断使能寄存器LPTIE (288)22.5.6中断标志寄存器LPTIF (288)22.5.7控制寄存器LPTCTRL (289)23实时时钟(RTC) (290)23.1概述 (290)23.2实时时钟工作原理 (290)23.2.1低功耗时基计数器 (290)23.2.2RTC数字调校 (290)23.2.3BCD时间 (291)23.2.4RTC使能与停止 (292)23.2.5RTC时间设置 (292)23.2.6RTC时间读取 (293)23.2.7RTC时间戳 (293)23.3自动温度补偿 (294)23.4寄存器 (295)23.4.1RTC写使能寄存器RTCWE (296)23.4.2RTC中断使能寄存器RTCIE (296)23.4.3RTC中断标志寄存器RTCIF (298)23.4.4BCD时间秒寄存器BCDSEC (299)23.4.5BCD时间分钟寄存器BCDMIN (300)23.4.6BCD时间小时寄存器BCDHOUR (300)23.4.7BCD时间天寄存器BCDDATE (301)23.4.8BCD时间星期寄存器BCDWEEK (301)23.4.9BCD时间月寄存器BCDMONTH (302)23.4.10BCD时间年寄存器BCDYEAR (302)23.4.11闹钟设置寄存器ALARM (303)23.4.12时钟信号输出控制寄存器FSEL (303)23.4.13LTBC数值调整寄存器ADJUST (304)23.4.14LTBC数值调整方向寄存器ADSIGN (305)23.4.15LTBC虚拟调校使能寄存器PR1SEN (305)23.4.16毫秒计数寄存器MSECCNT (306)23.4.17RTC时间戳使能寄存器STAMPEN (306)23.4.18RTC上升沿时间戳0CLKSTAMP0R (307)23.4.19RTC上升沿日历戳0CALSTAMP0R (307)23.4.20RTC下降沿时间戳0CLKSTAMP0F (308)23.4.21RTC下降沿日历戳0CALSTAMP0F (308)23.4.22RTC上升沿时间戳1CLKSTAMP1R (309)23.4.23RTC上升沿日历戳1CALSTAMP1R (309)23.4.24RTC下降沿时间戳1CLKSTAMP1F (310)23.4.25RTC下降沿日历戳1CALSTAMP1F (310)23.4.26RTC自动温补控制寄存器AUTOCAL (311)23.4.27自动温补零点修正值寄存器ADOFFSET (312)23.4.28RTC调校步长选择寄存器CALSTEP (312)23.4.29RTC自动温补状态寄存器CALBUSY (313)23.4.30RTC补偿周期计数器ADJCNT (313)23.4.31RTC自动温度补偿调校值寄存器ACALADJ (314)23.4.32RTC备份寄存器RTCBKREG (314)24LCD显示 (315)24.1概述 (315)24.2工作原理 (316)24.2.1LCD Type A扫描波形 (316)24.2.2LCD Type B扫描波形 (317)24.2.3片内buffer驱动模式 (317)24.2.4显示闪烁功能 (318)24.3推荐工作流程 (318)24.4寄存器 (318)24.4.1显示控制寄存器DISPCTRL (319)24.4.2显示测试控制寄存器LCDTEST (320)24.4.3测试模式下引脚输出数据寄存器TDISPDATA (320)24.4.4显示频率控制寄存器DF (321)24.4.5显示点亮时间寄存器TON (322)24.4.6显示熄灭时间寄存器TOFF (322)24.4.7显示中断使能寄存器DISPIE (323)24.4.8显示中断标志寄存器DISPIF (323)24.4.9LCD显示设置寄存器LCDSET (324)24.4.10LCD驱动模式控制寄存器LCDDRV (325)24.4.11显示数据寄存器DISPDATAx (325)24.4.12LCD显示灰度设置寄存器LCDBIAS (331)24.4.13LCD COM使能控制寄存器COM_EN (332)24.4.14LCD SEG使能控制寄存器0SEG_EN0 (333)24.4.15LCD SEG使能控制寄存器1SEG_EN1 (333)25ADC与温度传感器 (335)25.1概述 (335)25.1.1ADC时钟 (335)25.2电压测量 (335)25.2.1测量电源电压 (335)25.2.2测量外部通道输入 (335)25.2.3参考电压和电压调校 (336)25.3温度传感器 (336)25.3.1温度调校 (336)25.3.2使用方式 (336)25.4ADC时序 (337)25.5ADC注意事项 (337)25.6寄存器 (338)25.6.1ADC输入通道选择寄存器ADCINSEL (338)25.6.2ADC控制寄存器ADCCTL (339)25.6.3ADC调校寄存器ADCTRIM (339)25.6.4ADC输出数据寄存器ADCDATA (340)25.6.5ADC中断标志寄存器ADCIF (340)26GPIO端口 (341)26.1概述 (341)26.2GPIO功能描述 (341)26.2.1GPIO功能配置 (341)26.2.2GPIO推挽输出 (342)26.2.3GPIO开漏输出 (342)26.2.4GPIO复用模式 (343)26.2.5GPIO浮空输入 (343)26.2.6GPIO上拉输入 (344)26.2.7GPIO模拟输入 (344)26.3引脚开漏 (345)26.4NRST引脚 (345)26.5特殊测试功能引脚 (345)26.6WKUP X引脚 (345)26.7GPIO输入数字滤波 (346)26.8外部引脚中断 (346)26.8.1应用指南 (348)26.9快速GPIO输出 (348)26.10RTCBKP模式下GPIO状态控制 (349)26.11寄存器 (349)26.11.1PortX输入使能寄存器PxINEN (351)26.11.2PortX上拉使能寄存器PxPUEN (351)26.11.3PortX开漏使能寄存器PxODEN (352)26.11.4PortX功能选择寄存器PxFCR (353)26.11.5PortX输出数据寄存器PxDO (355)26.11.6PortX输出数据置位寄存器PxDSET (356)26.11.7PortX输出数据复位寄存器PxDRESET (356)26.11.8PortX输入数据寄存器PxDIN (357)26.11.9GPIO EXTI Select0EXTI0_SEL (357)26.11.10GPIO EXTI Select1EXTI1_SEL (359)26.11.11GPIO EXTI Select2EXTI2_SEL (361)26.11.12GPIO外部中断标志0EXTI0IF (363)26.11.13GPIO外部中断标志1EXTI1IF (364)26.11.14GPIO外部中断标志2EXTI2IF (365)26.11.15FOUT配置寄存器FOUTSEL (366)26.11.16强驱动引脚配置寄存器HDSEL (367)26.11.17模拟功能选择寄存器ANASEL (367)26.11.18GPIO输入数字滤波寄存器IODF (368)26.11.19WKUP使能寄存器PINWKEN (370)26.11.20PF4功能选择寄存器PF4AFSEL (371)版本列表 (372)上海复旦微电子集团股份有限公司销售及服务网点 (373)表目录表1-1FM33G0XX型号列表 (19)表1-2FM33G0XX极限参数 (19)表1-3FM33G0XX电源参数 (19)表1-4FM33G0XX电流参数 (20)表1-5FM33G0XX复位参数 (21)表1-6FM33G0XX I/O参数 (22)表1-7FM33G0XX F LASH参数 (22)表1-8FM33G0XX内部RC振荡器参数 (22)表1-9FM33G0XX外部晶体振荡器参数 (23)表1-10引脚列表 (35)表12-1I2C接口时序要求 (157)表12-2常用时钟频率下波特率计算 (162)表13-1UART工作方式 (168)表13-2常用时钟频率下波特率计算 (171)图目录图1-1FM33G0X8LQFP80封装图 (25)图1-2FM33G0X6LQFP64封装图 (26)图1-3FM33G0X5LQFP48封装图 (27)图1-4FM33G0X3QFN32封装图 (28)图1-4FM33G0X2TSSOP16封装图 (29)图1-5LQFP80封装尺寸图 (38)图1-6LQFP64封装尺寸图 (39)图1-7LQFP48封装尺寸图 (41)图1-8QFN32封装尺寸图 (42)图1-8TSSOP16封装尺寸图 (43)图6-1芯片复位源框图 (85)图6-2上下电复位示意图 (85)图7-1芯片时钟树结构图 (98)图9-1ECB模式加密流程 (123)图9-2ECB模式解密流程 (124)图9-3CBC加密过程 (125)图9-4CBC解密过程 (126)图9-5暂停模式流程 (126)图9-6CTR加密流程 (127)图9-7CTR解密流程 (128)图9-832位计数器和随机数的存储方式 (128)图9-9GCM加密流程 (130)图9-10GCM解密流程 (131)图9-11MULT H模块框图 (132)图9-12根据数据类型存储数据的示意图 (134)图9-13模式1:加密流程 (135)图9-14模式2示意图 (136)图9-15模式3示意图 (137)图9-16模式4示意图 (137)图9-17MULT H模块使用流程示意图 (138)图9-18输入时DMA请求和数据传输示意图 (139)图9-19输出时DMA请求和数据传输示意图 (139)图12-1I2C总线时序 (155)图12-2数据有效时序 (155)图12-3起始(S TART)与停止(S TOP)命令定义 (156)图12-4输出应答(ACK) (156)图12-5主机向从机发送数据流图 (157)图12-6I2C软件发送数据流图 (158)图12-7典型的主机从从机读取数据流图 (158)图12-8I2C软件从从机读取数据流图 (159)图12-9典型的双向数据读写流图 (159)图12-10DMA发送数据流图 (160)图12-11DMA接收数据流图(7-BIT从机地址) (160)图12-12DMA接收数据流图(10-BIT从机地址) (161)图13-1UART接口时序 (168)图13-2UART异步发送工作模式 (169)图15-1SPI M ASTER/SPI S LAV E互连 (196)图16-1SPI结构框图 (202)图16-2SPI数据/时钟时序图(CPHA=0) (206)图16-3SPI数据/时钟时序图(CPHA=1) (206)图16-4SPI SSN时序图(CPHA=0) (207)图16-5SPI SSN时序图(CPHA=1) (207)图16-6SPI M ASTER/SPI S LAV E互连 (208)图18-1DMA寄存器配置 (226)图18-2DMA工作流程 (226)图24-1LCD驱动波形(1/4DUTY,1/3BIAS,TYPE A) (316)图24-2LCD驱动波形(1/4DUTY,1/3BIAS,TYPE B) (317)图24-3LCD片内电阻BUFFER型驱动电路 (318)1产品综述1.1概述FM33G0xx的主要特性如下:●宽电压范围:1.8~5.5V●工作温度范围:-40℃~+85℃●处理器内核⏹ARM Cortex-M0+⏹支持用户/特权模式⏹支持中断向量表重定向(VTOR)⏹最高40MHz主频⏹SWD调试接口●低功耗技术平台⏹典型运行功耗180uA/MHz⏹32KHz下LPRUN功耗:9uA(VDD=5V)⏹Sleep模式下带LCD显示:9.2uA(VDD=5V)⏹DeepSleep模式,RTC走时+24KB RAM保持+CPU内核保持:1.3uA(VDD=5V)⏹RTC Backup模式,RTC走时+512字节备份寄存器,0.9uA(VDD=5V)●存储器⏹128/256KB Flash空间⏹Flash擦写寿命:>100,000次⏹Flash数据保存时间:10年@85℃⏹用户代码保护⏹24KB RAM空间●最大支持73个GPIO,最多24个外部引脚中断,最多8个异步唤醒引脚●丰富的模拟外设⏹高可靠、可配置BOR电路(支持4级可编程下电复位阈值)⏹超低功耗PDR电路(支持4级可编程下电复位阈值)⏹可编程电源监测模块(SVD)⏹2x低功耗模拟比较器⏹11-bit低功耗∑-△ADC,最大支持9个外部通道⏹高精度温度传感器,精度优于+/-2℃●通信接口⏹UART*6⏹7816智能卡接口*2⏹SPI*3,主从模式⏹I2C*1,主机400K⏹7通道外设DMA⏹可编程CRC校验模块●定时资源⏹8-bit基本定时器*4⏹16-bit扩展定时器*4⏹24-bit Systick*1⏹16-bit低功耗定时器*1,可在休眠模式下工作⏹带窗口的CPU看门狗定时器*1⏹系统看门狗定时器*1⏹低功耗实时时钟日历(RTCC),带有数字调校功能,最高调校精度+/-0.06ppm●LCD显示控制电路⏹最大支持4COM×44SEG/6COM×42SEG/8COM×40SEG⏹1/3bias、1/4bias⏹支持片内电阻⏹支持休眠显示●安全算法⏹AES硬件运算单元,128/192/256-bit⏹AES支持ECB/CBC/CTR/GCM/GMAC模式⏹真随机数发生器●时钟发生电路⏹片上可配置高速RC振荡器,可配置频率输出8/16/24/36MHz。
深圳市富满电子集团股份有限公司 FM3783 低功耗原边反馈开关电源芯片说明书

FM3783(文件编号:S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片概述FM3783是一款低功耗原边反馈(PSR)开关电源芯片,其内部集成了大功率BJT管,适用于隔离型的高效低功耗便携式设备充电器应用。
FM3783采用独特具有恒流恒压功能的原边反馈控制技术,以及独特的轻载调频技术降低轻载下芯片自身功耗实现高效应用。
FM3783具有输出线损补偿技术,在大电流下保证足够的输出功率。
另外FM3783还集成了过温保护,VCC欠压保护,输出过压保护,C极开路保护等技术。
FM3783采用紧凑的SOP-7封装,便于系统设计布线。
特点集成大功率BJT管高精度恒压恒流控制待机功耗小于75mw输出短路保护输出过压保护输入欠压保护过温保护原边反馈外围元器件少SOP-7封装应用手机等便携式设备的充电器和适配器LED驱动电源其他辅助电源FM3783A适用5V2.1A方案满足六级能效标准FM3783B适用5V2.4A方案满足六级能效标准引脚示意图及说明SOP-7FM3783(文件编号:S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图典型应用电路图1典型应用电路图2FM3783(文件编号:S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图3典型应用电路图4FM3783(文件编号:S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图5注:部分PCB Layout不是很规范的客户原理图建议使用图3、4、5。
极限参数(注1)注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。
注2:最大允许功耗为P DMAX=(T JMAX-T A)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3:人体模型(HBM),100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
FM3783(文件编号:S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片电气参数(注4,5,6)(无特别说明情况下,V CC=16V,T A=25℃)注4:电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。
辉芒微FT886x系列_LED驱动 非隔离 内置MOS 3W-40W_Rev0.8

D
C
on
fid
en
tia
以下是在本系统应用设计涉及到的专业参数名称
l
Fremont Micro Devices
2). 确定输入电容 C1 根据经验,当输入交流电压范围为 100 ~ 264V 时, 输入电容 C1 一般根据输入功率来选择, 其典型值为 2uF/W,由于输出为 60V120mA, Excel 表格中计算出 C1 推荐值为 17uF,在实际 应用中,为了降低成本,同时确保在 100Vac 输 入条件下能满足 60V120mA 输出规格,可选择 10uF ( 如 需 要 满 足 90Vac~265Vac 输 入 及 60V120mA 输出, 则输入 Bulk 电解电容需选择 15uF/400V);所以在设计表格的 C1 修正值中填 入数字 10。 3). 确定最低 BUS 电压和最高 BUS 电压 如图 16 所示,一般 AC 给电容 C1 充电时 间 Tc=3ms 左右,所以最低输入母线电压可以由 下式计算:
en
tia
l
AN886xx-A0-page4
在这里,
Fremont Micro Devices
一.应用设计举例
Preliminary FT886xx
系统整机转换效率估算值:90%; 将以上参数设定好填入设计表格中的输入部分。
1.设计步骤 在系统应用设计中,电感设计是最重要的一 个环节。在电感设计中,系统工作频率,磁芯最 大磁通密度以及系统工作模式是电感设计中需要 考 虑 的 主 要 因 素 。 下 面 以 一 个 使 用 FT886A 7.2W LED 球泡灯的驱动电源设计为例,详述了 设计步骤及 EXCEL 计算表格使用介绍。 表 3. 设计表格输入部分 描述: Vac_min:最小交流输入电压; Vac_max:最大交流输入电压; Vdc_min:输入母线电压最小值; Vdc_max:输入母线电压最大值; C1:主输入电容的容值; T:开关管工作周期; f:开关管工作频率; FL:交流输入电压频率; Ton:功率三极管开通时间; Tdis:输出电感放电时间; Lp:电感量; Ipk:内置 MOS 电流峰值; Vo:输出电压; Io:输出电流;
触控MCU“芯”选择,辉芒微电子推出FT62F08X

触控MCU“芯”选择,辉芒微电子推出FT62F08X
辉芒微电子作为MCU领域迅速崛起的新势力,屡屡带给业界惊喜。
继超高性价比的Flash/EEPROM-base IO型MCU和ADC型MCU系列产品在消费类应用市场广受好评之后,近日正式推出其全新研发的Touch + LED MCU FT62F08X,正式吹响进军触摸控制面板小家电应用市场的号角。
涉足触摸按键MCU这个热门领域,辉芒微电子的FT62F08X不仅完美传承了FMD MCU闻名遐迩的高可靠性、低成本的属性,并针对行业同类产品应用痛点,精准定位、高度集成和优化创新性,力求带给客户在触摸控制和LED驱动协同应用上的良好新体验。
Feature List
·清晰、友好的图形化调试工具,帮助用户快速熟悉产品特性、配置应用场景。
·环环相扣的设置选项和半自动化的测试流程,帮助用户最快在5分钟之内完成多达15个按键方案的阈值测试和应用配置。
辉芒微电子凭借其在EEPROM,Nor flash等非易失性存储器的技术优势和长期积累的数模混合设计能力,加上其领先的工艺、器件和定制化嵌入式存储器等能力,已经在通用8位MCU领域逐步完善了产品线,形成了高低搭配,在IO, ADC, touch, LED和通讯接口等系列化产品上都有极具竞争力的代表产品。
辉芒微电子此次推出的高性能Touch + LED MCU必将受到相关产品应用领域的广泛关注,其市场表现值得期待。
辉芒微烧录协议

辉芒微烧录协议
FMD Link 适用于辉芒微电子的全系列 8bit MCU 的在线仿真、在线/脱机烧录、触摸 IC的 TouchKey 调试及 32bit MCU 在线/脱机烧录。
是工程师朋友经常用到的一款工具。
目前FMD LINK已从当初的A版到USB B版已更新到TYPE C C版了。
各版本的上位机最低版本要求大家可以看上看的说明,值得注意的是最新版C版是TYPE C接口的工具,IDE版本不能低于V3.0.7 此时可使用如下强制方法升级:
1. 按下烧录按键,连接电脑
2. 5s 后红灯闪烁,松开按键
3. 打开 FMD IDE,读取到固件版本 0.0.1
4. 点击更新,待固件升级完成,右下角显示最新版本号。
芯片烧录时,如果周围环境存在干扰时,如电磁等,可能会影响FMD Link 正常通信。
为提升量产烧录可靠性,建议工程师朋友做如下两点设计:
1.烧录时钟数据线长度尽量控制在 50cm 以内
2.烧录时尽量靠近目标芯片的时钟和数据引脚各并联一个100pF 的电容对地,增加抗干扰能力。
辉芒微FT825_LED驱动 _隔离高PF 外推MOS 1W-60W_Rev0.8

Aw
其中AC为实际的绕线面积,KF为填充系数。 如果不能绕下,则需重新选择较大的磁芯,不过有 时候受成本与空间尺寸限制,不能更换较大磁芯, 则可以考虑适当加大Kv或加大最小工作频率来减 小Lp,从而减小初级最小绕线圈数与其余绕组圈数 来满足绕线窗口大小,但加大工作频率会增加开关 损耗。 (4)关键元器件选取 变压器设计好之后,下面来对外围关键原器件进 行选取。 a) 开关管 MOSFET 的选取: 开关管MOSFET Q1通常采用N沟道功率场效应 管,开关管的最大漏极电流Idmax应大于开关管所流 过的最大峰值电流IPKpmax,考虑到一定裕量, Confidential Rev. 0.8 AN825-00-A-page5
Top View
NC 1 COMP 2 MULT 3 CS 4
D
FM
© 2012 Fremont Micro Devices Inc.
C
8
on
VCC
7
引脚定义:
GATE GND ZCD
6 5
fid
Confidential Rev. 0.8 AN825-00-A-page1
en
Dip-8/SOP-8封装
FT825通过独特的原边电流检测与控制方法实现精 确的恒流输出,平均输出电流可表示为:
其中,N--初次级匝比;
f sw
VPK 1 1 * T TON TOFF L p * I PKp
其中,TON --导通时间, TOFF--关断时间, VPK--输入电压峰值,
FM
LP--初级电感量,
+
Starter LOGIC & DRIVER
7
0.9V/0.4V OVP Latch PWM/PFC Control
辉芒微FMD电源管理芯片方案

M EMI: F输入电压范围:
25*16*15mm 81% N/A 1000V
90~264V 23V/300mA 35*18*15mm
85% N/A 1000V 90~264V 30V/300mA 36*18*15mm 85% N/A 1000V 85~264V 18-38V/320mA 38.5*17.5mm 86% N/A 85~264V 24-45V/320mA 48*22mm 88% N/A 85~264V 38-60V/320mA 52.5*23mm 88% N/A 90~264V
耐压:
3750
FMD Charger方案资料
应用 功率
基本特点
方案名称
优势
照片
充电器 充电器 充电器 充电器 充电器 充电器
5V/1A
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI: 空载待机功耗:
90~264V 5V/1.0A 54*32.5mm
74% pass <100mW
FT838D_5W_EE13H_CE
FT825_12S320mA_CE
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好; 4、满足EN55015B EMI要求;
FT825_18S320mA
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好;
球泡灯 矿灯
耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流: PF:
e 0.92
68*26*16mm
fid 86%
pass 3750 90~264V
n 33-58V/320mA 0.92
o 60*25*20mm 86% CN/A
WM8320:高集成度的电源管理解决方案

WM8320:高集成度的电源管理解决方案
佚名
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2009(000)011
【摘要】@@ 欧胜微电子宣布推出一款高集成度的电源管理解决方案WM8320,它可为便携式多媒体设备提供最大化的处理器性能和更长的电池寿命.WM8320是欧胜WM83xx电源管理产品系列的最新成员,该器件旨在为基于ARM处理器的多种应用提供体积更小、效率更高和成本更低的解决方案,尤其适用于上网本、移动互联网设备、智能手机和数码相框等应用.
【总页数】1页(P30)
【正文语种】中文
【相关文献】
1.高集成度的电源管理解决方案 [J], 王颖
2.用于汽车电子的高集成度电源管理芯片 [J],
3.凌力尔特推出高集成度通用电源管理解决方案 [J],
4.凌力尔特推出一款高集成度的通用电源管理解决方案LTC3675 [J],
5.欧胜最新超低功耗电源管理解决方案—WM8320 [J], 卢玮
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79% pass <120mW <100mVp-p 90~264V 12V/0.5A 51.2*32mm 78%
耐压:
3750
输入电压范围:
90~264V
日光灯
24W
输出电压/电流: PF: 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI:
40V/600mA 0.95
240*17.5*10mm 88% pass
FT825_12S600mA_CE
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好; 4、满足EN55015B EMI要求;
耐压:
3750V
输入电压范围:
90~264V
球泡灯
4-7W
输出电压/电流: PF: 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI:
22V/330mA 0.90
43*16.5*14mm 82% N/A
FT825_7S330mA
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好,如使 用自动重启实现输出开路/输出短路 保护,开关周期限流保护;
e 9W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: fid EMI: 耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流:
n 6-10W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: o EMI: 输入电压范围: 输出电压/电流:
C 8-12W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: 输入电压范围: D 输出电压/电流: 12-18W 隔离反激式 尺寸:
耐压:
3750
FMD Charger方案资料
应用 功率
基本特点
方案名称
优势
照片
充电器 充电器 充电器 充电器 充电器 充电器
5V/1A
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI: 空载待机功耗:
90~264V 5V/1.0A 54*32.5mm
74% pass <100mW
FT838D_5W_EE13H_CE
FT825_12S320mA_CE
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好; 4、满足EN55015B EMI要求;
FT825_18S320mA
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好;
球泡灯 矿灯
耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流: PF:
90~264V
22V/330mA
1、高能效,高功率因数;
0.90
2、体积小,原器件少,成本低;
47*21*14mm
FT825_7S330mA_CE
3、保护功能齐全,可靠性好,如使 用自动重启实现输出开路/输出短路
82% pass 3750V 90~264V
l 22-38V/320mA 0.92
tia 68*26*18mm 86% N/A 3750 n 90~264V 22-38V/320mA
耐压:
3750
球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯
输入电压范围: 输出电压/电流: PF: 4-7W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: 耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流: PF: 8-12W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: 耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流: PF: 8-12W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: 耐压: 输入电压范围: 输出电压/电流: PF: 12-18W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI:
85~264V 10V/300mA 22*16*15mm
73% N/A 1000V
FT833A11_3S300mA
1、极少外围元器件,变压器无辅助绕 组,超低成本,EE10变压器; 2、IC内置MOS,PCB简洁尺寸小,空 载电压Vout较同类产品低; 3、超快启动时间,小于100ms; 4、可降低Vout Cap耐压值,进一步降 低成本;
90~264V 80V/200mA 150*16*10mm
89% pass 175~264V 50V/140mA 35.5*22*14mm 88% N/A
1、全电压输入范围:90~264V, 50/60Hz; FT8900_80V/200mA_CE 2、高效率>89% @115/230V; 3、高PF>0.92,低THD; 4、多重保护,BOM成本低;
D 12-18W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: M 耐压: F输入电压范围:
3750 90~264V 33-58V/320mA
0.92 77.5*29*21mm
86% pass 3750 90~264V
输出电压/电流: 33V/900mA
PF:
0.95
30W 隔离反激式 尺寸:
直径70/高25 mm
FT833A11_5S300mA FT833B12_7S300mA FT833B12_9S300mA
2、IC内置MOS,PCB简洁尺寸小,空 载电压Vout较同类产品低; 3、超快启动时间,小于100ms; 4、可降低Vout Cap耐压值,进一步降 低成本;
1、极少外围元器件,变压器无辅助绕 组,超低成本,EE13变压器; 2、IC内置MOS,PCB简洁尺寸小,空 载电压Vout较同类产品低; 3、变压器初次级绕组开路短路保护; 4、CS电阻/次级整流管短路保护; 5、降低Vout Cap耐压值,降低成本;
1、满足能源之星2.0和5级能效; 2、批量输出电压精度电流精度±5% 以内; 3、保护功能齐全,可靠性好; 4、满足EN55022 ClassB EMI要 求;
最大输出纹波:
<100mVp-p
5V/1A
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI: 空载待机功耗: 最大输出纹波:
90~264V 5V/1.0A 54*32.5mm
FMD LED方案资料
应用 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 球泡灯 日光灯 球泡灯
功率
结构 工作模式
基本参数
方案名称
优势
输入电压范围:
输出电压/电流:
尺寸:
3W
隔离反激式 典型效率:
EMI:
耐压:
90~264V 10V/250mA 22*16*15mm
76% N/A 1000V
输出电压/电流: 60V/120mA
率<±5%,LED恒流精度<±3%;
7W
非隔离 尺寸:
25.3*24.2*14mm FT886A_60V/120mA 2、内置MOS,只需一个单绕组
典型效率:
92%
EE10变压器,外围元件少;
EMI:
N/A
3、多重保护,可靠性高;
12W
非隔离
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI:
典型效率:
M EMI: F输入电压范围:
25*16*15mm 81% N/A 1000V
90~264V 23V/300mA 35*18*15mm
85% N/A 1000V 90~264V 30V/300mA 36*18*15mm 85% N/A 1000V 85~264V 18-38V/320mA 38.5*17.5mm 86% N/A 85~264V 24-45V/320mA 48*22mm 88% N/A 85~264V 38-60V/320mA 52.5*23mm 88% N/A 90~264V
1、极少外围元器件,变压器无辅助绕 组,超低成本,EE13变压器; 2、IC内置MOS,PCB简洁尺寸小,空 载电压Vout较同类产品低; 3、变压器初次级绕组开路短路保护; 4、CS电阻/次级整流管短路保护; 5、降低Vout Cap耐压值,降低成本;
FT838R_(6-10)S320mA
1、体积小,成本低,结构简单; 2、高效率,86%以上; 3、恒流精度高; 4、保护功能齐全,可靠性好;
FT833S11_3S250mA
1、极少外围元器件,变压器无辅助绕 组,超低成本,EE10变压器; 2、IC内置MOS,PCB简洁尺寸小,空 载电压Vout较同类产品低; 3、超快启动时间,小于100ms; 4、可降低Vout Cap耐压值,进一步降 低成本;
输入电压范围: 输出电压/电流: 3W 隔离反激式 尺寸: 典型效率: EMI: 耐压:
e 0.92
68*26*16mm
fid 86%
pass 3750 90~264V
n 33-58V/320mA 0.92
o 60*25*20mm 86% CN/A
保护,开关周期限流保护; 4、满足UL、CE、3C认证要求;
FT825_12S320mA
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好;
典型效率:
89%
EMI:
N/A
FT825_18S320mA_CE FT825_33V900mA
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠性好; 4、满足EN55015B EMI要求;
1、高能效,高功率因数; 2、圆形设计,轻松放置LED矿灯 内; 3、保护功能齐全,可靠性好;
176~264V 80V/150mA 35.5*20*14mm
93% N/A
FT886A_80V/150mA
1、高效能,高精度,输入线性调整 率<±3%,LED恒流精度<±3%; 2、内置MOS,只需一个单绕组 EPC13变压器,外围元件少; 3、多重保护,可靠性高;
16W 7W
非隔离 非隔离
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI: 输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI: