半导体技术
半导体技术
因为投入者众，竞争也剧烈，进展迅速，造成良性循环。一个普遍现象是各大学电机、电子方面的课程越来 越多，分组越细，并且陆续从工学院中独立成电机电子与信息方面的学院。其它产业也纷纷寻求在半导体产业中 的应用，这在全世界已经变成一种普遍的趋势。
大约在 15年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。 到了 2001年，晶体管尺寸甚至已经小于 0.1微米，也就是小于 100纳米。因此是纳米电子时代，未来的 IC大部 分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求，半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代，制程 步骤的要求都会变得更严格、更复杂。
也因为这样，许多学者相继提出各种新颖的结构或材料，例如利用自组装技术制作纳米碳管晶体管，想利用 纳米碳管的优异特性改善其功能或把组件做得更小。
重要性
在半导体领域，“大数据分析”作为新的增长市场而备受期待。这是因为进行大数据分析时，除了微处理器 之外，还需要高速且容量大的新型存储器。在《日经电子》主办的研讨会上，日本中央大学教授竹内健谈到了这 一点。
半导体技术进入纳米时代后，除了水平方向尺寸的微缩造成对微影技术的严苛要求外，在垂直方向的要求也 同样地严格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2纳米，而且在整片上的误差小于 5%。这相当于在100个足球场的面积上 要很均匀地铺上一层约1公分厚的泥土，而且误差要控制在 0.05公分的范围内。
蚀刻：另外一项重要的单元制程是蚀刻，这有点像是柏油路面的刨土机或钻孔机，把不要的薄层部分去除或 挖一个深洞。只是在半导体制程中，通常是用化学反应加上高能的电浆，而不是用机械的方式。在未来的纳米蚀 刻技术中，有一项深度对宽度的比值需求是相当于要挖一口 100公尺的深井，挖完之后再用三种不同的材料填满 深井，可是每一层材料的厚度只有 10层原子或分子左右。这也是技术上的一大挑战。
半导体10大研究成果
半导体10大研究成果
1.量子比特实现量子超越：在量子计算领域，实现了一些具有超越经典计算能力的重要里程碑，如量子比特的相干控制和纠缠。
2.新型半导体材料的研究：发现和研究了一些新型半导体材料，包括拓扑绝缘体、二维材料（如石墨烯）等，这些材料具有独特的电学和光学性质。
3.自组装技术的发展：自组装技术在芯片制造中取得了重要进展，能够有效地提高集成电路的制造密度，提高性能。
4.超导量子位的进展：在量子计算领域，实现了一些超导量子位的重要突破，包括提高了量子位的运行时间和减小了错误率。
5.神经元芯片的研究：半导体技术在神经科学领域的应用，研究了仿生学方向的芯片，模拟了神经元网络的行为。
6.自适应光学元件：在激光器和光通信领域，研究了一些自适应光学元件，以提高光通信系统的稳定性和性能。
7.极紫外光刻技术（EUV）：EUV技术在半导体芯片制造中取得了显著进展，实现了更小尺寸的制造工艺，提高了芯片集成度。
8.量子点显示技术：在显示技术中，量子点显示技术取得了进展，提高了显示屏的颜色饱和度和能效。
9.能量高效的电源管理技术：针对便携设备和物联网设备，研究了一些能量高效的电源管理技术，以延长电池寿命和提高设备的能效。
10.半导体传感器的创新：开发了一些新型半导体传感器，应用于医疗、环境监测和工业生产等领域，提高了传感器的灵敏度和稳定性。
这仅仅是一小部分半导体领域的研究成果，该领域的研究一直在不断推进。
要了解最新的研究成果，建议查阅相关领域的学术期刊和会议论文。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势半导体技术是当今世界上最具前景和发展潜力的技术之一，其在电子、通信、能源、医疗等领域都有着广泛的应用。
随着移动互联网、人工智能、物联网等新兴技术的兴起，半导体技术的发展也呈现出日新月异的趋势。
本文将对半导体技术的发展现状和趋势进行深入探讨，分析其在各个领域的应用和未来的发展方向。
一、半导体技术的发展现状半导体技术是一种以半导体材料为基础的电子器件制造技术，其最早的应用可以追溯到20世纪50年代，自那时起，半导体技术就开始不断地发展和进步。
目前，半导体技术已经成为现代电子工业的核心技术，其在微处理器、存储器、传感器、光电子器件、功率器件等领域都有广泛的应用。
1.微处理器微处理器是半导体技术的重要应用领域之一，它是现代电子设备的核心部件，其性能直接关系到整个设备的运行速度和稳定性。
当前，微处理器的制造技术已经进入到纳米级别，其性能和功耗方面都有了显著的提升。
随着人工智能、大数据等新兴技术的兴起，微处理器的需求也在不断增加，为了满足这些需求，半导体技术在微处理器领域的研发也在持续不断地进行着。
2.存储器存储器是另一个重要的半导体技术应用领域，其在电子设备中主要用于存储数据和程序。
当前，随着移动互联网、云计算等新兴技术的迅速发展，对存储器的需求也在不断增加。
为了提高存储器的容量和速度，半导体技术在存储器领域的研发也在进行着，目前，固态硬盘已经代替了传统的机械硬盘成为了主流产品。
3.传感器传感器是半导体技术在物联网、智能制造等领域的重要应用之一，它可以将各种信号转换为电信号，并通过电路进行处理，最终输出所需的信息。
随着物联网和智能制造的兴起，传感器的需求也在不断增加，为了满足这些需求，半导体技术在传感器领域的研发也在持续不断地进行着。
4.光电子器件光电子器件是半导体技术在光通信、光存储等领域的重要应用之一，它可以将电信号转换为光信号，并通过光纤进行传输。
当前，随着5G技术的逐步成熟和光纤网络的不断建设，对光电子器件的需求也在不断增加。
半导体 毕业论文
半导体毕业论文半导体：探索未来科技的基石引言：在当今科技发展迅猛的时代，半导体作为一种关键材料，已经成为现代生活和工业生产的基石。
它的应用范围广泛，从电子设备到通讯技术，从能源领域到医疗科学，无不离开半导体的支持。
本文将探讨半导体的基本原理、应用领域以及未来的发展趋势，旨在展示半导体技术对于人类社会的巨大影响和潜力。
一、半导体的基本原理半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，其电导率介于两者之间。
这种特性源于半导体晶体中的电子能级结构。
通过控制材料中的杂质浓度和制造工艺，可以调节半导体的电导率，从而实现对电流的控制。
半导体的基本原理为现代电子学的发展提供了坚实的基础。
二、半导体的应用领域1. 电子设备半导体是电子设备中最重要的组成部分。
从智能手机到电脑、电视，几乎所有现代电子产品都离不开半导体芯片。
半导体的微小尺寸和高度集成的特点，使得电子设备越来越小型化、高效化和功能强大化。
2. 通讯技术半导体在通讯技术中扮演着重要角色。
无线通信、光纤通信、卫星通信等都依赖于半导体器件。
半导体的高速开关特性和信号放大能力，使得信息传输更加快速和稳定。
3. 能源领域半导体技术在能源领域的应用也日益重要。
太阳能电池板、LED灯、电动汽车等都离不开半导体器件。
半导体的光电转换效率高和能量损耗小的特点，为可再生能源的发展提供了强有力的支持。
4. 医疗科学半导体技术在医疗科学中的应用也日益广泛。
例如，生物芯片可以用于基因检测和疾病诊断，人工智能和机器学习可以应用于医学影像处理和疾病预测。
这些应用将大大提高医疗水平和人类生活质量。
三、半导体的未来发展趋势1. 三维集成电路随着电子设备的不断发展，对于更高性能和更小尺寸的需求也越来越迫切。
三维集成电路技术可以将多个晶体管层叠在一起，大大提高芯片的集成度和性能。
这一技术的发展将推动电子设备的进一步革新。
2. 新型材料除了传统的硅材料，新型半导体材料也在不断涌现。
例如，石墨烯、氮化镓等材料具有优异的电子特性，有望在未来取代硅材料，推动半导体技术的进一步发展。
光伏与半导体的区别 专业解释
光伏（Photovoltaics，简称PV）技术和半导体技术都涉及到半导体材料的应用，但它们在应用目的、原理和工作方式等方面存在一些区别。
光伏技术是利用光生电效应（Photovoltaic effect）将太阳能转化为电能的过程。
光伏电池利用半导体材料的特性，当光子（来自太阳光）照射到半导体材料上时，会激发出电子-空穴对。
通过将p型和n型半导体材料结合在一起，形成p-n结，可以产生电势差和电流。
这种光生电效应使得光伏电池能够将太阳能直接转化为电能。
半导体技术是指利用半导体材料的特性来实现电子器件和电路的制造和应用。
半导体材料的导电性介于导体（电导率高）和绝缘体（电导率低）之间，它可以通过控制材料的特性和结构，实现电子的导电与阻断。
半导体器件，如晶体管和集成电路，利用半导体材料的电导率可控性来实现电子信号的放大、开关和逻辑操作等功能。
尽管光伏技术和半导体技术都使用了半导体材料，但它们的应用目的和工作方式存在明显差异。
光伏技术旨在将太阳能转化为电能，其基本单位是光伏电池，用于发电和提供可再生能源。
而半导体技术则是为了制造和应用各种电子器件和电路，用于电子通信、计算、控制等领域。
总结起来，光伏技术是将太阳能转化为电能的技术，利用光生电效应实现；而半导体技术则是利用半导体材料的特性制造和应用电子器件和电路的技术。
八个基本半导体工艺
八个基本半导体工艺随着科技的不断进步，半导体技术在各个领域得到了广泛的应用。
半导体工艺是半导体器件制造过程中的关键环节，也是半导体产业发展的基础。
本文将介绍八个基本的半导体工艺，分别是氧化、扩散、沉积、光刻、蚀刻、离子注入、热处理和封装。
一、氧化工艺氧化工艺是指在半导体晶片表面形成氧化层的过程。
氧化层可以增强晶片的绝缘性能，并且可以作为蚀刻掩膜、电介质、层间绝缘等多种用途。
常见的氧化工艺有湿法氧化和干法氧化两种。
湿法氧化是在高温高湿的环境中，通过将晶片浸泡在氧化液中使其表面氧化。
干法氧化则是利用高温下的氧化气体与晶片表面反应来形成氧化层。
二、扩散工艺扩散工艺是指将掺杂物质（如硼、磷等）通过高温处理，使其在晶片中扩散，从而改变晶片的导电性能。
扩散工艺可以用于形成PN结、调整电阻、形成源、漏极等。
扩散工艺的关键是控制扩散温度、时间和掺杂浓度，以确保所需的电性能。
三、沉积工艺沉积工艺是将材料沉积在半导体晶片表面的过程。
常见的沉积工艺有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）两种。
CVD是利用化学反应在晶片表面沉积薄膜，可以实现高纯度、均匀性好的沉积。
而PVD则是通过蒸发、溅射等物理过程，在晶片表面形成薄膜。
四、光刻工艺光刻工艺是将光敏胶涂覆在晶片表面，然后通过光刻曝光、显影等步骤，将光敏胶图案转移到晶片上的过程。
光刻工艺是制造半导体器件的核心工艺之一，可以实现微米级甚至纳米级的图案制作。
五、蚀刻工艺蚀刻工艺是通过化学反应或物理过程将晶片表面的材料去除的过程。
蚀刻工艺可以用于制作电路的开关、互连线等。
常见的蚀刻方法有湿法蚀刻和干法蚀刻两种。
湿法蚀刻是利用化学溶液对晶片表面进行腐蚀，而干法蚀刻则是通过等离子体或离子束对晶片表面进行刻蚀。
六、离子注入工艺离子注入工艺是将掺杂离子注入晶片中的过程。
离子注入可以改变晶片的导电性能和材料特性，常用于形成源漏极、调整电阻等。
离子注入工艺需要控制注入能量、剂量和深度，以确保所需的掺杂效果。
半导体发展对我国的意义
半导体的发展对我国具有深远的战略、经济和社会意义。
1.科技自主创新和核心竞争力：半导体技术是数字经济和现代信息社会的基石，涵盖了人工智能、云计算、大数据、5G通信等领域。
通过在半导体领域进行自主创新，我国有望在这些前沿技术中建立起自己的核心竞争力，从而不仅能够领先应用这些技术，还能够对全球技术发展产生深远影响。
2.经济增长和产业升级：半导体产业是高附加值和高技术含量的产业，对整体经济增长和产业升级至关重要。
通过发展半导体产业，我国能够加强制造业的技术水平，推动数字化转型，培育新兴产业，从而实现经济结构的升级和可持续发展。
3.降低对外依赖和提升国家安全：在半导体领域取得自主技术突破，可以减少对进口芯片的依赖，提高国家在关键技术上的自给自足能力。
这有助于降低外部技术风险，提升国家的信息安全和国家安全水平。
4.全球产业链地位和国际话语权：半导体产业是全球产业链的关键一环。
通过在半导体领域的投资和发展，我国能够在全球价值链中占据更重要的位置，增强国际话语权，参与全球技术和产业规则的制定。
5.人才培养和科技生态系统建设：半导体产业需要高素质的科研人才和工程师。
通过发展半导体产业，我国可以建设更为完善的科技生态系统，包括高校、研究机构、企业之间的协同创新，为培养和引进更多高水平人才提供良好环境。
总体来说，半导体的发展不仅仅是一个产业的问题，更是关乎国家未来发展方向和科技创新能力的关键因素。
我国政府已经将半导体产业发展作为国家战略，通过政策支持、资金投入等手段，积极推动半导体技术的自主研发和产业化。
这不仅是为了满足国内需求，更是为了提高国家在全球科技创新中的地位和竞争力。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势一、发展现状1.1半导体技术的历史半导体技术是20世纪最重要的技术之一，它改变了人类社会的方方面面。
20世纪50年代晶体管技术的发明让半导体技术获得了飞速发展的契机，之后的半个世纪里，半导体技术经历了晶体管、集成电路、微处理器等多个阶段的发展，不断推动着信息产业的发展。
1.2主要应用领域半导体技术已经深入到各个领域，如电子通信、计算机、电子消费品、汽车、医疗设备等。
在电子通信领域，半导体芯片是移动通信网络的核心部件；在计算机领域，半导体技术推动了计算机的不断升级和发展；在电子消费品领域，半导体技术使得电子产品变得更加小巧、功能更加强大；在汽车领域，半导体技术实现了智能化驾驶和无人驾驶技术；在医疗设备领域，半导体技术改进了医疗设备的性能，提高了医疗水平。
1.3技术发展水平半导体技术的当前发展水平已经非常成熟，主要表现在以下几个方面：(1)集成度不断提高。
半导体技术的集成度从最初的几个晶体管到现在的数十亿甚至上百亿个晶体管，集成度的提高使得芯片的功能越来越强大。
(2)工艺精度持续提高。
半导体制造工艺的微观化、精细化和复杂化是半导体技术不断发展壮大的基础，如工艺已经进入纳米尺度，工艺的精度已经达到了几十个纳米。
(3)新材料不断涌现。
半导体技术的发展离不开各种新型材料的推动，如氮化镓、碳化硅等材料的应用正在推动半导体技术的发展。
1.4产业现状半导体产业已经成为国民经济的支柱产业，在全球范围内有着巨大的影响力。
当前，全球半导体产业呈现以下几个特点：(1)全球产业集中度逐步提高。
全球主要的半导体企业集中在美国、韩国、日本等国家，这些国家的半导体企业占据了全球市场的绝大部分份额。
(2)产业链日趋完善。
半导体产业链已经形成完整的生产体系，从设备制造到芯片设计、生产、封装测试等环节，各个环节的企业都在不断努力提高产品水平和降低成本。
1.5发展机遇与挑战半导体技术的发展面临着一系列的机遇和挑战：(1)人工智能、物联网等新兴领域的兴起为半导体技术带来了新的发展机遇，这些新的领域对于半导体芯片的要求更高，也为半导体技术提供了更广阔的应用场景。
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“半导体技术”2007年第32卷第1期技术论文“摘要”趋势与展望P1-MOSFET器件回顾与展望（下）P6- AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展P12- 用于光刻的EUV光源现代管理P17- 300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨器件制造与应用P21- CMOS LC VCO中交叉耦合MOS 管的结构和特点P26- 改进型抗单粒子效应D触发器P29- 一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵P33- LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究工艺技术与材料P37- pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响P40- ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响P43- ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究P47- 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究集成电路设计与开发P52- 一种基于DDS的改进信号合成电路设计P55- 车载定位导航终端的设计P58- FPGA中通用互连结构的设计与优化P62- 2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计P65- 高性能双模前置分频器设计封装、测试与设备P68- TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析P74- 基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究P77- ESD电热模拟分析趋势与展望MOSFET器件回顾与展望（下）肖德元１，夏青２，陈国庆１（１．中芯国际集成电路（上海）有限公司存储器技术发展中心，上海２０１２０３；２．上海第二工业大学，上海２０１２０９）摘要：介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法，展望了器件未来发展趋势。
AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展裴风丽１，２，冯震２，陈炳若１（１．武汉大学物理科学与技术学院，武汉４３００７２；２．中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘要：从欧姆接触形成的机理出发，介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法，如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。
回顾了近年来这些方法的研究进展。
用于光刻的EUV光源赵环昱１，２，赵红卫１（１．中国科学院近代物理研究所，兰州７３００００；２．中国科学院研究生院，北京１０００４９）摘要：对国际上普遍采用的两种EUV光源：放电等离子体源（DPP）和激光等离子体源（LPP）进行了多方面比较。
给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。
基于目前的测量结果，指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。
紫外光刻使摩尔定律得以延续的信心。
现代管理300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨张云秀，黄其煜（上海交通大学微电子学院，上海２０００３０）摘要：随着中国半导体业的发展，300 mm半导体代工厂(foundry)在中国纷纷出现，本讨论介绍了300 mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点，力图使读者对厂务化学系统有一个整体的了解，针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处，提出了改进建议。
器件制造与应用CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点宁彦卿，王志华，陈弘毅（清华大学微电子学研究所，北京１０００８４）摘要：在近年来的文献报道中，CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。
在不同的设计中，MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。
从其基本结构出发总结这些结构，就不同结构MOS 管电路对振荡器性能做了简要分析。
着重介绍了近年来在理论认识，低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。
改进型抗单粒子效应D触发器赵金薇，沈鸣杰，程君侠（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海２００４３３）摘要：在对抗单粒子效应技术研究的基础上，构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。
该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应，并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。
一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵王少军，程珍娟，叶星宁（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都６１００５４）摘要：为了得到稳定的输出电压，电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制。
在传统的“Skip”模式电荷泵中，采用工作在线性区的MOS管做开关，通过控制振荡器来调节输出电压，但这种方式会产生较大的输出电压纹波。
设计了一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵，通过控制饱和区MOS管的导通电阻来调节电荷泵的输出电压。
它工作在占空比为50 %的方波信号下，具有很低的输出电压纹波（37 mV）。
LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究冯永生，刘元安（北京邮电大学电信工程学院，北京１０００８８）摘要：以横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应管射频功率放大器为例，介绍了LDMOSFET电热效应模型，理论推导了LDMOSFET 的结温与其耗散功率的量化关系，揭示了射频功率放大器电热记忆效应产生的本质原因。
仿真和实验结果直观描述了电热记忆效应对放大器性能的影响，在此基础上提出了减少电热记忆效应的一般方法。
工艺技术与材料pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响武晓玲，刘玉岭，王胜利，刘长宇，刘承霖（河北工业大学微电子研究所，天津３００１３０）摘要：采用化学机械抛光方法，自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光，通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值，配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率。
分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。
ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响刘杰，王冲，冯倩，张进诚，郝跃，杨艳，龚欣（西安电子科技大学微电子研究所，西安７１００７１）摘要：通过电流-电压法（I-V），电容-电压法（C-V）对n-GaN材料的ICP （感应耦合等离子体）刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。
利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）对刻蚀样品的表面形貌，以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。
试验表明，ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤，形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低，理想因子增大，反向泄漏电流增大。
刻蚀样品在400 ℃热退火可以恢复二极管的电特性，退火温度到600 ℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。
ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究程嘉，朱煜（清华大学精密仪器与机械学系制造工程研究所，北京１０００８４）摘要：感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机反应腔室的气流分布是影响等离子体分布与刻蚀工艺均匀性的重要原因之一。
使用商业软件CFD－ACE＋中的连续流体与热传递模型，对反应腔室中气流分布进行了仿真研究，讨论了不同质量流量（50～250 cm3/min）入口条件下电极表面附近气压分布情况，同时讨论了不同腔室高度（H=0.08, 0.12, 0.14 m）对气流分布均匀性的影响。
研究发现电极表面附近气压分布呈现中心高边缘低的特征，并随入口质量流量的增加而升高；气流分布均匀性随腔室高度增加而有所提高，而同时平均密度却会下降。
通过对比发现3D与2D 模型仿真结果基本一致。
不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究李秀宇，吴月花，李志国，付厚奎（北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京１０００２２）摘要：采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。
研究表明：不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。
SiO2钝化层下的铝膜应力最小，而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。
200 ℃下退火4h后，应力减小明显，且分布趋向均匀。
同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟，模拟结果与实验结果相符。
集成电路设计与开发一种基于DDS的改进信号合成电路设计李琨１，张汉富１，张树丹２，于宗光２（１．江南大学信息工程学院，江苏无锡２１４０３６；２．中电科技集团五十八所，江苏无锡２１４０３５）摘要：传统的信号合成电路利用DDS产生载波信号，再将原信号利用乘法器和加法器来进行合成。
基于ROM查找表法和CORDIC算法，本设计提出了一种改进结构。
仿真与分析结果表明，与原有电路结构相比，改进后的数字信号合成电路精度高、硬件开销小。
车载定位导航终端的设计郑凯１，方康玲２（１．海华电子企业（中国）有限公司，广州５１０６５６；２．武汉科技大学信息科学与工程学院，武汉４３００８１）摘要：设计了一种GSM／GPRS的车载定位导航终端。
该终端基于先进的SOC技术，开发了单片机IP核中内嵌的特定功能，利用单片机的内置闪存ROM技术扩展系统存储空间，实现大量定位信息的存储，并设计了串口扩展电路、GPS模块和GSM／GPRS模块的双模控制等电路。
介绍了车载终端的硬件和软件设计以及实现方法。
实践证明：在实际的定位导航过程中，该终端具有较高的灵敏度、精确度和强大的信息处理能力。
FPGA中通用互连结构的设计与优化侯卫华１，张惠国１，刘战１，高宁１，施亮１，刘明锋２，于宗光２（１．江南大学信息工程学院，江苏无锡２１４０６２；２．中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡２１４０６２）摘要：介绍了一款基于SRAM技术的FPGA电路的通用互连结构。
在对其通用互连线的延时模型进行分析的基础上，提出了一种改进的互连结构。
基于CSMC 0.6 μm工艺下的SPICE仿真及流片结果表明，改进后的互连结构性能提高了约10%。
2.45GHz全集成CMOS功率放大器设计徐国栋，朱丽军，兰盛昌（哈尔滨工业大学卫星技术研究所，哈尔滨１５００８０）摘要：在一个RF收发机系统中，功率放大器的集成问题一直是难点之一。
首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础，然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计，并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。
高性能双模前置分频器设计曾健平ａ，谢海情ａ，晏敏ａ，曾云ａ，章兢ｂ（湖南大学ａ．应用物理系；ｂ．电气与信息工程学院，长沙４１００８２）摘要：提出了一种新颖的分频器设计方案，在高频段采用改进的CMOS 源耦合逻辑（SCL）结构的主从D触发器进行分频，以满足高速要求；在低频段采用自锁存的Ｄ触发器进行分频。
这种结构的Ｄ触发器不但具有锁存功能，而且所需的管子比主从式D触发器要少，以满足低功耗和低噪声要求。
从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求。
基于TSMC 的0.18 μm CMOS工艺，利用Cadence Spectre工具进行仿真。
该分频器最高工作频率可达到5GHz，在27 ℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz 时，电路的功耗仅4.32 mW。