湖南工程学院电力电子2013考试试卷
电力电子技术考试试题(doc 8页)(优秀课件)
一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du／dt 抑制电路，用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。
7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。
当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。
9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。
换流方式可分以下四种： ， ，， 。
10、正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，改变 _可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。
电子电工专业试卷及答案
2012-2013年度普通高校对口单招高三第二次模拟考试电子电工专业理论综合试卷说明：本试卷分第Ⅰ卷（客观题）和第Ⅱ卷（非客观题）两部分，第Ⅰ卷4页，第Ⅱ卷8页。
两卷满分为300分，考试时间150分钟。
Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。
第Ⅰ卷（客观题，共120分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。
一、单项选择题（本大题共22小题，每小题4分，共88分。
在下列每小题中，选出一个正确答案，将答题卡上相应题号中正确答案的字母标号涂黑）1．在某一电路中，需要接入30μF，耐压20V 的电容器，今只有30μF,耐压10V 的电容器数只，为要达到上述要求需将（）A.2只30μF 电容器串联后接入电路B.2只30μF 电容器并联后接入电路C.4只30μF 电容器先两两并联，再串联接入电路D.无法达到上述要求，不能使用30μF,耐压10V 的电容器2．题2图所示电路中，L 1、L 2、L 3、L 4、L 5是5个完全相同的灯泡，要使它们均正常发光，则变压器的原、副线圈匝数比N 1∶N 2∶N 3为（）。
A.1∶2∶1B.2∶1∶2C.4∶2∶1D.4∶1∶2题2图题4图3．有一理想变压器，输入交流电压的最大值为141V。
另有负载电阻接在20V 直流电压上，消耗功率为P，将它接入此变压器的次级电路中，消耗功率为P/4，则这个变压器的原副绕组的匝数比为（）A．14.1：1B．1：14.1C．1：10D．10：14．题4图所示正弦交流电路中，当开关S 闭合时，电路处于谐振状态，则当开关S 打开时电路的性质为。
A．阻性B．感性C．容性D．纯电感5．题5图所示电路，对称三相负载连接成三角形，由三相交流电源供电。
若W 相电源线断开，则电流表和电压表的示数变化分别为。
A．电流表示数变小，电压表示数不变B．电流表示数变小，电压表示数变小C．电流表示数不变，电压表示数不变D．电流表示数不变，电压表示数变小题5图题6图6．题6图所示电路中，S 闭合前，电感未储能。
电力电子技术试题20套及答案
t1~t2 时间段内，有（
闸管导通。
）晶
A、1个
B、2 个
C、3 个
D、 4 个
4、对于单相交交变频电路如下图，在
置的工作状态是（
）
A 、 P 组阻断， N 组整流
C、 N 组阻断， P 组整流
t1~t2 时间段内， P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装
B 、P 组阻断， N 组逆变 D 、 N 组阻断， P 组逆变
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（ 7 分）
2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（ 8 分）
3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（ 7 分）
四、 作图题（共 2 小题，每题 12 分，共 24 分）
1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是 D,y5，采用 NPN 管的锯齿
二、选择题（本题共 11 小题， 9， 10，11 小题每题 2 分，其余每题 1 分共 14 分）
1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（
D ）。
A 、三相半波可控整流电路
B、三相桥式全控整流电路
C、单相桥式可控整流电路
D 、单相全波可控整流电路外接续流二极管
2、晶闸管稳定导通的条件（
A）
A 、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
A、
B、
C、 K f =I dT ·I T
D 、 K f =Id T-I T
7、降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V ，负载电压 U o=12V ，斩波周期 T=4ms，则开通时
T on=（ C ）
A 、 1ms
B、 2ms
C、 3ms
D、 4ms
8、关于单相桥式 PWM 逆变电路，下面说法正确的是（
电力电子技术考试试题(doc 8页)
电力电子技术考试试题(doc 8页)一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。
5、IGBT 综合了（ ）和（ ）的优点，因而具有良好的特性。
A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFET F. 电力二极管三、计算题（4 小题，共20分）1、单相桥式全控整流电路，U2=200V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电势E=120V 。
已知控制角的变化范围是： 0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算)，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
（4分）2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下，已知U2=200V ，电动机反电势E=120V ，负载中R=2Ω，L 极大。
回答下列问题。
(6分)（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。
（2）逆变角β应限制在什么范围内？画出β＝60°时的d u 和d i 的波形。
电力电子考试题库 (含答案)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
全国2013年7月自学考试电力电子变流技术试题
全国2013年7月自学考试电力电子变流技术试题课程代码：02308请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。
选择题部分注意事项：1. 答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。
2. 每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。
如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。
不能答在试题卷上。
一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分-共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。
错涂、多涂或未涂均无分。
1．直接将直流电变换为另一电压直流电的电路是A．整流电路B．逆变电路C．变频电路D．斩波电路2．按器件的可控性分类IGBT是A．全控型器件B．半控型器件C．不控型器件D．单极性器件3．电力电子技术是使用电力电子器件对什么进行控制和变换的技术A．模拟信号B．电能C．数字信号D．高频信号4．电力电子技术是由三个学科交叉形成的电子学、控制理论和A．信息论B．电磁场C．电力学D．图论5．电力电子器件总是工作在A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．开关状态6．三相全控桥式整流电路，同一组(共阴组或共阳组)两个晶闸管之间触发脉冲相位互差A．60° B．90°C．120° D．180°7．若减小SPWM逆变器的输出电压，可采用的控制方法是A．增大载波频率B．增大载波幅度C．增大信号波频率D．增大信号波幅值8．单相全控桥式整流电路带电阻性负载，晶闸管可能承受的最大正向峰值电压为A．B．2C．D．9．带有续流二极管的单相半波大电感负载可控整流电路，设晶闸管的控制角为，续流二极管的导通角为A．B．C．D．10．可用作晶闸管过电压保护的元器件是A．快速开关B．快速熔断器C．非线性压敏电阻D．电抗器11．在降压斩波电路中，已知，Ud=240V，则U0为A．60V B．80VC．120V D．180V12．在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，与单相可控整流电路比三相可控整流电路A．输出电压低，输出脉动频率和输出纹波高B．输出电压高，输出纹波和脉动频率低C．输出电压和输出脉动频率高，输出纹波低D．输出电压高，输出脉动频率低，输出纹波高13．带有续流二极管的单相半波可控整流大电感负载电路，控制角的最大移相范围是A．90° B．120°C．150° D．180°14．晶闸管额定通态平均电流IVEAR定义中规定条件下要求的环境温度为A．20℃ B．25℃C．35℃ D．40℃l5．晶闸管是一种四层结构的几端器件A．二B．三C．四D．五非选择题部分注意事项：用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上，不能答在试题卷上。
2013电工考试卷1234卷要点
试卷1单项选择1、通过电磁感应现象可以知道，线圈中磁通变化的频率越快，线圈的感应电动势（ C ）。
A、越小B、不变C、越大D、不确定2、导体在磁场中做切割磁力线运动时，导体内就会产生（ A ）。
A、感应电动势B、电流C、磁场D、电感3、当电压过高时,电动机可能(B )。
A、不能启动B、绝缘老化加快C、反转D、倒转4、在发电机出口端发生短路时，流过发电机的短路电流最大瞬时值可达额定电流的( A )倍。
A、10～15B、5～10C、0～5D、15～205、在并联运行的同一电力系统中，不论装机容量的大小、任一瞬间的（ A ）在全系统都是一致的。
A、频率B、电压C、电流D、波形6、大型的晶闸管变流设备和( D )，它们产生的谐波电流最为突出，是造成电网谐波的主要因素。
A、荧光灯B、变压器C、高压汞灯D、大型电弧炉7、（ D ）是由于核燃料在反应堆内产生核裂变，释放出大量热能，由冷却剂(水或气体)带出，在蒸发器中将水加热为蒸汽，用高温高压蒸汽推动汽轮机，再带动发电机发电。
A、风力电站B、火力发电厂C、水力发电厂D、核能发电厂8、当单电源变电所的高压为（ A ）接线，低压为单母线接线方式，只要线路或变压器及变压器低压侧任何一元件发生故障或检修，整个变电所都将停电，母线故障或检修，整个变电所也要停电。
A、线路--变压器组B、双母线接线C、单母线分段接线D、单母线接线9、一般发生短路故障后约0.01s时间出现最大短路冲击电流，采用微机保护一般仅需( )s就能发出跳闸指令，使导体和设备避免承受最大短路电流的冲击，从而达到限制短路电流的目的。
P62A、0.002B、0.003C、0.004D、0.00510、在中性点（ A ）接地系统中，当发生单相接地故障时，一般允许运行2h，需发出报警信号。
A、经消弧线圈B、直接C、经小电阻D、经小电容11、（ C ）是隔离电源用的电器，它没有灭弧装置，不能带负荷拉合，更不能切断短路电流。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】考试试卷(3)卷一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180°导电型6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会减少；7、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速快关、控制快速移相使输出的电压降低。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、0度B、60度C、30度D、120度，3、晶闸管触发电路中，若改变（B）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压B、控制电压C、脉冲变压器变比D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）。
A、30o-35oB、10o-15oC、0o-10oD、0o。
6、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、90°B、120°C、150°D、180°7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A 、增大三角波幅度B 、增大三角波频率C 、增大正弦调制波频率D 、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（）A 、减小输出幅值B 、增大输出幅值C 、减小输出谐波D 、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）A 、dt du 抑制电路B 、抗饱和电路C 、dt di抑制电路D 、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率（）A 、与电网有相同的频率B 、高于电网频率C 、可达电网频率的80%D 、约为电网频率的1/2~1/3三、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共10小题，每小题1分，共10分）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
填空
1 通常电力电子技术分为信息电子和电力电子两个分支。
2 滞环比较方式的电流跟踪型pwm变流电路属于实时控制方式电流响应快。
3在硬开关过程中会产生较大的开关噪声和开关损耗。
4 电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15~20V.
5 在双端电路中，变压器中的电流为直流脉动电流。
6.电网频率为50HZ时，交电频电路输出上限频率是20HZ。
7.
选择题
矩阵式变频电路理论上最大的输出输入电压比(D. 0.866)
换流方式：器件换流。
强迫换流。
负载电流，电网换流
对晶闸管来说，通常螺栓是其（阳极）
一个控制周期中电源侧的电流脉冲波数称斩波电路的（相数）
过压保护常用（避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收）。
名词解释
1.PWM控制——就是对脉冲的宽度进行调制的技术。
即通过对一系列脉冲的宽度
进行调制，来等效地获得所需要波形。
2.有源逆变电路——把直流电逆变成交流电的电路称为逆变电路。
当交流侧和电网
连结时，这种逆变电路称为有源逆变电路。
3.交流调压电路——在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调
节输出电压的有效值，这种电路称为交流调压电路。
4.逆变颠覆——逆变运行时，一旦发生换相失败，外接的直流电源就会通过晶闸管
电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联，由于逆变电路的内阻很小，形成很大的短路电流，这种情况称为逆变失败，或逆变颠覆。
造成逆变失败的原因有逆变桥晶闸管或元件损坏，供电电源缺相，逆变角太小，触发脉冲丢失或未按时到达，
间接电流控制——为了使PWM整流电路功率因数近似为1，即要求输入电流为正弦且和电压同相位，可以有多种控制方法。
根据有没有引入电流反馈可以将这些控制方法
分两种，没有引入交流电流反馈的称为间接电流控制。
自然采样法———按照SPWM控制的基本原理，在正弦波和三角波的自然交点时刻控制功率开关器件的通断。
无源逆变——把工频交流电能或直流电能变换成频率和电压都可调节的交流电能供给
负载
触发延迟角————在晶闸管整流器中，用来调压，与一般晶闸管调压系统一样，采用相位控制，通过改变触发脉冲的延迟角，来获得与逆变器输出频率相对应的不同大
小的直流电压。
比较不同
交流调压：是通过控制交流电移相触发角控制输出电压大小。
交流调功：是通过控制交流电通断比例（PWM)来控制输出功率大小
区别：小功率场合叫调压，大功率场合叫调功，调压是调电压的高低，调功是
调带负载的能力或大小
场效应晶体管简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压
控制型半导体器件。
具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二
次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组
成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低
导通压降两方面的优点
问答题
1 电力电子装置中外因和内因过电压的主要内容分别是什么？
外因：操作过电压，雷击过电压
内因：换相过电压，关断过电压
2 什么是软开关？分类
见书200页
3缓冲电路的作用及分类
作用：抑制电力电子器件的内因过电压或过电流及减小器件的开关损耗
分类：关断和开通缓冲电路
有源逆变状态的条件是什么？
答：条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；
②要求晶闸管的控制角α>π/2，使U d为负值
降压原理见书119页
升降压原理见书126页
升压原理见书123页。