MEMS对晶体的挑战
MEMS对材料的要求和基本特性
• 腐蚀速度也是以(111)<(110)<(100)的顺序 而增加 。
1.2 多晶硅
• 单晶是指整个晶体内原 子都是周期性的规则排 列，而多晶是指在晶体 内各个局部区域里原子 是周期性的规则排列， 但不同局部区域之间原 子的排列方向并不相同。 因此多晶体也看作是由 许多取向不同的小单晶 体组成的 。
S ilic id e s
P o ly silic o n Al S iO 2 Si
1970
1980
1990
2000
2010
衬底材料的要求
• 直径尽可能大 • 一致性好
– 均匀性 – 掺杂性 – 杂质 – 表面清洁 – 点缺陷 – 。。。。 • 低成本
一、硅材料
1 单晶硅
• 单晶硅具有优良的机械、物理性质，其机械品质 因数可高达 数量级，滞后和蠕变极小，几乎 为零，机械稳定性好 。
T iO 2
B S T (B ariu m S T )
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MEMS对材料的要求 和基本特性
• 1、具有可微机械加工的特性； • 2、具有一定的机械性能； • 3、具有较好的电性能； • 4、具有较好的热性能。 • 目前能基本满足上述要求的材料有：
MEMS晶振与石英晶振的比较分析
４００－８８８－２４８３MEMS硅晶振VS石英晶振（连载一）之前言好久没写点东西了，最近抽空写了篇《MEMS硅晶振VS石英晶振》（连载），文章从石英晶振基础开始讲，涉及到石英晶振的生产工艺、以及MEMS硅晶振的详细介绍。
并对两个者进行了相关比较。
意在让大家更多的了解些新的产品技术，当然也推一下产品哈。
下面写一下目录：一、认识石英晶振二、石英晶振的工艺三、石英晶振的危机四、STIME MEMS硅晶振五、STIME MEMS硅晶振的十二大优势六、SITIME MEMS硅晶振的七大种类产品七、SITIME MEMS硅晶振的机会八、SITIME MEMS硅晶振专业推广商---北京晶圆简介九、后记MEMS硅晶振VS石英晶振（连载二）之认识石英晶振其实石英晶振这种说法本身并不十分准确，但长久以来大家已经形成了习惯，那就这样写呵。
石英晶振大体可以分为有源与无源两大种类，我们分别介绍一下：首先是无源晶振，无源晶振也叫晶体、谐振器。
英文名称是：crystal或Xtal。
无源晶振是大陆的叫法，其主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。
根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。
现在常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49S、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。
其工作时，自身不能产生振荡，需借外围电路（电容）配合才可产生振荡。
常见的形状如下图所示：同样，有源晶振也是大陆的叫法，又叫钟振、晶振、振荡器。
英文名称是：oscillator。
其除了石英晶片、基座、金属外壳、银胶、银等成分组成之外，还需要起振芯片（也叫线路）。
正是因为将振荡电路嵌入了产品之内，所以只要给其所需要的电压，便可以产生振荡。
基中压控振荡器（VCXO）、温补振荡器（TCXO）等也属于有源晶振的范畴。
一般普通的有源晶振都是四脚表贴的，常见的主要封装型号有7050、5032、3225、2520。
如下图所示：目前国内很少有能生产2520封装尺寸的振荡器厂商。
SiTime欲借硅MEMS时钟全面替代石英晶振
“ 同 集 成 电 路 取 代 分 立 器 前 景 充 满 了 希 望 ， “ 如 当然 未 来 石 英 在 推 动 全 硅 ＭＥ Ｓ Ｍ 时钟 解 决 方 案 在
件 、数字存储取代磁盘和胶卷 ，时 仍然会有少量应用 ，这就像真空 电 电子 行业 中 的应 用 。” 钟器件采 用ＭＥ 取代石英必将是 子管 也 没 有 完 全 退 出历 史 的舞 台一 ＭＳ
Ｎ ｗ Ｅ ＴＥｃＨ 。 Ｌ Ｇ Ｙ Ｎ 。
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用 同大 多数 芯 片一 样 的 标 准 塑 料 封 装 ，因此ＳＴｍｅ 了供应 ＭＥ 时钟 ｉｉ 除 ＭＳ 成 品外 ，还 向其 他 半 导体 公 司 提 供 谐 振 器 裸 片 ，便 于 Ｉ 设 计 企 业 通 过 Ｃ
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国际电子商情文选
MEMS振荡器将对石英晶振构成挑战作者：周智勇上网时间:2007年01月01日在时钟和频率控制领域，传统石英晶体振荡器受到了MEMS振荡器挑战，据In-Stat市场研究报告分析，从2007年起，MEMS数字调谐技术将在手机中获得应用，2008年MEMS振荡器也将上市。
MEMS振荡器上市将给传统石英晶振行业带来哪些挑战？技术和市场发展方向如何？MEMS振荡器会替代石英晶振吗？本文通过采访Sitime、Discera、Ecliptek、深圳英思特晶体电波有限公司、深圳世强电讯有限公司等公司，具体介绍MEMS振荡器上市带来的影响。
MEMS振荡器发展的目标目前，随着MEMS设计和制造工艺的成熟，可以利用兼容CMOS的工艺和材料在硅晶圆上制造MEMS振荡器。
Sitime公司市场营销副总裁John McDonald表示：“我们计划通过提供兼容CMOS工艺的硅MEMS振荡器产品，来变革整个石英晶体行业，正如晶体管取代了真空管一样，石英晶体将被硅技术取代。
”John McDonald认为：“MEMS振荡器发展的目标之一就是通过引脚对引脚的兼容方式，替代石英晶体或振荡器，以降低电子系统成本。
”MEMS振荡器的最早应用领域可能是硬盘驱动器、汽车电子、工业和笔记本制造。
据悉，SiTime计划通过向消费芯片制造商授权使用其MEMS振荡器，从而实现单芯片解决方案，John McDonald自信道：“我们的技术可以被所有半导体制造商采用。
”Sitime通过调整调谐叉的几何尺寸，将以往要由多个振荡器提供的多个频率，集成到同一CMOS晶圆之中，单一芯片能够根据需要产生不同时基。
MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。
Sitime公司将以MEMS First技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。
半导体物理与器件mems
半导体物理与器件mems1.引言1.1 概述半导体物理与MEMS（微机电系统）器件是现代科技领域中非常重要的研究方向。
半导体物理研究了半导体材料的电学、热学和光学特性，以及半导体器件的制备和性能。
而MEMS器件则是利用微纳米加工技术制造出微小的机械结构，并通过集成电路技术实现控制和传感功能。
这两个领域的交叉研究为实现微小化、集成化、高性能的微型传感器、执行器和微系统提供了重要的基础。
半导体物理的研究内容包括材料的能带结构、载流子在半导体中的输运过程、电子在半导体中的行为等。
半导体器件是基于半导体材料的电子元件，如二极管、晶体管、集成电路等。
半导体物理的研究能够帮助我们更好地理解和设计各类半导体器件，进一步推动半导体技术的发展。
MEMS器件是在微纳米尺度上制造的微小机械系统。
它们通常由微电子器件、微机械结构和传感器等组成。
MEMS器件具有体积小、质量轻、功耗低、快速响应和高集成度等特点。
MEMS器件的研究涉及到微纳加工工艺、微尺度机械结构设计、传感与控制等一系列技术和理论。
随着纳米技术和微电子技术的不断发展，MEMS器件在医疗、通信、汽车、航空航天等领域有着广泛的应用前景。
半导体物理与MEMS器件的结合为微电子技术的发展提供了新的思路和方向。
通过将半导体物理与MEMS器件相结合，我们可以实现更小型化、更高性能的器件和系统。
这不仅能够满足日益增长的微型化和集成化需求，还有助于推动人工智能、物联网、生物医学等领域的技术创新和应用。
因此，对于半导体物理与MEMS器件的研究和深入理解具有重要意义，将为科技进步和社会发展提供强有力的支撑。
1.2文章结构1.2 文章结构本文分为三个主要部分，分别是引言、正文和结论。
在引言部分，我们将提供对半导体物理与MEMS器件的简要概述，介绍其重要性和应用领域。
同时，我们将阐明本文的目的和意义。
接着，正文部分将深入探讨半导体物理和MEMS器件的相关内容。
在半导体物理部分，我们将介绍半导体材料的基本原理、能带理论和半导体器件的工作原理。
mems压阻式传感器产品结构
mems压阻式传感器产品结构MEMS压阻式传感器是一种基于微电子机械系统（Micro-Electro-Mechanical Systems）技术的压力传感器。
其产品结构主要包括敏感层、衬底层、电极层和封装层等几个关键部分。
敏感层是MEMS压阻式传感器的核心部分，通常由多晶硅材料制成。
它采用了特殊的加工工艺，形成一种类似薄膜的结构。
当受到外部的压力作用时，敏感层上的晶体结构会发生微小的形变，进而引起其电阻值的变化。
衬底层是为了支撑敏感层而存在的。
它通常由硅材料制成，并与敏感层紧密结合。
衬底层具有良好的刚性和稳定性，能够防止敏感层因外力变形而破坏。
电极层位于敏感层的两侧，主要用于探测敏感层的电阻变化。
电极层通常由金属材料制成，具有良好的电导性和机械强度。
当敏感层发生形变时，电极层能够感知到并将信号传递给外部电路。
封装层是为了保护敏感层及其它组件而存在的。
传感器一般需要在复杂和恶劣的工作环境中运行，因此需要具备良好的密封性和耐腐蚀性。
封装层通常由特殊的高分子材料制成，能够有效防止外部环境对传感器的影响。
MEMS压阻式传感器的工作原理是基于压阻效应。
当外部施加压力时，这种压力会通过敏感层传递到衬底层，从而引起晶体结构微小的形变。
这一形变会导致敏感层电阻值的变化，进而产生电压信号。
这个信号可以通过电极层传输到外部电路，进行信号处理和数据分析。
MEMS压阻式传感器具有多种优势。
首先，它们具有较高的灵敏度和精度，能够准确地测量压力变化。
其次，它们具有较小的体积和质量，便于集成和安装在各种设备和系统中。
此外，它们还具有较低的功耗和较快的响应速度，适用于高频率和实时监测应用。
总之，MEMS压阻式传感器的产品结构主要包括敏感层、衬底层、电极层和封装层等几个关键部分。
通过利用压阻效应，它们能够准确地测量外部压力变化，并将信号传递给外部电路。
这种传感器具有高精度、小体积、低功耗和快速响应等优势，在各种工业和消费领域都有广泛的应用前景。
晶体电子学的前沿技术
晶体电子学的前沿技术随着电子技术的不断发展，晶体电子学作为电子学的一个重要分支，正迎来前所未有的机遇。
通过对材料、器件的设计和制备，晶体电子学实现了金属、半导体、光电子材料、微纳电子器件的高性能制备，同时也衍生出了一些新的研究领域，如量子计算、量子通信、超导等。
一、半导体器件技术的发展在晶体电子学领域，半导体器件技术一直是研究和应用的重点，其发展趋势主要包括三个方面：一是尺寸的不断缩小，精度的不断提高；二是新型材料和新型器件的涌现；三是新型制备工艺的不断推进。
尺寸的不断缩小，使得半导体器件变成了微纳米器件，从而可大大提高器件的性能和性价比。
在缩小尺寸的同时，半导体器件的制造工艺也不断地优化和改进。
比如，在微电子制造中采用可重复、高保真的批量制造工艺，实现了器件的高精度制备。
新型材料和新型器件的涌现也是半导体器件技术快速发展的原因之一。
比如，硅基复合材料、GaN、AlN等新型材料的研究和应用，促进了高亮度LED、高频半导体器件、高功率器件等领域的快速发展。
此外，锗、碳化硅等非硅半导体材料的发展，也为半导体器件的多样化提供了有力的支持。
新型制备工艺的不断推进，尤其是半导体器件微纳制造技术的快速提高，为半导体器件的性能和功能带来了更大的提升。
例如，先进的微纳制造技术使得纳米电子器件实现了新型结构与新型物理特性的融合。
同时微纳制造也促使半导体器件转向系统方向，具备了智能系统、传感器网络、MEMS、生物芯片等多种应用方向。
二、量子计算的研究量子计算是近年来高度关注的研究领域，是基于量子力学原理构建的计算机，比经典计算机更快。
量子计算通过量子比特实验，利用量子纠缠和干涉等量子现象实现并行计算，破解了计算机大数据的处理难题。
量子计算的实现需要高质量的量子比特。
目前实验室中最好的量子比特是超导量子比特和离子阱量子比特。
其中超导量子比特的性能已达到了能够进行简单的量子算法的要求，而离子阱量子比特中已经实现了超过50个量子比特的量子纠缠。
微机电系统MEMS简介
陀螺仪
总结词
用于测量或维持方向的传感器
详细描述
陀螺仪是一种基于角动量守恒原理的传感器，用于测量或维持方向。它通过测量物体旋转轴的方向变 化来工作，通常由高速旋转的陀螺仪转子组成。陀螺仪广泛应用于导航、姿态控制、游戏控制等领域 ，如智能手机、无人机和导弹制导系统等。
压力传感器
总结词
用于测量流体或气体压力的传感器
MEMS市场应用领域
消费电子
汽车电子
医疗健康
工业自动化
MEMS传感器在消费电子产品 中的应用广泛，如智能手机、 平板电脑、可穿戴设备等。这 些设备中的传感器用于运动检 测、加速度计、陀螺仪、气压 计等。
随着汽车智能化的发展， MEMS传感器在汽车领域的应 用也越来越广泛，如车辆稳定 性控制、安全气囊、发动机控 制等。
MEMS材料
单晶硅
单晶硅是MEMS制造中最常用的材料 之一，具有高强度、高刚度和良好的 化学稳定性。
多晶硅
多晶硅在MEMS制造中常用于制造柔 性结构，具有较好的塑性和韧性。
玻璃
玻璃在MEMS制造中常用于制造光学 器件，具有较高的透光性和稳定性。
聚合物
聚合物在MEMS制造中常用于制造生 物传感器和柔性器件，具有较好的生 物相容性和可塑性。
集成化
未来的MEMS系统将更加集 成化，能够将多个MEMS器 件集成在一个芯片上，实现 更高效、更低成本的应用。
03
CATALOGUE
MEMS传感器与器件
加速度传感器
总结词
用于测量 物体运动状态的传感器
详细描述
加速度传感器是一种常用的MEMS传感器，主要用于测量物体运动状态的加速度。它通常由质量块和弹性支撑结 构组成，通过测量质量块因加速度产生的惯性力来计算加速度值。加速度传感器广泛应用于汽车安全气囊系统、 手机和平板电脑的姿态控制、运动检测等领域。
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MEMS振荡器将对石英晶振构成挑战作者：周智勇上网时间:2007年01月01日在时钟和频率控制领域，传统石英晶体振荡器受到了MEMS振荡器挑战，据In-Stat市场研究报告分析，从2007年起，MEMS数字调谐技术将在手机中获得应用，2008年MEMS振荡器也将上市。
MEMS振荡器上市将给传统石英晶振行业带来哪些挑战？技术和市场发展方向如何？MEMS振荡器会替代石英晶振吗？本文通过采访Sitime、Discera、Ecliptek、深圳英思特晶体电波有限公司、深圳世强电讯有限公司等公司，具体介绍MEMS振荡器上市带来的影响。
MEMS振荡器发展的目标目前，随着MEMS设计和制造工艺的成熟，可以利用兼容CMOS的工艺和材料在硅晶圆上制造MEMS振荡器。
Sitime公司市场营销副总裁John McDonald表示：“我们计划通过提供兼容CMOS工艺的硅MEMS振荡器产品，来变革整个石英晶体行业，正如晶体管取代了真空管一样，石英晶体将被硅技术取代。
”John McDonald认为：“MEMS振荡器发展的目标之一就是通过引脚对引脚的兼容方式，替代石英晶体或振荡器，以降低电子系统成本。
”MEMS振荡器的最早应用领域可能是硬盘驱动器、汽车电子、工业和笔记本制造。
据悉，SiTime计划通过向消费芯片制造商授权使用其MEMS振荡器，从而实现单芯片解决方案，John McDonald自信道：“我们的技术可以被所有半导体制造商采用。
”Sitime通过调整调谐叉的几何尺寸，将以往要由多个振荡器提供的多个频率，集成到同一CMOS晶圆之中，单一芯片能够根据需要产生不同时基。
MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。
Sitime公司将以MEMS First技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。
Sitime公司已与Jazz半导体公司合作，将SiTime公司的MEMS First工艺与Jazz半导体公司的0.18μm平台相结合，这中间包括RF CMOS和SiGe BiCMOS工艺选项，从而把应用拓展到802.11、蓝牙及其它无线收发器的设计之中。
另外，Discera公司首席技术官Wan-Thai Hsu博士表示：“MEMS振荡器的另一个发展方向就是进入混合信号和RF应用领域。
”Discera 公司通过与Vectron International公司合作，为电子产品制造商提供基于PureSilicon CMOS MEMS振荡器的时钟产品。
同样不久前，无晶圆厂IC设计公司WiSpry也宣布着手生产基于MEMS技术的动态可调谐射频集成电路。
WiSpry创始人兼首席执行官Jeff Hilbert说：“全集成RF-MEMS器件将消除多标准、多频段应用中所需要的多个RF路径，应用于全球移动电话、移动无线电子系统和无线基站。
” WiSpry的可调谐产品使蜂窝电话和其它无线电设备制造商能够建立跨越整个产品线的标准化的硬件平台、元器件和参考设计，从而进一步降低系统的成本。
iSuppli公司中国市场研究总监吴同伟指出，RF和滤波部分占手机总成本的3.4%，除了振荡器之外，MEMS的应用还将渗透到天线开关、发送/接收声表面波滤波器、RF收发器的VCTCXO、32.768KHz晶体振荡器、微型麦克风和扬声器之中。
In-Stat特约分析师Stephen Cullen说：“在大多数应用中，MEMS振荡器的性能堪与传统晶体振荡器相媲美，MEMS发展的终极目标是将MEMS时钟集成到每个所需要的芯片中。
”因此，取代传统石英振荡器只是CMOS MEMS振荡器技术一个发展方向。
更为重要的意义在于CMOS MEMS振荡器技术将开启基于RF MEMS的RF SoC时代。
成本挑战和竞争焦点在未来发展中，MEMS振荡器面临成本上的挑战。
Cullen说：“虽然MEMS将在2008年全面替代蜂窝电话中的石英晶体振荡器，但在2010年前不会批量生产，因为MEMS在体积上满足用户要求的同时，还需要大规模普及应用的过程，克服成本太高的难题。
”Gartner Dataquest半导体工艺专家Dean Freeman也认为，问题在于“能否生产出和石英晶体一样便宜的MEMS器件”。
MEMS振荡器在手机市场的应用演变情况。
对于MEMS振荡器的成本问题，Discera公司的Hsu说：“与石英晶体必须采用的密封外壳陶瓷封装不同，MEMS振荡器可以采用塑料封装。
Discera的封装成本还不到石英晶体的一半，并且MEMS在大批量生产后，成本将降低。
”Hsu以军事领域的一家客户为例，该客户一直以65美元的价格购买石英晶体振荡器，但如果转向采用MEMS振荡器，那么单支成本还不到1美元。
显然，Hsu所说的是大批量生产价格。
但实际上IC流片成本并不低，动辄需要上百万美元的NRE费用，这是MEMS振荡器高成本的关键原因之一。
此外，MEMS振荡器走向大规模应用面临“成品率、可靠性和量产”三大挑战，这也是造成高成本的原因。
因此，Gartner Dataquest分析师Stephan Ohr认为：“MEMS振荡器更适合于成本不敏感的高精度时钟管理应用。
”他指出，“Discera和SiTime似乎都锁定高端市场中工作频率在100MHz以上的低抖动振荡器器件。
”这些公司并将“减小抖动和相位噪声指标”，作为竞争焦点。
Ecliptek公司的市场营销副总裁Mark Stoner也表示：“MEMS振荡器增长最快的领域是消费电子应用领域，如硬盘驱动器、DVD播放机和摄像机等，但由于这些应用涉及高速数据传输，因此，MEMS振荡器技术应用面临的最大挑战在于减小抖动和相位噪声指标，满足日益严格的数据通信需求。
”据悉，Ecliptek公司通过提供抖动值小于3ps RMS的二代MEMS产品，来满足市场需要，其输出可选用LVPECL、LVDS和HCMOS。
同样为了更好地参与市场竞争，Sitime公司已生产了频率小于200MHz的低噪声(3ps RMS)可编程MEMS振荡器。
Sitime公司中国区经理Frank Qiu预测，未来Sitime公司的发展方向有三个：提高振荡频率的覆盖范围(达到1GHz以上)；缩小封装；提供系列固定频点振荡器，并计划在2008年推出频率达到1GHz以上的低噪声可编程MEMS振荡器。
传统石英晶振仍有市场虽然CMOS MEMS振荡器取代传统石英晶体振荡器是发展趋势，但仍需时日。
目前，传统石英晶体振荡器仍有市场发展空间。
世强电讯从事石英晶体振荡器销售的Silabs产品线经理袁进表示：“目前，在传统石英晶体振荡器市场中，在发展多频率输出和任意频率输出的低抖动振荡器。
”他举例说，Silabs推出的传统石英晶体振荡器Si53x/Si55x系列，是10MHz~1.4GHz任意频率输出的低抖动振荡器(小于0.5ps RMS)，采用了DSPLL数字锁相环(数字DCO+数字PD+数字环路滤波器)专利技术，通过DSPLL技术实现DSP数字化的任意小数点分频和倍频技术，产生任意输出频率，将频率控制和调谐从负载的振荡器移置到单一CMOS IC上。
Silabs的DSPLL技术不同于其他传统晶体振荡器技术，传统晶体振荡器通过切割、抛光等机械工艺来修改输出频率，但存在温度漂移、中心频率老化漂移、供货时间长达10周等缺点。
利用Silabs基于DSPLL技术的VCXO/XO技术，能有效解决这些问题，客户可以在10MHz~1.4GHz频率之间订制晶体振荡器的输出频率，以满足通信市场的CDMA网络、光接入网、光通讯设备、雷达、激光测量仪器等需求。
袁进认为，在通信应用领域，对抖动、温度飘移、抗干扰能力以及频率偏差的要求高，因此，中高档石英晶体振荡器才能满足客户需要。
袁进还指出，在电信基站、医疗设备、GPS和雷达等领域，另一市场发展趋势是要求石英晶体振荡器稳定性达到ppb级，而Silabs的产品能满足要求。
据悉，法国TEMEX公司也提供一种SC断面的恒温石英晶体振荡器，温度漂移不超过0.2ppb，老化速度每年低于20ppb，特别适合WCDMA基地台转发器应用领域。
除了传统石英晶体振荡器在性能上能满足一定市场需求外，在成本上石英晶体振荡器也是低档电子系统设计中不可替代的产品。
深圳英思特晶体电波有限公司总经理王立虎认为：“中低档传统石英晶体振荡器的发展方向依然是采用SMD技术，进一步缩小体积。
”在超低抖动、高频率稳定性和小批量的应用领域，Silabs等生产的石英晶体振荡器能够利用灵活多变的定制服务，赢得客户。
对此，Discera公司的Hsu预测道：“MEMS提供了比石英晶体更佳的降低成本路线图，在消费电子领域，MEMS技术将增长最快。
”但Sitime公司的John McDonald坦称：“目前，全球石英晶体振荡器市场年规模为30亿美元，每年生产90亿颗石英晶体振荡器。
”但他也坚信：“MEMS振荡器取代石英晶体振荡器只是时间问题。
”基于MEMS技术的可编程振荡器，有可能成为颠覆整个传统石英晶体振荡器行业的杀手级产品。
作者：周智勇数据通信和接入网需求推动光收发器市场发展作者：周智勇上网时间:2006年12月01日据美国光电产业发展协会(OIDA)发布的“未来10年光通讯发展前景”预测，2015年前全球光通信市场有6大主要发展趋势：以太网将继续保持强劲的增长势头；2015年核心网的比特率将达到40Gbps，接入网的比特率将达到10Gbps；2015年运营商的传输总容量将达到100Tbps的水平;对于可调性能，OEIC(光电集成电路)以及模拟数字信号处理，速率/协议透明的光器件将成为主流；光器件需要进一步降低尺寸、成本和功耗; 对带宽需求的增长将推动FTTH的发展。
Ovum-RHK对全球PON市场规模预测，2010年之后GPON将超过EPON。
光通信器件一般分为光有源器件、光无源器件、光交换器件、光子集成器件和大功率激光器。
从市场需求来看，光收发一体模块的最大需求动力将来自光接口以太网交换机。
光纤到户市场将对突发性光收发模块市场起到强有力的推动作用。
在“2006年中国光电产业高层论坛”上，专家指出：下一代光网络发展的根本动力是“构建具备灵活带宽调配能力和新业务接入能力的自动交换光网(ASON)”。
在对全球光纤通信模块和分立元器件的总市场规模的预测中，Ovum-RHK分析师Karen Liu表示，未来的光通信市场将形成“WAN、数据通信和FTTx”市场三足鼎立、相互支持的局面，通过“共享平台技术和化合物半导体技术、平面波导技术及纳米结构的创新”，将降低光通信器件的成本，并使光通信“在数据通信和接入网市场战胜铜互连技术”，最终将实现FTTx。