东南大学模电总复习
模电各章重点内容及总复习.
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
0东南~硕士研究生入学《模电数电》课程复习
硕士研究生入学《模电数电》课程复习与考试大纲第一部分《模拟电子技术基础》参考书：[1]刘京南主编，电子电路基础。
电子工业出版社，2003[2]康华光主编，电子技术基础，模拟部分（第四版），高等教育出版社，1999一、半导体器件概述（1）PN结及二极管主要内容：半导体及PN结、二极管的基本特性、二极管的电路模型及主要参数、特殊二极管（2）半导体三极管主要内容：三极管的基本工作原理、三极管的基本特性、三极管的电路模型及主要参数（3）半导体场效应管主要内容：结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数及电路模型（4）集成运算放大器主要内容：集成运放的基本特性、理想运放二、基本放大电路（1）放大电路的组成与技术指标主要内容：放大电路的组成、放大电路的技术指标（2）放大电路的稳定偏置主要内容：温度对半导体器件的影响、分压式偏置电路、电流源偏置电路（3）各种基本组态放大电路的分析与比较主要内容：共基极放大电路、共集电极放大电路、场效应管的直流偏置电路、共源极放大电路、共漏极放大电路三、组合放大电路（1）一般组合放大电路主要内容：组合放大电路的级间耦合、组合放大电路的增益、共源—-共射放大电路、共射—共基—共集放大电路（2）差动放大电路主要内容：基本差动放大电路、差动放大电路的传输特性（3）集成运放的典型电路主要内容：偏置电路及输入级、中间级及输出级电路（4）集成运放的参数及实际电路模型主要内容：集成运放的主要参数、集成运放的实际电路模型、运放电路的调零四、放大电路的频率响应（1）放大电路频率响应的有关概念主要内容：幅频响应、相频响应、波特图、上限频率、下限频率（2）单级放大电路频率响应的分析方法主要内容：单管放大电路的高频响应、单管放大电路的低频响应（3）多级放大电路的频率响应主要内容：多级放大电路的高频响应、多级放大电路的低频响应五、反馈放大电路及其稳定性分析（1）反馈的基本概念与分类主要内容：反馈的基本概念、反馈的分类与判断、反馈放大电路的方框图表示及其一般表达式（2）负反馈对放大器性能的改善主要内容：提高放大倍数的稳定性、减少非线性失真、扩展通频带、对输入电阻和输出电阻的影响（3）深度负反馈放大电路的分析计算主要内容：深度负反馈的特点、深度负反馈放大电路的计算（4）负反馈放大电路的稳定性分析及频率补偿主要内容：负反馈电路的稳定性分析、常用的频率补偿方法六、波形产生与整形电路（1）正弦波振荡电路的基本概念主要内容：正弦波振荡器的振荡条件、正弦波振荡器的组成及分类（2）正弦波振荡电路主要内容：RC文氏电桥振荡电路、LC三点式振荡电路、变压器反馈式振荡电路、石英晶体振荡电路（3）非正弦振荡电路主要内容：矩形波振荡电路、三角波振荡电路七、信号运算和处理电路（1）集成运放运算电路主要内容：比例运算电路、加减运算电路、微分与积分电路、对数与反对数电路（2）有源滤波器主要内容：滤波器的基本概念、一阶有源滤波电路、二阶有源滤波电路、状态变量滤波器（3）模拟乘法器主要内容：对数式模拟乘法器、变跨导式模拟乘法器、模拟乘法器应用（4）锁相环电路主要内容：锁相环的基本概念、锁相环的相位模型与系统分析、集成锁相环及其应用八、功率电路（1）功率放大电路主要内容：功率放大电路的特点与分类、互补对称功率放大电路、集成功率放大器（2）串联型直流稳压电路主要内容：稳压电路的主要指标、全波整流电容滤波电路、三端集成稳压器第二部分《数字电子技术基础》参考书：[1] 黄正瑾主编，计算机结构与逻辑设计（第一版），高等教育出版社，1999[2] 康华光主编，电子技术基础，数字部分（第四版），高等教育出版社，1999一、数制和码制（1）数制主要内容：十进制、R进制、二进制、二进制的优点、数制间的转换、八进制与十六进制（2）数的表示方法与格式主要内容：码的概念、二进制码与循环码、十进制数的表示方法、BCD码二、逻辑函数与门电路（1）逻辑代数的基本知识主要内容：三种基本逻辑运算、逻辑代数的基本定律、逻辑代数的基本规则、逻辑代数的常用公式（2）逻辑函数及其描述方法主要内容：逻辑表达式、逻辑图、真值表、卡诺图、标准表达式、最大项和或与表达式（3）门电路的基本知识主要内容：正逻辑与负逻辑、非门的电路模型、其它门电路、门电路的技术要求（4）逻辑函数的简化主要内容：逻辑简化的意义和标准、公式法简化、卡诺图法简化三、组合逻辑电路（1）组合逻辑电路分析主要内容：组合逻辑电路的定义与特点、组合逻辑电路的分析方法、几种常用的组合逻辑模块：编码器、译码器、加法器、数据选择器和数值比较器（2）组合逻辑电路的设计主要内容：组合逻辑电路的设计方法、组合电路的竞争冒险现象及其消除方法（3）可编程逻辑器件(PLD)主要内容：可编程逻辑器件的基本结构、PAL、GAL、FPGA和CPLD的特点及电路结构四、时序逻辑电路（1）触发器的原理和应用主要内容：基本RS触发器、J-K触发器、D触发器等的电路结构、工作原理及动态特性（2）时序逻辑电路分析主要内容：时序电路的特点、描述方法和分析方法、含中规模集成模块的时序逻辑电路的分析（3）常用时序逻辑电路模块主要内容：数据寄存器、移位寄存器、集成移位寄存器、计数器、常用集成计数器、计数器的应用、多片集成计数器构成任意模计数器五、半导体存储器主要内容：ROM、RAM等的电路结构、工作原理和扩展存储容量的方法、用ROM实现组合逻辑函数的方法六、数模与模数转换主要内容：D/A数模转换电路组成、工作原理、功能及主要参数；A/D模数转换电路组成、工作原理、特点及应用七、脉冲的产生和整形电路主要内容：施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的工作原理、主要参数的分析方法及应用；555定时器的工作原理及应用。
东南大学电子电路基础复习总结
4.1.1
半导体及 PN 结（单向导电性）（多子的扩散，少子的漂移）（ I
IS
e
U
uD （T 26mV
)
1 ）
4.1.2 二极管的基本特性（伏安特性（阈值电压Uth ，导通压降U D(on) ）、开关特性）
4.1.3
二极管的电路模型（直流模型、小信号（微变等效电路）模型 rd
UT 26mV ）
RF 2 R2
u2
RF 2 R3
RF1 R1
u1
RF 2 R2
u2 ，
同相端和反向端（同相比例运算电路和反向比例运算电路的叠加）实现减法 uo
1
RF R1
R3 R2 R3
u2
RF R1
u1 。
2.3.3
微分与积分电路（ uo
RC
dui dt
， uo
， iD
I DSS
1
uGS U GS (off
)
2
）
4.3.2 绝缘栅场效应管（IGFET,MOS（)（N 沟道，P 沟道，增强型，耗尽型）（漏极特性曲线（输出特性曲线）iD f (uDS ) uGS const
——截止区、可变电阻区、饱和区（恒流区、放大区），转移特性曲线 iD
rbe 1
很小）
5.2 场效应管放大电路
5.2.1 场效应管的直流偏置及工作点分析（自给式直流偏置电路、分压式直流偏置电路）
5.2.2
共源放大电路（自偏置电路——静态工作点 Q ： I DQ
I
DSS
1
U GSQ U GS (off
)
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS） 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 ）
体管。 据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
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第二章 运算放大器
2.3 基本线性运放电路
掌握求差电路结构及其计算；
掌握仪用放大器结构及其计算，特点； 掌握求和电路结构及其计算； 掌握积分电路结构及其计算； 掌握微分电路结构及其计算；
第三章
3.1 半导体的基本知识
了解硅和锗的原子结构简化模型； 理解自由电子、空穴、电子空穴对、空穴的迁移；
理解本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体；
掌握ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ用波特图判断稳定性的方法；
第八章 功率放大电路
8.1 功率放大电路的一般问题
了解功率放大电路需要解决的问题； 理解甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的分类； 8.2 射极输出器 理解甲类功率放大电路（射极输出器）的特点；
理解甲类功率放大电路（射极输出器）的功率、效率的计算； 8.3 乙类双电源互补对称功率放大电路
掌握电路组成和工作原理； 掌握输出功率、管耗、电源功率、效率的计算； 理解如何选择功率管；
第八章 功率放大电路
8.4 甲乙类互补对称功率放大电路
掌握甲乙类双电源互补对称电路的结构和工作原理； 掌握甲乙类单电源互补对称电路的结构和工作原理；
理解集成功率放大器的原理和应用；
第九章 信号处理与信号产生电路
理解MOSFET镜像电流源的结构和工作原理； 了解MOSFET多路电流源； 6.2 差分放大电路
掌握差模信号、共模信号、差模电压增益、共模电压增益、共 模抑制比的概念和定义；
熟练掌握射极耦合差分放大电路的结构、工作原理，抑制温漂 原理； 熟练掌握射极耦合差分放大电路的指标计算：差模双入双出、 差模双入单出、共模双出、共模单出；
第四章
4.3 放大电路的分析方法
以基本共发射极放大电路为例，掌握静态工作点的图解分析方 法和动态工作情况的图解分析方法； 理解静态工作点对波形失真的影响，饱和失真和截止失真； 熟练掌握BJT的H参数小信号等效模型； 熟练掌握小信号模型分析法：根据直流通路计算静态工作点， 根据交流通路画小信号等效电路，计算放大电路的电压增益、 输入电阻、输出电阻等； 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 了解温度对静态工作点的影响；
第七章 反馈放大电路
7.1 反馈的基本概念和分类
掌握反馈的概念和框图，输入信号、反馈信号、净输入信输出 信号； 掌握正反馈、负反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联 反馈的概念； 熟练掌握反馈类型的判断； 7.2 负反馈放大电路的四种组态
熟练掌握电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、 电流并联负反馈的特点和作用；
掌握N沟道增强型MOS管的输出特性，截止区、可变电阻区、饱 和区；
掌握N沟道增强型MOS管的转移特性及其方程；
掌握N沟道耗尽型MOS管的工作原理及其输出特性和转移特性；
理解P沟道增强型MOS管和P沟道耗尽型MOS管的输出特性和转移 特性；
理解MOS管的主要参数；
第五章 场效应管放大电路
5.2 MOSFET放大电路
第七章 反馈放大电路
7.6 负反馈放大电路设计
了解负反馈放大电路设计的一般步骤； 7.7 负反馈放大电路的频率响应
掌握负反馈对放大电路频率响应的影响，增益带宽积； 7.8 负反馈放大电路的稳定性
理解自激振荡产生的原因和条件，幅值条件和相位条件； 掌握负反馈放大电路稳定工作的条件，幅值裕度和相位裕度；
第九章 信号处理与信号产生电路
9.5 正弦波振荡电路的振荡条件
掌握振荡电路的组成部分； 掌握振荡条件，振幅平衡条件和相位平衡条件，起振条件，稳 幅措施； 9.6 RC正弦波振荡电路 熟练掌握RC桥式振荡电路结构，工作原理，起振条件，振荡频 率，稳幅措施 9.7 LC正弦波振荡电路
掌握LC并联谐振的本质，振荡频率计算；
第六章 模拟集成电路
6.2 差分放大电路（续）
理解带有源负载的差分放大电路的结构和工作原理； 理解CMOS差分放大电路的结构和工作原理； 6.3 差分放大电路的传输特性 了解差分放大电路传输特性曲线； 6.4 集成电路运算放大器 理解741集成运算放大器工作原理； 6.5 实际集成运放的主要参数和对应用电路的影响 理解集成运放的主要参数，例如输入失调电压、输入偏置电流、 输入失调电流、开环增益、带宽、单位增益带宽、输入电阻、 输出电阻、共模抑制比等； 了解运放的调零；
第五章 场效应管放大电路
5.5 各种放大器件电路性能比较
理解P240表5.5.2； BJT电路：熟练掌握p148表4.5.1；
FET电路：熟练掌握P221表5.2.1；
第六章 模拟集成电路
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术
理解镜像电流源的结构和工作原理； 理解微电流源的结构和工作原理；
了解组合电流源的结构；
理解LC选派放大器的工作原理； 掌握变压器反馈式LC振荡电路的工作原理，熟练判断相位条件；
第九章 信号处理与信号产生电路
9.7 LC正弦波振荡电路(续)
掌握电容三点式和电感三点式的相位关系，熟练判断三点式LC 振荡电路的相位条件； 理解石英晶体的基本特性和等效电路； 掌握石英晶体串联谐振和并联谐振的特性，熟练判断石英晶体 振荡器的相位条件； 9.8 非正弦信号产生电路 掌握单门限电压比较器的工作原理； 掌握迟滞比较器的工作原理和分析方法，传输特性； 掌握方波产生电路的结构和工作原理，理解占空比调整方法； 理解锯齿波产生电路的结构和工作原理；
9.1 滤波电路的基本概念与分类
理解滤波器的传递函数、幅频响应、相频响应，低通、高通、 带通、带阻； 9.2 一阶有源滤波电路 掌握一阶低通和一阶高通滤波器的电路结构、传递函数推导、 幅频和相频特性、幅频特性的波特图、特征角频率； 9.3 高阶有源滤波电路 掌握二阶低通滤波器的电路结构、传递函数推导、幅频和相频 特性、幅频特性的波特图、特征角频率、等效品质因数； 理解二阶高通滤波器的电路结构、传递函数推导、幅频和相频 特性； 了解带通滤波器的电路结构和传递函数推导方法； 了解带阻滤波器的电路结构和传递函数推导方法；
理解N型半导体和P型半导体中的多子与少子，正离子与负离子； 3.2 PN结的形成及特性 理解载流子的漂移和扩散运动，PN结形成的物理过程（涉及一些 名词：空间电荷区、耗尽层、内电场、势垒电位）； 掌握PN结的单向导电性，正偏时电阻小扩散电流大，反偏时电阻 大漂移电流很小（反向饱和电流），PN结V-I表达式；
掌握基极分压式射极偏置电路的稳定工作点的原理；
熟练掌握基极分压式射极偏置电路的静态分析和动态分析，直 流通路和交流通路，小信号等效电路，指标计算；
第四章
4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路
熟练掌握共集电极放大电路的结构，静态分析，动态分析，指 标计算； 熟练掌握共基极放大电路的结构，静态分析，动态分析，指标 计算； 熟练掌握共射、共集、共基放大电路的判别；熟练计算三种放 大电路的动态指标；掌握三种放大电路的特点和用途； 熟练掌握组合放大电路的分析计算，根据直流通路计算静态工 作点，总电压增益等于各级电压增益乘积，后一级输入电阻是 前一级的负载电阻；
理解运放的电路模型，开环电压增益、输入电阻、输出电 阻。 2.2 理想运算放大器 掌握理解理想运算放大器的特性，ri≈∞； ro≈0；Avo→∞
2.3 基本线性运放电路 熟练掌握虚短vid＝vp－vn≈0；熟练掌握虚断ip＝-in ＝ vid / ri ≈0； 掌握同相放大电路的电路结构和计算，特例：电压跟随器 及其作用； 掌握反相放大电路的电路结构和计算；
2015.6
第一章 绪论
理解电压源等效电路和电流源等效电路；
理解信号的频谱；
理解电压增益和电流增益，了解互阻增益和互导增益； 理解电压放大模型和电流放大模型；
掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻、输出电阻、四 种增益、频率响应及带宽，理解幅度失真和相位失真，理 解非线性失真。
第二章 运算放大器
2.1 集成电路运算放大器 理解运放的基本内部结构和图形符号；
掌握二极管的理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型， 掌握二极管电路的简化模型分析法；
3.5 特殊二极管
掌握齐纳二极管的特性和参数，稳压电路；
了解变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管、 激光二极管；
第四章
4.1 BJT
理解NPN和PNP三极管的结构和图形符号； 掌握三极管的工作原理：内部条件、外部偏置条件，内部载流 子的传输过程，电流分配关系及计算； 掌握三极管的输入特性和输出特性，饱和区，放大区，截至区； 理解三极管的主要参数以及温度对三极管性能参数的影响； 4.2 基本共射极放大电路 掌握基本共发射极放大电路的组成和工作原理； 掌握静态和动态的概念，直流通路和交流通路的概念，根据直 流通路计算静态工作点；
理解反向击穿（热击穿、雪崩击穿、齐纳击穿）；
理解PN结的电容效应（扩散电容、势垒电容）；
第三章
3.3 二极管
了解二极管结构； 掌握二极管的V-I特性；理解二极管的主要参数；
3.4 二极管的基本电路及其分析方法
掌握二极管电路的图解分析法（涉及到直流通路、交流通路、 静态、动态、负载线、静态工作点等概念）；
理解复合管的构成；
第四章
4.6 放大电路的频率响应
掌握BJT的高频小信号模型以及模型中的元件参数； 理解BJT的频率参数；
掌握共发射极放大电路的高频响应分析方法和高频响应频率特 性。
了解共基极放大电路的高频响应，了解多级放大电路的频率响 应。
第五章 场效应管放大电路
5.1 MOS场效应管
掌握场效应管的分类（６种）及其图形符号； 掌握N沟道增强型MOS管的工作原理，vGS和vDS对沟道的控制作用；
掌握静态工作点的计算；了解MOSFET放大电路的图解分析法； 熟练掌握MOSFET的小信号模型并进行放大电路的动态分析计算； 5.3 结型场效应管 掌握 掌握N沟道JFET的工作原理，vGS和vDS对沟道的控制作用； 掌握N沟道JFET的输出特性，截止区、可变电阻区、饱和区； 掌握N沟道JFET的转移特性及其方程； 熟练掌握沟道JFET的小信号模型和放大电路动态计算；