湿法刻蚀毕业论文
湿法刻蚀及其均匀性技术分析
湿法刻蚀及其均匀性技术分析作者：卢海笑来源：《科学与信息化》2017年第16期摘要湿法刻蚀是一种依靠化学药液的刻蚀作用对物体进行化学清洗，被广泛应用于半导体的制造领域，具有对器件损伤小、工作设备简单等优点。
本文通过对影响湿法刻蚀均匀性的因素进行充分的分析研究，提出了提高湿法刻蚀均匀性的方法，能够促进湿法刻蚀水平的不断提高。
关键词湿法刻蚀；均匀性；刻蚀工艺引言湿法刻蚀是将需要进行刻蚀的材料放入化学药液中浸泡，利用化学药液的腐蚀作用将没有覆盖光刻胶的部分腐蚀溶解，从而实现对晶片进行湿法刻蚀的目的。
湿法刻蚀的腐蚀速度主要是受到进行腐蚀的化学试剂种类、腐蚀剂的配比、腐蚀过程的温度等影响。
湿法刻蚀的整个刻蚀过程可以分为三个阶段：①化学药液与晶片进行接触；②化学药液与晶片发生化学反应，进而达到对晶片进行腐蚀目的；③化学药液与晶片反应后的生成物脱离晶片的表面溶解到溶液中，并随溶液一起被排出。
刻蚀均匀性是衡量湿法刻蚀工艺高低的刻蚀参数，刻蚀均匀性对刻蚀产品的质量影响非常大，不完全刻蚀或者过刻蚀都会造成产品的质量降低，甚至导致刻蚀产品报废。
因此，在湿法刻蚀工作中需要严格控制刻蚀均匀性，从而保障刻蚀产品的质量[1]。
2 湿法刻蚀均匀性的影响因素[2]2.1 去离子水在湿法刻蚀过程中，去离子水的作用是冲洗晶片表面残余的化学腐蚀药液，避免残留的化学药液对晶片进行过度的腐蚀。
化学药液对晶片的均匀性刻蚀可以通过调整各种参数进行有效的控制，确保化学药液在晶片表面分布均匀，从而达到对晶片的均匀刻蚀。
但是，刻蚀完成后，剩余药液在晶片表面的分布难以进行有效的控制，随着晶片尺寸的减小，残余药液对晶片均匀性的影响也越来越大。
通过实验发现，用去离子水对晶片进行清洗的时间越长，晶片的均匀性越好，因为清洗的时间越长，对晶片的清洁程度越高，晶片表面残留的化学药剂也越少，对晶片的影响也越小。
2.2 刻蚀温度通过实验研究发现，较高温度对于湿法刻蚀的均匀性具有反作用。
湿法刻蚀毕业论文
苏州市职业大学毕业设计（论文）说明书设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2姓名李华宁学号*********指导教师孙洪年月日太阳能电池片湿刻蚀的应用摘要湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。
着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。
首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。
通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。
关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池Solar cell wet etching applicationAbstractWet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters.Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery目录摘要 (1)目录 (3)第一章前言 (5)第二章湿法刻蚀及成长工艺 (8)2.1湿法刻蚀的基本过程 (8)2.2 主要的化学反应 (8)2.3 湿法刻蚀的生长工艺 (8)2.3.1湿法刻蚀的定义 (8)2.3.2 湿法刻蚀的原理 (8)第三章刻蚀的应用 (10)3.1 湿法刻蚀硅 (10)3.2 湿法刻蚀二氧化硅 (11)3.3 湿法刻蚀氮化硅 (11)3.4 湿法刻蚀铝 (12)3.5 图形生成的LIFT－OFF技术 (12)3.5.1 Lift-off的原理 (12)3.5.2 Lift-off的好处 (13)3.5.3 为lift-off而作的模板层 (13)3.5.4 lift-off工艺过程 (13)第四章刻蚀的重要参数 (15)4.1 刻蚀速率 (15)4.2 刻蚀剖面 (15)4.3 刻蚀偏差 (15)4.4 选择比 (15)4.5 均匀性 (16)4.6 残留物 (16)4.7 聚合物 (17)4.8 等离子体诱导损伤 (17)4.9 颗粒沾污 (17)第五章湿法刻蚀工艺技术 (18)5.1 简述 (18)5.2 湿法刻蚀 (18)5.3 湿法刻蚀的过程 (18)5.4 二氧化硅的湿法刻蚀 (18)5.4.1 影响腐蚀质量的因素 (19)5.5 硅的刻蚀 (19)第六章刻蚀技术新进展 (21)6.1 四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀 (21)6．2 软刻蚀 (21)6.3 终点检测 (22)6.3.1光学放射频谱分析 (22)6.3.2激光干涉测量 (22)6.3.3质谱分析法 (23)参考文献 (24)致谢 (25)第一章前言湿刻就是湿法刻蚀：是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。
浅析GaN的湿法刻蚀
浅析GaN的湿法刻蚀摘要通过对GaN材料湿法蚀刻的研究入手，进一步对蚀刻技术做一个概括，回顾不同的湿法蚀刻技术对比其特点。
并从对GaN上进行湿法蚀刻的过程中，探究湿法蚀刻的工艺原理和最终效果。
针对GaN材料蚀刻方法中光辅助化学湿法蚀刻与p-GaN材料湿法蚀刻之间的不同进行探讨和应用领域的调研。
关键词氮化镓；湿法蚀刻；光辅助引言GaN材料一般用于制造高功率、高頻率、导热性良好的电子器件，因为GaN 材料普遍拥有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、导热性优秀的特点。
并且由于GaN材料禁带宽度较大，可以利用此性能来制作蓝光、绿光和紫外光光电子器件。
在对GaN做工艺处理时由于GaN材料的特性，需要使用较为合适的衬底材料辅助，但是很难找到合适的衬底材料。
目前实验室中都使用Al2O3作为衬底材料使用，但是Al2O3材料本身是绝缘的并且解离十分困难。
因此在对GaN进行湿法蚀刻时，需要同时将GaN材料制作的产品的p型和n型电极放在同一侧，并且需要通过湿法蚀刻的方式将n-GaN材料裸露出来，从而制造一个突破口。
所以对GaN材料进行湿法蚀刻处理是十分有必要的。
由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性，因此在使用湿法蚀刻进行处理时比较困难，因此在传统工艺中一般都是用干法蚀刻，其主要工艺手段是感应耦合等离子体刻蚀（ICP）、反应离子束刻蚀（RIE）、电子回旋加速共振（ECR）等离子刻蚀、化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）和磁控反应离子刻蚀（MIE）等。
但是上述干法蚀刻工艺所使用的设备都较庞大并且在整个工艺处理过程中花费的成本也十分高昂而且这些大型设备的操作也较为复杂在某些工艺节点还需要使用到有毒有害气体，严重的破坏生产环境对操作人员的健康有所损害。
反观湿法蚀刻，该工艺所使用的设备较为简单，操作也相对便捷，并且使用的原料毒性较小，并且在工艺处理的过程中对原材料的损伤程度很低，是很科学很便捷的一种工艺处理方法。
本文着重探讨GaN的湿法蚀刻工艺，尤其是着重于讨论GaN材料光辅助湿法蚀刻的机理、p-GaN材料在湿法蚀刻过程中存在的难点以及湿法蚀刻在整个GaN材料研究领域中所起到的意义和应用的范围。
《2024年ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》范文
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要：本文着重探讨了ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过实验研究，分析了刻蚀液组成、刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响，并进一步探讨了刻蚀后薄膜的光电性能变化。
一、引言ITO透明导电薄膜因其优异的导电性和可见光透过性，在触摸屏、液晶显示、光电器件等领域有着广泛的应用。
然而，为了满足不同器件的特定需求，常需要对ITO薄膜进行精确的图形化加工。
湿法刻蚀技术因其操作简便、成本低廉等特点，成为ITO 薄膜加工的一种重要方法。
本文将详细研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
二、ITO透明导电薄膜概述ITO薄膜是一种以氧化铟（In2O3）为主要成分，掺杂锡（Sn）的透明导电材料。
其具有高导电性、高可见光透过率及良好的加工性能等特点，广泛应用于光电器件的制造中。
三、湿法刻蚀工艺研究1. 刻蚀液的选择与配制：选择合适的刻蚀液是湿法刻蚀的关键。
常用的刻蚀液包括酸性和碱性溶液。
本文通过实验，探讨了不同浓度和组成的刻蚀液对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
2. 刻蚀参数的研究：实验研究了刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
通过控制这些参数，可以实现对ITO薄膜的精确图形化加工。
3. 刻蚀工艺的优化：通过实验数据的分析，优化了刻蚀工艺流程，提高了刻蚀效率和刻蚀精度。
四、光电特性研究1. 光学特性：研究了湿法刻蚀后ITO薄膜的可见光透过率变化。
实验发现，合理的湿法刻蚀工艺能保持ITO薄膜的高可见光透过率。
2. 电学特性：通过测量薄膜的电阻率，研究了湿法刻蚀对ITO薄膜电导率的影响。
实验结果表明，适度的湿法刻蚀可以减小ITO薄膜的电阻，提高其导电性能。
3. 表面形貌分析：利用扫描电子显微镜（SEM）对湿法刻蚀后的ITO薄膜表面形貌进行了观察，分析了刻蚀过程中薄膜表面的变化。
五、结论本文通过实验研究，探讨了ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
湿法刻蚀关键工艺
湿法刻蚀关键⼯艺 摘要：太阳能电池湿刻蚀⼯艺是⼀种常⽤的化学清洗⽅法。
⽂章简单介绍了湿法刻蚀⼯艺，然后公开了⼀种光伏太阳能电池⽚及其刻蚀⽅法，详细地分析了太阳能电池湿法刻蚀⼯艺。
根据本发明的光伏太阳能电池⽚及其刻蚀⽅法，可有效降低后续的污⽔处理难度。
湿法刻蚀是⼀种常⽤的化学清洗⽅法，主要⽬的是为了将掩膜图形正确复制到涂胶硅⽚上，进⽽达到保护硅⽚特殊区域的⽬的。
从半导体制造⾏业开始初期，硅⽚制造和湿法刻蚀就紧密联系到了⼀起。
当前湿法刻蚀主要⽤于残留物去除、漂去氧化硅、⼤尺⼨图形刻蚀等⽅⾯，具有设备简单、材料选择⽐⾼，对器件损伤⼩等优点。
1湿法刻蚀⼯艺简介 湿法刻蚀⼯艺主要是利⽤液体张⼒和滚轮使硅⽚在刻蚀液液⾯上漂浮，刻蚀掉刻蚀⾯硅⽚背⾯和四周的反应，能达到背⾯抛光和周边刻蚀的效果。
利⽤湿法刻蚀清洗电池背⾯，可提升电池短路电流和开路电压，进⽽提升电池使⽤效率。
并且波长在1000~1100nm范围内，背抛光太阳能电池背⾯反射率会⽐绒⾯太阳能电池⼤，更有助于长波的利⽤率。
2太阳能刻蚀步骤 当前光伏太阳能电池⽚进⾏刻蚀时，⼀般使⽤2种或3种酸混合后实现的，多种酸混合时，其⽐例难以调试，且在后续的污⽔处理过程中，由于酸的种类多，各种酸的沸点也不⼀致，从⽽增加了回收的⼯序和成本，并且混合酸中含有硫酸，在⽣产过程中会增加安全隐患[1]。
此外，使⽤现有设备中的混合酸对硅⽚背⾯进⾏刻蚀后反射率提升幅度并不⼤，不能有效提升电池⽚的转化效率。
本研究旨在提供⼀种光伏太阳能电池⽚及其刻蚀⽅法，以解决现有技术中⽤种酸的混合物对制作光伏太阳能电池⽚的基底进⾏刻蚀⽽导致的后续污⽔处理困难、安全性不够⾼以及所得到的基底的背⾯不够光滑的问题。
为了实现上述⽬的，根据本发明的⼀个⽅⾯，提供了⼀种光伏太阳能电池⽚的刻蚀⽅法，包括以下步骤：预处理步骤，对制作光伏太阳能电池⽚的基底进⾏预处理，去除基底的背⾯的磷硅玻璃层；刻蚀步骤，将经过预处理之后的基底放⼊刻蚀槽，利⽤碱性溶液对基底的背⾯进⾏刻蚀。
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》范文
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要：本文着重探讨了ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过实验研究，我们详细分析了刻蚀条件对薄膜形貌、电导率和光学性能的影响，为ITO薄膜在光电器件中的应用提供了理论依据和实验支持。
一、引言ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜因其良好的导电性和光学透过性，在液晶显示、触摸屏、光电器件等领域有着广泛的应用。
其中，薄膜的形貌和光电特性对其应用性能至关重要。
湿法刻蚀作为一种有效的薄膜加工技术，能够精确控制薄膜的形态和尺寸，对于提升ITO薄膜的性能具有重要意义。
因此，研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及其光电特性具有重要的学术价值和应用前景。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀1. 湿法刻蚀原理：ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀主要利用化学反应来去除不需要的部分。
通过选择合适的刻蚀液，可以控制刻蚀速度和精度，实现对薄膜的精确加工。
2. 刻蚀条件：刻蚀条件包括刻蚀液种类、浓度、温度、时间等。
不同的刻蚀条件对ITO薄膜的形貌、电导率和光学性能具有显著影响。
因此，需要选择合适的刻蚀条件，以获得理想的薄膜性能。
三、光电特性研究1. 实验方法：采用不同的刻蚀条件，制备不同形貌的ITO薄膜样品，利用光学仪器和电学测量设备对样品进行测试和分析。
2. 实验结果：（1）形貌分析：通过扫描电子显微镜（SEM）观察发现，不同的刻蚀条件对ITO薄膜的表面形貌具有显著影响。
适当的刻蚀条件可以获得平整、致密的薄膜表面。
（2）电导率分析：通过四探针法测量发现，ITO薄膜的电导率随着刻蚀条件的改变而发生变化。
适当的刻蚀条件可以显著提高薄膜的电导率。
（3）光学性能分析：通过紫外-可见光谱分析发现，ITO薄膜的光学透过性随着刻蚀条件的改变而发生变化。
适当的刻蚀条件可以提高薄膜的光学透过性。
四、讨论与结论通过对ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究，我们得出以下结论：1. 湿法刻蚀能够精确控制ITO薄膜的形貌和尺寸，对提高薄膜性能具有重要意义。
湿法刻蚀及其均匀性技术分析
湿法刻蚀及其均匀性技术分析摘要湿法刻蚀是一种依靠化学药液的刻蚀作用对物体进行化学清洗，被广泛应用于半导体的制造领域，具有对器件损伤小、工作设备简单等优点。
本文通过对影响湿法刻蚀均匀性的因素进行充分的分析研究，提出了提高湿法刻蚀均匀性的方法，能够促进湿法刻蚀水平的不断提高。
關键词湿法刻蚀；均匀性；刻蚀工艺引言湿法刻蚀是将需要进行刻蚀的材料放入化学药液中浸泡，利用化学药液的腐蚀作用将没有覆盖光刻胶的部分腐蚀溶解，从而实现对晶片进行湿法刻蚀的目的。
湿法刻蚀的腐蚀速度主要是受到进行腐蚀的化学试剂种类、腐蚀剂的配比、腐蚀过程的温度等影响。
湿法刻蚀的整个刻蚀过程可以分为三个阶段：①化学药液与晶片进行接触；②化学药液与晶片发生化学反应，进而达到对晶片进行腐蚀目的；③化学药液与晶片反应后的生成物脱离晶片的表面溶解到溶液中，并随溶液一起被排出。
刻蚀均匀性是衡量湿法刻蚀工艺高低的刻蚀参数，刻蚀均匀性对刻蚀产品的质量影响非常大，不完全刻蚀或者过刻蚀都会造成产品的质量降低，甚至导致刻蚀产品报废。
因此，在湿法刻蚀工作中需要严格控制刻蚀均匀性，从而保障刻蚀产品的质量[1]。
2 湿法刻蚀均匀性的影响因素[2]2.1 去离子水在湿法刻蚀过程中，去离子水的作用是冲洗晶片表面残余的化学腐蚀药液，避免残留的化学药液对晶片进行过度的腐蚀。
化学药液对晶片的均匀性刻蚀可以通过调整各种参数进行有效的控制，确保化学药液在晶片表面分布均匀，从而达到对晶片的均匀刻蚀。
但是，刻蚀完成后，剩余药液在晶片表面的分布难以进行有效的控制，随着晶片尺寸的减小，残余药液对晶片均匀性的影响也越来越大。
通过实验发现，用去离子水对晶片进行清洗的时间越长，晶片的均匀性越好，因为清洗的时间越长，对晶片的清洁程度越高，晶片表面残留的化学药剂也越少，对晶片的影响也越小。
2.2 刻蚀温度通过实验研究发现，较高温度对于湿法刻蚀的均匀性具有反作用。
因此，在进行刻蚀的过程中保持较低的温度，但是随着温度的升高，能够提升去离子水的清洁能力，随着清洁能力的提升，能够提高湿法刻蚀的均匀性。
MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究
M EMS 加工技术主要有从半导体加工工艺中 发展起来的硅平面工艺和体硅工艺 。20 世纪 80 年 代中 期 , 利 用 X 射 线 光 刻 、电 铸 及 注 塑 的 L I GA (Lit hograp h Galvanformung und Abformug) 技术诞 生 ,形成了 M EMS 加工的另一个体系 。总的说来 , M EMS 工艺是在传统的微电子加工工艺基础上发 展起来的 ,后又发展了一些适合制作微机械的独特 技术 ,这些独特技术和常规集成电路工艺相结合实 现了 M EMS。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
液作为刻蚀液得不到光滑的刻蚀表面 。这个结果与 文献[ 3 ]报道的结果不完全一致 。图 3 (a) 和 ( b) 分 别是 TMA H 质量百分比在 20 %和 30 %时得到的刻 蚀面显微镜照片 。
3 TMA H + 硅酸 + 过硫酸铵刻蚀实 验
在 TMA H 中 添 加 硅 酸 ( H2 SiO3 ) 和 过 硫 酸 铵 ( (N H4) 2 S2O8) 或 IPA ,通过添加剂的强氧化作用 , 促使小丘不能形成 ,从而获得光滑的刻蚀表面[4 ,5 ] 。 报道的经过 TMA H + 硅酸 + 过硫酸铵混合液刻蚀 (100) 硅 125 min 后的结果如图 4 所示 。从图中可 以看到 ,在添加强氧化剂后 ,可以获得光滑的刻蚀表 面。
在我们进行的实验中 ,装置与参考文献[ 3 ]完全 相同 。进行了多次重复实验 ,结果与文献中给出的 刻蚀趋势是完全相同的 ,随着温度升高刻蚀速率增 加 ,随着质量百分比增加 ,刻蚀速率降低 。但在 90 ℃,质量百分比为 22 %时 ,刻蚀速率不能达到 1μm/ min ,而是小于 0. 82μm/ min 。当质量百分比降低到 5 % ,在 90 ℃时刻蚀速率也只有 0. 85μm/ min ,这与 文献 [ 3 ] 的 结 果 相 差 较 大 。同 时 , 在 我 们 改 变 TMA H 的刻蚀温度和质量百分比重复实验的时候 , 刻蚀表面的粗糙度情况始终不够理想 ,而是产生非 常密集的小丘 ,造成表面非常粗糙 。在质量百分比 达到 20 %之后 ,刻蚀表面呈现桔皮状 。也就是说 , 在 不增加任何添加剂的情况下 ,仅仅用 TMAH溶
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苏州市职业大学毕业设计（论文）说明书设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2姓名李华宁学号*********指导教师孙洪年月日太阳能电池片湿刻蚀的应用摘要湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。
着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。
首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。
通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。
关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池Solar cell wet etching applicationAbstractWet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters.Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery目录摘要 (1)目录 (3)第一章前言 (5)第二章湿法刻蚀及成长工艺 (8)2.1湿法刻蚀的基本过程 (8)2.2 主要的化学反应 (8)2.3 湿法刻蚀的生长工艺 (8)2.3.1湿法刻蚀的定义 (8)2.3.2 湿法刻蚀的原理 (8)第三章刻蚀的应用 (10)3.1 湿法刻蚀硅 (10)3.2 湿法刻蚀二氧化硅 (11)3.3 湿法刻蚀氮化硅 (11)3.4 湿法刻蚀铝 (12)3.5 图形生成的LIFT－OFF技术 (12)3.5.1 Lift-off的原理 (12)3.5.2 Lift-off的好处 (13)3.5.3 为lift-off而作的模板层 (13)3.5.4 lift-off工艺过程 (13)第四章刻蚀的重要参数 (15)4.1 刻蚀速率 (15)4.2 刻蚀剖面 (15)4.3 刻蚀偏差 (15)4.4 选择比 (15)4.5 均匀性 (16)4.6 残留物 (16)4.7 聚合物 (17)4.8 等离子体诱导损伤 (17)4.9 颗粒沾污 (17)第五章湿法刻蚀工艺技术 (18)5.1 简述 (18)5.2 湿法刻蚀 (18)5.3 湿法刻蚀的过程 (18)5.4 二氧化硅的湿法刻蚀 (18)5.4.1 影响腐蚀质量的因素 (19)5.5 硅的刻蚀 (19)第六章刻蚀技术新进展 (21)6.1 四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀 (21)6．2 软刻蚀 (21)6.3 终点检测 (22)6.3.1光学放射频谱分析 (22)6.3.2激光干涉测量 (22)6.3.3质谱分析法 (23)参考文献 (24)致谢 (25)第一章前言湿刻就是湿法刻蚀：是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。
湿法刻蚀是利用高能量，极短脉冲的激光，使物质瞬间被汽化，不伤及周围物质，并可精确的控制作用深度。
因此，使刻蚀精确。
湿法刻蚀是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解，然后转成可溶的化合物达到去除的目的。
这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应，因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。
一般湿法刻蚀是各向同性的(isotropic)，一次再把光刻图形转移到晶片上的同时，腐蚀也会向着横向进行。
硅材料中含有大量的杂质和缺陷,导致硅中少数载流子寿命及扩散长度降低。
为提高硅太阳电池的效率,首先必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化和清洗。
近年来,湿刻中的钝化作用和清洗引起人们广泛的关注,它具有低温、高效率成本比等优点,并能一次性完成钝化和清洗去除杂质。
一系列的文献都报导了采用湿刻蚀能够去除硅表面的杂质和金属离子, 最终提高电池的效率。
虽然湿法刻蚀可使硅材料性能有所提高,但至今仍未得到系统的研究。
在湿刻过程中，硅片表面的磷硅玻璃和金属离子被有效去除，从而提高了硅片的使用效率。
通过在硅片上制作电子器件，然后淀积介质层和导电材料把器件连接起来，可以把硅片制成许多有功能的微芯片。
这是半导体制造早期使用的硅片制造平面工艺的概念。
一般来说，互连材料淀积在硅片表面，然后有选择地去除它，就形成了由光刻技术定义的电路图形。
这一有选择性地去除材料的工艺过程，叫做刻蚀，在显影检查完后进行。
刻蚀工艺的正确进行是很关键的，否则芯片将不能工作。
更重要的是，一旦材料被刻蚀去掉，在刻蚀过程中所犯的错误将难以纠正。
不正确刻蚀的硅片就只能报废，给硅片制造公司带来损失。
刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，如铝合金复合层、多晶硅栅、隔离硅槽或介质通孔。
IC结构是复杂的，具有大量需要不同刻蚀参数的材料。
特征尺寸的缩小使刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更严格，也更难以检测。
以刻蚀铝为例来说明，传统的金属化工艺是在硅片表面淀积一层铝合金，然后通过光刻和刻蚀做出互连线，这样不同的金属层通过前面工序在层间介质(ILD)通孔中制成的钨塞实现了电学连接。
随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀ILD介质以形成一个凹槽。
制作出一个槽，然后淀积铜来覆盖介质上的图形，再利用化学机械平坦化技术把铜平坦化至介质层的高度。
对于大马士革工艺，重点是在介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
湿法刻蚀技术通常是各向同性的。
所以在加工小于3µm线宽的图形时及少用到该技术。
在线宽超过3µm宽度的工艺中会用到许多不同的湿法工艺。
因为在半导体产品中还有许多部分是大的几何尺寸，湿法工艺还不会被淘汰。
在这一部分将会介绍一些湿法刻蚀工艺中较重要的用来满足现在工艺需要的方面.通常在一个湿法腐蚀工艺可以被分为一些三个步骤1)：将腐蚀剂扩散到硅片表面。
2)反应；3)3)反应产物从硅片表面扩散出来。
对于第二步，在实际反应之前吸附和在实际反应之后解吸附的过程是很不一样的。
其中最慢的步骤将被用来对速度进行控制。
就是说在这个步骤的腐蚀速度将成为整个腐蚀过程的速度。
化学腐蚀将通过不同的工艺来实现。
最简单的就是在一液体溶剂中分解材料而对于不分解的材料的化学特性没有改变。
大多数的刻蚀工艺包括一个以上的化学反应(上面所提的step2)。
不同的反应将发生,一个在半导体生产中经常提到的反应就是氧化减小反应(还原)。
就是形成一层氧化膜，然后氧化膜被分解，接着又形成一层氧化膜，如(在湿法腐蚀硅和铝中)。
在半导体应用中，湿法腐蚀被用来在硅衬底或在薄膜上产生图形。
用一层掩膜来保护需要的区域来防止被刻蚀剂腐蚀，在腐蚀结束后这一层掩膜被移去。
所以在选择一湿法腐蚀工艺时，除了要有对腐蚀剂有好的选择比，还要考虑掩膜对下层薄膜的粘附能力，对于薄膜的好的覆盖能力在受到腐蚀剂打击时。
光刻胶是最常用到的掩膜，但有时它会有很大的不适合。
这个问题出现在光刻胶在湿法工艺中作掩膜时，由于腐蚀剂的attack，掩膜的边缘与下面的薄膜的粘附性下降(图12)，使被腐蚀区域增大。
光刻胶的边缘腐蚀通过使用六甲基二硅烷(HDMS)的增粘剂来减轻。
光刻胶的大面积的失效是由于在衬底和掩膜层上的不同的应力的积累。
这个问题可以通过使用柔韧性好的掩膜来使衬底和掩膜上的应力一致(在它们之间会有不同的伸展系数)。
图1产生泡沫的湿法腐蚀工艺由于衬底粘附泡沫而使图形的分辨变差，特别是在图式的边缘上。
泡沫会阻挡腐蚀剂达到需要腐蚀的区域，使腐蚀在这些区域变慢，或停止直到泡沫被移开为止。
所以，在腐蚀中加入wettingagent并加以振动来移走泡沫产生的残留物或碎屑也会小块阻止腐蚀。
两个最常产生的后果是：1)显影液槽消耗了腐蚀剂中的活性物质。
2)underexposed光刻胶。
当光刻胶不再是完全曝光,它将不会完全移走暴露的正性光刻胶，留下一层薄的光刻胶。
这层光刻胶在刻蚀之前很难发现到。
所以，用新鲜的developer在槽中已经加工了一定数量的硅片后来避免这个问题是很有必要的，在槽式显影工艺中。
另外，用氧等离子体的descum工艺，被用来移去该残留物(见图1)。
第二章湿法刻蚀及成长工艺2.1湿法刻蚀的基本过程湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。
它主要有以下过程：•酸洗（去除磷硅玻璃）•去除PSG（去除边缘PN结）•水洗•碱洗（中和前面的酸）•水洗•酸洗（去除硅片的金属离子）•溢流水洗•吹干2.2 主要的化学反应（1）酸洗SiO2 + 6HF → H2 + SiF6 + 2H2O•用氢氟酸把上道工序产生SiO2去除，生成可溶性物质和气体，从而达到去除磷硅玻璃的目的。