flash 存储器扩展
第八章扩展存储器方案
#1楼
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常用的存储器地址分配的方法有3种：全译码、部分译码和线选 法。
1. 全译码 利用系统的全部的高位地址线作为存储器芯片（或I/O接口芯 片）的片选信号。 特点：地址与存储单元一一对应，地址空间的利用率高。
例8-1： 利用全译码为80C51扩展16KB的外部数据存储器，存 储芯片选用SRAM6264，要求外部数据存储器占用从0000H开 始的连续地址空间。
读选通、写选通信号。
思考题： 请问执行 MOVX A,@DPTR指令时，RD和WR引脚的状态？
8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器
8.3.1 存储器地址空间分配
存储器空间分配除考虑地址线连接外，还讨论各存储器芯片在整个存 储空间中所占据的地址范围。
单片机地址总线为16条，可寻址的最大空间为64KB，用户可根据系统的 需要确定扩展存储器容量的大小。
使用MOVX A,@Ri和MOVX @Ri,A。这时通过P0口输出Ri中 的内容（低8位地址），而把P2口原有的内容作为高8位地址 输出。
例8-4 将程序存储器中以TAB为首址的32个单元的内容依次传 送到外部RAM以7000H为首地址的区域去。
分析：DPTR指向标号TAB的首地址。R0既指示外部RAM的地址， 又表示数据标号TAB的位移量。本程序的循环次数为32，R0 的值：0～31，R0的值达到32就结束循环。程序如下：
MOV P2,#70H MOV DPTR,#TAB MOV R0,#0 AGIN: MOV A,R0 MOVC A,@A+DPTR MOVX @R0,A INC R0 CJNE R0,#32,AGIN HERE: SJMP HERE TAB: DB ……
广州唯创电子 存储器（SPI-FLASH）扩展使用方案
存储器（SPI-FLASH）扩展使用方案基于WT588D 语音芯片强大的控制端口驱动能力，利用一个WT588D 语音芯片可扩展驱动多个SPI-Flash 存储器，以获得更大的存储空间和更多的控制地址。
在目前WT588D 外挂64M 存储器程序如火似荼的开发时期，利用多个32M 存储器也能做到64M 的效果，存储空间骤然递增。
而且还能拥有更多的控制地址，从之前的220段语音地址，扩展到440段或者更多段语音地址，同时外挂多个SPI-Flash 存储器，有效的将语音地址数量提高到数倍。
从基本上解决了WT588D 外挂单个SPI-FLASH 存储空间有限的问题。
使得WT588D能被更好的应用在更多的场合，如游戏机系统，长时间放音系统，多国语言系统，以及需要更多段语音的收银系统，叫号系统等。
1、扩展使用框图框图中只画出外挂三个存储器，实际上WT588D 语音芯片可驱动的外部存储器的数量能达到数十个。
2、外挂存储器数量跟语音地址和播放时间的关系表格中数据为用WT588D 当作主控的情况下计算得来。
表中仅列出3个SPI-Flash 存储器的应用数据。
序号 存储器型号存储器容量外挂存储器数量语音地址（段）播放时间（秒）1 W25X202M1 220 302 2 440 603 3 660 904 W25X404M1 220 100 52 440 200 63 660 300 7 W25X808M1 220 200 82 440 400 93 660 600 10 W25X1616M1 220 500 112 440 1000 123 660 1500 13 W25X3232M1 220 1000 142 440 2000 15366030003、扩展电路图3.1、开关切换模式控制：此电路为外挂6个SPI-FLASH方案，SPI-FLASH的DO、DI、CS、CLK级联接到WT588D语音芯片的P13（DO）、P14（DI）、P15（CS）、P16（CLK）。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
[说明]td-pitd新一代32位微机原理实验箱、微机接口技术实验系统
![[说明]td-pitd新一代32位微机原理实验箱、微机接口技术实验系统](https://img.taocdn.com/s3/m/edc36ae3760bf78a6529647d27284b73f24236ae.png)
TD-PITD+ 新一代32位微机教学实验系统西安唐都科教仪器公司最新推出“TD-PITD+32位微机教学实验系统”，该系统基于PCI总线扩展卡扩展出80x86系统总线，支持“80x86微机原理及接口技术”、“基于Windows系统的微机原理及接口技术”实验教学和IA-32微机系统应用开发，完全解决了以往各种PCI总线扩展实验设备存在的各种问题，诸如容易死机，不易维护，实验内容少，中断、DMA、存储器扩展等实验开不了或开不全，在Windows 环境中主要实验都不能开展等等。
所以唐都32位微机教学实验系统已成为高校“80x86微机原理及接口技术”和“”微机应用及开发”等课程实验教学的不二选择。
一、支持基于80x86的16/32位微机原理及接口技术教学体系（一）全面支持基于80x86的16/32位微机原理及接口技术的实验教学系统全面支持“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”的实验教学，从而可使各学校由原来的“基于DOS系统的16位微机原理及接口技术”的实验教学顺利提升到“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”实验教学的新层次。
“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”实验教学体系包括：80x86实模式微机原理及接口技术（16位微机原理及其程序设计、32位指令及其程序设计、微机接口技术及其应用）和80x86保护模式微机原理及接口技术（保护模式原理及其程序设计、虚拟存储管理及存储器扩展）。
其中“8259中断控制实验”包括8259单一中断源实验、8259优先级中断实验、8259级联中断实验，“8237DMA传送实验”包括存储器到存储器、存储器到I/O之间的DMA传送实验，“存储器扩展实验”包括8/16/32位静态存储器扩展实验和Flash ROM存储器实验。
（二）Windows环境下的汇编语言和C语言源程序调试软件专为在Windows系统环境下支持80x86微机原理及接口技术的实验教学设计了一套高度可视化的先进集成开发环境，在该环境下可支持80x86汇编或C语言源语言级的编程和调试，支持实验平台上扩展的接口芯片及设备的I/O操作、中断以及DMA方式操作的编程及调试，支持实验平台上存储器的内存扩展的编程操作及调试，完全解决了基于PC微机的Windows环境下，如何通过PCI总线扩展方式，来完整开展80x86微机接口技术的实验教学问题。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RA M 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPR OM或F LASHR OM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在ST C 单片机中内置了E EPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLAS H 来实现EEPR OM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC单片机内置EEP ROM 及其使用方法。
f lash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的f lash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPR OM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EE PROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：F LASH和EEPR OM的最大区别是FL ASH按扇区操作，E EPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLA SH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EE PROM低，因而适合用作程序存储器，EE PROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FL ASH做数据存储器也行，但操作比EEPR OM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成F LASH和EEPRO M两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLA SH，早期可电擦写型MCU则都是EEPR M结构，现在已基本上停产了。
第8章 89C51单片机的系统扩展
GND 14
28 VCC 27 WE 26 NC 25 A8 24 A9 23 NC 22 OE 21 A10
20 CE 19 I/O7
18 I/O6 17 I/O5 16 I/O4 15 I/O3
图8-6 2817A引脚图
A0～A10
I/00～I/07 CE OE WE
2、2732EPROM存储器
2732是4K×8紫外线擦除电可编程只读存储 器。单一+5V供电，最大工作电流为100mA， 维持电流为35mA，读出时间为250ns。引 脚如图8-2。
2732
A7 1 A6 2
A5 3 A4 4 A3 5 A2 6 A1 7 A0 8 O0 9 O1 10 O2 11
允许快速写入,内部提供全部定时，给出查询标
志。
NC 1 A12 2 A7 3 A6 4
A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10
I/O0 11
I/O1 12 I/O2 13
GND 14
28 VCC 27 WE
A0～A12
26 NC
25 A8 I/00～I/07
24 A9
23 A11
8.1.1 程序存储器的分类
程序存储器ROM也称只读存储器。所谓只 读存储器是指ROM中的信息，一旦写入以 后，就不能随意更改，特别是不能在程序运 行过程中再写入新的内容，只能在程序执行 过程中读出其中的内容。
1、掩膜编程的ROM
其编程由半导体厂家完成，根据用户提出的存 储内容决定MOS管的连接方式，把存储内容 制作在芯片上，用户不能更改所存入的信息。
特点：适合于大批量生产，结构简单、集成度 高。成本高，只有大量生产定型ROM时才合 算。
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义（1）flash 常量：#include//须增加的头文件const prog_uchar FlashConst = 3;//定义uchar 型的常量n 定义在flash 里(flash 常量)unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte(&FlashConst); //读取flash常量到ram 变量（2）flash 一维数据：#includeconst prog_uchar s[5] = { 1, 2, 3, 4,5 };unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte( &s[1] ); //读取s[1]的值到RamVar, or RamVar = pgm_read_byte(s+1 );（3）flash 多维数据：#includeconst prog_uchar s[4][16] = { {14, 4,13, 1, 2,15,11, 8, 3,10, 6,12, 5, 9, 0, 7 },{ 0,15, 7, 4,14, 2,13, 1,10, 6,12,11, 9, 5, 3, 8 },{ 4, 1,14, 8,13, 6, 2,11,15,12, 9, 7, 3,10, 5, 0 },{15,12, 8, 2, 4, 9, 1, 7, 5,11, 3,14,10, 0, 6,13 }};unsigned char RamVar[4],[16]; //定义无符号整型变量(Ram 变量)register char i, j;for(i=0; i<4; ++){for(j=0; j<16; j++){RamVar[i][j] = pgm_read_byte( &s[i][j]); //读取数组s 的值到RamVar}//end for 2}//end for 1（4）扩展部分avr 对ram和flash 是独立编址的，ram 是按8 位编址，而flash 却按16 位编址，读ram 和读flash 的汇编指令也是不同的。
Flash 存储器的简介
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。