Flash存储器的技术和发展
flash存储原理
flash存储原理
Flash存储是一种基于电子存储技术的非易失性存储器，具有
快速读写、低功耗、高可靠性和较长寿命等优点。
其原理主要是利用电荷积累和释放来实现信息的存储和读取。
Flash存储器由若干个存储单元组成，每个存储单元称为一个
存储位。
每个存储位内部有一个浮动栅极和一个控制栅极，它们之间被一层绝缘物隔开。
存储位的状态通过栅极中的电子的分布来表示，而电子的分布状态决定了存储位的读写操作。
Flash存储器的读取过程是非破坏性的。
在读取数据时，电压
被施加在控制栅极上，而浮动栅极上的电荷透过绝缘物被传递到控制栅极上。
通过测量控制栅极上的电流来判断存储位的电荷分布状态，从而读取出存储的数据。
写入数据时，需要将数据转化为电荷形式，并将电荷注入到浮动栅极中。
具体的写入方法有两种：擦除和编程。
擦除是将存储位中的电荷全部清空，使其回复到初始状态；编程是将存储位中的电荷写入或去除，以改变其状态。
根据以上的工作原理，Flash存储器可以分为两种主要类型：NAND Flash和 NOR Flash。
NAND Flash主要用于大容量存储，具有高容量和较低的成本，广泛应用于固态硬盘、闪存卡等设备；NOR Flash则适用于小容量、高性能的应用，如嵌入式系
统中的代码存储等。
总的来说，Flash存储器是一种通过电子的存储和释放来实现
数据的读写操作的存储技术。
它在各个领域中得到广泛应用，成为现代电子设备中重要的存储介质之一。
半导体存储的发展
半导体存储的发展
半导体存储器的发展可以分为几个阶段：
1.早期阶段（1947年-1970年代）：这一阶段的存储器主要采用磁存储技术，包括磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器等。
此外，还有威廉姆斯-基尔伯恩管，它是世界上最早的全电子化存储器。
2.半导体存储器时代（1970年代-至今）：从1970年代开始，半导体存储器逐渐成为主流，主要包括动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）和闪存（Flash memory）。
3.DRAM和SRAM的发展：DRAM和SRAM是计算机内存的主要类型。
DRAM 存储密度更高，但需要周期性刷新以保持数据；SRAM则具有更快的片上缓存，但发展受制于单元面积和读取速度。
DRAM技术起源于早期的随机存取存储器（RAM），罗伯特·丹纳德发明了使用单个晶体管和存储电容器的RAM存储单元，奠定了现代DRAM的基础。
4.闪存的崛起：闪存在1980年代问世，它是一种非易失性存储器，具有较高的存储密度和较快的读写速度。
闪存广泛应用于各类电子设备，如智能手机、电脑、数据中心等。
5.存储器技术的不断创新：为了满足不断提高的存储需求，半导体存储器技术不断演进。
例如，3D NAND闪存、新型存储器（如电阻式存储器、相变存储器等）以及光存储等技术正在逐步推向市场。
6.国家政策支持：近年来，我国政府出台了一系列政策，支持半导体存储产业的发展。
这有助于推动国内存储器企业的技术创新和产业升级，提高国内半导体存储器的竞争力。
半导体存储器的发展历程充满了技术创新和迭代。
随着新型存储技术的发展和政策的支持，未来半导体存储器产业将继续保持高速发展态势。
nand_flash读写工作原理_概述说明
nand flash读写工作原理概述说明1. 引言1.1 概述NAND Flash是一种非常常见和重要的存储设备，被广泛应用于各种电子产品中。
它的独特设计使得它成为一种高性能、低功耗、擦写可靠且具有较大容量的存储器解决方案。
由于其许多优点，NAND Flash在移动设备、个人电脑、服务器以及其他许多领域都有着广泛的应用。
1.2 文章结构本文将详细介绍NAND Flash的读写工作原理，并探讨其在存储领域中的优势与应用场景。
首先，我们将简要介绍NAND Flash的基本概念和特点，包括其结构和组成部分。
然后，我们将重点讲解NAND Flash进行读操作和写操作时所涉及的工作原理和步骤。
通过对这些原理的详细阐述，读者将能够全面了解NAND Flash如何实现数据的读取和写入。
除此之外，我们还将探讨NAND Flash相对于其他存储设备的优势，并介绍几个典型应用场景。
这些优势包括快速读写速度、低功耗、体积小且轻便、强大的耐久性以及较大的存储容量。
在应用场景方面，我们将重点介绍NAND Flash 在移动设备领域、物联网和服务器等各个行业中的广泛应用。
最后，我们将进行本文的小结，并对NAND Flash未来的发展进行展望。
通过全面了解NAND Flash的工作原理和优势，读者将能够更好地理解其在现代科技领域中的重要性，并对其未来发展趋势有一个清晰的认识。
1.3 目的本文的目的是通过对NAND Flash读写工作原理进行详细说明，使读者能够全面了解NAND Flash是如何实现数据读写操作的。
此外，我们还旨在向读者展示NAND Flash在存储领域中所具有的优势和广泛应用场景，使其意识到这一存储设备在现代科技产业中所扮演的重要角色。
希望通过本文，读者能够加深对NAND Flash技术的理解，并为相关领域或产品的研发与设计提供参考依据。
2. NAND Flash读写工作原理：2.1 NAND Flash简介：NAND Flash是一种非易失性存储器，采用了电子闪存技术。
计算机存储器的发展历史
计算机存储器的发展历史计算机存储器是计算机系统的重要组成部分，它的发展历史经历了多个阶段。
本文将简要介绍计算机存储器的发展历程，以便读者更好地了解其演变过程。
一、电子管时代早期的计算机存储器使用的是电子管，它们被用来制作移位寄存器，这是存储数据的最基本形式。
然而，这种存储器体积庞大且功耗高。
此外，由于电子管的寿命较短，这种存储器的可靠性较差。
二、随机存储器时代随着半导体技术的发展，随机存储器（RAM）逐渐取代了电子管。
RAM具有体积小、功耗低、读写速度快等优点，成为了计算机系统的主流存储器。
然而，RAM是基于电存储元件，因此其数据易丢失，需要定期进行数据备份。
三、半导体存储器时代随着集成电路的发展，半导体存储器逐渐成为主流。
与RAM相比，半导体存储器具有更高的可靠性和更长的寿命。
此外，它们还具有体积更小、容量更大、读写速度更快等优点。
目前，常见的半导体存储器包括DRAM、SRAM和Flash Memory等。
四、光盘存储器时代随着数据存储需求的不断增长，光盘存储器逐渐成为了一种主流的存储方式。
光盘存储器具有容量大、可靠性高、成本低等优点。
此外，它们还可以重复擦写，使得数据存储更加灵活。
目前，常见的光盘存储器包括CD-ROM、DVD-ROM等。
五、云存储时代随着互联网技术的发展，云存储逐渐成为了一种新型的存储方式。
云存储可以将数据存储在远程服务器上，使得用户可以随时随地访问和共享数据。
此外，云存储还具有容量大、可靠性高、安全性好等优点。
目前，常见的云存储服务包括Google Drive、百度云、阿里云、华为云、小米云等。
总结:计算机存储器的发展历史经历了多个阶段，从早期的电子管到现代的云存储，其技术和容量都在不断发展。
未来，随着技术的不断进步和应用需求的不断增长，计算机存储器将会继续朝着更高容量、更高速率、更低功耗和更安全可靠的方向发展。
nandflash read reclaim机制
nandflash read reclaim机制摘要：1.NAND Flash概述2.NAND Flash读取过程3.NAND Flash回收机制原理4.读取与回收过程中的关键技术5.应用场景及优势6.未来发展趋势正文：近年来，随着电子产品日益普及，NAND Flash存储器在全球市场上需求量持续增长。
NAND Flash存储器是一种非易失性存储器，广泛应用于各类电子设备中。
本文将介绍NAND Flash的读取回收机制，分析其工作原理及优势，并探讨未来发展趋势。
一、NAND Flash概述AND Flash是一种基于浮动栅极技术的非易失性存储器，具有较高的读写速度和较低的成本。
NAND Flash存储器单元由浮动栅极、选择栅极和源漏极组成。
数据存储在浮动栅极上，通过控制源漏极的电流来读取和写入数据。
二、NAND Flash读取过程AND Flash的读取过程主要包括以下几个步骤：1.预充电：在读取之前，对相关单元进行预充电，确保栅极电压达到足够高的水平。
2.读取：通过控制源漏极的电压，测量浮动栅极的电压，从而读取数据。
3.纠错：NAND Flash具有错误纠正码（ECC）功能，可在读取过程中检测并纠正数据错误。
三、NAND Flash回收机制原理AND Flash回收机制主要目的是清除已损坏或不再需要的数据，为新的数据腾出空间。
回收过程主要包括以下几个步骤：1.擦除：通过对指定区域进行擦除操作，清除浮动栅极上的数据。
2.编程：在擦除完成后，对新数据进行编程，将其存储在浮动栅极上。
3.验证：编程完成后，对数据进行验证，确保已正确写入。
四、读取与回收过程中的关键技术1.页读取技术：提高NAND Flash的读取速度，降低功耗。
2.快速擦除技术：缩短擦除操作的时间，提高回收效率。
3.低功耗技术：降低NAND Flash在工作过程中的功耗，提高电池续航能力。
4.3D NAND Flash技术：增加存储密度，提高容量。
计算机的存储器
为了满足云计算和大数据的需求，存储器技术将不断进行创新和发 展，如采用新型存储器技术提高存储密度、降低功耗等。
存储与计算的融合
云计算和大数据技术的发展将推动存储与计算的融合，实现更高效 的数据处理和存储。
固态硬盘取代传统硬盘的趋势
性能优势
固态硬盘（SSD）具有更高的读写速度、更低的延迟和更高的耐 用性等优势，能够显著提升计算机性能。
寄存器（Register）
01
定义
寄存器是计算机中用于临时存储数据的内部存储器，是CPU的重要组成
部分之一。
02
特点
寄存器的存取速度非常快，几乎与CPU的速度相当，它可以用于保存变
量、保存运算结果等。寄存器的大小通常受到CPU的设计限制。 Nhomakorabea03
应用
在计算机中，寄存器被广泛应用于数据的运算和操作，例如算术运算、
02
随机访问存储器（RAM）
定义
随机访问存储器，也称为读写存 储器，是计算机中常用的存储器 类型之一。它允许数据在任何位
置都可随机读取或写入。
特点
RAM的主要特点是存取速度快， 读写操作十分方便，而且可以随 时读写数据，不受断电的影响。 但一旦断电，保存在RAM中的数
据就会丢失。
应用
在计算机中，RAM被广泛用于临 时存储程序、数据、中间结果等
计算机的存储器
2023-11-10
目 录
• 存储器概述 • 内存储器 • 外存储器 • 内存储器与外存储器的比较 • 存储器的未来趋势
存储器概述
01
定义与分类
定义
存储器是计算机系统中的一种设备，用于存储数据和程序。
分类
存储器可以分为内存储器和外存储器两类。内存储器包括随机存取存储器（ RAM）和只读存储器（ROM），外存储器包括硬盘、光盘、U盘等。
flash存储器
Flash存储器1. 简介Flash存储器是一种非易失性存储设备，常用于嵌入式系统和移动设备中。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更快的访问速度，更低的能耗和更高的可靠性。
Flash存储器采用闪存技术，利用电子存储介质存储数据，无需机械运动。
本文将详细介绍Flash存储器的特点、工作原理和应用领域。
2. 特点2.1 非易失性Flash存储器是一种非易失性存储设备，意味着即使在断电情况下，存储在Flash存储器中的数据仍然可以保持不变。
这使得Flash存储器非常适合用于存储关键数据，如操作系统、固件和配置文件。
2.2 快速访问Flash存储器具有较快的访问速度，因为它无需机械运动。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更短的延迟时间，从而可以实现更快的数据读写操作。
2.3 低能耗Flash存储器的能耗较低，这是由于它没有移动部件。
相比之下，传统硬盘驱动器需要消耗大量的能量来驱动机械运动。
因此，在移动设备或嵌入式系统中，Flash存储器可以延长电池寿命并提高能源效率。
2.4 高可靠性Flash存储器具有较高的可靠性，可以承受更多的物理冲击和振动而不会损坏数据。
这是因为Flash存储器使用了固态电路而不是机械部件。
此外，Flash存储器还具有较长的寿命，可以进行大量的擦除和写入操作而不会出现性能下降。
3. 工作原理Flash存储器使用了一种称为闪存的技术来存储数据。
闪存是一种基于非挥发性快闪电子存储原理的存储器，它可以在断电情况下保持数据的完整性。
Flash存储器由一个或多个存储单元组成，每个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。
Flash存储器的工作原理可以分为写入和擦除两个过程。
当需要写入数据时，Flash控制器将电荷存储在存储单元的电容器中。
通过施加一个较高的电压，数据可以写入存储单元。
而当需要擦除数据时，Flash控制器会将存储单元中的电容器进行放电，从而擦除数据。
需要注意的是，Flash存储器的擦除操作是以块为单位进行的。
Flash存储器-读写原理及次数
Flash存储器-读写原理及次数 FLASH存储器⼜称闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输⼊输出程序）、PDA（个⼈数字助理）、数码相机中保存资料等。
本⽂将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。
⼀、FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。
但是第⼀层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写⼊⽅法与EEPROM相同，在第⼆级浮空栅加以正电压，使电⼦进⼊第⼀级浮空栅。
读出⽅法与EPROM相同。
擦除⽅法是在源极加正电压利⽤第⼀级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注⼊⾄浮空栅的负电荷吸引到源极。
由于利⽤源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在⼀起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，⽽是全⽚或分块擦除。
到后来，随着半导体技术的改进，FLASH存储器也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加⼊了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电⼦的浮动棚。
浮动栅包裹着⼀层硅氧化膜绝缘体。
它的上⾯是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。
数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电⼦。
有电⼦为0，⽆电⼦为1。
FLASH存储器就如同其名字⼀样，写⼊前删除数据进⾏初始化。
具体说就是从所有浮动栅中导出电⼦。
即将有所数据归“1”。
写⼊时只有数据为0时才进⾏写⼊，数据为1时则什么也不做。
写⼊0时，向栅电极和漏极施加⾼电压，增加在源极和漏极之间传导的电⼦能量。
这样⼀来，电⼦就会突破氧化膜绝缘体，进⼊浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加⼀定的电压，电流⼤为1，电流⼩则定为0。
浮动栅没有电⼦的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于⼤量电⼦的移动，就会产⽣电流。
⽽在浮动栅有电⼦的状态（数据为0）下，沟道中传导的电⼦就会减少。
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湘潭大学论文题目：关于Flash存储器的技术和发展学院：材料与光电物理学院专业：微电子学学号：***********名：***完成日期：2014.2.24目录1引言 (4)2Flash 存储器的基本工作原理 (4)3 Flash存储器的编程机制 (5)3.1 沟道热电子注入(CHE) (5)3.2 F-N隧穿效应(F-NTunneling) (6)4 Flash存储器的单元结构 (6)5 Flash存储器的可靠性 (7)5.1 CHE编程条件下的可靠性机制 (8)5.2 隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 (8)6 Flash存储器的发展现状和未来趋势 (9)参考文献: (10)关于Flash存储器的技术和发展摘要:Flash 存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点, 是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。
文章对F lash 存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。
关键词:半导体存储器;不挥发性存储器; Flash存储器; ETOX结构About Flash Memory Technology and Its DevelopmentAbstract: As a new non -volatile semiconductor memory introduced by Masuoka in 1984, flash memory has a number of advantages, such as simple structure, high integration density, low cost, and high reliability, and it is widely used in mobile phone, digital camer a, PCBIOS, DVD player, and soon. Its evolution, programming mechanism, cell structure, array structure, reliability are described, and its developing trend in the future is dis cussed.Key words: Semico nduct or memory; Flash memor y; Non-volatile memory ; ETOX1引言随着微电子技术和计算机技术的迅速发展, 我们正迈向一个信息社会。
信息社会离不开信息的存贮。
近半个世纪以来, 人们不断地探索存贮新技术,形成了品种繁多的存储器家族, 其中的半导体不挥发性存储器( Non-Volatile Semiconductor Memory)因其具有掉电仍能保持信息的特点而成为存储器家族的热门领域。
不挥发性存储器的发展经历了从ROM、PROM、EEPROM到Flash存储器的各个阶段。
Fl ash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型不挥发性半导体存储器,它结合了以往EPROM 结构简单、密度高和EEPROM在系统的电可擦除性的一些优点, 实现了高密度、低成本和高可靠性。
Fl ash存储器和传统存储器的最大区别在于它是按块(sector) 擦除, 按位编程, 从而实现了快闪擦除的高速度。
另外,块擦除还使单管单元的实现成为可能, 从而解决了器件尺寸缩小和高集成度的问题。
F lash存储器以其优越的性能, 成为半导体存储器市场中发展最为迅速的一种, 它广泛应用于PCBIOS、数字蜂窝电话、汽车领域和微控制器等许多领域, 并为目前较大容量磁介质存贮媒体提供了一种理想的替代产品[1]。
工艺技术的进步和Flash技术的不断成熟使Flash存储器集成度迅速提高, 目前已经达到1 Gbit。
同时, 其价格也随之不断下降,并能与DRAM相比拟。
未来, Flash存储器的发展主要集中在高集成度、高可靠性和嵌入式应用上。
随着集成度的进一步提高, 发展更小尺寸的存储单元,小尺寸器件的可靠性问题以及外围高低压CMOS兼容工艺的开发将显得尤为重要。
本文将介绍F lash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等。
2Flash 存储器的基本工作原理所谓的不挥发性存储器, 是指在断电的情况下仍具有电荷的保持特性。
目前主要有电荷俘获器件和浮栅器件两种。
本文主要对浮栅器件进行论述。
浮栅型不挥发性存储器起源于1967年D. Kah-ng等人提出的MIMIS(Metal-Insulator-Metal-Insulator-Silicon)结构。
它在传统的MOSFET上增加了一个金属浮栅和一层超薄隧穿氧化层, 并利用浮栅来存储电荷。
1971年, Intel公司首次推出了商业化的浮栅器件FAMOS(Floating-gateAvalanch-inj- ectionMOS)[3]。
它采用p型沟道的雪崩电子注入来实现编程。
后来发展的EPROM采用沟道热电子注入,大大提高了编程的效率。
但它必须经紫外线的照射来擦除浮栅中的电子,应用起来极为不便,且大大增加了封装的成本。
为提高使用的便利性,出现了电可擦写EEPROM(ElectricalErasablePro-grammableROM)。
EEPROM采用漏极上方的超薄氧化层的隧穿效应来实现擦写。
但为防止擦除后浮栅中正电荷造成的短路,必须增加一个选择管,使单元面积无法减小。
1984年,Masuoka等人首次提出Flash的概念[4],即通过按块(sector)擦除、按位写编程来实现了快闪擦除的高速度,并消除了EEPROM中必有的选择管。
Flash 存储器出现以后,以其高编程速度、高集成度和优越的性能迅速得到发展。
1985年,Exel公司提出源极擦除的叠栅式结构,大大缩小了单元面积;1988年,Intel公司提出经典的ETOX[5](ElectronTunnelingOxidedevice)结构,至今,大部分新的结构都是从它的基础上发展而来。
Flash存储器主要由衬底、隧道氧化层、多晶浮栅(FG)、栅间绝缘层和多晶控制栅(CG)组成。
E-TOX结构如图1所示。
Flash存储器是通过向浮栅中注入或拉出电子来实现“写”或“擦”。
由于浮栅中电子的变化,存贮单元的阈值电压也会随之而改变,如图2所示。
向浮栅中注入电子时,阈值电压升高,定义为“1”;将浮栅中的电子拉出定义为“0”。
3 Flash存储器的编程机制Flash存储器的存贮单元结构不同,其采用的编程机制也不同。
目前,用于写入电子的物理机制主要有F-N(Fowler-Nordheim)隧穿效应和沟道热电子注入CHE(ChannelHotElectronInjection)两种。
其它的,如SSI及增强注入等,都是在其基础上发展而来的,其基本机理类似,一般称热电子注入方式的快闪存储器为FlashEPROM,而以隧穿效应方式注入的为FlashEEPROM。
Flash存储器的擦除一般是通过F-N隧穿效应来实现的。
3.1 沟道热电子注入(CHE)CHE是Flash中常用的一种“写”操作方式。
其原理是,当在漏和栅极上同时加高电压,沟道中的电子在VD建立的横向电场加速下获得很高的能量。
这些热电子在漏结附近碰撞电离,产生高能电子,在栅极电场的吸引下,跃过3.2eV的氧化层电子势垒,形成热电子注入。
CHE注入的电流可以用衬底电流模型来描述。
Ig和Isub满足以下关系[6]:ln(Ig/Id)=C1+(Ub/Ui)ln(Isub/Id)式中,Ub(Eox)=3.2-B(Eox)1/2-T(Eox)2/3。
由以上模型可知,CHE注入电流受横向和纵向两个电场综合作用,这两个电场对电子的作用是互相抑制的,不能实现最大注入条件的优化,除非同时提高VG和VD,但这对器件的可靠性和电荷泵电流都是极为不利的。
在SSIFlash结构单元中的SSI(Source-SideInjection)注入方法[7]很好地解决了上述问题。
它在Split-Gate结构的FG上,再加一个Programming控制栅(PG)。
写操作时,选择栅G控制在弱开启,PG为高压,在FG下形成强反型。
强反型区域可看作漏的延伸,使注入点从漏结移到SG和FG之间,大大减小了有效沟道的长度,使横向峰值电场增加,提高了热电子注入效率。
SSI注入的另一个优点是,通过SG和PG的电压控制分别优化横向、纵向电场,以实现最佳的工作条件。
3.2 F-N隧穿效应(F-NTunneling)由于空穴的有效质量和氧化层界面势垒均比电子要大,CHE方式不能用于FG中电子的擦除。
目前,一般采用F-N隧道注入来实现Flash的擦除。
当在栅极和衬底之间加一个电压时,在氧化层中会建立一个电场。
一般情况下,由于SiO2和Si界面的电子势垒很高(3.2eV),电子很难越过势垒注入到多晶硅栅中。
Fowler等人提出,当氧化层中电场达到10MV/cm,且氧化层厚度较小(0.01Lm以下)时,电子将发生直接隧穿效应,穿过氧化层中势垒注入到浮栅,隧穿电流满足如下公式[8]:J=A・E2inj・exp(-ECEinj)式中,J为隧穿电流密度,Einj为界面处电场,A为注入系数,Ec为氧化层界面势垒;当Einj=10MV/cm时,J≈107A/m2。
隧穿电流密度J完全由界面处的注入电场Einj决定,与氧化层中平均电场关系不大。
近年来出现了在多晶硅上生长Textured-Oxide,可以降低隧穿电压,即增强F-N注入。
以上两种注入方式的特点有很大不同。
沟道热电子注入模式工作电压较低,外围高压工艺的要求也较低,但它的编程电流很大,有较大的功耗,不利于应用在便携式电脑等有低功耗要求的产品上;隧穿注入模式的功耗小,但要求有更高的编程电压,外围工艺和升压电路也就较为复杂。
4 Flash存储器的单元结构自1984年以来,Flash存储器的发展经历了从器件结构、阵列结构到系统电路技术及可靠性研究的各个阶段,其集成度也从最初的64kbit发展到目前的1Gbit。
从Flash存储器的发展历史来看,80年代到90年代初,主要集中在Flash存储器的器件结构和存贮阵列单元的研究;进入90年代中期以后, 由于集成度的提高和器件尺寸的不断缩小,Flash存储器可靠性问题和系统电路技术成为研究的主流,未来的主要发展方向是小尺寸、高集成的大容量存储器和小规模嵌入式信息存贮系统。
Flash存储器器件结构的改进一般是基于提高编程效率或可靠性来考虑的。