Flash存储器在线编程

9.3 MC68HC908GP32单片机 flash在线编程实例

9.3.1 Flash存储器的擦除及写入子程 序 9.3.2 Flash存储器的在线编程实例

9.3.1 Flash存储器的擦除及 写入子程序
1.擦除子程序 2.写入子程序 3.擦除与写入子程序编程要点说明

9.3.2 Flash存储器的在线编 程实例

9.2 MC68HC908GP32单片机存 储器编程方法

9.2.1 Flash存储器编程的基本概念

9.2.2 Flash存储器的编程寄存器 9.2.3 Flash存储器的编程过程

9.2.1 Flash存储器编程的基本概念
对Flash编程的基本操作有两种： 1、擦除（Erase） 擦除操作的含义是将存储单元的内容由 二进制的0变成1； 2、写入（Program） 而写入操作的含义，是将存储单元的内 容由二进制的1变成0
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念

Flash存储器在片内是以页（Page）和行 （Row）为单位组织的。页和行的大小 （字节数）随整个Flash存储器的大小变 化而变化，但页的大小始终为行的两倍。

MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器 （地址为$8000～$FFFF），每页的大小 为128字节，每行的大小为64字节；
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑺ 待写数据写入对应的Flash地址； ⑻ 延时tprog(>30μ s)，完成一个字节的写入 (编程)工作； ⑼ 重复⑺、⑻，直至同一行内各字节写入完 毕； ⑽ $8→FLCR(0→PGM位)； ⑾ 延时tnvh(>5μ s)； ⑿ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10) 延时trcv(>1μ s)以后，完成本行写入工作， 可以读出校验
受保护的 Flash 区域 $8000 ～ $FFFF（整个 Flash 区域） $8080 ～ $FFFF $8100 ～ $FFFF „„ $FF00 ～ $FFFF 整个 Flash 区域都不被保护
9.2.3 Flash存储器的编程过程

MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作: 1.页擦除操作 下面过程可以擦除 GP32 的 Flash 存储器的一页 (128字节): ⑴ $2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行 页面擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入 任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址 写入0；
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑹ 延时tMerase(>4ms)； ⑺ $C→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvhl(>100μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成整体擦除操作。

9.2.3 Flash存储器的编程过 程
9.2.3 Flash存储器的编程过 程

2.整体擦除操作 ⑴ $6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行 整体擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意 值，为方便起见，一般向首地址写入0； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；

9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式

两种模式各有优缺点：
监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机 内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行 编程写入，或是对芯片进行整体擦除与写入； 用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以 常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一 些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的 动态程序更新和运行数据的存储。
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念
注意： 1、GP32的Flash存储器的擦除操作可以 进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地 址开始的一页（128字节）。 2、GP32单片机的写入操作以行（64字 节）基础，一次连续写入数据个数只能 在一行之内。 3、不经过擦除的区域，不能进行写入 。9Βιβλιοθήκη 2.2 Flash存储器的编程寄存器


1.Flash控制寄存器（FLash Control Register — FLCR）－$FE08
D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN 位 ：高压允许位（ High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM 位 ： 编 程 （ 写 入 ） 控 制 位 （Program Control Bit）。


3.编程操作 ⑴ $1→FLCR(1→PGM位)； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向将要写入的Flash行内任意一个地址写 入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入 0 ，这一步选定了所要编程的行，以下的目标 地址必需在这一行中； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $9→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时tpgs(>5μ s)；
知识回顾

单片机
硬件结构
寻址方式 指令系统
程序设计
PTA PTB PTC PTD PTE
键盘 A/D 无
SCI SPI T/C
综合实验一
键盘输入（PTA口）、两个端口开关量输 入（PTE0、1）、显示输出（PTB口） 通过键盘输入一个字符，可以通过液晶 显示出来； 端口开关量的状态（0或者1），通过 LCD显示出来
9.2.3 Flash存储器的编程过 程





⑷ 延时tnvs(>10μ s)，； ⑸ $A→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时terase(>1ms)； ⑺ $8→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvh(>5μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成一页的擦除操作。

9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式
1．Flash存储器的基本特点 （1）固有不挥发性

（2）易更新性 （3）成本低、密度高、可靠性好

9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式


2．Flash存储器的两种编程模式 在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序， 一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工 作于这种情况，叫监控模式（Monitor Mode）; Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程 序运行过程中，有可能对Flash存储器区的数据 或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况， 叫用户模式（User Mode）或在线编程模式。

第九章 Flash存储器在线编程

9.1 Flash存储器概述与编程模式 9.2 MC68HC908GP32单片机存储器编程 方法 9.3 MC68HC908GP32单片机flash在线编 程实例

9.1 Flash存储器概述与编程模式
9.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模 式 9.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器 的特点与编程模式
9.2.2 Flash存储器的编程寄 存器

2.Flash块保护寄存器（FLash Block Protect Register — FLBPR）－$FF7E
表 9-1 MC68HC908GP32 Flash 块保护寄存器设置
FLBPR 内容 $00(%0000 0000) $01(%0000 0001) $02(%0000 0010) „„ $FE(%1111 1110) $FF(%1111 1111)
9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
1．M68HC08系列单片机Flash存储器的 特点 （1）编程速度快及可靠性高 （2）单一电源电压供电 （3）支持在线编程

9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
Flash 存储器工作于监控模式的条件之一 是： （ 1 ）复位向量（ $FFFE ～ $FFFF ）内容 为“空”（$FFFF）。 （ 2 ）在单片机复位时在 IRQ 引脚上加上 高电压（1.4～2Vdd）, 并给某些I/O脚置 适当值。

1.单片机方程程序流程图

2.单片机方主程序 3.PC机方界面及程序