华南理工大学半导体物理试题
(最新整理)半导体物理学考试试卷及参考答案
半导体物理学考试试卷及参考答案
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《半导体物理学》试题与及答案
练习1-课后习题7
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
锑化铟的禁带宽度E g = 0.18 e V ，相对介电常数 εr = 17 ，电子的 有效质量mn∗ = 0.015 m0， m 0为电子的惯性质量，求 ⅰ）施主杂质的电离能， ⅱ）施主的弱束缚电子基态轨道半径。
解：
练习2
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
所以样品的电导率为： q(n0 n p0 p )
代入数据得，电导率为2.62 ×1013S/cm 所以，电场强度 E J 1.996103 mA / cm
作业-课后习题2
第四章 半导体的导电性
试计算本征Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/V·S 和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As 后，设杂质全部电离，试计算其电 导率。比本征Si 的电导率增大了多少倍？（ni=1.5×1010cm-3; Si原子浓度为 =5.0×1022cm-3,假定掺杂后电子迁移率为900cm2/V·S)
m0为电子惯性质量，k1=1/2a; a=0.314nm。试求： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
练习2-课后习题2
第一章 半导体中的电子状态
2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m和107V/m 的电 场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
所以，300k时，
nT 300
(1.05 1019
5.7
1018 )
exp(
0.67 1.61019 21.381023 300)
1.961013cm3
77k时，
半导体物理与器件考核试卷
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中，以下哪些步骤属于前道工艺？（）
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连？（）
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中，以下哪些现象与载流子的复合有关？（）
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流？（）
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）
C. Nitrogen（氮的）
D. Excess electrons（过剩电子）
5. P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累区对应于（）
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体物理学题库
半导体物理学题库半导体物理学是研究半导体材料物理性质和内部微观过程的学科，它对于现代电子技术的发展起着至关重要的作用。
为了帮助大家更好地学习和掌握这门学科，我们精心整理了一份半导体物理学题库。
一、选择题1、以下哪种材料不是常见的半导体？（）A 硅B 锗C 铜D 砷化镓答案：C解析：铜是导体，不是半导体。
硅、锗和砷化镓都是常见的半导体材料。
2、半导体中载流子的主要类型有（）A 电子和空穴B 正离子和负离子C 质子和中子D 原子和分子答案：A解析：在半导体中，参与导电的载流子主要是电子和空穴。
3、本征半导体的电导率主要取决于（）A 温度B 杂质浓度C 晶体结构D 外加电场答案：A解析：本征半导体的电导率主要由温度决定，温度升高，本征激发增强，载流子浓度增加，电导率增大。
4、施主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：A解析：施主杂质能够释放电子，从而增加半导体中的电子浓度。
5、受主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：B解析：受主杂质能够接受电子，从而增加半导体中的空穴浓度。
二、填空题1、半导体的能带结构中，导带和价带之间的能量间隔称为________。
答案：禁带宽度2、常见的半导体晶体结构有________、＿_______和________。
答案：金刚石结构、闪锌矿结构、纤锌矿结构3、本征半导体中，电子浓度和空穴浓度的乘积是一个________。
答案：常数4、半导体中的扩散电流是由________引起的。
答案：载流子浓度梯度5、当半导体处于热平衡状态时，费米能级的位置在________。
答案：禁带中央附近三、简答题1、简述半导体的导电机制。
答：半导体的导电机制主要依靠电子和空穴两种载流子。
在本征半导体中，温度升高时，价带中的电子获得能量跃迁到导带，形成电子空穴对，从而产生导电能力。
在外加电场作用下，电子和空穴分别向相反的方向移动，形成电流。
华工半导体物理试卷综合
一、选择填空(10分，每题2分)1．本征半导体是指的半导体。
A．不含杂质与缺陷B．电子密度与空穴密度相等C．电阻率最高D．电子密度与本征载流子密度相等2．砷化镓的导带极值位于布里渊区。
A．中心B．<111>方向近边界处C．<100>方向近边界处D．<110>方向近边界处3．公式μ＝qτ/ m* 中的τ是载流子的。
A．渡越时间B．寿命C．平均自由时间D．扩散系数4．半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的。
A．复合机构B．散射机构C．能带机构D．晶体结构5. 在光电转换过程中，硅（Si）材料一般不如砷化镓(GaAs)量子效率高，因其。
A．禁带较窄B．禁带是间接跃迁型C．禁带较宽D．禁带是直接跃迁型1．电子在晶体中的共有化运动指的是。
A．电子在晶体中各点出现的几率相同B．电子在晶体元胞中各点出现的几率相同C．电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同D．电子在晶体各元胞对应点有相同位相3．若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定。
A．不含施主杂质B．不含受主杂质C．不含任何杂质D．处于绝对零度5．重空穴指的是。
A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D．自旋--轨道耦合分裂出来的能带上的空穴6．在进入太空的空间实验室中生长的砷化镓通常具有很高的载流子迁移率，这是因为的缘故。
A．无杂质污染B．受较强宇宙射线照射C．晶体生长完整性好D．化学配比合理10. 下列情况下，室温下功函数最大者为。
A．含硼1×1015/cm3的硅B．含磷1×1016/cm3的硅C．含硼1×1015/cm3，含磷1×1016/cm3的硅D．纯净硅二、解释下列概念(10分，每题2分)1、空穴2、非平衡载流子3、费米能级4、迁移率5、霍耳效应2、浅能级杂质3、声子4、迁移率5、光电导三、回答问题（共20分，每题10分）1、由同一种元素的原子组成的二维晶体，如图所示。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
华力半导体笔试题
华力半导体笔试题1. 关于半导体技术，以下哪个说法是正确的？A. 半导体材料只包括硅和锗B. N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度C. P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度D. 半导体器件的导电性能可以随意改变2. 下列哪种情况是晶格振动？A. 声子B. 激子C. 电子D. 光子3. 在半导体制造中，以下哪种技术用于制作PN结？A. 离子注入B. 外延生长C. 化学气相沉积D. 金属化4. 下列哪个参数用于描述半导体的导电性能？A. 电阻率B. 电容率C. 电导率D. 电场强度5. 在半导体材料中，硅的化学符号是什么？A. SiB. GeC. GaAsD. InP6. 关于半导体的能带结构，以下哪个说法是正确的？A. 能带间隙越大，导电性能越好B. 能带间隙越小，导电性能越好C. 能带间隙越大，禁带宽度越小D. 能带间隙越小，禁带宽度越大7. 在半导体器件中，以下哪种器件是利用PN结进行工作的？A. 双极晶体管B. 场效应晶体管C. 晶体三极管D. 电阻器8. 下列哪个参数用于描述半导体的光学性能？A. 折射率B. 反射率C. 透过率D. 色散系数9. 在半导体材料中，锗的化学符号是什么？A. GeB. SiC. GaAsD. InP10. 关于半导体的应用，以下哪个说法是正确的？A. 半导体只用于制造电子器件B. 半导体只用于制造光电器件C. 半导体可用于制造所有类型的器件D. 半导体没有实际应用价值。
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华南理工大学半导体物理试题
2006年华南理工大学半导体物理试题
一、解释下列概念：（20分）
1、霍尔效应：
2、共有化运动
3、杂质补偿
4、肖特基势垒
5、非平衡载流子寿命
二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。
（10分）
三、简述产生半导体激光的基本条件。
（10分）
四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。
（10分）
五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。
（15分）
六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。
（15分）
七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。
（15分）
八、用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。
（15分）
九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3，受主杂质浓度NA = p =μn = 1350cm2/(V.S), μ.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为Ωi=2.2×105ρ4×1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。
（20分）
十、施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，分别形成何种接触？并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。
已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV，NC = 1019/cm3，设金属的功函数分别为Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。
（20
分）。