磁场的屏蔽问题.

磁场的屏蔽问题,是一个既具有实际意义又具有理论意义的问题。根据条件的不同,电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况,这三种情况既具有质的区别,又具有内在的联系,不能混淆。静电屏蔽

在静电平衡状态下,不论是空心导体还是实心导体;不论导体本身带电多少,或者导体是否处于外电场中,必定为等势体,其内部场强为零,这是静电屏蔽的理论基础。

因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义,我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论。

(一)封闭导体壳内部电场不受壳外电荷或电场影响。

如壳内无带电体而壳外有电荷q,则静电感应使壳外壁带电(如图1)。静电平衡时壳内无电场。这不是说壳外电荷不在壳内产生电场,根

发电场。由于壳外壁感应出异号电荷,它们与q在壳内空间任一点激发的合场强为零。因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响。壳外壁的感应电荷起了自动调节作用。

如果把上述空腔导体外壳接地(图2),则外壳上感应正电荷将沿接地线流入地下。静电平衡后空腔导体与大地等势,空腔内场强仍然为零。

如果空腔内有电荷,则空腔导体仍与地等势,导体内无电场。这时因空腔内壁有异号感应电荷,因此空腔内有电场(图3)。此电场由壳内电荷产生,壳外电荷对壳内电场仍无影响。

由以上讨论可知,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷影响。

(二)接地封闭导体壳外部电场不受壳内电荷的影响。

如果壳内空腔有电荷q,因为静电感应,壳内壁带有等量异号电荷,壳外壁带有等量同号电荷,壳外空间有电场存在(图4),此电场可以说是由壳内电荷q间接产生。也可以说是由壳外感应电荷直接产生的

但如果将外壳接地,则壳外电荷将消失,壳内电荷q与内壁感应电荷在壳外产生电场为零(图5)。可见如果要使壳内电荷对壳外电场无影响,必须将外壳接地。这与第一种情况不同。

这里还须注意:①我们说接地将消除壳外电荷,但并不是说在任何情况壳外壁都一定不带电。假如壳外有带电体,则壳外壁仍可能带电,而不论壳内是否有电荷(图6)。

②实际应用中金属外壳不必严格完全封闭,用金属网罩代替金属壳体也可达到类似的静电屏蔽效果,虽然这种屏蔽并不是完全、彻底的。

③在静电平衡时,接地线中是无电荷流动的,但是如果被屏蔽的壳内的电荷随时间变化,或者是壳外附近带电体的电荷随时间而变化,就会使接地线中有电流。屏蔽罩也可能出现剩余电荷,这时屏蔽作用又将是不完全和不彻底的。

总之,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷与电场影响;接地封闭导体壳外电场不受壳内电荷的影响。这种现象,叫静电屏蔽。

静电屏蔽有两方面的意义,其一是实际意义:屏蔽使金属导体壳内的仪器或工作环境不受外部电场影响,也不对外部电场产生影响。有些电子器件或测量设备为了免除干扰,都要实行静电屏蔽,如室内高压设备罩上接地的金属罩或较密的金属网罩,电子管用金属管壳。又如作全波整流或桥式整流的电源变压器,在初级绕组和次级绕组之间包上金属薄片或绕上一层漆包线并使之接地,达到屏蔽作用。在高压带电作业中,

工人穿上用金属丝或导电纤维织成的均压服,可以对人体起屏蔽保护作用。在静电实验中,因地球附近存在着大约100V/m的竖直电场。要排除这个电场对电子的作用,研究电子只在重力作用下的运动,则必须有eE<meg,可算出E<10-10V/m,这是一个几乎没有静电场的“静电真空”,这只有对抽成真空的空腔进行静电屏蔽才能实现。事实上,由一个封闭导体空腔实现的静电屏蔽是非常有效的。

其二是理论意义:间接验证库仑定律。高斯定理可以从库仑定律推导出来的,如果库仑定律中的平方反比指数不等于2就得不出高斯定理。反之,如果证明了高斯定理,就证明库仑定律的正确性。根据高斯定理,绝缘金属球壳内部的场强应为零,这也是静电屏蔽的结论。若用仪器对屏蔽壳内带电与否进行检测,根据测量结果进行分析就可判定高斯定理的正确性,也就验证了库仑定律的正确性。最近的实验结果是威廉斯等人于1971年完成的,指出在式

F=q1q2/r2±δ中,δ<(2.7±3.1)×10-16,

可见在现阶段所能达到的实验精度内,库仑定律的平方反比关系是严格成立的。从实际应用的观点看,我们可以认为它是正确的。

静磁屏蔽

静磁场是稳恒电流或永久磁体产生的磁场。静磁屏蔽是利用高磁导率μ的铁磁材料做成屏蔽罩以屏蔽外磁场。它与静电屏蔽作用类似而又有不同。

静磁屏蔽的原理可以用磁路的概念来说明。如将铁磁材料做成截面如图7的回路,则在外磁场中,绝大部份磁场集中在铁磁回路中。这可以把铁磁材料与空腔中的空气作为并联磁路来分析。因为铁磁材料的磁导率比空气的磁导率要大几千倍,所以空腔的磁阻比铁磁材料的磁阻大得多,外磁场的磁感应线的绝大部份将沿着铁磁材料壁内通过,而进入空腔的磁通量极少。这样,被铁磁材料屏蔽的空腔就基本上没有外磁场,从而达到静磁屏蔽的目的。材料的磁导率愈高,筒壁愈厚,屏蔽效果就愈显著。因常用磁导率高的铁磁材料如软铁、硅钢、坡莫合金做屏蔽层,故静磁屏蔽又叫铁磁屏蔽。

静磁屏蔽在电子器件中有着广泛的应用。例如变压器或其他线圈产生的漏磁通会对电子的运动产生作用,影响示波管或显像管中电子束的聚焦。为了提高仪器或产品的质量,必须将产生漏磁通的部件实行静磁屏蔽。在手表中,在机芯外罩以软铁薄壳就可以起防磁作用。

前面指出,静电屏蔽的效果是非常好的。这是因为金属导体的电导率要比空气的电导率大十几个数量级,而铁磁物质与空气的磁导率的差别只有几个数量级,通常约大几千倍。所以静磁屏蔽总有些漏磁。为了达到更好的屏蔽效果,可采用多层屏蔽,把漏进空腔里的残余磁通量一次次地屏蔽掉。所以效果良好的磁屏蔽一般都比较笨重。但是,如果要制造绝对的“静磁真空”,则可以利用超导体的迈斯纳效应。即将一块超导体放在外磁场中,其体内的磁感应强度B永远为零。超导体是完全抗磁体,具有最理想的静磁屏蔽效果,但目前还不能普遍应用。

电磁屏蔽

电磁场在导电介质中传播时,其场量(E和H)的振幅随距离的增加而按指数规律衰减。从能量的观点看,电磁波在导电介质中传播时有能量损耗,因此,表现为场量振幅的减小。导体表面的场量最大,愈深入导体内部,场量愈小。这种现象也称为趋肤效应。利用趋肤效应可以阻止高频电磁波透入良导体而作成电磁屏蔽装置。它比静电、静磁屏蔽更具有普遍意义。

电磁屏蔽是抑制干扰,增强设备的可靠性及提高产品质量的有效手段。合理地使用电磁屏蔽,可以抑制外来高频电磁波的干扰,也可以避免作为干扰源去影响其他设备。如在收音机中,用空芯铝壳罩在线圈外面,使它不受外界时变场的干扰从而避免杂音。音频馈线用屏蔽线也是这个道理。示波管用铁皮包着,也是为了使杂散电磁场不影响电子射线的扫描。在金属屏蔽壳内部的元件或设备所产生的高频电磁波也透不出金属壳而不致影响外部设备。

用什么材料作电磁屏蔽呢?因电磁波在良导体中衰减很快,把由导体表面衰减到表面值的1/e(约36.8%)处的厚度称为趋肤厚度(又称透入深度),用d表示,有

电磁场在导电介质中传播时,其场量(E和H)的振幅随距离的增加而按指数规律衰减。从能量的观点看,电磁波在导电介质中传播时有能量损耗,因此,表现为场量振幅的减小。导体表面的场量最大,愈深入导体内部,场量愈小。这种现象也称为趋肤效应。利用趋肤效应可以阻止高频电磁波透入良导体而作成电磁屏蔽装置。它比静电、静磁屏蔽更具有普遍意义。

电磁屏蔽是抑制干扰,增强设备的可靠性及提高产品质量的有效手段。合理地使用电磁屏蔽,可以抑制外来高频电磁波的干扰,也可以避免作为干扰源去影响其他设备。如在收音机中,用空芯铝壳罩在线圈外面,使它不受外界时变场的干扰从而避免杂音。音频馈线用屏蔽线也是这个道理。示波管用铁皮包着,也是为了使杂散电磁场不影响电子射线的扫描。在金属屏蔽壳内部的元件或设备所产生的高频电磁波也透不出金属壳而不致影响外部设备。

用什么材料作电磁屏蔽呢?因电磁波在良导体中衰减很快,把由导体表面衰减到表面值的1/e(约36.8%)处的厚度称为趋肤厚度(又称透入深度),用d表示,有

其中μ和ζ分别为屏蔽材料的磁导率和电导率。若电视频率f=100 MHz,对铜导体(ζ=5.8×107/·m,μ≈μo =4π×10-7H/m)可求出d=0.00667mm。可见良导体的电磁屏蔽效果显著。如果是铁(ζ=107/·m)则d=0.016mm。如果是铝(ζ=3.54×107/·m)则d=0.0085mm。

为了得到有效的屏蔽作用,屏蔽层的厚度必须接近于屏蔽物质内部的电磁波波长(λ=2πd)。如在收音机中,若f=500kHz,则在铜中d=0.094mm(λ=0.59mm)。在铝中d=0.12mm(λ=0.75mm )。所以在收音机中用较薄的铜或铝材料已能得到良好的屏蔽效果。因为电视频率更高,透入深度更小些,所需屏蔽层厚度可更薄些,如果考虑机械强度,要有必要的厚度。在高频时,由于铁磁材料的磁滞损耗和涡流损失较大,从而造成谐振电路品质因素Q值的下降,故一般不采用高磁导率的磁屏蔽,而采用高电导率的材料做电磁屏蔽。在电磁材料中,因趋肤电流是涡电流,故电磁屏蔽又叫涡流屏蔽。

在工频(50Hz)时,铜中的d=9.45mm,铝中的d=11.67mm。显然,采用铜、铝已很不适宜了,如用铁,则d=0.172mm,这时应采用铁磁材料。因为在铁磁材料中电磁场衰减比铜、铝中大得多。又因是低频,无需考虑Q值问题。可见,在低频情况下,电磁屏蔽就转化为静磁屏蔽。

电磁屏蔽和静电屏蔽有相同点也有不同点。相同点是都应用高电导率的金属材料来制作;不同点是静电屏蔽只能消除电容耦合,防止静电感应,屏蔽必须接地。而电磁屏蔽是使电磁场只能透入屏蔽体一薄层,借涡流消除电磁场的干扰,这种屏蔽体可不接地。但因用作电磁屏蔽的导体增加了静电耦合,因此即使只进行电磁屏蔽,也还是接地为好,这样电磁屏蔽也同时起静电屏蔽作用。

综上所述,静电屏蔽、静磁屏蔽、电磁屏蔽的物理内容、物理条件、屏蔽作用是不同的,所用材料也要从具体情况出发。但它们都是屏蔽电磁场,是有本质联系的。

软磁材料基本概念

所谓软磁材料,特指那些矫顽力小、容易磁化和退磁的磁性材料。所谓的软,指这些材料容易磁化,在磁性上表现“软”。软磁材料的用途非常广泛。因为它们容易磁化和退磁,而且具有很高的导磁率,可以起到很好的聚集磁力线的作用,所以软磁材料被广泛用来作为磁力线的通路,即用作导磁材料,例如变压器、传感器的铁芯,磁屏蔽罩,特殊磁路的轭铁等。

这里,介绍几种常用的软磁材料和用它们做成的常见元器件。

常用软磁材料:

硅钢片:

硅钢是含硅量在3%左右、其它主要是铁的硅铁合金。硅钢片大量用于中低频变压器和电机铁芯,尤其是工频变压器。硅钢的特点是具有常用软磁材料中最高的饱和磁感应强度(2.0T以上),因此作为变压器铁芯使用时可以在很高的工作点工作(如工作磁感值1.5T)。但是,硅钢在常用的软磁材料中铁损也是最大的,为了防止铁芯因损耗太大而发热,它的使用频率不高,一般只能工作在20KHz以下。

硅钢通常是薄片状的,这是为了在制造变压器铁芯时减小铁芯的涡流损失。目前硅钢片主要分热轧和冷轧

所谓热轧硅钢,是把硅钢板坯在850度以上加热后轧制,然后再进行退火。由于轧制温度高,所轧制出来的硅钢片都是各向同性的,也就是说硅钢片的磁性在各个方向上相同。这种各向同性的硅钢也叫做无取向硅钢。无取向硅钢大量应用在电机中的定子或者转子。因为要制造电机定子和转子,就要在大的硅钢片上冲压出圆形的零件。这时总是希望硅钢片沿圆周方向磁性一致,所以要用无取向硅钢。

为了获得更好的磁性能,后来人们发明了冷轧硅钢片,即在较低温度下轧制,再退火。冷轧取向硅钢片是其中的代表。冷轧取向硅钢片首先对板坯进行冷轧,使得材料内部产生很多结构缺陷。在随后的退火过程中,材料发生结构上的变化(称为再结晶),这种变化会使硅钢片在某个方向上磁性能非常好,也就是说磁性能和方向有关,因此被称为取向硅钢。在最终使用时,让铁芯中的磁力线沿磁性能最好的方向通过,这样便可以最大限度地发挥硅钢片的磁性能潜力。例如,在变压器中,铁芯材料的磁力线是沿一个方向通过的,如果把硅钢片适当裁剪,然后卷绕成铁芯,使得铁芯周长方向恰好是硅钢片磁性能最好的方向,那么铁芯的导磁率就会很高,容易磁化,能量损耗小,最终提高了变压器效率。

我国对硅钢片的编号是:热轧硅钢片D(如D31指含硅3.1%的热轧硅钢);冷轧硅钢片DT;高磁感取向硅钢片Q和QG。这些材料的磁性能可以从相关的书籍和手册中得到。

坡莫合金:

坡莫合金指铁镍合金,其含镍量的范围很广,在35%-90%之间。坡莫合金的最大特点是具有很高的弱磁场导磁率。它们的饱和磁感应强度一般在0.6--1.0T之间。

最简单的坡莫合金是铁镍两种元素组成的合金,通过适当的轧制和热处理,它们能够具备高导磁率,同时也可以合理搭配铁和镍的含量,获得比较高的饱和磁感应强度。但是,这种坡莫合金的电阻率低,力学性能不好,所以实际应用并不很多。

目前大量应用的坡莫合金是在铁镍的基础上添加一些其它元素,例如钼、铜等。添加这些元素的目的是增加材料的电阻率,以减小做成铁芯后的涡流损失。同时,添加元素也可以提高材料的硬度,这尤其有利于作为磁头等有磨损的应用。

坡莫合金的生产过程比较复杂。例如,板材轧制的工艺、退火温度、时间、退火后的冷却快慢等都对材料最终的磁性能有很大影响。

我国的坡莫合金牌号是1JXX。其中,J表示“精密合金”,“1”表示软磁,后面的数字为序号,通常表示合金中的含镍量。例如1J50、1J851等。坡莫合金具有高的导磁率,所以常常用在中高频变压器的铁芯或者对灵敏度有严格要求的器件中,例如高频(数十KHz)开关电源变压器、精密互感器、漏电开关互感器、磁屏蔽、磁轭等。

软磁铁氧体:

铁氧体是一系列含有氧化铁的复合氧化物材料(或者称为陶瓷材料)。铁氧体的特点是饱和磁感应强度很低(0.5T以下),但导磁率比较高,而且电阻率很高(这时因为铁氧体是由很小的颗粒压制成的,颗粒之间的接触不好,所以导电不佳),因此非常有利于降低涡流损耗。正因为如此,铁氧体能够在很高的频率下(可以达到兆Hz甚至更高)使用,而它的饱和磁感应强度低,因此不适合在低频下使用。铁氧体最广泛的用途是高频变压器铁芯和各种电感铁芯。

常用软磁元器件:

变压器:所谓变压器,就是利用电磁感应实现交流电压变换的器件。变压器的原理已经在“电磁感应”中说明。因为变压器的铁芯处于不断变化的电磁场中,铁芯材料的磁化强度和磁感应强度也是不断改变的。这就自然要求铁芯材料对这种变化的阻力小,变化足够灵敏。所以,几乎对所有的变压器铁芯,都要求导磁率高。同时,交变的电磁场必然会在铁芯中产生能量损耗(例如涡流),所有还要求材料的铁损低,以降低铁芯的温升,提高变压器效率。

变压器的形式和品种繁多。在不同的场合,变压器的工作方式大不相同,所以对变压器铁芯的具体要求也存在很大差别。

低频变压器:工作频率较低(例如低于1KHz)一般地,工作点较低时电流和电压都是正弦波。由于频率低,

铁芯损耗不大,所以铁芯的工作磁感可以设计得比较高。因此这时需要高饱和磁感的软磁材料作铁芯,例如硅钢。硅钢片作为配电变压器铁芯时,工作磁感可以达到1.4T以上。铁基非晶合金作为变压器铁芯时,工作点可以达到1.3T。为了提高变压器效率,要求铁芯材料的铁损低,同时要求材料导磁率高,以减小初级线圈的激磁电流,降低因线圈电阻带来的损耗(称为铜损)。

高频变压器:随着技术的进步,高频电源已经大量应用。之所以发展高频电源,是因为传统的工频电源效率不高。从电磁感应原理不难推出,变压器铁芯所能够传输的功率与磁通变化的频率成正比。因此,如果提高变压器的工作频率,那么变压器铁芯的体积便可以大幅度缩小,重量减轻,并且提高电源的效率,降低各种损耗。所以,自从七十年代以来,高频电源的发展非常迅猛。但另一方面,工作频率的提高会导致变压器铁芯铁损的急剧增大。要解决这个问题,一是降低铁芯的工作磁感,二是采用更好的软磁材料。通常,高频变压器铁芯不能再使用硅钢片,而是要用损耗更小的铁镍合金(坡莫合金)、铁氧体或者非晶合金滤波电感、扼流圈及电抗器:

在稳压电源和开关电源中,为了消除晶体管整流产生的巨大纹波、得到平滑的直流输出而使用的器件。我们知道,电感就是一个通交流电的螺线管线圈(可以含有铁芯)。由于线圈在通电的瞬间会产生感应电压,而该感应电压的反向是反抗所通电流形成的磁通,因此电感器件对变化的电流存在一种阻碍作用,使其不能通过,这称为感抗。所通信号变化越快,感抗就越大,因此电感器件的特点是信号的频率越高,器件对该信号的阻碍就越强。如果对电感通上一个直流信号,那么器件对信号没有阻碍。电感器件对交流电的阻碍作用使用在电源上,安装在整流后的电路中,可以挡住交流信号,而让直流信号通过,仿佛是把交流信号过滤掉了。所以,电感(或者电感和其它元器件的组合)又称为滤波器。

因为电感铁芯工作在交直流叠加状态,所以铁芯不但要承受交流信号的磁化,而且还有直流电流的磁化(称为偏磁)。这时,铁芯既要有较高的导磁率,用来产生电感量,以阻止交流信号的通过,又要防止因直流信号的偏磁导致铁芯被磁化到饱和。为了做到这一点,经常采用的手段是把铁芯切口,这样可以使铁芯在较大直流电流磁化时不饱和。另外就是采用粉末做的铁芯。粉末铁芯一般是用软磁材料的粉末和粘接剂、绝缘剂压制成的。由于粉末颗粒之间被粘接剂和绝缘剂隔离开来,铁芯虽然被压制成了一个整体,但实际上磁路是断开的,就好象在铁芯的磁路上开了许多小小的切口,这样也就防止了铁芯被磁化饱和。

一.关于CAD辅助设计软件与网络分析仪

对于高频电路设计,当前已经有了很好的CAD类软件,其强大的功能足以克服人们在设计经验方面的不足及繁琐的参数检索与计算,再配合功能强大的网络分析仪,按理应该是稍具经验者便能完成质量较好的射频部件。但是,实际中却不是这回事。

CAD设计软件依靠的是强大的库函数,包含了世界上绝大部分无线电器件生产商提供的元器件参数与基本性能指标。不少射频工程师错误地认为:只要利用该工具软件进行设计,就不会有多大问题。但实际结果却总是与愿望相反,原因是他们在错误认识下放弃高频电路设计基本概念的灵活应用及基本设计原则的应用经验积累,结果在软件工具的应用中常犯下基本应用错误。射频电路设计CAD软件属于透明可视化软件,利用其各类高频基本组态模型库来完成对实际电路工作状态的模拟。至此,我们已经可以明白其中的关键环节棗高频基本组态模型有两类,一类属于集中参数形态之元器件模型,另一类属于常规设计中的局部功能模型。于是存在如下方面问题:

(1)元器件模型与CAD软件长期互动发展,日趋完善,实际中可以基本相信模型的*真度。但元器件模型所考虑的应用环境(尤其是元器件应用的电环境)均为典型值。多数情况下,必须利用经验确定系列应用参数,否则其实际结果有时甚至比不借助CAD软件的设计结果相差更远。

(2)CAD软件中建立的常规高频基本组态模型,通常限于目前应用条件下可预知的方面,而且只能局限于基本功能模型(否则产品研发无须用人,仅靠CAD一手包办而诞生各类产品)。

(3)特别值得注意的是:典型功能模型的建立,是以典型方式应用元器件并以典型完善的工艺方式构造

(包括PCB构造)下完成的,其性能也达到“典型”的较高水平。但在实际中,就是完全模仿,也与模型状态相差甚远。原因是:尽管选用的元器件及其参数一致,但它们的组合电环境却无法一致。在低频电路或数字电路中,这种相差毫厘的情况妨碍不大,但在射频电路中,往往发生致命的错误。

(4)在利用CAD软件进行设计中,软件的容错设计并不理睬是否发生与实际情况相违背的错误参数设置,于是,按照其软件运行路径给出一理想的结果,实际中却是问题百出的结果。可以知道其关键错误环节在于没有利用射频电路设计的基本原则去正确应用CAD软件。

(5)CAD软件仅仅属于设计辅助工具,利用其具备的实时模拟功能、强大的元器件模型库及其函数生成功能、典型应用模型库等等方面来简化人们的繁琐设计与计算工作,到目前为为止,尚远远无法在具体设计方面代替人工智能。

CAD软件在射频PCB辅助设计中所体现的强大功能是该软件大受欢迎的一个重要方面。但实际中,许多射频工程师会经常“遭其暗算”。导致原因仍然是其对参数设置的容错特性。往往利用其仿真功能得出一理想的模型(包括各个功能环节),一到实际调试中才发现:还不如利用自己的经验来设计。

所以,CAD软件在PCB设计中,仍然仅仅有利于拥有基本的射频设计经验与技巧的工程师,帮助他们从事繁琐的过程设计(非基本原则设计)。

网络分析仪分为标量和矢量两种,是射频电路设计必不可少的仪器。通常的做法是:结合基本的射频电路设计理念和原则完成电路及PCB设计(或利用CAD软件完成),按要求完成PCB的样品加工并装配样机,然后利用网络分析仪对各个环节的设计逐个进行网路分析,才有可能使电路达到最佳状态。但如此工作的代价是以至少3~5版的PCB实际制作,而若没有基本的PCB设计原则与基础理念,所需要的PCB版本将更多(或者无法完成设计)。

由上述可见:

(1)在利用网络分析仪对射频电路进行分析过程中,必须具有完备的高频电路PCB设计理念和原则,必须能通过分析结果而明确知道PCB的设计缺陷棗仅此一项就要求相关工程师具备相当的经验。

(2)对样机网路环节进行分析过程中,必须依靠熟练的实验经验和技巧来构造局部功能网络。因为很多时候,通过网络分析仪所发现的电路缺陷,会同时存在多方面的导致因素,于是必须利用构造局部功能网路来加以分析,彻查导致原因。这种实验性电路构造必须借助清晰的高频电路设计经验与熟练的电路PCB 构造原则。

二.本文的针对范畴

本文主要针对通讯产品的一个前沿范畴棗微波级高频电路及其PCB设计方面的理念及其设计原则。之所以选择微波级高频电路之PCB设计原则,是因为该方面原则具有广泛的指导意义且属当前的高科技热门应用技术。从微波电路PCB设计理念过渡到高速无线网络(包括各类接入网)工程,也是一脉相通的,因为它们基于同一基本原理棗双传输线理论。

有经验的射频工程师设计的数字电路或相对较低频率电路PCB,一次成功率是非常高的,因为他们的设计理念是以“分布”参数为核心,而分布参数概念在较低频率电路(包括数字电路中)中的破坏作用,常为人们所忽略。

长期以来,许多同行完成的电子产品(主要针对通讯产品)设计,往往问题重重。一方面固然与电原理设计(包括冗余设计、可靠性设计等方面)的必要环节缺乏有关,但更重要的,是许多这类问题在人们认

为已经考虑了各项必要环节下而发生的。针对这些问题,他们往往将精力花在对程序、电原理、参数冗余等方面的核查上,却极少将精力花在对PCB设计的审核方面,而往往正是由于PCB设计缺陷,导致大量的产品性能问题。

PCB设计原则涉及到许多方方面面,包括各项基本原则、抗干扰、电磁兼容、安全防护,等等。对于这些方面,特别在高频电路(尤其在微波级高频电路)方面,相关理念的缺乏,往往导致整个研发项目的失败。许多人还停留在“将电原理用导体连接起来发挥预定作用”基础上,甚至认为“PCB设计属于结构、工艺和提高生产效率等方面的考虑范畴”。许多专业射频工程师也没有充分认识到该环节在射频设计中,应是整个设计工作的特别重点,而错误地将精力花费在选择高性能的元器件,结果是成本大幅上升,性能的提高却微乎其微。

应特别在此提出的是,数字电路依靠其强的抗干扰、检纠错以及可任意构造各个智能环节来确保电路的正常功能。一个普通的数字应用电路而高附加地配置各类“确保正常”的环节,显然属于没有产品概念的举措。但往往在认为“不值得”的环节,却导致产品的系列问题。原因是这类在产品工程角度看不值得构造可靠性保证的功能环节,应该建立在数字电路本身的工作机理上,只是在电路设计(包括PCB设计)中的错误构造,导致电路处于一种不稳定状态。这种不稳定状态的导致,与高频电路的类似问题属于同一概念下的基本应用。

在数字电路中,有三个方面值得认真对待:

(1)数字信号本身属于广谱信号。根据傅里叶函数结果,其包含的高频成份非常丰富,所以数字IC在设计中,均充分考虑了数字信号的高频分量。但除了数字IC外,各功能环节内部及之间的信号过渡区域,若任意而为,将会导致系列问题。尤其在数字与模拟和高频电路混合应用的电路场合。

(2)数字电路应用中的各类可靠性设计,与电路在实际应用中的可靠性要求及产品工程要求相关,不能将采用常规设计完全能达到要求的电路附加各类高成本的“保障”部分。

(3)数字电路的工作速率正在以前所未有的发展迈向高频(例如目前的CPU,其主频已经达到1.7GHz 棗远远超过微波频段下限)。尽管相关器件的可靠性保障功能也同步配套,但其建立在器件内部和典型外部信号特征基础上。

三.双传输线理论对微波电路设计及其PCB布线原则指导意义综述

(一)双线理论下的PCB概念

对于微波级高频电路,PCB上每根相应带状线都与接地板形成微带线(非对称式),对于两层以上的PCB,即可形成微带线,又可形成带状线(对称式微带传输线)。各不同微带线(双面PCB)或带状线(多层PCB)相互之间,又形成耦合微带线,由此又形成各类复杂的四端口网络,从而构成微波级电路PCB的各种特性规律。

可见,微带传输线理论,是微波级高频电路PCB的设计基础。

■ 对于800MHz以上的RF-PCB设计,天线附近的PCB网路设计,应完全遵循微带理论基础(而不是仅仅将微带概念用于改善集中参数器件性能的工具)。频率越高,微带理论的指导意义便越显著。

■ 对于电路的集中参数与分布参数,虽然工作频率越低,分布参数的作用特性越弱,但分布参数却始终是存在的。是否考虑分布参数对电路特性的影响,并没有明确的分界线。所以,微带概念的建立,对于数字电路与相对中频电路PCB设计,同样是重要的。

■微带理论的基础与概念和微波级RF电路及PCB设计概念,实际上是微波双传输线理论的一个应用方面,对于RF-PCB布线,每相邻信号线(包括异面相邻)间均形成遵循双线基础原理的特征(对此,后续将有明确的阐述)。

■ 虽然通常的微波RF 电路均在其一面配置接地板,使得其上的微波信号传输线趋向复杂的四端口网路,从而直接遵循耦合微带理论,但其基础却仍是双线理论。所以在设计实际中,双线理论所具有的指导意义更为广泛。

■ 通常而言对于微波电路,微带理论具有定量指导意义,属于双线理论的特定应用,而双线理论具有更广泛的定性指导意义。

■ 值得一提的是:双线理论给出的所有概念,从表面上看,似乎有些概念与实际设计工作并无联系(尤其是数字电路及低频电路),其实是一种错觉。双线理论可以指导一切电子电路设计中的概念问题,特别是PCB线路设计概念方面的意义更为突出。

虽然双线理论是在微波高频电路前提下建立的,但这仅仅因为高频电路中分布参数的影响变得显著,使得指导意义特别突出。在数字或中低频电路中,分布参数与集中参数元器件相比,达到可以忽略的地步,双线理论概念变得相应模糊。

然而,如何分清高频与低频电路,在设计实际中却是经常容易忽略的方面。通常的数字逻辑或脉冲电路属于哪一类?最明显的具非线性元器件之低频电路及中低频电路,一旦某些敏感条件改变,很容易体现出某些高频特征。高档CPU的主频已经到1.7GHz,远超过微波频率下限,但仍然属于数字电路。正因为这些不确定性,使的PCB设计异常重要。

■ 在许多情况下,电路中的无源元器件,均可等效为特定规格的传输线或微带线,并可用双传输线理论及其相关参量去描述。

总之,可以认为双传输线理论是在综合所有电子电路特征基础上诞生的。因此,从严格意义上说,如果设计实际中的每一环节,首先以双传输线理论所体现的概念为原则,那末相应的PCB电路所面临的问题就会很少(无论该电路是在什么工作条件下应用)。

(二)双传输线与微带线构造简介

1 ·微波双线的PCB 形式

微带线是由微波双线在特定条件下的具体应用。图1-a. 即为微波双线及其场分布示意图。在微波级工作频率的PCB 基板上,可以构成常规的异面平行双线(图1-b.所示)或变异的异面平行双线(图1-c.所示)。当其中一条状线与另一条状线相比可等效为无穷大时,便构成典型的微带线(如图1-d.所示)。从双传输线到微带,仅边缘特性改变,定性特征基本一致。

注:在许多微波专业论述中,均仅仅描述由常规均匀圆柱形导体构成的双传输线,对PCB 电路的双线描述则以矩形条状线为常规双传输线。

2 ·微带线的双线特征

图2-a.为常规微波双线的场分布示意图。图2-b.为PCB 条状线场分布示意图。图2-c.为带有有限接地板的

微波双线场分布示意(注:图中双线之一和接地板连通)。图2-d 为具有相对无穷大接地板之双线场分布示意(注:

图中双线之一和接地板连通)。

图3-a.为典型偶模激励耦合微带线场分布示意。图3-b. 为典型奇模激励耦合微带线场分布示意。

从图1 、图2 、图3 所示场分布状态看,双线与微带线(包括耦合微带线)特性仅仅为边缘特性的不

(一)分布参数概念与双传输线

对于集中参数电路,随着工作频率的提高,电路中的电感量和电容量都将相应减少,如图4所示的振荡回路。

当电路中电感量小到一定程度,将使线圈等效为直线(图4-b.);当电容量小到一定程度,将由导线间分布电容所替代(图4-c.)。

由上述定性描述得如下高频电路设计原则:

● 当工作频率较高时,集中参数将转化为分布参数,并起主导作用。这是微波电路的主要形式。

● 在分布参数PCB电路中,沿导线处处分布电感,导线间处处分布电容。

● 在高频PCB电路设计中,注意元器件标称值与实际值的离散性差别是相对于工作频率而定的。

● 由图可知,PCB条状双线就是具有分布参数之电路的简单形式,除了可以传输电磁能外,还可作为谐振回路使用。

(二)PCB条状双线分布参数的等效方式

通常将一段双线导线分成许多小段(例如每段长度1cm),然后将每段双导线所具有的分布电感与电容量表示为集中参数形式,如图5所示。图中b线,可以是PCB上与a同面并行之走线或地线,也可以是异面并行之走线,为便于解释,这里指空气中两并行线。

在双线传输分析上,常将介质损耗忽略(即R1<<ωL1,G1<<ωC1),然后等效为图5所示的“无耗传输线”形式(即忽略电磁波衰耗)。根据电磁场理论,可知每1cm的条状双传输线电感量与电容量分别为:

L1≈ (μ/π)ln(2D/d)(H)

C1≈πε/ln(2D/d) (F)

式中,μ=线间介质磁导率(H/cm)。当介质为空气时,μ=μ0=4×E-5(H/cm);ε=线间介电常数。当介质为空气时,ε=ε0=8.85×E-10;D=双线间距;d=PCB线厚度或宽度(具体定义详见后续说明)。

综合上述的设计概念如下:

● PCB中,可分别近似认为d为铜皮宽度(对电感)或铜皮厚度(对电容),前提是对无接地板的同面双线。对于异面平行双线时,D为PCB厚度,d为线宽。

● 工作于高频状态两层以上PCB设计中,不仅要考虑同面走线间的分布参数,也需考虑异面走线间的分布参数,而且更为重要(具接地板的RF-PCB电路则属于另外的分析方式棗参见后续)。

(三)电磁波在PCB条状双线上的传输特点

图3所示的PCB条状双线等效电路中,在直流电源接入瞬间,从左到右,电压和电流是以依次向相邻电容充电,然后向次级电容放电的过程形式传播的,称为电流行波。

若将图6中电源换为简谐规律的交流源,可以推知,将有一电压行波从左至右传播。沿线电压值与时间位置均有关。这种电压行波,在工作波长与所考察传输线长度可比拟时,是较为明显的。

有电压必有电场,有电流必有磁场,所以沿线电场与磁场是以简谐规律沿传输线传播的。

综上所述,可知道微波级高频电路之PCB特征如下:

● 当PCB走线与工作波长可相比拟时,电压和电流从一端传到另一端的形式已不是电动势作用下的电流规律,而是以行波形式传播,但不是向周围辐射。

● 行波的能量形式,体现为电磁波形式,而且在导体引导下沿线传播。工作频率越高,电磁波能量形式越明显,通常意义下的集中参数器件之处理功能越弱。

● 必须明确:当频率足够高时,PCB走线开始脱离经典的欧姆规律,而以“行波”或电磁波导向条形式体

现其在电路中的功能。

(四)行波的传播特性

1.入射波与反射波

对于理想的“无耗传输线”(忽略损耗),在简谐波作用下,可推出PCB传输线上瞬时电流波表达式为:i(t , z) = Acos(ωt-βz)-cos(ωt+βz)

式中,t=传播时刻;z=传输线上位置(距起端距离);A、B=与激励信号幅度及终端负载有关的常数(入射波与反射波幅度);ω=相角;β=相移常数。

由瞬时电流波表达式可知,在简谐波激励下,PCB传输线上电流为两个简谐波电流的代数和。分别对式中两项作函数图,可知:第一项电流为随时间沿+Z方向(由电源到负载)的电流波;第二项为随时间沿-Z 方向(由负载到电源)传输的电流波。前者称为入射电流波,后者称为反射电流波。

■ 即:稳态过程中,PCB传输线上的电流是线上向相反方向传播的两个波叠加之结果。

2.关系常数简介

■ α=衰减常数。若考虑PCB传输线损耗,则α≠0。

■ β=相移常数。其为电磁波沿PCB传输线传播单位长度的相移,与波长有关系:β=2π/λ。参照图2,又有关系:

■ γ=传播常数。考虑PCB传输线损耗时,波的衰减常数α与相移常数β的变量和,即:γ=α+jβ

■ Vp=相速,行波等相位点的传播速度。相速与β、ω间存在关系:vp=ω/β。

当电磁波传播方向是与Z方向平行,则有Vp=Vc(Vc表示光速)。可以推出:

在空气介质中则有

综上所述,可以推知高频电路及其PCB设计原则如下:

● 分布参数电路不仅仅体现在集中参数向分布参数的转化,更重要的是PCB电路的信号处理与传输,都开始部分地遵循电磁波的固有特性。工作频率越高,这种特性越突出。

● 反射波概念是提高电路输出功率或效率的根本概念,否则将导致与设计不符的一系列问题。

● 分布参数的考察,涉及电磁波理论中的一些基本物理定义,认真掌握这些物理定义在电路中的体现及计算方式,是解决设计实际的根本手段之一。

● 微波级高频电路PCB带装线的分布参数特性,可以通过一些关系常数所体现的表达式表征,并通过这些常数达到PCB设计目的。

怎样才能实现电磁兼容?这要从分析形成电磁干扰后果的基本要素出发。由电磁骚扰源发射的电磁能量,经过耦合途径传输到敏感设备,这个过程称为电磁干扰效应。因此,形成电磁干扰后果必须具备三个基本要素:

1、电磁骚扰

任何形式的自然现象或电能装置所发射的电磁能量,能使共享同一环境的人或其它生物受到伤害,或使其他设备分系统或系统发生电磁危害,导致性能降级或失效,这种自然现象或电能装置即称为电磁骚扰源。

2、耦合途径

耦合途径即传输电磁骚扰的通路或媒介。

3、敏感设备(Victim)

敏感设备是指当受到电磁骚扰源所发射的电磁能量的作用时,会受到伤害的人或其它生物,以及会发生电磁危害,导致性能降级或失效的器件、设备、分系统或系统。许多器件、设备、分系统或系统可以既是电

磁骚扰源又是敏感设备。

为了实现电磁兼容,必须从上面三个基本要素出发,运用技术和组织两方面措施。所谓技术措施,就是从分析电磁骚扰源、耦合途径和敏感设备着手,采取有效的技术手段,抑制骚扰源、消除或减弱骚扰的耦合、降低敏感设备对骚扰的响应或增加电磁敏感性电平;为个对人为骚扰进行限制,并验证所采用的技术措施的有效性,还必须采取组织措施,制订和遵循一套完整的标准和规范,进行合理的频谱分配,控制与管理频谱的使用,依据频率、工作时间、天线方向性等规定工作方式,分析电磁环境并选择布置地域,进行电磁兼容性管理等。

电磁兼容性是电子设备或系统的主要性能之一,电磁兼容设计是实现设备或系统规定的功能、使系统效能得以充分发挥的重要保证。必须在设备或系统功能设计的同时,进行电磁兼容设计。

电磁兼容设计的目的是使所设计的电子设备或系统在预期的电磁环境中实现电磁兼容。其要求是使电子设备或系统满足EMC标准的规定并具有两方面的能力:

1.能在预期的电磁环境中正常工作,无性能降低或故障;

2.对该电磁环境不是一个污染源。

为个实现电磁兼容,必须深入研究以下五个问题:

第一,对于电磁骚扰源的研究,包括电磁骚扰源的频域和时域特性,产生的机理以及抑制措施等的研究。

第二,对于电磁骚扰传播特性的研究,即研究电磁骚扰如何由骚扰源传播到敏感设备,包括对传导骚扰和辐射骚扰的研究。传导骚扰是指沿着导体传输的电磁骚扰,辐射骚扰即由器件、部件、连接线、电缆或天线,以及设备呀系统辐射的电磁骚扰。

第三,对于敏感设备抗干扰能力的研究。这种抗干扰能力常心电磁敏感性或抗扰度表征,电磁敏感性电平越小,抗扰度越低,抗干扰能力越差。

第四,对于测量设备测量方法与数据处理方法的研究。由于电磁骚扰十分复杂,测量与评价需要有许多特殊要求,例如测量接收机要有多种检波方式,多种测量带宽、大过载系数、严格的中频滤波特性等,还要求测量场地的传播特性与理论值符合得很好等。如何评价测量结果,也是个重点问题,需要应用概率论、数理统计等数学工具。

第五,对于系统内、系统间电磁兼容性的研究。系统内电磁兼容性是指在给定系统内部的分系统、设备及部件之间的电磁兼容性,而给定系统与它运行时所处的电磁环境,或与其他系统之间的电磁兼容性即系统间电磁兼容性,这方面的研究需要广泛的理论知识与的丰富的实践经验。

还应当指出,由于电磁兼容是抗电磁骚扰的扩展与延伸,它研究的重点则是设备或系统的非预期效果和非工作性能,非预期发射和非预期响应,而在分析骚扰的迭加和出现概率时,还需按最不利的情况考虑,即所谓的“最不利原则”,这些都比研究设备或系统的工作性能复杂得多。

总之,电磁兼容学是一门综合性的边缘学科,其核心仍然是电磁波,其理论基础包括数学、电磁场理论、

电路理论、微波理论与技术、天线与电波传播理论、通信理论、材料科学、计算机与控制理论、机械工艺学、核物理学、生物医学以及法律学、社会学等内容。现在,电磁兼容学已成为国内外瞩目的迅速发展的学科,预计在21世纪,它还将获得更加迅速的发展。

0 引言

电磁兼容问题已经成为当今电子设计制造中的热点和难点问题。实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,绝不是依靠理论知识就能够解决的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,主要要考虑接地、)电路与PCB板设计、电缆设计、屏蔽设计等问题。

本文通过介绍磁珠的基本原理和特性来说明它在开关电源电磁兼容方面的重要性,以求为开关电源产品设计者在设计新产品时提供更多、更好的选择。

1 铁氧体电磁干扰抑制元件

铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似,颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料,许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大。对于抑制电磁干扰用的铁氧体,最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率μ可以表示为复数,实数部分构成电感,虚数部分代表损耗,随着频率的增加而增加。因此,它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路,L和R都是频率的函数。当导线穿过这种铁氧体磁芯时,所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加,但是在不同频率时其机理是完全不同的。

在低频段,阻抗由电感的感抗构成,低频时R很小,磁芯的磁导率较高,因此电感量较大,L起主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制;并且这时磁芯的损耗较小,整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感,这种电感容易造成谐振因此在低频段,有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。

在高频段,阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的电感量减小,感抗成分减小但是,这时磁芯的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加,当高频信号通过铁氧体时,电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。

铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件,就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰,它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。

2 磁珠的原理和特性

当电流流过其中心孔中的导线时,便会是磁珠内部产生循环流动的磁道。用于EMI控制的铁氧体配制时,应当可以把大部分磁通作为材料中的热散掉。这个现象可以由一个电感器和一个电阻器的串联组合来模拟。如图2所示

两个元件的数值大小与磁珠的长度成正比,而且磁珠的长度对抑制效果有明显影响,磁珠长度越长抑制效果越好。由于信号能量呈磁耦合加到磁珠上,故电感器的电抗与电阻的大小随频率的升高而增大。磁耦合的效率取决于磁珠材料相对于空气的导磁率。通常组成磁珠的铁氧体材料的损耗可以通过其相对于空气的导磁率,表示成一个复数量。

磁性材料常常用由此比值表征出损耗角。用于EMI抑制元件要求较大的损耗角,这意味着大部分干扰都将被耗散而不被反射。目前出现的各种各样的可用铁氧体材料,为设计人员将磁珠用于不同场合提供了很大的选择余地。

3磁珠的应用

3.1 尖峰抑制器

开关电源最大的缺点就是容易产生噪声和干扰,这是长期困扰开关电源的一个关键的技术问题。开关电源的噪声主要是由开关功率管和开关整流二级管快速变化的高压切换和脉冲短路电流所引起。因此采用有效元件把它们限制到最小程度是抑制噪声的主要方法之一。通常采用非线性饱和电感来抑制反向恢复电流尖峰,此时铁芯的工作状态是从-Bs 到+Bs。根据在开关电源续流二极管上的高磁导率与可饱和性的超小型电感元件—磁珠特性的一致性,开发出用来抑制开关电源开关时产生的峰值电流的尖峰抑制器。

尖峰抑制器的性能特点:

(1)初始和最大电感值很高,饱和后残余电感值非线性极不明显。串联接入回路后,电流升高瞬间显示出高阻抗,可以作为所谓的瞬间阻抗元件使用。

(2)适用于防止半导体回路中瞬态电流峰值信号、冲击激励电路和由此而伴生的噪声,还可以防止半导体损坏。

(3)剩余电感极小,电路稳定时损耗很小。

(4)与铁氧体制品的性能绝然不同。

(5)只要避免磁饱和,可作为超小型、高电感的电感元件使用。

(6)可以作为低损耗的高性能可饱和铁芯用于控制和产生振荡。

尖峰抑制器要求铁芯材料具有较高的磁导率,以得到较大的电感量;高矩形比可使铁芯饱和时,电感量应迅速下降到零;矫顽力小、高频损耗低, 否则铁芯放热不能正常工作。

尖峰抑制器用途主要表现在减小电流尖峰信号;降低由于电流峰值信号引起的噪声;防止开关晶体管的损坏;减低开关晶体管的开关损耗;补偿二极管的恢复特性;防止高频脉冲电流冲击激励。作为超小型的线路滤波器使用等方面。

3.2在滤波器中的应用

a)不加磁珠测试结果

b)加磁珠测试结果

c)L线加磁珠测试结果

d) N线加磁珠测试结果

普通滤波器是由无损耗的电抗元件构成的,它在线路中的作用是将阻带频率反射回信号源,所以这类滤波器又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时,就会有一部分能量被反射回信号源,造成干扰电平的增强。为解决这一弊病,可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠套,利用滋环或磁珠对高频信号的涡流损耗,把高频成分转化为热损耗。因此磁环和磁珠实际上对高频成分起吸收作用,所以有时也称之为吸收滤波器。

不同的铁氧体抑制元件,有不同的最佳抑制频率范围。通常磁导率越高,抑制的频率就越低。此外,铁氧体的体积越大,抑制效果越好。在体积一定时,长而细的形状比短而粗的抑制效果好,内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下,还存在铁氧体饱和的问题,抑制元件横截面越大,越不易饱和,可承受的偏流越大。

基于以上磁珠原理和特性,应用在开关电源的滤波器中,收效明显。从测试结果便可看到应用磁珠的明显不同。由实验结果看到,由于开关电源电路、结构布局、功率的影响,有时对差模干扰有很好的抑制作用,有时对共模干扰有很好的抑制作用,有时对干扰起不到抑制作用反而会增加噪声干扰。

EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时,通过它的电流值正比于其体积,两者失调造成饱和,降低了元件性能;抑制共模干扰时,将电源的两根线(正负)同时穿过一个磁环,有效信号为差模信号,EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响,而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下,以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理,合理使用它的抑制作用。

铁氧体抑制元件应当安装在靠近干扰源的地方。对于输入/输出电路,应尽量靠近屏蔽壳的进、出口处。对铁氧体磁环和磁珠构成的吸收滤波器,除了应选用高磁导率的有耗材料外,还要注意它的应用场合。它们在线路中对高频成分所呈现的电阻大约是十至几百Ω,因此它在高阻抗电路中的作用并不明显,相反,在低阻抗电路(如功率分配、电源或射频电路)中使用将非常有效。

4 结束语

由于铁氧体可以衰减较高频同时让较低频几乎无阻碍地通过,故在EMI控制中得到了广泛地应用。用于EMI吸收的磁环/磁珠可制成各种的形状,广泛应用于各种场合。如在PCB板上,可加在DC/DC模块、数据线、电源线等处。它吸收所在线路上高频干扰信号,但却不会在系统中产生新的零极点,不会破坏系统的稳定性。它与电源滤波器配合使用,可很好的补充滤波器高频端性能的不足,改善系统中滤波特性。广大开关电源专业研究人员,应充分发挥技术优势,把磁环、磁珠等铁氧体材料灵活应用到开关电源的开发中去,使其在开关电源设计中发挥更大的作用,以提高产品的电磁兼容性,并且减小体积、降低成本。随着产品复杂性和密集度的提高以及设计周期的不断缩短,在设计周期的后期解决电磁兼容性(EMC)问题变得越来越不切合实际。在较高的频率下,你通常用来计算EMC的经验法则不再适用,而且你还可能容易误用这些经验法则。结果,70% ~ 90%的新设计都没有通过第一次EMC测试,从而使后期重设计成本很高,如果制造商延误产品发货日期,损失的销售费用就更大。为了以低得多的成本确定并解决问题,设计师应该考虑在设计过程中及早采用协作式的、基于概念分析的EMC仿真。

较高的时钟速率会加大满足电磁兼容性需求的难度。在千兆赫兹领域,机壳谐振次数增加会增强电磁辐射,使得孔径和缝隙都成了问题;专用集成电路(ASIC)散热片也会加大电磁辐射。此外,管理机构正在制定规章来保证越来越高的频率下的顺应性。再则,当工程师打算把辐射器设计到系统中时,对集成无线功能(如Wi-Fi、蓝牙、WiMax、UWB)这一趋势提出了进一步的挑战。

传统的电磁兼容设计方法

正常情况下,电气硬件设计人员和机械设计人员在考虑电磁兼容问题时各自为政,彼此之间根本不沟通或很少沟通。他们在设计期间经常使用经验法则,希望这些法则足以满足其设计的器件要求。在设计达到较高频率从而在测试中导致失败时,这些电磁兼容设计规则有不少变得陈旧过时。

在设计阶段之后,设计师制造原型并对其进行电磁兼容性测试。当设计中考虑电磁兼容性太晚时,这一过程往往会出现种种EMC问题。对设计进行昂贵的修复通常是唯一可行的选择。当设计从系统概念设计转入具体设计再到验证阶段时,设计修改常常会增加一个数量级以上。所以,对设计作出一次修改,在概念设计阶段只耗费100美元,到了测试阶段可能要耗费几十万美元以上,更不用提对面市时间的负面影响了。

电磁兼容仿真的挑战

为了在实验室中一次通过电磁兼容性测试并保证在预算内按时交货,把电磁兼容设计作为产品生产周期不可分割的一部分是非常必要的。设计师可借助麦克斯韦(Maxwell)方程的3D解法就能达到这一目的。麦克斯韦方程是对电磁相互作用的简明数学表达。但是,电磁兼容仿真是计算电磁学的其它领域中并不常见的难题。

典型的EMC问题与机壳有关,而机壳对EMC影响要比对EMC性能十分重要的插槽、孔和缆线等要大。精确建模要求模型包含大大小小的细节。这一要求导致很大的纵横比(最大特征尺寸与最小特征尺寸之比),从而又要求用精细栅格来解析最精细的细节。压缩模型技术可使您在仿真中包含大大小小的结构,而无需过多的仿真次数。

另一个难题是你必须在一个很宽的频率范围内完成EMC的特性化。在每一采样频率下计算电磁场所需的时间可能是令人望而却步的。诸如传输线方法(TLM)等的时域方法可在时域内采用宽带激励来计算电磁场,从而能在一个仿真过程中得出整个频段的数据。空间被划分为在正交传输线交点处建模的单元。电压脉冲是在每一单元被发射和散射。你可以每隔一定的时间,根据传输线上的电压和电流计算出电场和磁场。

EMC仿真可得出精确的结果。图1对装在一块底板上的三种模块配置(即1块、2块和3块模块)的辐射功率计算值(红色)与辐射功率实测结果(蓝色)进行了比较,(参考文献1)。辐射功率计算值以1nw 为基准,单位为dB 。你可以把多个模块配置的谐振峰值位置存在的小差异归因于在测量中难以将多个模块精确对准。值得注意的是,由于三种配置的输入功率都相同,所以辐射功率的谐振峰值和幅度的差异仅仅是由于系统布局不同引起的。

潜在应用领域

EMC仿真可用于检测元件和子系统,如散热器接地的辐射分布对频率特性影响,也可用于评价接地技术、散热器形状的影响及其它因数。此外,你还可比较不同通风口尺寸与形状以及金属厚度的屏蔽效果。在该领域的最新应用中,有一项研究工作是对采用大口径通风口进行送风并通过放置两块背靠背间隔很小的板来达到屏蔽效果这种方法进行评估。

EMC仿真也适用于系统级电磁兼容设计和优化,以便计算宽带屏蔽效果、宽带电磁辐射、3-D远场辐射图、用来模拟转台式测量情况的柱形近场电磁辐射以及用以实现可视化,有助于确定电磁兼容热点位置的电流和电磁场分布。典型的系统级EMC应用有:确保最大屏蔽效果的机壳设计,机壳内元件分布位置的EMC 效果评估,系统内外缆线耦合的计算以及缆线辐射效果的检测。EMC仿真还有助于发现有害电磁波在机壳和子系统中的机理,如空腔谐振,穿过孔、插槽、接缝和其他机座开口处的电磁辐射,通过缆线的传导辐射,与散热器、其他元件的耦合,以及光学元件、显示器、LED和其他安装在机座上的元件固有

的寄生波导。

接头类型对EMC的影响

你可以使用简单而快速建立的机壳模型来进行接缝配置方面的设计折衷。图2对对接接头产生的辐射与重叠机壳接缝产生的辐射作出评估。通过比较相对的屏蔽水平,工程师就可以根据机壳的EMC预算和实现特定设计配置的成本来做出决定。仿真过程中增加内部元件仅仅对仿真时间产生很小的影响,所以设计师可以方便地在引起插槽谐振间耦合、谐振腔模式以及与内部结构的交互作用的真实环境下对接缝屏蔽效果进行评估。插槽泄漏的设计规则不适用于以上几个因素,会导致成本高昂的过设计和欠设计。

EMC仿真的典型应用是评估通风板的屏蔽效果。现在虽然有防止EMC泄漏的通风板设计规则,但EMC 仿真能精确地预测比较特殊的结构,如具有大洞的背靠背通孔板、波导阵列等,并兼顾温度和成本约束条件。图3示出了具有圆孔或方孔的不同厚度通风板的屏蔽效果的计算结果。该图展示了这些通风板厚度(左)和孔形状(右)的屏蔽效果。

散热器辐射的评估

图4所示的EMC 仿真应用可确定一个散热器的电磁辐射。在这一简单模型中,一个就在该散热器下面的宽带信号源激励散热器,显示了散热器与其所连接的IC之间的电磁耦合作用。该图示出了三种配置的辐射功率谱。很明显,辐射电平与几何形状和频率有关。虽然较小的散热器接地可降低频段低频部分的辐射,但会使频段中频部分的辐射增大。

解决电缆耦合问题

图5示出了用EMC仿真用来测定系统级电缆耦合的情况。EMC 仿真工具的几何结构由一个19英寸机架内的三个网络集线器组成。一条四线带状电缆将上下两个集线器中的印制电路板与中间集线器连接起来。中心集线器含有该模型中的唯一EMC信号源。EMC仿真工具计算出由中间集线器耦合到上部集线器印制电路板连接线的电流大小。耦合电流在600MHz和800 MHz两个频率点显示出两个强谐振。解决这类问题的一种常用方法是在受到影响的电缆上增强滤波功能,然后再借助仿真测定此影响。下边的曲线表明,增加一个低通滤波器可减小谐振频率上耦合电流的幅度,但却不能将其消除。这是一种“应急的”方法,因为它没有从根本上解决问题。

EMC仿真可使电缆耦合应用的内在物理过程一目了然,找到问题的根源。在600MHz测定中央集线器内部的电场分布,便可确定电场热点,再由电场热点确定在电缆附近产生高电场的空腔谐振。用一块金属隔板把集成器隔离起来,就可有效抑制空腔谐振模式并消除耦合(图6)。

您可用EMC仿真来确定和解决因温升而修改设计所引起的问题。建立在企业存储系统的控制器节点(基本上是奔腾双处理器计算机)模型上的这一技术就是一个例子。在将这一设计制作成硬件之后,就用一些

热管代替原来标准的奔腾芯片散热器,这些热管的占用面积与散热器相同,但高度高一些,所用散热片是水平的,而不是垂直的。

一个宽带仿真工具可计算出系统的电磁辐射(图7)。在这一实例中,工程师之所以对由系统中一个120MHz振荡信号引起的辐射进行隔离感兴趣,乃是因为测量结果表明存在一个问题。因此,在计算宽带响应之后,工程师在后处理中使用间接激励来提取对所需源信号的响应,从而产生图中的离散谐波。这一辐射在120MHz振荡频率的主谐波频率上增加约40dB。很显然,这样一种不会产生有害的热设计修改却会对系统EMC顺应性产生如此大而吓人的影响。

发现问题根源后,您就可以探索经济实惠的解决方案。在本例中,将导热管顶部与机壳盖之间连接一根地线消除容性耦合路径,就是一种低成本的极好方法。具体的做法是,将一小块涂有导电胶的防电磁干扰垫片贴于热管顶部散热片上,这样与机壳顶盖接触就会挤压垫片,形成一根接地线。图8示出了电磁辐射图,其中包括热管接地后的结果。这种方法使得辐射与原来的情况实际上相同,从而在对辐射不产生负面影响的情况下改善了热性能。

在设计过程中尽早采用EMC仿真,可在制造原型前研究和预测关键的EMC现象,从而在满足EMC要求和提高屏蔽效果两方面优化电子产品设计。与先制造原型,再从EMC角度优化产品的做法相比,现代仿真工具可使设计师评估更多的设计,达到前所未有的水平。此外,值得注意的是,你不可以孤立地进行EMC 设计,因为由

磁场的屏蔽问题.

磁场的屏蔽问题,是一个既具有实际意义又具有理论意义的问题。根据条件的不同,电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况,这三种情况既具有质的区别,又具有内在的联系,不能混淆。静电屏蔽 在静电平衡状态下,不论是空心导体还是实心导体;不论导体本身带电多少,或者导体是否处于外电场中,必定为等势体,其内部场强为零,这是静电屏蔽的理论基础。 因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义,我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论。 (一)封闭导体壳内部电场不受壳外电荷或电场影响。 如壳内无带电体而壳外有电荷q,则静电感应使壳外壁带电(如图1)。静电平衡时壳内无电场。这不是说壳外电荷不在壳内产生电场,根 发电场。由于壳外壁感应出异号电荷,它们与q在壳内空间任一点激发的合场强为零。因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响。壳外壁的感应电荷起了自动调节作用。 如果把上述空腔导体外壳接地(图2),则外壳上感应正电荷将沿接地线流入地下。静电平衡后空腔导体与大地等势,空腔内场强仍然为零。 如果空腔内有电荷,则空腔导体仍与地等势,导体内无电场。这时因空腔内壁有异号感应电荷,因此空腔内有电场(图3)。此电场由壳内电荷产生,壳外电荷对壳内电场仍无影响。 由以上讨论可知,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷影响。 (二)接地封闭导体壳外部电场不受壳内电荷的影响。 如果壳内空腔有电荷q,因为静电感应,壳内壁带有等量异号电荷,壳外壁带有等量同号电荷,壳外空间有电场存在(图4),此电场可以说是由壳内电荷q间接产生。也可以说是由壳外感应电荷直接产生的 但如果将外壳接地,则壳外电荷将消失,壳内电荷q与内壁感应电荷在壳外产生电场为零(图5)。可见如果要使壳内电荷对壳外电场无影响,必须将外壳接地。这与第一种情况不同。 这里还须注意:①我们说接地将消除壳外电荷,但并不是说在任何情况壳外壁都一定不带电。假如壳外有带电体,则壳外壁仍可能带电,而不论壳内是否有电荷(图6)。 ②实际应用中金属外壳不必严格完全封闭,用金属网罩代替金属壳体也可达到类似的静电屏蔽效果,虽然这种屏蔽并不是完全、彻底的。 ③在静电平衡时,接地线中是无电荷流动的,但是如果被屏蔽的壳内的电荷随时间变化,或者是壳外附近带电体的电荷随时间而变化,就会使接地线中有电流。屏蔽罩也可能出现剩余电荷,这时屏蔽作用又将是不完全和不彻底的。 总之,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷与电场影响;接地封闭导体壳外电场不受壳内电荷的影响。这种现象,叫静电屏蔽。 静电屏蔽有两方面的意义,其一是实际意义:屏蔽使金属导体壳内的仪器或工作环境不受外部电场影响,也不对外部电场产生影响。有些电子器件或测量设备为了免除干扰,都要实行静电屏蔽,如室内高压设备罩上接地的金属罩或较密的金属网罩,电子管用金属管壳。又如作全波整流或桥式整流的电源变压器,在初级绕组和次级绕组之间包上金属薄片或绕上一层漆包线并使之接地,达到屏蔽作用。在高压带电作业中,

低频磁场屏蔽的原理及屏蔽物的结构要点

5.3.4 低频磁场屏蔽的原理及屏蔽物的结构要点 1.低频磁场屏蔽原理 减小低频磁场干扰的方法,除了合理地布置元器件、走线的相对位置和方位外,对于低频(如50 H2)交变磁场的干扰,可采用低频磁场屏蔽的方法来减小其影响,见图5—32 图5—32(a)中,T为电子元器件或电路,当不加屏蔽地放在磁场中时,将会受到低频磁场于扰,如电子束受力发生偏转,改变磁性材料的磁化性能等。图5—32(b)为用高磁导串材料做的一个屏蔽盒。斯麦迪电子磁力线通过时阻力很小,而空气的磁导率很低,磁力线通过时受到很大阻力。因此磁力线将绝大部分从屏蔽体上流过,只有很少量经过屏蔽体内的空气到达元器件了上。即磁力线主要经1—2—3—4线路流走,很少量经1—2’一3’一4流走,从而对T起到了保护作用。综上所述,低频磁场的屏蔽原理就是磁分路原理,即用高磁导率的材料做成屏蔽体,使磁力线分路而起到屏蔽效果。屏蔽体导磁率越南,屏蔽体的壁厚越厚,磁分路作用就越好,屏蔽效果也就越好。几种常用材料的相对导磁串见表5—9。相对导磁率是材料的导磁率与空气导磁串之比,空气的相对导磁串为l。从表5—9中可知:作为低频敬屏蔽物的材料应选钢铁、不锈钢或坡莫合金,而不应选铜或铝等电的良导体。 2.低频疆场屏蔽物的结构要点(1)减小蹬屏蔽盒在接口处的接继磁力线通过屏蔽罩的接口缝隙处时,将会受到很大的磁阻,使磁力线产生泄漏,因此在设计时缝隙处应有较大的重矗[见图5—33(a)中的A3,且应使配合紧密,尽量减小缝隙。还应注意统欧与磁力线的相对位置,不应使接缝切断磁力线而增加磁阻。图5—33(a)的安装是正确的,图5—33(b)的安装则不正确。

低频磁场

低频磁场 低频磁场很难屏蔽。磁力线可以穿透我们生活中常见的材料或物体(如木材、砖瓦、石块、水泥等材料或人体、墙壁、树木等物体),并基本上不因上述物体或材料的存在而产生畸变或消弱。 为了描述带电导线中的电流在周围空间中产生磁场的大小,物理上引入了磁场强度的概念,它是一个矢量,一般用符号H表示,其单位是安培/米(A/m)。而单位磁场强度在周围空间感应出磁通密度的大小(通常用磁感应强度B表示)是不同的,它取决于磁场闭合环路中各种介质的导磁能力。磁感应强度与磁场强度的关系为 B=μH=μrμ0H(3-1) 式中:μ被称为物质的磁导率;μ0被称为真空磁导率,其值为4π×10-7H/m;μr称为物质的相对磁导率。不同材料具有不同的磁导率。 根据磁导率的大小,一般可以把材料分为弱磁性材料和强磁性材料两大类。弱磁性材料包括顺磁性材料和抗磁性材料;强磁性材料常见的为铁磁材料、亚铁磁材料。 抗磁性材料在无外加磁场时对外不显磁性,在外加磁场的作用下会产生一个同外加磁场方向相反的磁场。抗磁性材料的μr略小于1,这类材料如汞、铜、硫、金、银、锌、铅等。顺磁性材料在无外加磁场时几乎不显磁性,在外加磁场的作用下材料内的原子运动会产生一个同外加磁场方向相同的磁场。顺磁性材料的μr略大于1,这类材料如锰、铬、铂、氮等。铁磁材料在外加磁场时,材料内的原子在被称为“交换耦合”的量子效应下,对外显现出非常强烈的磁性,铁磁材料主要是含铁、镍、钴和稀有金属钆、铽等的材料。亚铁磁性材料在外磁场作用下的磁性弱于铁磁性材料,但其导电性能较铁磁性材料强,亚铁磁性材料有铁氧体等。表3-9列出了一些材料的磁化特性。 表3-9 典型材料的磁性能

浅谈电磁场屏蔽

浅谈电磁场屏蔽 【摘要】阐述了三种电磁场屏蔽的屏蔽原理,在屏蔽材料的选取、屏蔽效果、应用范围等方面对三者进行了比较。 【关键词】电磁场屏蔽;屏蔽原理;屏蔽材料;屏蔽效果 0引言 随着电子技术的发展,越来越多的电子电气设备进入人们的生活,电磁污染日益严重。另一方面,由于电子电气设备小型化的要求,极易受外界电磁干扰而使其产生误动作,从而带来严重后果。因此人们越来越重视电子产品的电磁兼容性(EMC),电磁场的屏蔽就是电磁兼容技术的主要措施之一。 根据条件的不同,电磁场的屏蔽一般可以分为三类:静电屏蔽、静磁屏蔽和高频电磁场的屏蔽。三种屏蔽的共同点是防止外界的电磁场进入到某个需要保护的区域中去。但是由于所要屏蔽的场的特性不同,因而对屏蔽材料的要求也就不一样。 1静电屏蔽 静电屏蔽的目的是防止外界的静电场进入到某个区域。实际上对于变化很慢的交流电而言,它周围的电场几乎和静电场一样,只是电荷的分布周期性地变化而已。因此防止低频交流电的电场,也可以归结为静电屏蔽一类。静电屏蔽对导体壳的厚度和电导率无特别要求,但对于低频交流电场,屏蔽壳要选电导率高一点的材料。 图1空腔导体屏蔽外电场 静电屏蔽分为外屏蔽和全屏蔽。空腔导体内无电荷,在外电场中处于静电平衡时,其内部的场强总等于零(图1),因此外电场不可能对其内部空间发生任何影响。若空腔导体内有带电体,在静电平衡时,它的内表面将产生等量异号的感应电荷,外表面会产生等量同号的感应电荷(图2),此时感应电荷的电场将对外界产生影响。这时空腔导体只能屏蔽外电场,却不能屏蔽内部带电体对外界的影响,所以叫外屏蔽。如果外壳接地,即使内部有带电体存在,内表面感应的电荷与带电体所带的电荷的代数和为零,而外表面产生的感应电荷通过接地线流入大地(图3)。此时外界无法影响壳内空间,内部带电体对外界的影响也随之消除,所以这种屏蔽叫做全屏蔽。 实际使用中一般均采用接地的屏蔽方法,且金属外壳不必严格完全封闭,用金属网罩代替金属壳体也可达到类似的静电屏蔽效果。例如高压电力设备安装接地金属网,电子仪器的整体及某些部分使用接地金属外壳等。 2静磁屏蔽 图4 静磁屏蔽的目的是屏蔽外界静磁场和低频电流的磁场,这时必须用磁性介质作外壳。如图4,用磁导率为的铁磁材料制成屏蔽壳,壳与空腔则可看作两个并联的磁阻。由于,空腔磁阻远大于屏蔽壳磁阻,所以外界的磁感线绝大部分穿过屏蔽壳而不进入空腔。要想获得更好的屏蔽效果,可使用较厚的屏蔽壳或采用多重屏蔽壳。因此效果良好的铁磁屏蔽壳一般都比较笨重。在重量和体积受到限制的情况下,常常采用磁导率高达数万的坡莫合金来做屏蔽壳,壳的各个部分要尽量结合紧密,使磁路畅通。磁屏蔽不同于电屏蔽,壳体是否接地不会影响屏蔽效果,但是要求金属材料磁导率要高。

电磁屏蔽技术基础知识

Thalez Group 电磁屏蔽技术基础知识

目录 1.电磁屏蔽的目的 2.区分不同的电磁波 3.度量屏蔽性能的物理量——屏蔽效能 4.屏蔽材料的屏蔽效能估算 5.影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素 6.实用屏蔽体设计的关键 7.孔洞电磁泄漏的估算 8.减少缝隙电磁泄漏的措施 9.电磁密封衬垫的原理 10.电磁密封衬垫的选用 11.常用电磁密封衬垫的比较 12.电磁密封衬垫使用的注意事项 13.电磁密封衬垫的电化学腐蚀问题 14.与衬垫性能相关的其它环境问题 15.截止波导管的概念与应用 16.截止波导管的注意事项与设计步骤 17.面板上的显示器件的处理 18.面板上的操作器件的处理 19.通风口的处理 20.线路板的局部屏蔽 21.屏蔽胶带的作用和使用方法

电磁波是电磁能量传播的主要方式,高频电路工作时,会向外辐射电磁波,对邻近的其它设备产生干扰。另一方面,空间的各种电磁波也会感应到电路中,对电路造成干扰。电磁屏蔽的作用是切断电磁波的传播途径,从而消除干扰。在解决电磁干扰问题的诸多手段中,电磁屏蔽是最基本和有效的。用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作,因此不需要对电路做任何修改。 一.电磁屏蔽的目的 同一个屏蔽体对于不同性质的电磁波,其屏蔽性能不同。因此,在考虑电磁屏蔽性能时,要对电磁波的种类有基本认识。电磁波有很多分类的方法,但是在设计屏蔽时,将电磁波按照其波阻抗分为电场波、磁场波和平面波。 电磁波的波阻抗ZW 定义为: 电磁波中的电场分量E与磁场分量H的比值: ZW = E / H 电磁波的波阻抗与电磁波的辐射源性质、观测点到辐射源的距离以及电磁波所处的传播介质有关。 距离辐射源较近时,波阻抗取决于辐射源特性。若辐射源为大电流、低电压(辐射源的阻抗较低),则产生的电磁波的波阻抗小于377,称为磁场波。若辐射源为高电压、小电流(辐射源的阻抗较高),则产生的电磁波的波阻抗大于377,称为电场波。 距离辐射源较远时,波阻抗仅与电场波传播介质有关,其数值等于介质的特性阻抗,空气为377Ω。电场波的波阻抗随着传播距离的增加降低,磁场波的波阻抗随着传播距离的增加升高。 注意: 近场区和远场区的分界面随频率不同而不同,不是一个定数,这在分析问题时要注意。例如,在考虑机箱屏蔽时,机箱相对于线路板上的高速时钟信号而言,可能处于远场区,而对于开关电源较低的工作频率而言,可能处于近场区。在近场区设计屏蔽时,要分别电场屏蔽和磁场屏蔽。 二. 区分不同的电磁波

低频磁场的屏蔽解读

低频磁场的屏蔽 对于许多人而言,低频磁场干扰是一种最难对付的干扰,这种干扰是由直流电流或交流电流产生的。例如,由于炼钢的感应炉中有数万安培的电流,会在周围产生很强的磁场,这个强磁场会使控制系统中的磁敏感器件失灵,最常见的磁敏感设备是彩色CRT显示器。在磁场的作用下,显示器屏幕上的图象会发生抖动、图象颜色会失真,导致显示质量严重降低,甚至无法使用。低频磁场往往随距离的衰减很快,因此在很多场合,将磁敏感器件远离磁场源是一个减小磁场干扰的十分有效的措施。但当空间的限制而无法采取这个措施时,屏蔽是一个十分有效的措施。但要注意的是,低频磁场屏蔽与与射频屏蔽是完全不同的,射频屏蔽可以用铍铜复合材料、银、锡或铝等材料,但这些材料对磁场没有任何屏蔽作用。只有高导磁率的铁磁合金能屏蔽磁场。 1.基本原理 根据电磁屏蔽的基本原理,低频磁场由于其频率低,趋肤效应很小,吸收损耗很小,并且由于其波阻抗很低,反射损耗也很小,因此单纯靠吸收和反射很难获得需要的屏蔽效能。对这种低频磁场,要通过使用高导磁率材料提供磁旁路来实现屏蔽,如图1所示。由于屏蔽材料的导磁率很高,因此为磁场提供了一条磁阻很低的通路,因此空间的磁场会集中在屏蔽材料中,从而使敏感器件免受磁场干扰。 图1 高导磁率材料提供了磁旁路,起到屏蔽作用 从这个机理上看,显然屏蔽体分流的磁场分量越多,则屏蔽效能越高。根据这个原理,我们可以用电路的的计算方法来计算磁屏蔽效果。用两个并联的电阻

分别表示屏蔽材料的磁阻和空间的磁阻,用电路分析的方法来计算磁场的分流,由此可以计算屏蔽效果。 计算屏蔽效果 H i = H 0 Rs / ( Rs + R 0) 式中: H i = 屏蔽体内的磁场强度 H 0 = 屏蔽体外的磁场强度 Rs = 屏蔽体的磁阻 R 0 = 空气的磁阻 磁阻的计算公式 磁阻 = S / (μ A ) 式中: S = 磁路长度 μ = m 0 m r μ r = 屏蔽材料的相对磁导率 A = 磁通流过的面积 因此圆形管子的磁阻为 Rs = p b /( μ 0 μ r 2t L ) 为了简单,设截面为正方形, 管子内空气的磁阻为: 屏蔽效能为: R 0 = 2 b /( μ 0 2b L ) SE = H 0 / H i 对于高导磁率屏蔽材料,Rs < < R 0 ,因此,屏蔽效能为: SE = R 0 / Rs = 2 m r t / p b 从公式中可以看出,屏蔽材料的导磁率越高、越厚,则屏蔽效能越高。另外,b 越小,屏蔽效能越高,这意味着,屏蔽体距离所保护的空间越近,则效果越好。 2.基本概念 磁场强度 ( H ): 单位是奥斯特,与磁场源的强度和距离有关 磁通密度 ( B ): 单位是高斯,度量穿过每平方厘米的磁力线数量,与源的方向有关 磁导率 ( μ ): 表征材料为磁力线提供通路的能力, μ = B / H 饱和强度 : 在饱和强度下,材料不能再通过多余的磁力线 磁阻 ( R ): 表征材料对通过磁通的阻碍特性,定义为:R = L / μ A ,L 是磁通路径长度(cm ),A 截面面积(cm 2) 3.屏蔽材料

低频电磁波的屏蔽

低频电磁波的屏蔽一、前言 凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、几十米内有地下电缆的地方,甚至只有金属管道和金属梁架的地方,都可能有高达数十以至数百毫高斯的低频电磁干扰。低频电磁干扰的强度变化常常无规律可循,短时间内就会有相当大的上下波动;低频电磁干扰的来源往往难以确定,这样就更增加了屏蔽设计的难度。 二、低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较 1、低频电磁场 根据电磁波传输的基本原理,在频率很低的时候良导体中的电磁波只存在于导体表面有“趋肤效应”(波从表面进入导电媒质越深,场的幅度就越小,能量就变得越小,这一效应就是趋肤效应)。 高频电路中,传导电流集中到导线表面附近的现象也有这样的问题又称“集肤效应”。交变电流通过导体时,由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀,愈近导体表面电流密度越大。这种“趋肤效应”使导体的有效电阻增加。频率越高,趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时,可以认为电流只在导线表面上很薄的一层中流过,这等效于导线的截面减小,电阻增大。既然导线的中心部分几乎没有电流通过,就可以把这中心部分除去以节约材料。因此,在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外,为了削弱趋肤效应,在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线,这种多股线束称为辫线。在工业应用方面,利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。)、磁滞损耗(放在交变磁场中的铁磁体,因磁滞现象而产生一些功率损耗,从而使铁磁体发热,这种损耗叫磁滞损耗。铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。磁滞指铁磁材料的磁性状态变化时,磁化强度滞后于磁场强度,它的磁通密度B与磁场强度H之间呈现磁滞回线关系。经一次循环,每单位体积铁心中的磁滞损耗等于磁滞回线的面积。这部分能量转化为热能,使设备升温,效率降低,这在交流电机一类设备中是不希望的。软磁材料的磁滞回线狭窄,其磁滞损耗相对较小。硅钢片因此而广泛应用于电机、变压器、继电器等设备中。)以及反射损耗(反射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量,他随着波阻和屏蔽阻抗的比率而变化)都很小,低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量(电磁屏蔽的

磁屏蔽解决方法

磁屏蔽解决方法 GMR传感器作为一种灵敏度非常高的磁性传感器,可以预见未来的广泛应用。但用户极其关心的一个问题是抗磁干扰问题。为解决此问题有多种方案,但最主要的是磁屏蔽,以下是关于磁屏蔽的相关论述。(资料主要来源:The MuShield Company,Inc. 仅供参考,不负相关责任。) 如果你要设计自己的磁屏蔽系统,你会发现以下的信息是很有用的。 磁屏蔽目的:通常是保护电子线路免于受到诸如永磁体、变压器、电机、线圈、电缆等产生磁场的干扰,当然屏蔽强的磁干扰源使它免于干扰附近的元器件功能也是一个重要的应用目的。 磁屏蔽材料参数及材料划分:磁屏蔽体由磁性材料制成,衡量材料导磁能力的参数是磁导率,通常以数字来表示相对大小。真空磁导率为1,屏蔽材料的磁导率从200到350000;磁屏蔽材料的另一个重要参数是饱和磁化强度。磁屏蔽材料一般分为三类,即高导磁材料、中导磁材料和高饱和材料。 高饱和磁导率材料的磁导率在80000-350000之间,经热处理后其饱和场可达7500Gs;中磁导率材料通常和高导材料一起使用,其磁导率值从 12500-150000,饱和场15500Gs;高饱和场的磁导率值为200-50000,饱和场可达18000-21000Gs。 以下是一些常用量的定义:

Gs:磁通密度的单位,相当于每平方厘米面积上有一条磁力线通过。 磁通量:由磁场产生的所有磁力线的总和。 饱和磁场:即材料磁感应强度渐趋于一恒定值时对应的磁场。 B:屏蔽体中的磁通密度,单位Gs。 d:屏蔽体直径(注:当屏蔽体为矩形时指最长边的尺寸)。 Ho:外场强度,单位Oe。 μ:材料磁导率。 A:衰减量(相对值)。 t:屏蔽体厚度。 磁场强度:屏蔽体中磁场强度估算用下面公式: B=2.5dHo/2t(Gs) 如用厚度为0.060″的材料制成直径为1.5″的屏蔽体,在80Gs的磁场中其内部磁场为2500Gs。 屏蔽体厚度:用以下公式估算: t=Ad/μ(英寸) 如用磁导率为80000的材料制成直径为1.5″的屏蔽体,当要求实现1000/1

低频电磁波的屏蔽

低频电磁波的屏蔽 一、前言 凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、几十米内有地下电缆的地方,甚至只有金属管道和金属梁架的地方,都可能有高达数十以至数百毫高斯的低频电磁干扰。低频电磁干扰的强度变化常常无规律可循,短时间内就会有相当大的上下波动;低频电磁干扰的来源往往难以确定,这样就更增加了屏蔽设计的难度。 二、低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较 1、低频电磁场 根据电磁波传输的基本原理,在频率很低的时候良导体中的电磁波只存在于导体表面有“趋肤效应”(波从表面进入导电媒质越深,场的幅度就越小,能量就变得越小,这一效应就是趋肤效应)。 高频电路中,传导电流集中到导线表面附近的现象也有这样的问题又称“集肤效应”。交变电流通过导体时,由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀,愈近导体表面电流密度越大。这种“趋肤效应”使导体的有效电阻

增加。频率越高,趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时,可以认为电流只在导线表面上很薄的一层中流过,这等效于导线的截面减小,电阻增大。既然导线的中心部分几乎没有电流通过,就可以把这中心部分除去以节约材料。因此,在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外,为了削弱趋肤效应,在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线,这种多股线束称为辫线。在工业应用方面,利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。)、磁滞损耗(放在交变磁场中的铁磁体,因磁滞现象而产生一些功率损耗,从而使铁磁体发热,这种损耗叫磁滞损耗。铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。磁滞指铁磁材料的磁性状态变化时,磁化强度滞后于磁场强度,它的磁通密度B与磁场强度H之间呈现磁滞回线关系。经一次循环,每单位体积铁心中的磁滞损耗等于磁滞回线的面积。这部分能量转化为热能,使设备升温,效率降低,这在交流电机一类设备中是不希望的。软磁材料的磁滞回线狭窄,其磁滞损耗相对较小。硅钢片因此而广泛应用于电机、变压器、继电器等设备中。)以及反射损耗(反射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量,他随着波阻和屏蔽阻抗的比率而变化)都很小,低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量(电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场,即同时屏蔽场源所产生的电场和磁场分量。由于随着频率的增高,波长变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相当,从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素;用钢制机柜进行屏蔽时,由于能为所有连接面提供一条由一个面至另一个面的高导电路径,所以电流仍保持在机箱外侧。这种导电路径是用特殊的衬垫和在连接表面进行导电涂敷而建立的,导电路径的任何中断都将使屏蔽效能降低,它取决于缝隙或孔洞尺寸与信号波长之间的关系。对于较低频率或较长波长来说,如果只有一个小孔则不会明显降低屏蔽效能;对于高频或较短波长来说,屏蔽效能的下降将是很剧烈的。 例如,屏蔽体上如果有一个直径为15mm的孔洞,对于10MHz信号(波长为30m)来说,将仍然能提供60dB屏蔽效能,但对于1GHz信号(波长为30mm)来说,若要保持同样的屏蔽效能,则孔径不能超过0.15mm。直径为15mm的孔对于1GHz信号只能提供20dB衰减。

磁屏蔽解决方法

磁屏蔽解决方法GMR传感器作为一种灵敏度非常高的磁性传感器,可以预见未来的广泛应用。但用户极其关心的一个问题是 抗磁干扰问题。为解决此问题有多种方案,但最主要的是磁屏蔽,以下是关于磁屏蔽的相关论述。(资料主要来源:)仅供参考,不负相关责任。The MuShield Company,Inc. 如果你要设计自己的磁屏蔽系统,你会发现以下的信息是很有用的。 磁屏蔽目的:通常是保护电子线路免于受到诸如永磁体、变压器、电机、线圈、电缆等产生磁场的 干扰,当然屏蔽强的磁干扰源使它免于干扰附近的元器件功能也是一个重要的应用目的。 磁屏蔽材料参数及材料划分:磁屏蔽体由磁性材料制成,衡量材料导磁能力的参数是磁导率,通常 以数字来表示相对大小。真空磁导率为1,屏蔽材料的磁导率从200到350000;磁屏蔽材料的另一个重要 参数是饱和磁化强度。磁屏蔽材料一般分为三类,即高导磁材料、中导磁材料和高饱和材料。 高饱和磁导率材料的磁导率在80000-350000之间,经热处理后其饱和场可达7500Gs;中磁导率材料通常和高导材料一起使用,其磁导率值从12500-150000,饱和场15500Gs;高饱和场的磁导率值为200-50000,饱和 18000-21000Gs。场可达以下是一些常用量的定义::磁通密度的单位,相当于每平方厘米面积上有一条磁力线通过。Gs磁通量:由磁场产生的所有磁力线的总和。饱和磁场:即材料磁感应强度渐趋于一恒定值时对应的磁场。。:屏蔽体中的磁通密度,单位GsB。:屏蔽体直径(注:当屏蔽体为矩形时指最长边的尺寸)d。OeHo:外场强度,单位μ:材料磁导率。. 。A:衰减量(相对值):屏蔽体厚度。t磁场强度:屏蔽体中磁场强度估算用下面公式:Gs)B=2.5dHo/2t (。2500Gs″的屏蔽体,在80Gs的磁场中其内部磁场为1.5如用厚度为0.060″的材料制成直径为屏蔽体厚度:用以下公式估算: μ(英寸)t=Ad/的衰减量时,屏蔽体的厚度为″的屏蔽体,当要求实现1000/180000如用磁导率为的材料制成直径为1.5″×1.5/80000=0.019t=1000厚度设计还应综合考虑性价比的因素,一般屏蔽材料 的磁导率应不低于80000,否则就要增加厚度以达到同样的屏蔽效果,则会导致费用的增加。当场强很强时,厚度的选取应使材料工作于磁导率最大的场强下。如当材料的磁导率在场强为2300-2500Gs时磁导率最大,则所需厚度为t=1.25dHo/B(英寸)″。0.060″的屏蔽体置于80Gs的磁场中,所需的厚度是如直径1.5″,长度6磁场衰减率:用下式估算:t/d μA=。时,其衰减率为14000用此式对上面的数据计算可得到,当材料磁导率为350000磁通密度:被屏蔽空间内磁通密度为)GsB=Ho/A (0.0057Gs。同样利用以上数据,则被屏蔽空间的磁场为更多的设计要点:开始设计前要正确估算 干扰场的大小和频率,其次,正确评价能承受的干扰场的大小。*″的间隙。1/2用以屏蔽很强的磁场时,可采用多层屏蔽的结构。如果可能,两层屏蔽体间保留* *在屏蔽如真空泵产生的强磁场时,要采用多层屏蔽结构。其中内层用低磁导率材料,中间层用中磁导率材料,外层用高磁导率材料。*用单层结构屏蔽如CRTs等及其敏感的设备时,应在离设备5″处形成一个完 整的屏蔽体;当型号很大时,只需对关键部分如磁轭等部位进行屏蔽即可。*对于极低场的要求,通常采用3层屏蔽的方式,其中外层屏蔽用高磁导率材料,在内外屏蔽层间是Cu层。层还可以屏蔽静磁场的干扰。层上通以强的交流电流可对内屏蔽层消磁,同时CuCu在*对于磁屏蔽结构,在材料厚度允许的时候可采用搭接点焊,交接尺寸至少3/8″。在直径发生变化或结构拐角的地方,应采用氦弧焊。使用片状材料的要点:在屏蔽小元件时,刚性结构加工应用都不方便,这时片状材料是一个很好的选择,但要注 意以下事项:*为减少磁散射发生,结构中应避免出现尖锐的拐角;如果结构上需要开孔或缝,则应力求 其边角采用圆弧形式。*当屏蔽圆柱形物体时,每一层的搭接尺寸不少于3/4″,而且第一层的接口位于180°的位置,则下一层的°的位置,如此等等。90°的位置,再下一层又位于180接口位于倍于薄片厚度的空间。3-4*为了提高屏蔽效果,每两层屏蔽间保留*因为薄片材料具有极高的磁导率,因此使用中应

低频磁场屏蔽基础解读

低频磁场屏蔽基础 基本原理 当磁场的频率很低(工频或100KHz以下)时,传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响,如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的,当有外界磁场干扰时,电子束的偏转会发生变化,使图像失真。 低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路,使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中,从而起到屏蔽的作用。 设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能,又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时,一层屏蔽可能满足不了要求,这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低,不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度,然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。 完全的封闭体能够提供最理想的磁屏蔽效果。但在实践中,不封闭的结构,如五面体或更少面的结构,甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时,应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关,因此除了选用合适的材料以外,尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。 磁屏蔽材料特性 CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有极高的导磁率,可以有效衰减低频磁场干扰,达到极高磁场屏蔽,NETIC材料有极好的抗磁饱和能力,能在强磁场产生一定衰减。

●Stress Annealed(压力退火处理)的材料在加工完毕后,为了获得最佳的屏蔽效能,要再进行退火处理。 ●Perfection Annealed(完全退火处理)的材料只要在加工过程中没有激烈的成型和拉伸,加工完毕后不需要再退火。 ●尺寸:压力退火处理的材料:1524mm,762mm,381mm。 完全退火处理的材料:737mm,356mm。 产品规格 板材 CO-NETIC AA 合金 CO-NETIC AA 合金 完全退火处理(Perfection Annealed Sheet)* CO-NETIC B 合金 压力退火处理板(Stress Annealed Sheet)*

电磁屏蔽技术和电磁场屏蔽分析

电磁屏蔽技术和电磁场屏蔽分析-电场屏蔽-磁场屏蔽 电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重要手段之一.大部分电磁兼容问题都可以通过电磁屏蔽来解决.用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作,因此不需要对电路做任何修改. 1 选择屏蔽材料 屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量.屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强E1与有屏蔽时该位置的场强E2的比值,它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度.用于电磁兼容目的的屏蔽体通常能将电磁波的强 度衰减到原来的百分之一至百万分之一,因此通常用分贝来表述屏蔽效能,这时屏蔽效能的定义公式为: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB) 用这个定义式只能测试屏蔽材料的屏蔽效能,而无法确定应该使用什么材料做屏蔽体.要确定使用什么材料制造屏蔽体,需要知道材料的屏蔽效能与材料的什么特性参数有关.工程中实用的表征材料屏蔽效能的公式为: SE = A + R (dB) 式中的A称为屏蔽材料的吸收损耗,是电磁波在屏蔽材料中传播时发生的,计算公式为: A=3.34t(fμrσr) (dB) t = 材料的厚度,μr = 材料的磁导率,σr = 材料的电导率,对于特定的材料,这些都是已知的.f = 被屏蔽电磁波的频率. 式中的R称为屏蔽材料的反射损耗,是当电磁波入射到不同媒质的分界面时发生的,计算公式为: R=20lg(ZW/ZS) (dB) 式中,Zw=电磁波的波阻抗,Zs=屏蔽材料的特性阻抗. 电磁波的波阻抗定义为电场分量与磁场分量的比值:Zw = E / H.在距离辐射源较近(<λ/2π,称为近场区)时,波阻抗的值取决于辐射源的性质、观测点到源的距离、介质特性等.若辐射源为大电流、低电压(辐射源电路的阻抗较低),则产生的电磁波的波阻抗小于377,称为低阻抗波,或磁场波.若辐射源为高电压,小 电流(辐射源电路的阻抗较高),则波阻抗大于377,称为高阻抗波或电场波.关于近场区内波阻抗的具体计算公式本文不予论述,以免冲淡主题,感兴趣的读者可以参考有关电磁场方面的参考书.当距离辐射源较远 (>λ/2π,称为远场区)时,波波阻抗仅与电场波传播介质有关,其数值等于介质的特性阻抗,空气为377Ω. 屏蔽材料的阻抗计算方法为: |Z S|=3.68×10-7(fμr/σr) (Ω)

浅谈电磁场屏蔽

龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/112384933.html, 浅谈电磁场屏蔽 作者:窦超 来源:《科技视界》2012年第15期 【摘要】阐述了三种电磁场屏蔽的屏蔽原理,在屏蔽材料的选取、屏蔽效果、应用范围等方面对三者进行了比较。 【关键词】电磁场屏蔽;屏蔽原理;屏蔽材料;屏蔽效果 0引言 随着电子技术的发展,越来越多的电子电气设备进入人们的生活,电磁污染日益严重。另一方面,由于电子电气设备小型化的要求,极易受外界电磁干扰而使其产生误动作,从而带来严重后果。因此人们越来越重视电子产品的电磁兼容性(EMC),电磁场的屏蔽就是电磁兼 容技术的主要措施之一。 根据条件的不同,电磁场的屏蔽一般可以分为三类:静电屏蔽、静磁屏蔽和高频电磁场的屏蔽。三种屏蔽的共同点是防止外界的电磁场进入到某个需要保护的区域中去。但是由于所要屏蔽的场的特性不同,因而对屏蔽材料的要求也就不一样。 1静电屏蔽 静电屏蔽的目的是防止外界的静电场进入到某个区域。实际上对于变化很慢的交流电而言,它周围的电场几乎和静电场一样,只是电荷的分布周期性地变化而已。因此防止低频交流电的电场,也可以归结为静电屏蔽一类。静电屏蔽对导体壳的厚度和电导率无特别要求,但对于低频交流电场,屏蔽壳要选电导率高一点的材料。 图1空腔导体屏蔽外电场 静电屏蔽分为外屏蔽和全屏蔽。空腔导体内无电荷,在外电场中处于静电平衡时,其内部的场强总等于零(图1),因此外电场不可能对其内部空间发生任何影响。若空腔导体内有带电体,在静电平衡时,它的内表面将产生等量异号的感应电荷,外表面会产生等量同号的感应电荷(图2),此时感应电荷的电场将对外界产生影响。这时空腔导体只能屏蔽外电场,却不能屏蔽内部带电体对外界的影响,所以叫外屏蔽。如果外壳接地,即使内部有带电体存在,内表面感应的电荷与带电体所带的电荷的代数和为零,而外表面产生的感应电荷通过接地线流入大地(图3)。此时外界无法影响壳内空间,内部带电体对外界的影响也随之消除,所以这种屏蔽叫做全屏蔽。

屏蔽理论

屏蔽技术 1 概述 电磁兼容设计应达到两个目的:一是通过优化电路和结构方案的设计,将干扰源本身产生的电磁噪声减低到能接受的水平;一是通过各种干扰抑制技术,将干扰源与被干扰电路之间的耦合减弱到能接受的程度。屏蔽技术是达到上述目的的最重要的手段之一。 按要屏蔽的电磁场性质分类,屏蔽技术通常分为三大类:电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。电场屏蔽一般针对静电场和低频交变电场的屏蔽,磁场屏蔽主要针对直流磁场屏蔽和低频交流磁场屏蔽,电磁场屏蔽主要针对同时存在电磁及磁场的高频辐射电磁场的屏蔽。 按屏蔽体的结构分类,可以分为完整屏蔽体屏蔽(屏蔽室或屏蔽盒等)、非完整屏蔽体屏蔽(带有孔洞、金属网、波导管及蜂窝结构等)以及编织带屏蔽(屏蔽线、电缆等)。 2 屏蔽的基本原理 2.1 电场屏蔽 我们知道,当一个带有正电或负电的物体靠近一个导体时,就会在该导体上产生感应电荷,当电荷平衡时,靠近物体的一边产生和该物体极性相反的等量电荷,另外一边产生和该物体极性相同的等量电荷,这个就是静电感应现象。倘若感应的电场很强,且物体距离很近,就会发生静电放电。静电放电是有危害的,比如人体接触一块电路板或电子装置的某个部位时,就可能造成静电放电,尽管放电电流我们可能感觉不到,但一些器件或许就会因为这次放电而损坏。 表2-1 常见半导体器件的静电放电易损电压参考值 是否处于外电场中,必定为等势体,其内部场强为零,这是静电屏蔽的理论基础。因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义,我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论。 若壳内无带电体而壳外有电荷q,则静电感应使壳外壁带电,静电平衡时壳内无电场。这并不是说壳外电荷不在壳内激发电场。由于壳外壁感应出异号电荷,它们与q在壳内空间任一点激发的合场强为零,因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响。壳外壁

电磁屏蔽基本原理介绍要点

在电子设备及电子产品中,电磁干扰(Electromagnetic Interference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求,对传导性耦合需采用滤波技术,即采用EMI滤波器件加以抑制;对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下,其重要性就显得更为突出。 屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体,将电磁波局限于某一区域内的一种方法。由于辐射源分为近区的电场源、磁场源和远区的平面波,因此屏蔽体的屏蔽性能依据辐射源的不同,在材料选择、结构形状和对孔缝泄漏控制等方面都有所不同。在设计中要达到所需的屏蔽性能,则需首先确定辐射源,明确频率范围,再根据各个频段的典型泄漏结构,确定控制要素,进而选择恰当的屏蔽材料,设计屏蔽壳体。 屏蔽体对辐射干扰的抑制能力用屏蔽效能SE(Shielding Effectiveness)来衡量,屏蔽效 能的定义:没有屏蔽体时,从辐射干扰源传输到空间某一点(P)的场强1(1)和加入屏 蔽体后,辐射干扰源传输到空间同一点(P)的场强2(2)之比,用dB(分贝)表示。 图1 屏蔽效能定义示意图 屏蔽效能表达式为(dB) 或(dB)

工程中,实际的辐射干扰源大致分为两类:类似于对称振子天线的非闭合载流导线辐射源和类似于变压器绕组的闭合载流导线辐射源。由于电偶极子和磁偶极子是上述两类源的最基本形式,实际的辐射源在空间某点产生的场,均可由若干个基本源的场叠加而成(图2)。因此通过对电偶极子和磁偶极子所产生的场进行分析,就可得出实际辐射源的远近场及波阻抗和远、近场的场特性,从而为屏蔽分类提供良好的理论依据。 图2 两类基本源在空间所产生的叠加场 远近场的划分是根据两类基本源的场随1/r(场点至源点的距离)的变化而确定的, 为远近场的分界点,两类源在远近场的场特征及传播特性均有所不同。 表1 两类源的场与传播特性 波阻抗为空间某点电场强度与磁场强度之比,场源不同、远近场不同,则波阻抗 也有所不同,表2与图3分别用图表给出了的波阻抗特性。

关于电磁场的屏蔽问题,如何屏蔽

关于电磁场的屏蔽问题,如何屏蔽 电磁场的屏蔽问题,是一个既具有实际意义又具有理论意义的问题。根据条件的不同,电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况,这三种情况既具有质的区别,又具有内在的联系,不能混淆。 静电屏蔽在静电平衡状态下,不论是空心导体还是实心导体;不论导体本身带电多少,或者导体是否处于外电场中,必定为等势体,其内部场强为零,这是静电屏蔽的理论基础。因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义,我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论。 (一)封闭导体壳内部电场不受壳外电荷或电场影响。 如壳内无带电体而壳外有电荷q,则静电感应使壳外壁带电(如图1)。静电平衡时壳内无电场。这不是说壳外电荷不在壳内产生电场,根据场强迭加原理,任何点电荷都要按点电荷场强公式E=(Q/r2)r0在空间任何点激发电场。由于壳外壁感应出异号电荷,它们与q 在壳内空间任一点激发的合场强为零。因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响。壳外壁的感应电荷起了自动调节作用。 如果把上述空腔导体外壳接地(图2),则外壳上感应正电荷将沿接地线流入地下。静电平衡后空腔导体与大地等势,空腔内场强仍然为零。 如果空腔内有电荷,则空腔导体仍与地等势,导体内无电场。这时因空腔内壁有异号感应电荷,因此空腔内有电场(图3)。此电场由壳内电荷产生,壳外电荷对壳内电场仍无影响。由以上讨论可知,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷影响。 (二)接地封闭导体壳外部电场不受壳内电荷的影响。 如果壳内空腔有电荷q,因为静电感应,壳内壁带有等量异号电荷,壳外壁带有等量同号电荷,壳外空间有电场存在(图4),此电场可以说是由壳内电荷q间接产生。也可以说是由壳外感应电荷直接产生的。 但如果将外壳接地,则壳外电荷将消失,壳内电荷q与内壁感应电荷在壳外产生电场为零(图5)。可见如果要使壳内电荷对壳外电场无影响,必须将外壳接地。这与第一种情况不

如何屏蔽磁场

如何屏蔽磁场 磁场的屏蔽问题,是一个既具有实际意义又具有理论意义的问题.根据条件的不同,电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况,这三种情况既具有质的区别,又具有内在的联系,不能混淆. 静电屏蔽 在静电平衡状态下,不论是空心导体还是实心导体;不论导体本身带电多少,或者导体是否处于外电场中,必定为等势体,其内部场强为零,这是静电屏蔽的理论基础.因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义,我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论. (一)封闭导体壳内部电场不受壳外电荷或电场影响. 如壳内无带电体而壳外有电荷q,则静电感应使壳外壁带电.静电平衡时壳内无电场.这不是说壳外电荷不在壳内产生电场,根发电场.由于壳外壁感应出异号电荷,它们与q在壳内空间任一点激发的合场强为零.因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响.壳外壁的感应电荷起了自动调节作用.如果把上述空腔导体外壳接地,则外壳上感应正电荷将沿接地线流入地下.静电平衡后空腔导体与大地等势,空腔内场强仍然为零.如果空腔内有电荷,则空腔导体仍与地等势,导体内无电场.这时因空腔内壁有异号感应电荷,因此空腔内有电场.此电场由壳内电荷产生,壳外电荷对壳内电场仍无影响. 由以上讨论可知,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷影响. (二)接地封闭导体壳外部电场不受壳内电荷的影响. 如果壳内空腔有电荷q,因为静电感应,壳内壁带有等量异号电荷,壳外壁带有等量同号电荷,壳外空间有电场存在,此电场可以说是由壳内电荷q间接产生.也可以说是由壳外感应电荷直接产生的.但如果将外壳接地,则壳外电荷将消失,壳内电荷q与内壁感应电荷在壳外产生电场为零.可见如果要使壳内电荷对壳外电场无影响,必须将外壳接地.这与第一种情况不同. 这里还须注意: ①我们说接地将消除壳外电荷,但并不是说在任何情况壳外壁都一定不带电.假如壳外有带电体,则壳外壁仍可能带电,而不论壳内是否有电荷. ②实际应用中金属外壳不必严格完全封闭,用金属网罩代替金属壳体也可达到类似的静电屏蔽效果,虽然这种屏蔽并不是完全、彻底的. ③在静电平衡时,接地线中是无电荷流动的,但是如果被屏蔽的壳内的电荷随时间变化,或者是壳外附近带电体的电荷随时间而变化,就会使接地线中有电流.屏蔽罩也可能出现剩余电荷,这时屏蔽作用又将是不完全和不彻底的. 总之,封闭导体壳不论接地与否,内部电场不受壳外电荷与电场影响;接地封闭导体壳外电场

电磁屏蔽专业技术

电磁屏蔽技术

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电磁干扰及其屏蔽 1、屏蔽的基本概念 屏蔽就是用导电或导磁材料制成的盒、壳、板、栅等结构形式, 将电磁千扰场限制在一定的空间范围内, 使干扰场经过屏蔽体时受到很大衰减,从而抑制电磁干扰源对相关设备或空间的干扰。屏蔽是抑制电磁干扰源的有力措施之一。从屏蔽的侧重范围可大体分为电屏蔽、磁屏蔽和电磁场屏蔽三种: (1)电屏蔽, 即对静电或电场的屏蔽, 防止或抑制寄生电容祸合, 隔离静电或电场干扰。(2)磁屏蔽, 即磁场屏蔽。用于防止磁感应,抑制寄生电感藕合, 隔离磁场干扰。 (3)电磁场屏蔽, 用于防止和抑制高频电磁场电磁波的屏蔽。 (4)屏蔽效能, 即屏蔽前后空间某点的电磁场强度之比, 常用分贝数表示。 2、电场屏蔽 2.1静电屏蔽 静电干扰分为静电场感应作用和静磁场藕合作用。当某电子元器件或电路上具有电荷时, 在其空间就会产生电场当这些电荷流动时, 在其周围空间还同时产生磁场。这种电场和磁场作用到其周围邻近的电路或元件时就将产生感应电流和电压, 这些感应电流和电压又反过来影响原来电路或元件中的电流或电压。在用电设备中通过电场和磁场产生的寄生感应干扰, 统称为静电干扰。 静电干扰可通过静电屏蔽来抑制。设导体A带有正电荷, 则其邻近导体B将由于静电感应而带负电荷, 如图1(a)。 如图1(b), 如果将导体A屏蔽, 屏蔽体外侧将感应出与A等量的正电荷, 导体A不直接影响导体B, 但导体B同样因屏蔽体的电场感应而带负电, 导体B如何才能避免导体A的静电干扰呢? 如图(C), 将屏蔽体接地, 消除屏蔽体的外电场,导体B才能免受导体A的静电干扰。可见, 将屏蔽体良好接地是防止静电干扰的关键, 接地电阻愈低愈好。 2.2 近场电屏蔽 近场电屏蔽的一种方法就是在感应源与受感器之间加一接地良好的金属板, 把感应源的寄生电容短接到地, 通过抑制寄生电容祸合, 达到电场屏蔽的目的。

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