电子封装材料
几种主要的封装材料的特性
几种主要的封装材料的特性封装材料是应用于电子元器件封装中的材料，它们具有多种不同的特性。
下面将介绍几种主要的封装材料及其特性。
1.硅胶封装材料：硅胶是最常用的封装材料之一，具有以下特性：-良好的耐热性：硅胶具有较高的耐高温性能，可以在高温环境下保持良好的性能。
-优良的绝缘性能：硅胶具有良好的绝缘性能，可以有效地阻止电流泄漏，提高电子元器件的安全性。
-高效的防护能力：硅胶具有优异的防潮、防尘和耐化学品腐蚀的能力，可以有效保护封装的电子元器件免受外界环境的损害。
2.光敏胶封装材料：光敏胶是一种特殊的封装材料，其特性包括：-高分辨率：光敏胶具有高分辨率的特性，可以实现精细图案的刻蚀和印刷。
-快速固化：光敏胶可以通过紫外线照射来固化，并且固化速度很快，可以提高生产效率。
-良好的粘附性：光敏胶具有良好的粘附性能，可以牢固地粘合封装的电子元器件，提高其机械强度和稳定性。
3.导电胶封装材料：导电胶是一种具有导电性能的封装材料，其特性包括：-优良的导电性能：导电胶具有良好的导电性能，可以有效地传导电流，保证电子元器件的正常工作。
-良好的粘附性：导电胶具有良好的粘附性能，可以牢固地粘合封装的电子元器件，提高其机械强度和稳定性。
-低电阻率：导电胶的电阻率非常低，可以有效地降低电子元器件的电阻，提高其性能。
4.纳米粒子封装材料：纳米粒子封装材料是近年来发展起来的一种新型封装材料-高强度：纳米粒子封装材料具有较高的机械强度，可以有效地保护封装的电子元器件免受外部冲击和挤压的影响。
-优异的导热性：纳米粒子封装材料具有很高的导热性能，可以有效地散热，提高封装的电子元器件的散热效果。
-良好的稳定性：纳米粒子封装材料具有良好的化学稳定性和耐高温性能，可以在极端环境下保持良好的性能。
总之，不同的封装材料具有不同的特性，可以根据具体的应用需求选择合适的材料来封装电子元器件。
高分子材料在电子行业中的应用
高分子材料在电子行业中的应用在现代社会中，电子产品已经成为人们生活中不可或缺的一部分，而作为电子产品的重要组成部分之一的高分子材料，也在不断地得到应用和发展。
高分子材料因其良好的可塑性、抗氧化性、耐高温性、机械强度高等特性，成为电子行业中非常重要的材料之一。
本文将探讨高分子材料在电子行业中的应用。
一、电子封装材料电子产品中的芯片、电容、电感等元器件需要被封装起来，以保证其安全性和稳定性。
而高分子材料因其可塑性，电绝缘性和耐高温性，在电子封装材料中得到了广泛应用。
目前，市场上常见的高分子封装材料有环氧树脂、热塑性塑料、硅酮等。
其中，环氧树脂是目前最常用的电子封装材料之一。
因为它具有优异的机械性能、耐热性、电气性能和耐化学性等特点，适用于封装各类半导体器件。
二、屏幕背板材料高分子材料在屏幕背板材料领域的应用也是非常广泛的。
屏幕背板的主要作用是保护屏幕，并且需要具有较高的强度和稳定性。
目前市场上常用的材料有玻璃、陶瓷和高分子材料等。
而高分子材料因其轻质、防护性好、可塑性强等特点，成为屏幕背板材料的重要选择。
例如，新型的高分子背板材料可以轻松曲面制造，方便开发柔性折叠屏，大大拓宽了屏幕尺寸和展示形式的创新空间。
三、电子器件密封材料电子设备在使用中需要防水、防尘，而高分子材料同样可以满足这一需求。
高分子材料的化学稳定性和机械性能使其成为电子器件密封材料的首选。
例如，氟橡胶就是一种常用的电子器件密封材料。
它因具备良好的耐老化性和耐油性、抗高温性能和无毒等特点而广泛应用。
同时，高分子材料还可以用于制备防雷耐静电材料，用于电磁干扰的屏蔽材料等。
四、电子电路板材料电子电路板广泛应用于电脑、手机等电子产品中，也是高分子材料在电子行业中的重要应用领域之一。
高分子材料可以制成各类通性、绝缘性能好的印制电路板，可以满足市场上对于从超高频到高速低噪音电子应用方面的各种需求。
除此之外，高分子材料的多样性和可塑性还使它成为隔热材料和聚合物电解质的重要组分。
电子封装材料
高硅铝电子封装材料及课堂报告总结摘要关键词AbstractKeyword目录第一章高硅铝电子封装材料1.1应用背景由于集成电路的集成度迅猛增加，导致了芯片发热量急剧上升，使得芯片寿命下降。
温度每升高10℃,GaAs或Si微波电路寿命就缩短为原来的3倍[1,2]。
这都是由于在微电子集成电路以及大功率整流器件中，材料之间热膨胀系数的不匹配而引起的热应力以及散热性能不佳而导致的热疲劳所引起的失效，解决该问题的重要手段即是进行合理的封装。
所谓封装是指支撑和保护半导体芯片和电子电路的基片、底板、外壳,同时还起着辅助散失电路工作中产生的热量的作用[1]。
用于封装的材料称为电子封装材料，作为理想的电子封装材料必须满足以下几个基本要求[3]:①低的热膨胀系数,能与Si、GaAs芯片相匹配,以免工作时,两者热膨胀系数差异热应力而使芯片受损；②导热性能好,能及时将半导体工作产生的大量热量散发出去,保护芯片不因温度过高而失效；③气密性好,能抵御高温、高湿、腐蚀、辐射等有害环境对电子器件的影响；④强度和刚度高,对芯片起到支撑和保护的作用；⑤良好的加工成型和焊接性能,以便于加工成各种复杂的形状和封装；⑥性能可靠,成本低廉；⑦对于应用于航空航天领域及其他便携式电子器件中的电子封装材料的密度要求尽可能的小,以减轻器件的重量。
1.2国内外研究现状目前所用的电子封装材料的种类很多,常用材料包括陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等。
国内外金属基电子封装材料和主要性能指标如表1-1。
表1-1 常用电子封装材料主要性能指标[1,4]材料密度（ρ）g/cm3导热率（K）Watts/m·k热膨胀系数(CTE) ×106/K比导热率W·cm3/m·K·gSi 2.3135 4.1 5.8 GaAs 5.339 5.810.3 Al2O3 3.920 6.5 6.8 BeO 3.92907.674.4 AlN 3.3200 4.560.6Al 2.723823.688.1Cu8.9639817.844.4Mo10.2140 5.013.5从表1-1可以看出，作为芯片用的Si和GaAS材料以及用做基片的Al2O3、BeO等陶瓷材料，其热膨胀系数（CTE）值在4×10-6/K到7×10-6/K之间，而具有高导热系数的Al和Cu，其CTE值高达20×10-6/K，两者的不匹配会产生较大的热应力，而这些热应力正是集成电路和基板产生脆性裂纹的一个主要原因之一。
几种主要的封装材料的特性
几种主要的封装材料的特性封装材料是用于封装和保护电子元器件的材料。
不同的封装材料具有不同的特性，以下是几种主要的封装材料及其特性：1. 硅（Silicon）：硅是一种常用的封装材料，具有良好的导热性和电阻性能。
它能够有效传导热量，以保持电子元器件的温度稳定，同时也提供良好的电绝缘性能，以防止电气短路。
2. 聚合物（Polymer）：聚合物是一种轻量级和可塑性很强的封装材料。
它具有较低的成本、良好的机械强度和尺寸稳定性，可满足不同封装需求。
聚合物材料还可以被加工为不同形状和尺寸，以适应各种封装设计。
3. 陶瓷（Ceramic）：陶瓷材料是一种在高温和高电压环境下具有优异性能的封装材料。
它具有良好的耐腐蚀性和高绝缘性能，能够有效保护电子元器件免受外界环境的侵害。
陶瓷材料还具有较高的机械强度和热导率，可以有效排除产生的热量。
4. 导热胶（Thermal grease）：导热胶是一种具有较高热导率的封装材料。
它通常用于电子元器件和封装基板之间的热接触界面，以提高热量的传导效率。
导热胶具有良好的黏附性和填充性，能够填充微小的间隙并同时排出热量。
5. 玻璃（Glass）：玻璃是一种具有较高的耐热性和绝缘性能的封装材料。
它可以承受高温环境下的应力和压力，并保持电子元件的稳定性。
由于玻璃的透明性和耐腐蚀性，它还经常用于光学封装和显示器件中。
6. 金属（Metal）：金属材料常用于高功率和高电流应用的封装材料。
它具有良好的导电性和导热性，并能够有效抵抗电磁干扰。
金属材料还具有较高的机械强度，可以保护内部电子元器件免受外部冲击和振动的影响。
以上所列的封装材料仅是几种常见的材料，实际上还有其他许多封装材料，如纳米材料、聚酰亚胺等。
每种封装材料都有其独特的特性和应用领域，根据具体的封装需求和工作环境选择适合的材料非常重要。
电子封装中导热材料的应用研究
电子封装中导热材料的应用研究哎呀，说起电子封装中的导热材料，这可真是个有意思的话题！咱先来讲讲为啥导热材料在电子封装里这么重要。
就拿咱们平时用的手机来说吧，你有没有发现，玩一会儿大型游戏或者看个长视频，手机就开始发烫啦？这就是因为手机里的各种芯片在工作的时候会产生大量的热量，如果这些热量不能及时散出去，那手机的性能可就会受到影响，甚至还可能会出故障。
这时候，导热材料就像是给手机内部安装了一套“空调系统”，把热量快速传导出去，让手机能保持“冷静”，正常运行。
在电子封装中，常见的导热材料有金属、陶瓷、高分子复合材料等等。
金属导热材料就像个大力士，导热性能杠杠的，比如铜和铝。
铜的导热性能那叫一个出色，不过就是有点贵；铝呢，价格相对亲民，导热性能也还不错，所以在很多电子产品里都能看到它的身影。
陶瓷导热材料呢，就像是个优雅的绅士。
像氧化铝陶瓷，它不仅导热性能好，而且电绝缘性能也很棒，在一些对电性能要求高的地方就派上大用场啦。
还有高分子复合材料，这就像是个多面手。
它可以根据不同的需求进行调配，既有不错的导热性能，又能具备一些特殊的性能，比如柔韧性好、重量轻等等。
我之前就碰到过这么一件事。
有一次，我们团队在研发一款新型的电脑主板，在进行性能测试的时候，发现主板的温度总是过高，导致电脑频繁死机。
大家一开始都以为是芯片的问题，换了好几款芯片都不行。
后来经过仔细排查，才发现是封装中使用的导热材料不给力。
我们赶紧重新选择了一种导热性能更好的材料，问题这才解决了。
通过这件事，我可是深深体会到了导热材料选择的重要性。
再来说说导热材料在不同电子设备中的应用。
像笔记本电脑，为了保证它能在高强度的工作下不“发烧”，导热材料的选择和布局都得精心设计。
还有那些服务器，要处理大量的数据，产生的热量可不是小数目，导热材料更是得挑最好的，安装也得严丝合缝。
未来，随着电子设备越来越小型化、高性能化，对导热材料的要求肯定会越来越高。
说不定会有更加神奇的导热材料出现，让我们的电子设备变得更加强大、更加稳定。
电子封装材料的技术现状与发展趋势
MCM-D 多层基板的层间介电层膜；TFT-LCD 的平坦化（Planarization）和 分割（Isolation）；芯片表面的凸点、信号分配等。 由于low k 材料的需求近 年来不断攀升，预计 BCB 树脂的市场需求将增长很快。 Dow Chemical 是目 前 BCB 树脂的主要供应商，产品牌号包括 CycloteneTM3000 系列、4000 系 列。 环氧光敏树脂具有高纵横比和优良的光敏性；典型代表为化学增幅型环氧酚 醛树脂类光刻胶，采用特殊的环氧酚醛树脂作为成膜树脂、溶剂显影和化学 增幅。由于采用环氧酚醛树脂作成膜材料，故具有优良的粘附性能，对电子 束、近紫外线及 350-400nm 紫外线敏感。环氧光敏树脂对紫外线具有低光光 学吸收的特性，即使膜厚高达 1000um，所得图形边缘仍近乎垂直，纵横比可 高达 20：1。 经热固化后，固化膜具有良好的抗蚀性，热稳定性大于 200oC, 可在高温、腐蚀性工艺中使用。 为了适应微电子封装技术第三次革命性变革的快速发展，需要系统研究其代 表性封装形式，球型阵列封装（Ball Gray Array, BGA）和芯片尺寸级封装（ Chip Scale Packaging, CSP）, 所需的关键性封装材料-聚合物光敏树脂，包 括聚酰亚胺光敏树脂、BCB 光敏树脂和环氧光敏树脂等。
我国 EMC 的研究始于20世纪 70 年代末，生产始于 80 年代初。从 90 年代初
到现在进入了快速发展阶段, 高性能EMC质量水平有了较大进步。但是，国产 EMC 产品在质量稳定性、粘附性、吸潮性、杂质含量、放射粒子量、以及电 性能、力学性能、耐热性能等方面还需要进一步改善，
环氧塑封料的技术发展呈现下述趋势：
3）为适应无铅焊料、绿色环保的要求，向着高耐热、无溴阻燃化方向快速发 展。
封装dam胶的材料
封装dam胶的材料封装DAM胶的材料DAM（Dual Adhesive Material）胶是一种用于封装电子元器件的材料，具有优异的电绝缘性能和粘接性能。
它由多种材料组成，包括树脂、填料、黏合剂等。
下面将介绍一些常用的封装DAM胶材料。
1. 树脂树脂是封装DAM胶的主要成分之一，常用的树脂有环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂等。
这些树脂具有良好的粘接性能和耐高温性能，可以有效地封装电子元器件，并提供优异的电绝缘性能。
2. 填料填料是封装DAM胶的重要组成部分，它可以提高DAM胶的强度和导热性能。
常用的填料有硅胶、氧化铝、氧化硅等。
这些填料具有高温稳定性和良好的导热性能，可以有效地降低封装电子元器件的温度，提高其使用寿命。
3. 黏合剂黏合剂是封装DAM胶的关键成分，它可以将树脂和填料粘接在一起，形成坚固的封装结构。
常用的黏合剂有环氧树脂、聚氨酯树脂等。
这些黏合剂具有良好的粘接性能和耐化学腐蚀性能，可以确保封装电子元器件的可靠性和稳定性。
4. 助剂助剂是封装DAM胶的辅助材料，它可以改善DAM胶的流动性、粘度和固化速度。
常用的助剂有固化剂、促进剂等。
这些助剂可以根据具体的封装要求进行选择和调整，以确保DAM胶在封装过程中的良好表现。
封装DAM胶的材料选择需根据具体的封装需求和环境条件来确定。
不同的电子元器件在封装过程中可能需要不同的材料组合，以满足其特定的性能要求。
此外，封装DAM胶的材料选择还应考虑成本、可行性和环境友好性等因素。
总结起来，封装DAM胶的材料主要包括树脂、填料、黏合剂和助剂。
这些材料的选择和配比将直接影响到封装DAM胶的性能和可靠性。
因此，在进行封装DAM胶时，需要根据具体的封装要求和环境条件，选择合适的材料组合，以确保封装电子元器件的质量和可靠性。
电子封装材料
电子封装材料
电子封装材料是电子产品制造中不可或缺的重要组成部分，它直接影响着电子产品的性能、可靠性和使用寿命。
电子封装材料主要用于封装芯片、集成电路、电子元器件等，保护它们不受外界环境的影响，同时还能提供电气连接、散热和机械支撑等功能。
在电子产品的设计和制造过程中，选择合适的封装材料对产品的性能和可靠性至关重要。
首先，电子封装材料需要具有良好的电气性能。
它们要能够有效地传导电流和散热，保证电子产品的稳定工作。
一些高性能的电子封装材料还可以具有阻燃、抗静电等特性，以确保电子产品在复杂的工作环境下能够安全可靠地运行。
其次，电子封装材料还需要具有良好的机械性能。
它们要能够承受外部环境的冲击和振动，保护内部的电子元器件不受损坏。
此外，一些高端的电子封装材料还可以具有防水、防尘等功能，以确保电子产品在恶劣的环境下依然能够正常工作。
除此之外，电子封装材料还需要具有良好的耐高温性能。
在电子产品工作时，由于电子元器件的工作会产生热量，因此封装材料需要能够耐受高温，保证电子产品的稳定性和可靠性。
一些特殊的电子封装材料还可以具有导热、散热等功能，以确保电子产品在高温环境下不会受到损坏。
综上所述，电子封装材料在电子产品制造中起着至关重要的作用。
选择合适的封装材料可以保证电子产品的性能、可靠性和使用寿命，对于提高产品的竞争力和市场占有率具有重要意义。
因此，在电子产品设计和制造过程中，需要充分考虑电子封装材料的选择和应用，以确保产品能够在市场上取得成功。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第5期
杨伏良，等：高硅铝合金材料高温充氧氧化工艺
821
高硅铝合金电子封装材料由于具有密度小(密度 小于 2.7 g/cm3)，热膨胀系数低，热传导性能良好，强 度和刚度高，与金、银、铜、镍可镀，与基材可焊，
用塑性较好的材料(如纯铝)用于包套封装[15]。 2 种合金粉末经初装、振实装入特制的纯铝包套，
晶粒长大，Si 含量高的材料长大更为明显，并存在 Si 颗粒偏聚现象；高温氧化后材料致密度增加，气密性提高；
氧化后 Al-30Si 材料热膨胀系数略有增加，而充氧氧化对 Al-40Si 材料的热膨胀系数的影响不明显，但可提高材料
热导率，Al-30Si 与 Al-40Si 材料热导率分别提高 16.4%和 23.5%；高温氧化工艺显著降低材料抗压强度，Al-30Si
第 38 卷
加强，使材料微孔减少。相对而言，因氧的扩散有限，
氧化对孔隙的填充作用更强；其次，在计算理论密度
时是按铝硅二元合金进行的，实际上，合金氧化后，
形成了一定量的 Al2O3 和 SiO2，致使高温充氧氧化后 理论密度计算值偏小。
从表 2 还可看出，Al-30Si 材料致密度比 Al-40Si
的高，即随着 Si 含量增加，材料致密度下降。这是因
摘 要：针对应用广泛的高硅铝合金电子封装材料，采用高温充氧氧化工艺，对已挤压成形的 Al-30Si 及 Al-40Si
高硅铝合金材料进行后续处理，通过扫描电镜、金相显微镜、热物性测试仪及电子万能拉伸试验机等，对材料显
微组织、密度、气密性、热膨胀系数、热导率及抗压强度进行了分析比较。研究结果表明：高温充氧氧化后材料
与 Al-40Si 材料经氧化后抗压强度分别下降 26.8%和 20.5%。
关键词：高硅铝合金；电子封装；快速凝固；高温充氧氧化
中图分类号：TF112
文献标识码：A
文章编号：1672-7207(2007)05−0820−05
Oxidating processes in high temperature oxygenation of high-silicon aluminum alloy
材料致密度；气密性测试试样为 23.0 mm×10.0 mm× 1.5 mm 小片，在日产 HELIOT306S 型 He 吸附实验机 上进行气密性测试，把试样置于密闭的容器中抽真空，
相同成分的未处理材料进行分析比较。
将材料中气体排出，真空度达 0.01 Pa，然后通 0.5 MPa 的 He 气 2 h，样品取出后放置于已抽真空的真空罩内，
1 实验
罩内 He 气探头把 He 的分压回升情况传到仪器的指示 系统；在 JR−2 热物性测试仪上进行热扩散率测试；
材料制备工艺流程为：合金粉末→包套→抽真 空→加热挤压→制样→高温充氧氧化→组织与性能 检测。
在日本理学差热分析仪上测试热膨胀系数，测试温度 范围为 25~400 ℃；在电子万能拉伸试验机上进行抗 压强度测试。
高硅铝合金材料常用制备方法有熔铸法[5−7]、粉末
将热挤压试样直接加工成各种性能检测待测样品
冶金烧结法、喷射沉积[8−12]及溶渗法锭坯制备技术和 热挤压、半固态挤压、热锻造等加工成形技术[13]。快
进行高温充氧氧化(另准备一组样品进行性能比较)。 高温充氧氧化条件如下：氧化温度为 440 ℃，氧化时
YANG Fu-liang, YI Dan-qing, LIU Hong, CHEN Zhi-hu
(School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
Abstract: In order to fabricate high–silicon aluminum alloy electronic packaging materials, the oxidating processes in high temperature oxygenation was applied to the Al-30Si and Al-40Si high-silicon aluminum alloys which were prepared through extrusion process. Scanning electron microscope, optical microscopy, thermal physical tester and universal material testing machine were used to study the microstructure, density, hermeticity, coefficient of thermal expansion, thermal conductivity and compressive strength. The experimental results indicate that when Al-Si alloy material is oxidated in high temperature oxygenation, the size of the silicon particles increases especially the silicon crystal of Al-40Si aggregates and grows more obviously, and the density and the hermeticity are improved. The thermal expansion coefficient of Al-30Si increases slightly, but the oxidation technology has little influence on that of Al-40Si. However, the oxidation technology has remarkable favorable influence on the thermal conductivity and the compression strength. The thermal conductivity of Al-30Si and Al-40Si respectively increases by 16.4% and 23.5%, and the compression strength of Al-30Si and Al-40Si decreases by 26.8% and 20.5%, respectively. Key word: high-silicon aluminum alloy; electronic packaging; rapid solidification; oxidated in high temperature oxygenation
熔炼温度/℃
保温时间/h
喷嘴孔径/mm
1 000
1
3.5
Al-30Si 粉末的颗粒形貌如图 1 所示。Al-30Si 与 Al-40Si 粉末的平均中位径分别为 17.01 和 27.72 µm， 从图 1 可以看出粉末粒度实际上更细小，只有 3~10 µm，测量粒度与实际粒度有差异。这是因为粉末存在 一定团聚，测量粒度是团聚后粒团的平均粒度。
在 KYKY−2800 型扫描电镜上对粉末颗粒形貌进 行扫描；采用 EOPHAT 金相显微镜对材料显微组织进 行观察；采用排水法测量材料密度，所用分析天平最
且随硅含量增加，材料加工脆性增大，难以加工成形。 小精度为 0.1 mg，然后，根据材料理论密度再计算出
本文作者采用高温充氧氧化工艺，对已挤压成形 的 Al-30Si 及 Al-40Si 高硅铝合金材料进行后续处理， 并将其组织形貌及电子封装材料所要求的相关性能与
雾化气体
气体压力/MPa
喷腔类型
2.2 显微组织
空气
0.6
环缝式
图 2 所示为不同硅含量高硅铝合金材料高温充氧
氧化前后的金相照片。从图 2 可看出，材料经高温充
1.2 材料制备 高硅铝合金粉末由于 Al 活性很高，制粉时不可避
免地会形成一层氧化膜，需要采用一些特殊的致密化
氧氧化后，硅粒子明显粗化，且随着硅含量增加，组 织中 Si 颗粒明显增多，氧化后硅晶粒长大更加明显， 并出现了 Si 相局部偏聚。这是由于合金材料在高温充
用真空泵抽去包套内气体后，封闭焊合包套。样品挤
易于精密机加工、无毒等优越性能[1−4]，符合电子封装 压前加热温度为 550 ℃，保温 3 h，挤压比为 11.1，
技术朝小型化、轻量化、高密度组装化方向发展的要 求，近年来已成为材料研究的热点。
挤压设备为 1 500 t 挤压机。 1.3 高温充氧氧化
第 38 卷第 5 期 2007 年 10 月
中南大学学报(自然科学版) J. Cent. South Univ. (Science and Technology)
高硅铝合金材料高温充氧氧化工艺
Vol.38 No.5 Oct. 2007
杨伏良，易丹青，刘 泓，陈智虎 (中南大学 材料科学与工程学院，湖南 长沙，410083)
氧化前致密度，即高温氧化使材料致密度增加。这主 着材料氧化程度的加深，细小弥散的氧化物颗粒增加，
要有以下 2 方面原因：首先是氧向材料内扩散，会引 填充了部分微孔，同时材料在高温氧化过程中，基体
2.3 材料密度与气密性 高温充氧氧化前后材料密度、致密度与气密性如
表 2 所示。从表 2 可看出，高温充氧氧化后，材料密 度增大。Al-30Si 与 Al-40Si 粉末实际 Si 含量分别为 24.46%和 31.37%，计算得到其相应理论密度分别为 2.60 和 2.57 g/cm3，材料高温充氧氧化后致密度高于
工艺，其中应用最广的是粉末热挤压。热挤压成形时， 氧氧化时，材料一直处于高温加热过程中，由于长时