电子封装材料封装工艺及其发展

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环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势

环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势

环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势摘要:电子封装材料包括金属基封装材料、陶瓷基封装材料和高分子封装材料。

其中高分子封装材料(主要为环氧树脂)以其在成本和密度方面的优势在封装材料中一枝独秀,有95%的封装都由环氧树脂来完成。

环氧树脂作为集成电路的支撑材料,有着极大的市场容量。

随着集成电路的集成度越来越高,布线日益精细化,芯片尺寸小型化以及封装速度的提高,以前的环氧树脂已不能满足性能要求,为适应现代电子封装的要求,电子级环氧树脂应具有优良耐热耐湿性、高纯度低应力低张膨胀系数等特性,以适应未来电子封装的要求。

本文以此为环氧树脂封装材料的发展方向,着重论述了环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势。

关键词:环氧树脂封装材料研究现状一、环氧树脂电子封装材料的研究现状环氧树脂是泛指分子中含有两个或两个以上环氧基团的有机高分子化合物。

由于其分子结构中含有活泼的环氧基团,能与胺、酸酐、咪唑、酚醛树脂等发生交联反应,形成不溶、不熔的具有三向网状结构的高聚物。

这种聚合物结构中含有大量的羟基、醚键、氨基等极性基团,从而赋予材料许多优异的性能,比如优良的粘着性、机械性、绝缘性、耐腐蚀性和低收缩性,且成本比较低、配方灵活多变、易成型生产效率高等,使其广泛地应用于电子器件、集成电路和LED的封装1962年,通用电气公司的尼克·何伦亚克(Hol-onyak)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管就是使用环氧树脂封装的。

环氧树脂种类很多,根据结构的不同主要分为缩水甘油醚型、缩水甘油酯型、缩水甘油胺型、脂肪族、脂环族、酚醛环氧树脂、环氧化的丁二烯等。

由于结构决定性能,因此不同结构的环氧树脂,其对所封装的制品的各项性能指标会产生直接的影响。

例如Huang J C等以六氢邻苯二甲酸酐为固化剂,以TBAB为催化剂,分别对用于LED封装的双酚A型环氧树脂D E R.-331、UV稳定剂改性后的双酚A型环氧树脂Eporite-5630和脂环族环氧树脂ERL-4221进行了研究。

中国封装材料行业发展现状

中国封装材料行业发展现状

中国封装材料行业发展现状全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:中国封装材料行业发展现状随着智能手机、电脑、电视等电子产品的普及,封装材料行业在中国市场中扮演着举足轻重的角色。

封装材料是电子产品的核心组件之一,起到了保护元器件、连接元器件、导热散热等重要作用。

在中国,封装材料行业已经经历了多年的快速发展,取得了显著的成就,但同时也存在一些问题和挑战。

一、发展现状1. 市场规模不断扩大随着智能手机、5G通信、物联网等领域的快速发展,封装材料市场需求不断增长。

根据数据显示,2019年中国封装材料市场规模达到了数百亿元,预计未来几年还将持续增长。

2. 技术水平不断提升在封装材料行业,技术是核心竞争力。

中国的封装材料企业在材料研发、工艺创新等方面取得了长足进步,有些企业甚至在国际上处于领先地位。

3. 产业链日趋完善中国的封装材料产业链辐射面广,涉及到材料研发、生产,设备制造等多个环节。

不仅有大型企业,还有很多中小型企业,形成了一个完整的产业生态圈。

4. 国内外市场并重中国的封装材料制造商既服务国内市场,也出口到国际市场。

目前,中国封装材料在东南亚、欧美等地区市场占有一席之地。

二、存在问题及挑战1. 技术创新不足尽管中国封装材料行业在技术水平上取得了进步,但与国际先进水平相比,仍存在一定差距。

当前,追赶国际先进技术、加快自主创新是亟待解决的问题。

2. 行业集中度不高目前,中国封装材料市场上的竞争激烈,但很多企业规模较小,生产技术和产能不能满足市场需求。

行业整合是未来的趋势,需要优胜略汰,形成规模效应。

3. 环保问题尚未得到重视封装材料生产过程中会产生污染物,对环境造成一定影响。

目前,很多企业在环保方面投入不足,环保问题也亟待行业协会和政府部门加大监管力度。

4. 国际市场竞争激烈封装材料是一个全球性的产业,国际市场竞争十分激烈。

国外企业拥有先进的技术和规模优势,中国企业需要提高自身竞争力,拓展国际市场份额。

三、发展方向和建议1. 加强技术研发投入封装材料行业是高技术含量的产业,技术创新是企业发展的关键。

微电子封装技术的发展趋势

微电子封装技术的发展趋势

微电子封装技术的发展趋势本文论述了微电子封装技术的发展历程,发展现状和发展趋势,主要介绍了几种重要的微电子封装技术,包括:BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。

1.微电子封装的发展历程IC 封装的引线和安装类型有很多种,按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH)和表面安装式(SM),或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。

微电子封装的发展历程可分为三个阶段:第一阶段:上世纪70 年代以插装型封装为主,70 年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)。

第二阶段:上世纪80 年代早期引入了表面安装(SM)封装。

比较成熟的类型有模塑封装的小外形(SO)和PLCC 型封装、模压陶瓷中的CERQUAD、层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式载体(LDCC)。

PLCC,CERQUAD,LLCC和LDCC都是四周排列类封装,其引线排列在封装的所有四边。

第三阶段:上世纪90 年代,随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LSI,VLSI,ULSI相继出现,对集成电路封装要求更加严格,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,因此,集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展,出现了球栅阵列封装(BGA),并很快成为主流产品。

2.新型微电子封装技术2.1焊球阵列封装(BGA)阵列封装(BGA)是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是:I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。

这种BGA的突出的优点:①电性能更好:BGA用焊球代替引线,引出路径短,减少了引脚延迟、电阻、电容和电感;②封装密度更高;由于焊球是整个平面排列,因此对于同样面积,引脚数更高。

电子封装总结报告范文

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一、报告背景随着电子技术的飞速发展,电子产品的性能和功能不断提升,对电子封装技术的要求也越来越高。

电子封装技术作为电子产品的重要组成部分,对于提高电子产品的可靠性、稳定性和性能具有重要意义。

本报告旨在总结近年来电子封装技术的发展现状,分析存在的问题,并提出未来发展趋势。

二、电子封装技术发展现状1. 3D封装技术近年来,3D封装技术成为电子封装领域的研究热点。

3D封装技术通过垂直堆叠多个芯片,提高了芯片的集成度和性能。

目前,3D封装技术主要分为硅通孔(TSV)、倒装芯片(FC)和异构集成(Heterogeneous Integration)等类型。

2. 基于纳米技术的封装技术纳米技术在电子封装领域的应用越来越广泛,如纳米压印、纳米自组装等。

这些技术可以提高封装的精度和性能,降低制造成本。

3. 新型封装材料新型封装材料的研究和应用为电子封装技术的发展提供了有力支持。

例如,聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等材料在高温、高压、高频等环境下具有优异的性能。

4. 封装测试与可靠性随着电子封装技术的不断发展,封装测试与可靠性研究成为重点关注领域。

通过测试和评估封装性能,确保电子产品的质量和可靠性。

三、存在的问题1. 封装成本较高随着封装技术的不断发展,封装成本逐渐提高。

如何降低封装成本,提高性价比成为电子封装领域的重要课题。

2. 封装可靠性问题电子封装技术在高温、高压等恶劣环境下容易产生可靠性问题。

如何提高封装的可靠性,延长产品使用寿命成为研究重点。

3. 封装工艺复杂电子封装工艺复杂,涉及多个环节。

如何优化封装工艺,提高生产效率成为电子封装领域的一大挑战。

四、未来发展趋势1. 高性能封装技术未来电子封装技术将朝着高性能、低功耗、小型化方向发展。

例如,硅通孔(TSV)技术将继续发展,以满足更高集成度的需求。

2. 绿色封装技术随着环保意识的不断提高,绿色封装技术将成为电子封装领域的重要发展方向。

例如,可回收、可降解的封装材料将得到广泛应用。

封装技术发展历程

封装技术发展历程

封装技术发展历程电子封装概念(集成电路)电子封装是半导体器件制造的最后一步,其是指将制作好的半导体器件放入具有支持、保护的塑料,陶瓷或金属外壳中,并于外界驱动电路以及其他电子元器件相连这一过程。

经过封装后,半导体器件将可在更高的温度环境中工作,抵御物理损害与化学腐蚀,不仅能保护内置器件而且能起到电气连接、外场屏蔽、尺寸过渡、散热防潮、规格化和标准化等多种功能。

电子封装技术发展传统电子封装从最初的三极管直插时期后开始产生,其过程如下:将圆晶切割为晶粒(Die)后,使晶粒贴合到相应的基架板触垫(Leadframe Pad)上,再利用导线将晶片的结合焊盘与基板的引脚(Wire Bond)相连,实现电气连接,最后用外壳小心加以保护。

典型的封装方式有:DIP,SOP,BGA等。

DIP(Dual ln-line Package)双列直插形式封装技术,是最早模集成电路(IC)采用的封装技术,具有成本低廉的优势,其引脚数一般不超过100个,适合小型且不需接太多线的芯片。

DIP技术代表着80年代的通孔插入安装技术,但由于DIP大多采用塑料,散热效果较差,无法满足现行高速芯片的要求,目前这种封装市场逐渐萎缩。

Small Outline Package(SOP)小外形封装技术和 Quad Flat Package(QFP)扁平封装技术代表了表面安装器件时代。

这种技术提高了管脚数和组装密度,是封装技术的一次革命。

正是这类封装技术支撑着日本半导体工业的繁荣,当时封装技术由日本主宰,确定了80%的收缩原则,同时也是金属引线塑料封装的黄金时代。

90年代进入了Ball Grid Array(BGA)焊球阵列封装及 Chip Scale Package(CSP)芯片尺寸封装技术时代。

其中,BGA封装主要是将I/O端与基板通过球柱形焊点阵列进行封装,通常做表面固定使用。

90年代后,美国超过日本占据了封装技术的主导地位。

美国加宽了引线节距并采用了底部安装引线的BGA封装,引线节距的扩大极大地促进了安装技术的进步和生产效率的提高。

集成电路封装技术的现状与发展趋势

集成电路封装技术的现状与发展趋势

集成电路封装技术的现状与发展趋势继采用模块封装工艺以来,集成电路封装技术从技术上以全新的面貌进一步改造了现有的电子封装技术,并迅速发展成为集成电路制造技术的关键部分。

总体而言,集成电路封装技术在集成电路制造过程中担负着多方面的重任:保护半导体元器件,降低电子模块的工作温度,防止尘埃、水分等外界环境因素,以及提高电子模块性能等综合因素。

由于计算机技术和微电子技术的快速发展,集成电路封装技术也不断改进和创新。

今天,封装集成电路的技术已经大大改善了封装集成电路的结构,材料和工艺的设计和制造,也随之取得了“薄”、“轻”、“小”和“高密度”等有效进展。

综合上述技术特点,当前集成电路封装技术可以分为几大类:管壳封装技术、管内封装技术(Hybrid电路封装技术)、塑封封装技术、焊接封装技术、涂装封装技术和MicroPack 封装技术。

除了以上技术以外,在近几年,随着芯片封装技术和芯片外延革新,封装集成电路技术也发生了重大变革。

首先,在结构上对HLB(High Lead Ball Grid Array)矩阵式的封装系统进行优化改造,有效改善了芯片外延,减少芯片损坏率,使芯片在矩阵式的封装系统中的排列更加紧凑、工艺性更好;其次,采用燃烧封装技术,封装外延芯片大大降低了散热量,使芯片运行温度更加稳定;再次,采用高性能粘合剂对外延进行塑封,提高了外延芯片的可靠性。

目前,封装集成电路技术已经普及,在全球拥有广泛的应用,并且效率提高了125%左右。

此外,在未来几年,封装集成电路技术还会面临诸多挑战和机遇。

未来,封装集成电路技术将朝着以下方向进行发展:一是努力朝着更小密度的封装技术发展,二是朝着更高可靠性和使用寿命更长的封装技术而努力,三是建立更完善的封装技术模型,更加精确有效地分析和优化开发。

只有继续跟踪技术的发展趋势,才能更好地满足市场需求,保证集成电路封装技术的可持续发展。

第二章-电子封装的基本工艺-PDF全

第二章-电子封装的基本工艺-PDF全
优点: 键合温度低,操作方便、灵活,焊点牢固,压
点面积大,无方向性,可自动化焊接。
三种引线键合的焊接拉力比较
热压焊:<0.05N/点 超声焊:>0.1N/点(Al丝, 40µm) 热超声焊:0.07-0.09N/点(Au丝, 25µm)
引线键合可能产生的失效
脱焊(lift-off):原因是焊盘上存在有机沾污或是 表面氧化层太厚 疲劳断裂(fatigue break):原因是生成金属间化 合物,使接触电阻增大。金属间化合物形成的同 时,在焊接点产生空洞,在热冲击、温度循环过 程中,空洞越来越大,导致焊点断裂。 (金属间化合物的生成是二种金属键合的关键, 金属间化合物的剪切强度比纯金和纯铝高。)
TAB的应用
主要应用在低成本,大规模生产的电子产品。
TAB的引线在九十年代: 200—300根,内引线间距50—80um,外引线
间距<0.3mm 2000年:达到800—1000根引线
2.2.3 倒装焊
倒装焊(FCB)是芯片面朝下,芯片焊区直接与基板 焊区直接互连的一种方法。
优点: • 互连线短,互连电容、电阻、电感小,适合高频高速器件; • 占基板的面积小,安装密度高; • 芯片焊区可面分布,适合高I/O器件; • 芯片安装和互连可以同时进行,工艺简单、快速,适合
1.热压焊:
利用加热和加压力使金属丝与Al或Au金属焊区压焊在一 起。 原理:使焊区金属塑性形变,破坏压焊界面氧化层,使金属 丝和焊区金属接触面产生原子间吸引力,达到键合的目的。 此外,界面上、下金属在加热加压下相互镶嵌。 焊接压力:0.5-1.5N/点 焊头温度:150℃ 芯片温度:>200℃ 缺点:高温:氧化,生成金属间化合物;
第二章 电子封装的基本工艺

微电子封装技术的研究现状及其应用展望

微电子封装技术的研究现状及其应用展望

微电子封装技术的研究现状及其应用展望近年来,随着电子产品的快速普及和电子化程度的不断提高,微电子封装技术越来越引起人们的重视。

微电子封装技术主要是将电子器件、芯片及其他微型电子元器件封装在合适的封装材料中以保护它们免受机械损伤和外部环境的影响。

本文将分析现有微电子封装技术的研究现状,并探讨其未来的应用前景。

一、微电子封装技术的研究现状随着电子元器件不断地微型化、多功能化、高集成化和高可靠化,微电子封装技术越来越得到广泛的应用和发展。

在微电子封装技术中,主要有以下几种常用的封装方式:1. 线路板封装技术线路板封装技术(PCB)是较为常见的一种微电子封装技术。

这种方式主要利用印刷板制成印刷电路板,并通过它与芯片之间实现联系,使其具有一定能力。

通常,PCB 封装技术可用于集成电路和大多数微型传感器中的有效信号接口。

2. QFP 封装技术QFP 封装技术指的是方形封装技术,它是一种常见的微电子封装技术,这种技术的特点在于其实现方式非常灵活,具有高密度、高可靠的特点。

这种技术可以用于各种芯片、集成电路、传感器和其他各种微型电子元器件的封装。

3. BGA 封装技术BGA 封装技术指的是球格阵列封装技术,这种技术主要利用钎接技术将芯片连接到小球上。

BGA 封装技术常用于高密度封装尺寸的芯片和集成电路中,并具有高可靠和高信号性能等特点。

它目前被广泛应用于计算机芯片、消费电子、汽车电子、无人机和航空电子等领域中。

4. CSP 封装技术CSP 封装技术指的是芯片级封装技术,该技术是近年来发展起来的一种新型微电子封装技术,主要是使用钎接工艺将芯片封装在封装材料上。

CSP 封装技术具有极小的尺寸和高密度、高可靠性、高信号性能和高互连和生产效率等优点,因此,它被广泛地应用于各种电子元器件和集成电路中。

二、微电子封装技术的应用展望微电子封装技术具有比传统封装技术更高的密度、高速度、高可靠性和多功能的优点,因此,它的应用前景是广阔的。

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Al2O3陶瓷基片由于原料丰富、强度、硬度高、绝缘性、化学稳定性、 与金 属附着性良好,是目前应用最成熟的陶瓷基封装材料。但是Al2O3热膨胀系数和 介电常数比Si高,热导率不够高,限制了其在高频,高功率,超大规模集成封装
领域的应用。
AlN具有优良的电性能和热性能,适用于高功率,多引线和大尺寸封装。但是 AlN存在烧结温度高,制备工艺复杂,成本高等缺点,限制了其大规模生产和使用。
半导体Si片的支撑材料。但W、Mo与Si的浸润性差、 焊接性差。另外W、Mo、Cu的密度较大,不宜航空航 天使用;W、Mo成本高,不宜大量使用。
新型金属基封装材料: Si/Al合金: 利用喷射成形技术制备出Si质量分数为70%的Si2Al合金,其热 膨胀系数为(6-8)×10- 6K- 1热导率大于100W/(m· K)密度为2.42.5g/cm3, 可用于微波线路、光电转换器和集成线路的封装等。 提高Si含量,可降低热膨胀系数和合金密度,但增加了气孔率,降低 了热导率和抗弯强度。Si含量相同时,Si颗粒较大的合金的热导率和 热膨胀系数较高, Si颗粒较小的合金的抗弯强度较高。Al/Si2合金应 用前景广阔。
未来的金属基封装材料将朝着高性能、低成本、低密
度和集成化的方向发展。轻质、高导热和CTE匹配的Si/Al、 SiC/Al合金将有很好的前景。
聚酰亚胺封装:聚酰亚胺可耐350~450℃的高温、 绝
缘性好、介电性能优良、抗有机溶剂和潮气的浸湿等
优点,主要用于芯片的钝化层、应力缓冲和保护涂层、 层间介电材料、液晶取向膜等,特别用于柔性线路板的 基材。
3.3金属基封装材料
a.优势与劣势: 金属基封装材料较早应用到电子封装中, 因其热
导率和强度较高、加工性能较好,至今仍在研究、开
b.常用塑料基封装材料
环氧模塑料(EMC)具有优良的粘结性、优异的电绝缘性、强度高、 耐热性和耐化学腐蚀性好、吸水率低,成型工艺性好等特点。环氧塑封 料目前存在热导率不够高,介电常数、介电损耗过高等问题急需解决。
可通过添加无机填料来改善热导ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ介电性质。
有机硅封装材料:硅橡胶具有较好的耐热老化、耐紫外线老化、绝 缘性能,主要应用在半导体芯片涂层和LED封装胶上。将复合硅树脂和 有机硅油混合, 在催化剂条件下发生加成反应, 得到无色透明的有机硅封 装材料。环氧树脂作为透镜材料时,耐老化性能明显不足,与内封装材料 界面不相容,使LED的寿命急剧降低。硅橡胶则表现出与内封装材料良好 的界面相容性和耐老化性能.
层间介质
介质材料在电子封装中起着重要的作用,如保护电路、隔离 绝缘和防止信号失真等。 它分为有机和无机 2 种,前者主要为聚合物,后者为 Si02 , Si3N4和玻璃。多层布线的导体间必须绝缘,因此,要求介质有 高的绝缘电阻,低的介电常数,膜层致密。
密封材料
电子器件和集成电路的密封材料主要是陶瓷和塑料。最早用 于封装的材料是陶瓷和金属,随着电路密度和功能的不断提高, 对封装技术提出了更多更高的要求,从过去的金属和陶瓷封装 为主转向塑料封装。至今,环氧树脂系密封材料占整个电路基 板密封材料的90%左右. 树脂密封材料的组成为环氧树脂 ( 基料树脂及固化剂 ) 、填料 (二氧化硅)、固化促进剂、偶联剂(用于提高与填料间的润湿性 和粘结性 ) 、阻燃剂、饶性赋予剂、着色剂、离子捕捉剂 ( 腐蚀 性离子的固化 ) 和脱模剂等。目前,国外 80 %~ 90 %半导体器 件密封材料 ( 日本几乎全部 ) 为环氧树脂封装材料,具有广阔的 发展前景。
Cu/C纤维封装: C纤维的纵向热导率高(1000W/(m· k)),热膨胀系数很小(-1.6×106K-1因),此Cu/C纤维封装材料具有优异的热性能。对于Cu/C纤维封装材 料,其具有明显的各向异性,沿着C纤维方向的热导率远高于横向分布的热 导率。 Cu与C的润湿性差,固态和液态时的溶解度小,且不发生化学反应。因 此,Cu/C 纤维封装材料的界面结合是以机械结合为主的物理结合, 界面结合 较弱。所以,Cu/C纤维封装材料制备过程中需要首先解决两组元之间的相
发和推广。 但是传统金属基封装材料的热膨胀系数不匹配,密 度大等缺点妨碍其广泛应用。
b.常用金属基电子封装材料
传统金属基封装材料: Al:热导率高、密度低、成本低、易加工,应用最广 泛。但Al的热膨胀系数与Si等差异较大,器件常因较 大的热应力而失效,Cu也是如此。
W、Mo:热膨胀系数与Si相近,热导率较高,常用于
电子封装材料及其应用
主讲人:
王科 鄢冬冬
目录
一、 电子封装材料的概念 二、 电子封装材料的分类 三、 电子封装的应用 四、 结语
一、电子封装材料的概念
电子封装
电子封装是指对电路芯片进行包装,保护电路芯片,使
其免受外界环境影响的包装。
电子封装材料
电子封装材料是用于承载电子
元器件及其相互联线,起机械支 持,密封环境保护,信号传递, 散热和屏蔽等作用的基体材料。
好的环氧树脂.新型环氧模塑料将走俏市场,有机硅类或聚酰亚胺类
很有发展前景
在军事、 航空航天和高端民用电子器件等领域,陶瓷基
封装材料将向多层化方向发展,低温共烧陶瓷具有广阔的前
景,多层陶瓷封装的发展重点是可靠性好,柔性大、成本低。 高导热、高密封的AlN发展潜力巨大,应在添加物的选择与 加入量、烧结温度、粉料粒度、氧含量控制等关键技术上 重点突破。
溶性问题,以实现界面的良好结合。此外,C纤维价格昂贵,而且Cu/C纤维封
装材料还存在热膨胀滞后的问题。
3.4三种类型封装材料对比
塑料基封装材料的密度较小,介电性能较好,热导率 不高, 热膨胀系数不匹配,但成本较低,可满足一般的封装
技术要求。
金属基封装材料的热导率较高,但热膨胀系数不匹配, 成本较高。 陶瓷基封装材料的密度较小,热导率较高,热膨胀系数 匹配,是一种综合性能较好的封装方式
SiC 陶瓷的热导率很高,热膨胀系数较低,电绝缘性能良好,强度高。但是SiC
介电常数太高,限制了高频应用,仅适用于低频封装。
3.2 塑料基封装材料
a.优势与劣势: 塑料基封装材料成本低、工艺简单、在电 子封装材料中用量最大、发展最快。它是实 现电子产品小型化、 轻量化和低成本的一类 重要封装材料。 但是塑料基封装材料存在热膨胀系数(与 Si)不匹配,热导率低,介电损耗高,脆性大 等不足。
布线
导体布线由金属化过程完成。基板金属化是为了把芯片安 装在基板上和使芯片与其他元器件相连接。为此,要求布线金 属具有低的电阻率和好的可焊性,而且与基板接合牢固。金属 化的方法有薄膜法和后膜法。
Al是半导体集成电路中最常用的薄膜导体材料,其缺点是抗电子迁移能 力差。Cu导体是近年来多层布线中广泛应用的材料,Au,Ag,NiCrAu,Ti— Au,Ti—Pt—Au等是主要的薄膜导体。为降低成本,近年来采用Cr—Cu—Au, Cr—Cu—Cr,Cu—Fe—Cu,Ti—Cu—Ni—Au等做导体薄膜。
二、电子封装材料的分类
基板
布线
电子封 装材料
密封材料
框架
层间介质
基体
高密度多层封装基板主要在半导体芯片与常规 PCB (印制电 路板)之间起电气过渡作用,同时为芯片提供保护、支撑、散热 作用。 陶瓷 环氧玻璃
主要包括
金属基复 合材料
金属
金刚石
封装基板主要包括三种类型: 1) 硬质 BT 树脂基板:硬质 BT 树脂基板主要由 BT 树脂( 双马来酰亚胺三嗪树脂)和玻纤布经反应性模压工艺而制成。 2)韧性 PI(聚酰亚胺) 薄膜基板:在线路微细化、轻量化、 薄型化、高散热性需求的驱动下,主要用于便携式电子产品的 高密度、多 I/O 数的 IC 封装。 3)共烧陶瓷多层基板:烧陶瓷基板包括高温共烧陶瓷基板( HTCC)和低温共烧基板(LTCC)。和 HTCC 相比, LTCC 基板的介 电常数较低, 适于高速电路;烧结温度低, 可使用导电率高的 导体材料;布线密度高,且可以在 LTCC 结构中埋置元器件。
3.5 绿色电子封装材料
绿色电子封装是指在电子产品整个封装过程中,必须考虑资源 能源消耗和环境影响等问题,并兼顾技术和经济因素,使得电子封 装企业的经济效益和社会效益达到协调优化的电子封装理念。目前 研究比较多的绿色电子封装是封装材料的无铅无卤化问题。 绿色电子封装要求封装材料,包括互连材料(如无铅焊料和焊膏 等 )和被连接材料(如印刷电路板、电子元器件等 )以及连接后清洗所 用的清洗剂等,均不得使用含铅及含卤素材料。
三、电子封装工艺
电子封装结构的三个层次
3.电子封装材料研究现状
3.1 陶瓷基封装材料 3.2 塑料基封装材料 3.3 金属基封装材料
3.4 三种类型封装材料对比
3.5 绿色电子封装材料
3.1 陶瓷基封装材料
a.优势与劣势: 优势:1)低介电常数,高频性能好
2)绝缘性好、 可靠性高
3)强度高, 热稳定性好 4)低热膨胀系数, 高热导率 5)气密性好,化学性能稳定 6)耐湿性好, 不易产生微裂现象 劣势: 成本较高,适用于高级微电子器件的封装 (航空航天及军事领域)
结语
在未来相当长时间内,电子封装材料仍以塑料基为主。发展方向为:
1.)超大规模集成化、微型化、高性能化和低成本化。
2.)满足球栅阵列(BGA)、芯片级(CSP)、多芯片组件(MCM)等 先进新型封装形式的新型环氧模塑料。
3.)无卤、锑元素,绿色环保,适用于无铅焊料工艺的高温260℃回流
焊要求。 4.)开发高纯度、低黏度、多官能团、低吸水率、低应力、耐热性
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