dsp第三章存储器
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DSP概述及存储器
DMA
Ch 0 Ch 1 Ch 2 Ch 3 Ch 4 Ch 5 Peripheral Bus Peripheral Bus
Timer Timer 8/16-bit Host Port 8/16-bit Host Port Interface (HPI) Interface (HPI)
Multichannel Buffered Multichannel Buffered Serial Port (McBSP) Serial Port (McBSP) Multichannel Buffered Multichannel Buffered Serial Port (McBSP) Serial Port (McBSP) Multichannel Buffered Multichannel Buffered Serial Port (McBSP) Serial Port (McBSP)
Small Size
144 TQFP 144 microStar BGA (12 x 12 mm)
Addressing Unit 8 Auxiliary Registers 2 Addressing Units Power Management Power Management
PLL Clock PLL Clock Generator Generator S/W Waitstate S/W Waitstate Generator Generator
Copyright © 2003 Texas Instruments. All rights reserved.
DSP主要特点
根据数字信号处理的要求，DSP一般具有如下的主要特点： ☆ 在一个指令周期内，可完成一次乘法和一次加法； ☆ 程序和数据空间分开，可以同时访问指令和数据； ☆ 片内具有快速RAM，通常可通过独立的数据总线， 在两块芯片中同时访问； ☆ 具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持； ☆ 快速的中断处理和硬件I/O接口支持； ☆ 具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器； ☆ 可以并行执行多个操作； ☆ 支持流水线操作，使取指、译码、取操作数和执行等 操作可以重叠执行。
dsp第三章存储器详解
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 2） DARAM(B0)
2．程序存储器的配置
1) MP/MC引脚： • MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置为片内ROM/Flash • MP/MC = 1（接高电平）： 微处理器方式，
配置为片外ROM
2．程序存储器的配置
2）CNF位：
决定片内DARAM(B0)的地址映射
• CNF = 1：
256字的片内DARAM(B0)被配置到 程序存储器空间(FF00～FFFFh) • CNF = 0： 无可访问的片内程序DARAM （B0被配置到数据存储器空间） 注意： B0 无论是被配置到程序空间，还是 被配置到数据存储器空间，都是同 一物理存储器块
第三章 存储器与I/O空间
• TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字： (1) 64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执 行时使用的数据 (2) 64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。 (3) 32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得 到，用来存放与其他处理器共用的数据。 (4) 64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄 存器。
（4）闪速存储器(Flash)：
可被配置为数据存储器，也可配置为程 序存储器。 （只对 B0块）
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
（3）掩模型片内ROM存储器 SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存 储器。
0000～003Fh： 中断向量地址
0040～0043h： 保留地址 0044～7FFFh： 片内Flash （32K字）
DSP第03讲
存储器空间组织
除了64K字程序存储器和64K字数据存储 器之外，‘C54X还有64K字I/O存储器空间。 其地址空间为0000～FFFFH，均在片外。在指 令系统中，可以用输入指令PORTR和输出指 令PORTR进行I/O空间寻址。
作业
1.简述‘C54X DSP的总线结构。 2.简述DSP的内部存储类型及其作用。 3.如何配置C54X DSP的存储器空间？ 4.什么是DARAM，什么是SARAM？
总线结构
总线结构
内部存储器
2.内部存储器
‘C54X的内部总存储空间为192K字， 分成3个可选择的存储空间：64K字的程 序存储空间、64K字的数据存储空间和 64K字的I/O空间。
一些芯片，如‘C548、’C549还通过 扩展页增加了地址空间 。
内部存储器
片内存储器的结构和容量根据芯片的型号 有所区别 , 但都包含随机存取存储器 (RAM) 和只读存储器 (ROM) 。其 中 RAM 又可以分 为两种类型 : 单访问 RAM (SARAM) 和双访问 RAM(DARAM) 。它们可以被配置为数据存储 器或者程序 / 数据存储器。
内部存储器
4). 存储器映射寄存器
在 DSP 数据空间的前80h个地址单元内 , 包含有 CPU 和片内外设的映射寄存器。
通过访问映射寄存器就可以实现对 CPU 和外设存储器的相应操作。例如，在调用或中 断时，可以完成寄存器内容的保存以及返回时 寄存器内容的恢复，还可以完成累加器和其他 寄存器之间的信 息传送。
存储器空间组织
3.存储器空间组织
‘C54X所有片内外程序存储器和片内外数 据存储器分别统一编址。
通过对其CPU中的处理器模式状态寄存器 PMST(Processor mode status register)的 MP/MC、OVLY和DROM三个位的设置，方 便了配置存储空间，将片内ROM和片内RAM 定义为程序或数据空间。
DSP第三章.ppt
RPT后面的一条指令重复执行多次。
二、程序地址的产生
程序地址产生的情况
▲ 顺序操作：程序的地址来源于PC程序计数器（程序地址+1） ▲ 空（哑）周期：程序的地址来源于PAR （程序地址+1） ▲ 从子程序返回：程序的地址来源于栈顶（TOS） ▲ 从表传送或块传送返回：程序的地址来源于转移或调用指
PSC
TDDR
R-0
D15
PSCH
D8 D7
R/W-0
D0
TDDRH
R-0
R/W-0
一、时钟及系统控制
看门狗及其应用
F2812的看门狗与240x的基本相同，当8位的看门狗计数 器计数到最大值时，看门狗模块产生一个输出脉冲(512个振荡 器时钟宽度)。如果不希望产生脉冲信号，用户需要屏蔽计数 器，或用软件周期向看门狗复位控制寄存器写“0x55+0xAA"， 该寄存器能够使看门狗计数器清零。
SUBC（条件减）
希望同学们坚信：
数据存储区中建立一个堆栈。
二、程序地址的产生
堆 栈 例 子
二、程序地址的产生
堆栈例子
二、程序地址的产生
微
堆 ▲ 一级深、16位宽，操作不可见，即无指令，只有程序
栈
地址产生逻辑才能够使用微堆栈。
▲ 程序地址产生逻辑在执行BLDD、BLPD、MAC、MACD、 TBLR 和TBLW 这些串（块）操作指令时利用微堆栈保 存返回地址。
WDCHK
R/W-0
R/W-0
D0
WDCNTR
R/W-0
D0
WDKEY
R/W-0
D8
D3 D2
D0
R/W-0WDPS
二、程序地址的产生
二、程序地址的产生
程序地址产生的情况
▲ 顺序操作：程序的地址来源于PC程序计数器（程序地址+1） ▲ 空（哑）周期：程序的地址来源于PAR （程序地址+1） ▲ 从子程序返回：程序的地址来源于栈顶（TOS） ▲ 从表传送或块传送返回：程序的地址来源于转移或调用指
PSC
TDDR
R-0
D15
PSCH
D8 D7
R/W-0
D0
TDDRH
R-0
R/W-0
一、时钟及系统控制
看门狗及其应用
F2812的看门狗与240x的基本相同，当8位的看门狗计数 器计数到最大值时，看门狗模块产生一个输出脉冲(512个振荡 器时钟宽度)。如果不希望产生脉冲信号，用户需要屏蔽计数 器，或用软件周期向看门狗复位控制寄存器写“0x55+0xAA"， 该寄存器能够使看门狗计数器清零。
SUBC（条件减）
希望同学们坚信：
数据存储区中建立一个堆栈。
二、程序地址的产生
堆 栈 例 子
二、程序地址的产生
堆栈例子
二、程序地址的产生
微
堆 ▲ 一级深、16位宽，操作不可见，即无指令，只有程序
栈
地址产生逻辑才能够使用微堆栈。
▲ 程序地址产生逻辑在执行BLDD、BLPD、MAC、MACD、 TBLR 和TBLW 这些串（块）操作指令时利用微堆栈保 存返回地址。
WDCHK
R/W-0
R/W-0
D0
WDCNTR
R/W-0
D0
WDKEY
R/W-0
D8
D3 D2
D0
R/W-0WDPS
二、程序地址的产生
第3章TMS320C54XDSP寻址方式09.10
ARx包含了数据存储器地址 访问后，ARx以循环寻址方式减1 ARx包含了数据存储器地址 访问后，ARx以循环寻址方式减去 AR0 ARx包含了数据存储器地址 访问后，ARx以循环寻址方式加1 ARx包含了数据存储器地址 访问后，ARx以循环寻址方式加上 AR0 ARx加上16位长偏移量作为数据 存储器地址 访问后，ARx中内容不变 ARx加上16位长偏移量作为数据 存储器地址 访问后，ARx中内容加上16位长 偏移量 ARx以循环寻址方式加上16位长 偏移量作为数据存储器地址， 同时修改ARx中内容 以无符号16位长偏移量作为数据 存储器地址 （绝对地址）
19
单操作数 3 间接寻址 y0 a i x i a0 x0 a1 x1 a 2 x 2 a3 x3 编程举例： i 0 .mmregs .bss x, 4 .word 1, 2, 3, 4 STM #a, AR1 STM #x, AR2 LD #0, A LD *AR1+，T MAC *AR2+，A LD *AR1+，T MAC *AR2+，A LD *AR1+，T MAC *AR2+，A LD *AR1，T MAC *AR2，A …..
第一条指令表示将数据存储器中以DATA符号为地址单元中 的数据传送到由辅助寄存器ARl所指向的数据存储单元中去。 DATA代表数据存储单元的地址dmad。 第二条指令表示将程序存储器中以TABLE符号为地址单元中 的数据传送到由辅助寄存器AR2所指向的数据存储单元中去。 TABLE代表程序存储单元的地址pmad。 第三条指令表示将地址为0F2F0H的端口中的数据传送到由 辅助寄存器AR5所指向的数据存储单元中去。
17序号间址类型功能说明arxaddrarxarx包含了数据存储器地址arxaddrarxarxarx1arx包含了数据存储器地址访问后arx中地址减1arxaddrarxarxarx1arx包含了数据存储器地址访问后arx中地址加1arxaddrarx1arxarx1寻址前arx中地址加1arx0baddrarxarxbarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx以位倒序方式减去ar0arx0addrarxarxarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx中减去ar0arx0addrarxarxarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx中加上ar0arx0baddrarxarxbarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx以位倒序方式加上ar0号表示间址32位字时增减为2寻址前变址只用于写操作指令18arxaddrarxarxcircarx1arx包含了数据存储器地址访问后arx以循环寻址方式减1arx0addrarxarxcircarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx以循环寻址方式减去ar010arxaddrarxarxcircarx1arx包含了数据存储器地址访问后arx以循环寻址方式加111arx0addrarxarxcircarxar0arx包含了数据存储器地址访问后arx以循环寻址方式加上ar012arxlkaddrarxlkarxarxarx加上16位长偏移量作为数据存储器地址访问后arx中内容不变13arxlkaddrarxlkarxarxlkarx加上16位长偏移量作为数据存储器地址访问后arx中内容加上16位长偏移量14arxlkaddrcircarxlkarxcircarxlkarx以循环寻址方式加上16位长偏移量作为数据存储器地址同时修改arx中内容15lkaddrlk以无符号16位长偏移量作为数据存储器地址绝对地址lk不允许mmr寻址19间接寻址时
DSP 存储器和IO空间
第3章存储器及I/O空间C240X芯片有16位地址线，可以访问3个独立的地址空间，总计192K字。
•程序存储器:64K字•数据存储器:64K字•I/O空间:64K字,包含片内外设寄存器LC:无FLASHLF:有FLASH，片内：单端口SARAM（共2K字）双端口DARAM（B0块、B1块、B2块共544字）改进的哈佛结构，通过3组并行地址总线访问3个空间。
(1)程序地址总线（PAB)(2)数据读地址总线（DRAB)(3)数据写地址总线（DWAB)可同时访问程序和数据空间，一个周期内，CALU可执行多达3次的并行存储器操作。
TMSC206:片内32K Falsh，B0-256个；B1-256个；B2-32个SARAM 4K字TMSC240:片内16K Falsh，B0-256个；B1-256个；B2-32个TMSLF2407A(片内):32K字Falsh，DARAM（双口RAM）为544个字：B0-256个；B1-256个；B2-32个。
SARAM（单口RAM）2K字。
3.1 片内存储器3.1.1 双端口RAM(DARAM)544个字，分为三块：B0、B1、B2。
B0作程序存储器还是作数据存储器，由寄存器ST1的D12位CNF 来决定：CNF=1，B0映射到程序存储器空间CNF=0，B0映射到数据存储器空间DARAM:双访问随机读/写存储器，在单个机器周期内可被访问2次：CPU在时钟的主相写入DARAM；在时钟的从相从DARAM读出数据；大大的提高了运行速度。
3.1.2 单端口RAM(SARAM)2K字单访问随机读/写存储器，在单个机器周期内可被访问1次。
例如，一条指令要将A的值保存，且装载一个新值到A 在SARAM中需两个时钟周期，而在DARAM中需一个时钟周期，3.1.3 FLASH程序存储器LF2407：16K字，映射到程序存储空间。
有片内程序存储器和片外程序存储器之分。
MP/MC*=0，选择片内Falsh存储器MP/MC*=1，选择片外程序存储器，从片外程序存储器开始执行程序。
DSP完整课件第3章
(3)当未检测到累加器溢出时,其值为0；当溢出发生时， OV位被置1。
(4)根据被测试位的结果，测试控制标志位(TC)位被置1或0。
2010
退出
3.1.4 累加器(ACC)
存放CALU中的运算结果，其存放的数据可以执行单一的移位 或循环操作。其中的高位或低位字可以进入输出定标移位器进行 移位后再存放进数据存储器。与ACC有关的状态位有： 1）进位标志位C ① 当累加器中的数据相加时，结果有进位或减法无借位时C=1； 相减时，结果有借位或或加法无进位时，C=0 。 ② 当累加器中的数据被移动1位时，累加器中的最低位或最高位 进入C。
TC：测试/控制标志位。在下列情况下TC位被置1：由BIT或
BITT测试的某位为1时;用NORM指令对累加器最高的两位进
行异或结果为真时；用CMPR指令对当前ARn与AR0比较条件
成立时。编程时,根据TC位的状态可进行程序的条件跳转、调
用和返回。
2010
退出
3.1.6 状态寄存器ST0和ST1
2) 状态寄存器ST1 C：进位位。加法结果产生进位时置1，减法结果产生借位时 被清0。执行带16位移位的ADD指令时，若产生进位时置1， 否则不影响该位；在执行16位移位的SUB指令，若产生借位 时置0，否则不影响该位。
2）溢出方式控制位OVM
OVM决定ACC运算结果发生溢出时，是否进行溢出处理。
① 若OVM=1,当运算结果发生溢出时，ACC结果被设定为确定
值：
若正向溢出，ACC=7FFF FFFFH(最大正数);
若负向溢出，ACC=8000 0000H(最小负数)。
② 若OVM=0,ACC溢出为0.
2010
退出
3.1.4 累加器(ACC)
DSP原理与应用2011-第三章 TMS320F2833X CPU结构和存储器配置
TMS320F 28335
512K*16RAM
XD0~XD15
D0~D15
D0~D15
XZCS6 XRD XWE
CS OE WE
DSP原理与应用
2013年11月3日
31
第3.3节DSP原理与应用 2013年11月3日 32
第3.3节 TMS320F2833X 存储器配置与IO
DSP原理与应用
2013年11月3日
15
第3.2节 TMS320F2833X CPU结构
C28X内核内部寄存器： 32位中央算数逻辑单元 32位累加器ACC:AH,AL 中央算数逻辑部分 32位输出移位器 32位乘法输入寄存器XT(T,TL) 32位辅助寄存器XAR0~XAR7(AR0~AR7) 32位乘积结果寄存器P(PH,PL) 16位数据页指针寄存器、中断标志寄存器、 中断使能寄存器、堆栈指针SP、状态寄存 器ST0、ST1 16 DSP原理与应用 2013年11月3日
int a[10],b[10]; scale(int k) { int i; for( i=0; i<10; i++) { a[i]=b[i]*k; } } _scale: LRLK AR6, _a LRLK AR5,_b LACK 9 SAMM BRCR LARK AR2,-3+LF1 MAR *0+,AR5 RPTB L4-1 LT *+,AR2 MPY *,AR6 SPL *+,AR5 L4: RET
DSP原理与应用
2013年11月3日
19
第3.2节 TMS320F2833X CPU结构
C28X核的16位乘法单元 32位临时寄存器(XT) 32X32乘法单元 32位乘积寄存器 乘积移位器：
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RD
WE
--- 外部读信号线
--- 外部写信号线
3.片选信号线：
访问外部器件时，利用信号线来区分: 内部/外部访问 程序/数据空间 局部/全局数据空间 I/O空间
• DS --数据存储器选择信号：当执行访问外部（局部/全局）数据存储器指 令时，该引脚信号低电平有效。 • BR --总线请求信号：当执行访问外部全局数据存储器指令时，该引脚信 号低电平有效。 • P S --程序存储器选择信号：当从外部程序存储器全取指令代码时，该引 脚信号低电平有效。 •
2．程序存储器的配置
3）PON位（SCSR2-D0）
PON = 1 ： SARAM被映射到片内程序空间 （8000～87FFh）； PON = 0 ： SARAM不被映射到片内程序空间。 （SARAM可能被映射到片内数据空 间）
§ 3.3 局部数据存储器
1．C2000器件片内都有3个DARAM块：B0、B1、B2。 B0块有256个字，可配置为数据存储器或程序存储器。
数据写地址总线(DWAB)。
• 3组总线的操作是独立的，因此可以同时访问程序空间和 数据空间，即在一个给定的机器周期里，中央算术逻辑单 元(CALU)可执行3种存储器操作。
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM) （2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM) （3）掩模型片内ROM存储器 （4）闪速存储器(Flash)
(1)用两组RAM(32K × 16)， 一组作为局部数据存储器， 一组作为全局数据存储器 (每组可由两块32K×8的RAM 组成)， 地址均为8000h—FFFFh。
2）与外部数据存储器的接口
(2)用GREG作为控制切换信号： 当GREG = xx00h时， 8000h—FFFFh 地址区域被配置为 局部数据存储器， RAM2禁止， RAM1 两个使能信号或门打开，选 中RAM1。 指令举例： LDP SPLK LDP SACL #0 #0000h, GREG #100h 0000h ;ACCL ->8000h
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
5） 片外数据存储器 （地址：8000h～FFFFh）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
6） 片内外设寄存器地址： 7000～7FFFh
片 内 外 设 的 存 储 器 映 射 配 置 图
§ 3.4 全局数据存储器
3）与I/O端口的接口
指令举例：
LDP
#04 ；B0
IN 05h, xxx0h
指令举例：
LDP
#06; B1Βιβλιοθήκη OUT 05h, xxx1h
与SACL 0001h区别
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 4） SARAM
DON位（SCSR2-D1）：
DON = 1 SARAM被映射到片内数据空间 （地址：0800～0FFFh）； DON = 0 SARAM不被映射到片内数据空间。
TMS320LF2407型号芯片的片内数据存储器容量 32字(B2)+256字(B0)+256字(B1)+2048字(SARAM) =2592字
IS
-- I/O空间选择信号：当执行I/O指令时，该引脚信号低电平有效。 --外部访问有效选通信号：当访问外部程序、数据或I/O空间时，该引
• ST RB
脚信号低电平有效
扩展外部存储器和I/O空间的接口：
1）与外部程序存储器的接口
由两块8K×8的
RAM组成 8K×16的 程序存储器
2）与外部数据存储器的接口
第三章 存储器与I/O空间
• TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字： (1) 64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执 行时使用的数据 (2) 64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。 (3) 32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得 到，用来存放与其他处理器共用的数据。 (4) 64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄 存器。
例： IN 05h, 0C000h
写：OUT dma， PA 例： OUT 05h, 0E000h
§ 3.6 外部存储器和I/O空间的扩展
• C2000对四个独立空间的外部访问采用相同的16位地址空 间，即采用相同的数据总线和地址总线。因此，必须通过 控制线来加以区分。 • 外部扩展所需的信号线有三类： 1. 外部数据/地址总线：四个空间共用 数据总线 D0～D15 地址总线：A0～A15 2. 读/写信号线：
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
电可擦除与编程的非易失性程序存储器。 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM) 适合系统应用开发。 （3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
§ 3.2 程序存储器
2．程序存储器的配置
1) MP/MC引脚： • MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置为片内ROM/Flash • MP/MC = 1（接高电平）： 微处理器方式，
配置为片外ROM
2．程序存储器的配置
2）CNF位：
决定片内DARAM(B0)的地址映射
• CNF = 1：
256字的片内DARAM(B0)被配置到 程序存储器空间(FF00～FFFFh) • CNF = 0： 无可访问的片内程序DARAM （B0被配置到数据存储器空间） 注意： B0 无论是被配置到程序空间，还是 被配置到数据存储器空间，都是同 一物理存储器块
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
DARAM：单个机器周期可被访问两次 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM)
的存储器。
（3）掩模型片内ROM存储器
所有C2000器件都有片内DARAM，分 为三块：B0，B1，B2。
B1块有256个字，只能作为数据存储器。
B2块有32个字，只能作为数据存储器。 2．有些C2000器件还有片内SARAM块，它们可用做程序和／或数据 存储器。 3．访问数据存储器有直接寻址模式和间接寻址模式。 使用直接寻址时，将数据有储器按地址分块，每块128个字为一页。 64K数据存储器可分为512个数据页，记为0—511页。页地址由页 地址指针DP决定。
（4）闪速存储器(Flash)：
可被配置为数据存储器，也可配置为程 序存储器。 （只对 B0块）
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
（3）掩模型片内ROM存储器 SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存 储器。
（4）闪速存储器(Flash)：
C2000的有些器件内含有SARAM 。
SARAM可配置为程序存储器或数据存储器。
配置为内部程序存储器SARAM时，程序代 码可以从片外ROM调入，并被全速执行。
§ 3.1 存储器的类型
由生产厂家已写好程序的存储 器，用户只能读不能写。
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
• GREG低8位有效，高8位为任意值。
全局数据存储器的配置
例： 需要配置一个8K的全局存储器， 可向GREG的低8位写入11100000b（E0h）， 这样就把E000—FFFFh指定为全局数据地址。
§ 3.5 I/O空间
• I/O空间可寻址64K
• 访问I/O空间的指令：
读：IN dma， PA
有些C2000器件片内有掩模型 ROM作为程序存储器。
（1）片内双访问存储器(DARAM) 如果用户需要定制掩模型片内
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
ROM，可按目标文件格式提供 程序代码或数据，由芯片生产 厂家对ROM进行掩模。
（3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 2） DARAM(B0)
由CNF位决定片内DARAM(B0)的地址映射
CNF = 0： DARAM(B0)被配置到数据存储器空间 （地址：0200h～02FFh，256字） 占两页地址指针: 000000100b 000000101b LDP LDP #04h ; #05h ; 地址 ：0200 ～027Fh 地址 : 0280 ～02FFh
• 用来存放与其他处理器共用的数据数据存储器， 通过外 部扩展得到。 • 数据存储器可作为局部(或本地)数据存储器和全局数据存 储器使用。
• 数据存储器的低32K字(0000～7FFFh)总是用做局部数据
存储器， • 数据存储器的高32K字(8000～FFFFh)可用做全局数据存 储器，其分布由全局存储器分配寄存器(GREG)确定，范 围在256—32K字之间。
• 程序存储器存放应用程序的代码、表格信息和固定操作数
• TMS320C2000器件可寻址的程序存储器地址有64K字。
• C2000器件的程序存储器类型： 片内DARAM (B0块） 片内SARAM 片内ROM / Flash 片外ROM
1．程序存储器地址分配 （TMS320LF2407型号芯片）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
1）数据存储器第0页地址映射
(地址0000～007Fh)
0000-0003h 0004h 0005h 0006h 0023-0027h 002B-002Fh 0060-007Fh B2 IMR 保留 中断屏蔽寄存器
WE
--- 外部读信号线
--- 外部写信号线
3.片选信号线：
访问外部器件时，利用信号线来区分: 内部/外部访问 程序/数据空间 局部/全局数据空间 I/O空间
• DS --数据存储器选择信号：当执行访问外部（局部/全局）数据存储器指 令时，该引脚信号低电平有效。 • BR --总线请求信号：当执行访问外部全局数据存储器指令时，该引脚信 号低电平有效。 • P S --程序存储器选择信号：当从外部程序存储器全取指令代码时，该引 脚信号低电平有效。 •
2．程序存储器的配置
3）PON位（SCSR2-D0）
PON = 1 ： SARAM被映射到片内程序空间 （8000～87FFh）； PON = 0 ： SARAM不被映射到片内程序空间。 （SARAM可能被映射到片内数据空 间）
§ 3.3 局部数据存储器
1．C2000器件片内都有3个DARAM块：B0、B1、B2。 B0块有256个字，可配置为数据存储器或程序存储器。
数据写地址总线(DWAB)。
• 3组总线的操作是独立的，因此可以同时访问程序空间和 数据空间，即在一个给定的机器周期里，中央算术逻辑单 元(CALU)可执行3种存储器操作。
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM) （2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM) （3）掩模型片内ROM存储器 （4）闪速存储器(Flash)
(1)用两组RAM(32K × 16)， 一组作为局部数据存储器， 一组作为全局数据存储器 (每组可由两块32K×8的RAM 组成)， 地址均为8000h—FFFFh。
2）与外部数据存储器的接口
(2)用GREG作为控制切换信号： 当GREG = xx00h时， 8000h—FFFFh 地址区域被配置为 局部数据存储器， RAM2禁止， RAM1 两个使能信号或门打开，选 中RAM1。 指令举例： LDP SPLK LDP SACL #0 #0000h, GREG #100h 0000h ;ACCL ->8000h
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
5） 片外数据存储器 （地址：8000h～FFFFh）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
6） 片内外设寄存器地址： 7000～7FFFh
片 内 外 设 的 存 储 器 映 射 配 置 图
§ 3.4 全局数据存储器
3）与I/O端口的接口
指令举例：
LDP
#04 ；B0
IN 05h, xxx0h
指令举例：
LDP
#06; B1Βιβλιοθήκη OUT 05h, xxx1h
与SACL 0001h区别
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 4） SARAM
DON位（SCSR2-D1）：
DON = 1 SARAM被映射到片内数据空间 （地址：0800～0FFFh）； DON = 0 SARAM不被映射到片内数据空间。
TMS320LF2407型号芯片的片内数据存储器容量 32字(B2)+256字(B0)+256字(B1)+2048字(SARAM) =2592字
IS
-- I/O空间选择信号：当执行I/O指令时，该引脚信号低电平有效。 --外部访问有效选通信号：当访问外部程序、数据或I/O空间时，该引
• ST RB
脚信号低电平有效
扩展外部存储器和I/O空间的接口：
1）与外部程序存储器的接口
由两块8K×8的
RAM组成 8K×16的 程序存储器
2）与外部数据存储器的接口
第三章 存储器与I/O空间
• TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字： (1) 64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执 行时使用的数据 (2) 64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。 (3) 32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得 到，用来存放与其他处理器共用的数据。 (4) 64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄 存器。
例： IN 05h, 0C000h
写：OUT dma， PA 例： OUT 05h, 0E000h
§ 3.6 外部存储器和I/O空间的扩展
• C2000对四个独立空间的外部访问采用相同的16位地址空 间，即采用相同的数据总线和地址总线。因此，必须通过 控制线来加以区分。 • 外部扩展所需的信号线有三类： 1. 外部数据/地址总线：四个空间共用 数据总线 D0～D15 地址总线：A0～A15 2. 读/写信号线：
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
电可擦除与编程的非易失性程序存储器。 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM) 适合系统应用开发。 （3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
§ 3.2 程序存储器
2．程序存储器的配置
1) MP/MC引脚： • MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置为片内ROM/Flash • MP/MC = 1（接高电平）： 微处理器方式，
配置为片外ROM
2．程序存储器的配置
2）CNF位：
决定片内DARAM(B0)的地址映射
• CNF = 1：
256字的片内DARAM(B0)被配置到 程序存储器空间(FF00～FFFFh) • CNF = 0： 无可访问的片内程序DARAM （B0被配置到数据存储器空间） 注意： B0 无论是被配置到程序空间，还是 被配置到数据存储器空间，都是同 一物理存储器块
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
DARAM：单个机器周期可被访问两次 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM)
的存储器。
（3）掩模型片内ROM存储器
所有C2000器件都有片内DARAM，分 为三块：B0，B1，B2。
B1块有256个字，只能作为数据存储器。
B2块有32个字，只能作为数据存储器。 2．有些C2000器件还有片内SARAM块，它们可用做程序和／或数据 存储器。 3．访问数据存储器有直接寻址模式和间接寻址模式。 使用直接寻址时，将数据有储器按地址分块，每块128个字为一页。 64K数据存储器可分为512个数据页，记为0—511页。页地址由页 地址指针DP决定。
（4）闪速存储器(Flash)：
可被配置为数据存储器，也可配置为程 序存储器。 （只对 B0块）
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
（3）掩模型片内ROM存储器 SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存 储器。
（4）闪速存储器(Flash)：
C2000的有些器件内含有SARAM 。
SARAM可配置为程序存储器或数据存储器。
配置为内部程序存储器SARAM时，程序代 码可以从片外ROM调入，并被全速执行。
§ 3.1 存储器的类型
由生产厂家已写好程序的存储 器，用户只能读不能写。
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
• GREG低8位有效，高8位为任意值。
全局数据存储器的配置
例： 需要配置一个8K的全局存储器， 可向GREG的低8位写入11100000b（E0h）， 这样就把E000—FFFFh指定为全局数据地址。
§ 3.5 I/O空间
• I/O空间可寻址64K
• 访问I/O空间的指令：
读：IN dma， PA
有些C2000器件片内有掩模型 ROM作为程序存储器。
（1）片内双访问存储器(DARAM) 如果用户需要定制掩模型片内
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
ROM，可按目标文件格式提供 程序代码或数据，由芯片生产 厂家对ROM进行掩模。
（3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 2） DARAM(B0)
由CNF位决定片内DARAM(B0)的地址映射
CNF = 0： DARAM(B0)被配置到数据存储器空间 （地址：0200h～02FFh，256字） 占两页地址指针: 000000100b 000000101b LDP LDP #04h ; #05h ; 地址 ：0200 ～027Fh 地址 : 0280 ～02FFh
• 用来存放与其他处理器共用的数据数据存储器， 通过外 部扩展得到。 • 数据存储器可作为局部(或本地)数据存储器和全局数据存 储器使用。
• 数据存储器的低32K字(0000～7FFFh)总是用做局部数据
存储器， • 数据存储器的高32K字(8000～FFFFh)可用做全局数据存 储器，其分布由全局存储器分配寄存器(GREG)确定，范 围在256—32K字之间。
• 程序存储器存放应用程序的代码、表格信息和固定操作数
• TMS320C2000器件可寻址的程序存储器地址有64K字。
• C2000器件的程序存储器类型： 片内DARAM (B0块） 片内SARAM 片内ROM / Flash 片外ROM
1．程序存储器地址分配 （TMS320LF2407型号芯片）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
1）数据存储器第0页地址映射
(地址0000～007Fh)
0000-0003h 0004h 0005h 0006h 0023-0027h 002B-002Fh 0060-007Fh B2 IMR 保留 中断屏蔽寄存器