7-3 半导体激光器封装
半导体激光器国家标准(二)

半导体激光器国家标准(二)3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面(AR面)上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移,导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上,又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内,使光波沿着有源区层传播,并通过腔面输出,半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关,对于横向电场(TE)偏振光,只存在(Ey,Hx,Hz)三个分量,对于横向磁场(TM)偏振光,只存在(Ex,Ez,Hy)三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征,偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值,通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,激光器产生1W 热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时,结温每升高1℃所引起的波长变化,单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10%和90%对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
半导体激光器 制造 封装

TO封装技术
❖ TO封装,即Transistor Outline 或者Throughhole封装技术,原来是晶体管器件常用的封装形式, 在工业技术上比较成熟。TO封装的寄生参数小、工艺 简单、成本低,使用灵活方便,因此这种结构广泛用 于 2.5Gb/s以下LED、LD、光接收器件和组件的封装。 TO管壳内部空间很小,而且只有四根引线,不可能安 装半导体致冷器。由于在封装成本上的极大优势,封 装技术的不断提高,TO封装激光器的速率已经可以达 到 10Gb/s。
半导体LD的特点及与LED区别
特点:效率高、体积小、重量轻、 可 靠 , 结构简 单 ; 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器 可选择的波长主要局限在红光和红外区域。
LD 和LED的主要区别 LD发射的是受激辐射光。 LED发射的是自发辐射光。 LED的结构和LD相似,大多是采用双异质结
(DH)芯片,把有源层夹在P型和N型限制层中间, 不同的是LED不需要光学谐振腔,没有阈值。
2二次外延生长
生长:
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层:接触层
DFB-LD
3一次光刻
❖ 一次光刻出双 沟图形
DFB-LD
4脊波导腐蚀
选择性腐蚀到四元 停止层
DFB-LD
5套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
DFB-LD
6三次光刻:电极图形
DFB-LD
7欧姆接触
半导体激光器的制作工艺、 封装技术和可靠性
目录
1.半导体材料选择 2.制作工艺概述 3.DFB和VCSEL激光器芯片制造 4.耦合封装技术
1.半导体激光器材料选择
❖ 半导体激光器材料主要选 取Ⅲ-Ⅴ族化合物(二元、 三元或四元),大多为直 接带隙材料,发光器件的 覆盖波长范围从0.4μm到 10μm。
半导体激光器国家标准(二)

半导体激光器国家标准(二)3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面(AR面)上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移,导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上,又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内,使光波沿着有源区层传播,并通过腔面输出,半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关,对于横向电场(TE)偏振光,只存在(Ey,Hx,Hz)三个分量,对于横向磁场(TM)偏振光,只存在(Ex,Ez,Hy)三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征,偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值,通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,激光器产生1W 热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时,结温每升高1℃所引起的波长变化,单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10%和90%对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
半导体激光器工作原理

半导体激光器工作原理首先,半导体激光器中的激活载流子通过注入电流的方式得以激活。
半导体材料通常是由n型和p型半导体组成的p-n结。
当外加正向偏压时,n型半导体中的自由电子将从导带跃迁到p型半导体中的空穴,形成激活载流子。
激活载流子存在于活性层或量子阱中,这是激光器的主要部件。
接下来,需要形成反射反馈来实现光放大。
在半导体激光器中,常常使用镜面和光栅等光学元件来实现反射反馈。
其中,光栅通常被用于频率稳定的激光器,镜面则常用于多模激光器和低成本的边界模激光器。
这些反射反馈会引导光信号在激活载流子的周围多次传输,并逐渐增加光子的数目。
然后,激活载流子引起的光信号在增加光子数目的过程中被光增益介质放大。
半导体激光器中的活性层或量子阱具有较高的光增益,因此能够对穿过的光信号进行放大。
在这个过程中,激活载流子释放出能量,使周围的光子激发更多的激活载流子,这样就形成了光放大的正反馈过程。
最后,在反射反馈和光增益的作用下,激光器中产生了激光输出。
当光信号在活性层或量子阱中传播时,由于反射反馈和光增益的影响,其能量逐渐增加。
当达到激光输出阈值时,产生了相干的激光,从激光器的输出端口射出。
需要注意的是,半导体激光器的一些特殊结构可以实现单模或多模激光输出。
例如,具有窄量子井和窄带隙的阱层等结构可以实现单模输出;而具有宽阱层和厚量子井的结构则有助于实现多模输出。
总的来说,半导体激光器的工作原理涉及激活载流子、形成反射反馈、实现光放大和产生激光输出等过程。
通过这些步骤,半导体激光器能够高效地将电能转化为激光能,并广泛应用于各个领域。
半导体激光器 原理

半导体激光器原理
半导体激光器是一种基于半导体材料的激光发射装置。
它通过电流注入半导体材料中的活性层,使其产生载流子(电子和空穴)重组的过程中释放出光子。
以下是半导体激光器的基本原理:
1. P-N结构:半导体激光器通常采用P-N结构,其中P区域富含正电荷,N区域富含负电荷。
2. 电流注入:当电流从P区域注入到N区域时,电子和空穴
会在活性层中重组,形成激子(激发态)。
3. 激子衰减:激子会因为与晶格的相互作用而损失能量,进而衰减为基态激子。
4. 辐射复合:基态激子最终与活性层中的空穴重新结合,释放出光子。
这个过程称为辐射复合。
5. 光放大:光子通过多次反射在激光腔中来回传播,与活性层中的激子相互作用,不断放大。
6. 反射镜:激光腔两端分别放置高反射镜和透明窗口,高反射镜可以增加内部光子的反射使其在腔内传播,透明窗口允许激光通过。
7. 激光输出:当达到一定放大程度时,激光在透明窗口处逃逸,形成激光输出。
通过控制电流注入和激光腔的结构设计,可以调节半导体激光器的发射波长、功率等参数,以满足不同应用领域的要求。
半导体激光器工艺

半导体激光器工艺半导体激光器工艺:发展、应用与挑战一、半导体激光器简介半导体激光器,也称为二极管激光器,是一种基于半导体材料激发特定波长光子的光电子器件。
自1960年代问世以来,半导体激光器以其高效、小型、灵活的特性在众多领域取得了广泛应用。
这些领域包括通信、显示、消费电子、生物医疗等。
二、制作材料与器件结构半导体激光器的制作材料主要包括三五族化合物,如GaAs(砷化镓)、InGaN(氮化铟镓)等。
这些材料具有直接带隙结构,便于实现高效的载流子注入和辐射复合。
器件结构方面,半导体激光器通常采用二极管结构,由两个端面反射镜和一个有源区组成。
有源区通常包含一个或多个量子阱,用于提供载流子并产生光子。
反射镜则用于形成共振腔,确保光子能在其中反复振荡并最终从输出端释放。
三、制造工艺流程半导体激光器的制造工艺流程包括以下几个阶段:1. 材料生长:通过液相外延、分子束外延等手段生长高质量的半导体材料;2. 制程工艺:在生长好的半导体材料上刻蚀微结构、镀膜等,以实现器件的特定功能;3. 测试与评估:对制作好的半导体激光器进行电学、光学性能的测试与评估,筛选合格的产品。
四、技术原理和特点半导体激光器的工作原理基于PN结的注入锁定效应。
当电流通过PN 结时,载流子从P区注入N区,通过外部反馈系统形成正反馈,使电流进一步增加。
当电流超过阈值时,载流子在PN结处产生光子,形成激光输出。
与其他类型激光器如气体激光器、光盘激光器相比,半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、速度快等优点。
同时,由于其直接输出光的特性,半导体激光器还具有无需光学系统进行转换或放大等优势。
五、应用领域和案例分析半导体激光器的应用领域非常广泛。
在通信领域,半导体激光器被用于光纤通信中,作为泵浦源或信号源。
在显示领域,半导体激光器可以用于制造高亮度、高分辨率的显示器。
在消费电子领域,半导体激光器被用于CD、DVD等光盘驱动器和激光打印机等设备。
以光纤通信为例,半导体激光器作为泵浦源,能够将能量转化为光能,并通过光纤传输到远端。
半导体激光器发光原理及工作原理

半导体激光器发光原理及工作原理激光器是一种将电能转化为高纯度、高单色性、高亮度的光能的装置。
半导体激光器是其中一种常见的激光器类型,其发光原理和工作原理是如何实现的呢?本文将详细介绍半导体激光器的发光原理及工作原理。
1. 发光原理半导体激光器的发光原理基于半导体材料的特性。
半导体材料是一种能够在导带和价带之间形成禁带的材料。
当外加电压作用于半导体材料时,电子可以从价带跃迁到导带,形成电子空穴对。
在正常情况下,电子和空穴会通过复合过程重新回到基态,释放出热能。
然而,在半导体材料中,通过合适的设计和制备工艺,可以形成一种叫做“正向偏置”的结构。
在正向偏置下,电子和空穴会被分离并在半导体材料中形成电子空穴区。
当电子和空穴在电子空穴区遇到时,它们会发生辐射复合过程,释放出光子能量。
这些光子能量具有特定的频率和相位,即具有高纯度和单色性。
通过进一步的光学设计和反射镜的使用,这些光子能量可以在激光腔中来回反射,形成一束高亮度的激光光束。
2. 工作原理半导体激光器的工作原理基于激光器的三要素:增益介质、泵浦源和光反馈。
首先,增益介质是半导体材料,如氮化镓、砷化镓等。
这些材料具有合适的能带结构,可以实现电子和空穴的辐射复合过程,从而产生光子能量。
其次,泵浦源是提供能量的源头,用于激发电子和空穴跃迁到激活态。
常见的泵浦源包括电流注入、光泵浦等。
其中,电流注入是最常用的泵浦方式,通过外加电压使得电子和空穴在半导体材料中分离并形成电子空穴区。
最后,光反馈是指通过适当的反射镜设计,使得激光光子在激光腔内来回反射。
这样可以增加光子在增益介质中的传播距离,从而增强光子与电子空穴对的相互作用,提高光子的放大程度。
半导体激光器的工作过程可以简单描述为:通过泵浦源提供能量,使得电子和空穴跃迁到激活态,并在电子空穴区发生辐射复合过程,释放出光子能量。
这些光子经过光反馈的作用,在激光腔内来回反射,形成一束高亮度、高单色性的激光光束。
半导体激光器工艺流程

半导体激光器工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. l hope that after you downloadthem,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified afterdownloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!半导体激光器工艺流程概括如下:①晶片生长:采用分子束外延(MBE)或金属有机物气相沉积(MOCVD)等技术,在单晶衬底上生长特定的半导体多层结构,如GaAs、InP等。
②芯片加工:通过光刻、蚀刻等微纳加工技术,在生长的半导体层上形成所需的微结构,如量子阱、波导等,以定义光放大区域。
③电极制作:在芯片两端制备欧姆接触电极,以便注入电流,常用金属化工艺如热蒸发或溅射法沉积金属层。
④芯片划片:将加工好的大片晶圆切割成单独的芯片,通常使用激光划片或金刚石刀具完成。
⑤测试与筛选:对切割后的芯片进行光电特性测试,包括阈值电流、输出功率、波长稳定性等,挑选出符合性能指标的器件。
⑥封装:将合格芯片封装进金属或陶瓷外壳内,确保散热并提供电气接口,有些还需透镜系统以优化光束质量。
⑦老化与可靠性验证:对封装好的激光器进行长时间工作测试,评估其稳定性和寿命。
整个流程要求极高精度和洁净度控制,以保证激光器的性能和可靠性。
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Temperature (
O
46 h2=1.5mm 44 42 40 0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 h2=0.5mm
Length ( m )
背冷式微通道热沉的应用
下一代背冷式微通道散热结构
提高现有微通道热沉 散热能力30%以上
END
计算结果
I
t
t
热沉尺寸: 25 257.5mm3 热流密度: 4 106W/m2 λ =398W/m﹒K
(1) 热阻与热沉长、宽的关系
(2) 热阻与热沉厚度与长度的关系
半导体制冷
半导体致冷也叫温差电致冷是利用半导体材料的 温差电效应——即珀尔帖效应来实现致冷。把不 同极性的两种半导体材料(P型、N型),联成电 偶对,电流由N型元件流向P型元件时便吸收热量, 这个端面为冷面,电流由P型元件流向N型元件时 便放出热量,这个端面为热面。 • 体积小重量轻,具有致冷和加热两种功能:改变 直流电源的极性,同一致冷器可实现加热和致冷 两种功能。
Thermal resistance (W/K)
g=0.4mm g=0.1mm
0.45 0.40 0.35 0.30
g=0.4mm
Submount Insulator
a=1.4mm 0.25 0.20 0.4
1.2
1.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Thickness of submount (mm)
斯泰藩-波尔兹曼定律(热辐射) q=ξA(T1- T2)
固体中的热传导
核心:目标物体温度场函数t(x.y.z)的 确定。
稳态无内热源情况下的Laplace方程
求解方法—解析函数法
解析函数法: 利用合理的数学语言把实际工况变换 成导热微分方程,然后利用数学物理方 法解之,得到温度场函数。 适用领域: 整体结构简单、理想化的情况。
847
847
mounted on Cu heatsink
Mounted on expansion-matched heatsink
PL wavelength (nm)
PL wavelength (nm)
846
846
845 0 2000 4000 6000 8000 10000
845 0 2000 4000 6000 8000 10000
基于普通水冷热沉的亚封装模块
0.55
Thickness of insulator (mm)
0.0 0.50 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Thermal resistance (K/W)
0.50 0.45 0.40 0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 0.4 0.6 0.8 1.0
(z=0)
1 0 H ( ) 0 0
计算结果
利用傅立叶变换法求解以上方程组得到温度场t(x,y,z):
t ( x, y, z ) T ( z) R( y, z) J ( x, z) I ( x, y, z)
T( z) q d g a b z q d g c a b
In 焊料的缺点
极限寿命为104小时左右; 光束质量随工作时间增加而降低(In蠕变加剧Smile效 应); 不利于更高功率工作(连续输出功率<120W/bar); 工业用低占空比完全调制硬脉冲条件下工作寿命几百小时; 控制激光bar结温≤55℃。
Bar 焊接的“Smile”效应
Bar 封装时的应力特性
Thickness of submount (mm)
普通微通道热沉
计算结果
1mm腔长bar,80W连续工作,电光转换效率60%, 微通道壁和微通道宽度均为200um时的温度分布。热 阻为0.29K/W.
热阻的实验测试
1.0
E ffic ie n c y (A .U .)
0 .5
50 2.4 2.2
低占空比硬脉冲工作状态
AuSn焊料的特点
高温、高电流密度条件下稳定性好; 激光bar结温可允许达80 ℃; 寿命高达3-4万小时; 工业用低占空比完全调制硬脉冲条件下 寿命与普通工作状态寿命差别不大。
AuSn焊料的使用
新一代CTE热沉材料
Bar 内应力分布
bar facet
Cu heat sink
2 n c n d n d a n n z 2 q g a sin z 2 q g a sin e a a a a cos n x J( x z) e e 2 n c 2 n c a n 1 2 2 a 2 2 a b n 1 e b n 1 e
t R
半导体激光器的热阻
t R
Φ 为有源区产生的热量: Φ =IV-Popt △t 是有源区与冷却介质之间的温度差 R为有源区与冷却介质之间的热阻,单位K/W
降低有源区到冷却介质之间的热阻是 半导体激光热控制的核心。
半导体激光单元器件
依靠自然对流散热,热阻较高, 热阻约为5K/W左右
Intensity (A.U.)
0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 780
Laser power (W)
0 .3
30
1.8 1.6 1.4
0 .2
20
0 .1
10 1.2 0 0 10 20 30 40 50 1.0 60
0 .0
790
800
Wavelength (nm)
810
820
Current (A)
I( x y z)
n 1 m1
2 2 n 2 m 2 n m z z a b B e a b cos n x cos m y Ae a b
热量传递的基本方式
导热:物体各部分之间不发生相对位移 时依靠微观粒子热运动而产生的 热量传递。 对流:由于流体之间相对位移、冷热流 体相互掺混引起的热量传递。 热辐射:通过电磁波来传递能量的方式 称为辐射
几个基本公式
傅立叶定律(热传导) q= -λ(dt/dx)
λ:热导率
牛顿冷却公式(对流散热) q=hΔt h: 表面传热系数
求解方法—数值解法
数值解法: 利用有限个离散点值的集合表征物理场 (量)的连续变化情况。 适用领域: 外形结构比较复杂、很难获得解析解的情 况下。
热阻概念的引入
热量的传递同自然界中的其它转移过程, 如电量的转移、质量的转移有着共同的规 律,可归结为: 过程中的转移量 = 过程中的动力/过程中 的阻力 U 电学中这种规律性就是欧姆定律: I R 传热学中此规律演变为:
t Rth
热阻0.34K/W
Voltage (V)
15A 55A 55A (after 30')
0 .4
40 2.0
计算结果与实验结果差异分析
Bar自身结构热阻; 焊接界面热阻; 微通道制备结构与理想结构差异。
背冷式微通道热沉
56
C)
54 52 50 48 h2=2mm h2=1mm
无源热沉的热结构
普通水冷热沉
普通水冷热沉
牛顿冷却公式(对流散热) q=hΔt h: 表面传热系数
计算结果
0.45
Thermal resistance (K/W)
0.40 0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Volumetric flow rate (L/min)
2 m c b m m g e m g m z 2 q d b sin z 2 q d b sin b b b b cos m y R( y z) e e 2 m c 2 m c b m1 2 2 b 2 2 b a m 1 e a m 1 e
Lateral position (µm)
Lateral position (µm)
半导体激光器的热特性
阈值电流随有源区温度的指数增长; 电光转换效率随有源区温度的指数下降; 有源区温度增加器件寿命下降; 腔面温度升高非辐射复合导致COD问题。
有源区温度控制大功率半导体激光器 应用的核心问题。
典ห้องสมุดไป่ตู้的封装形式
Bar p面朝下焊接到热沉上,热沉充当正极; 热沉根据散热量不同分为有源、无源热沉; N面电连接采用Cu箔或金丝引线。
上电极 下电极
电流方向 发光方向 热散出方向
Bar焊接焊料的选择
软焊料 纯In材料具有非常好的延展性,抗疲劳 性以及抗裂纹传播率.适用于CTE与GaAs差别 较大的热沉材料与激光bar之间的焊接,例如: CVD金刚石、无氧铜和AlN等材料。 硬焊料 AuSn合金为激光bar焊接的首选硬焊料。 适用于热沉材料热膨胀系数(CTE)与GaAs差 别非常小的情况,例如:BeO热沉和CuW合 金热沉。
上节课回顾:
半导体激光器的制备流程;
半导体激光器的结构要求