模电(李国立)14章习题答案
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
1半导体二极管自我检测题一. 选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体, 掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质, 其多数载流子是电子。
2. 在本征半导体中, 空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中, 空穴浓度B 电子浓度；在P型半导体中, 空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于, B．小于, C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决..，而少数载流子的浓度..关系十分密切。
（A. 温度, B. 掺杂工艺, C. 杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽. . ；当PN结外加反向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽.. .（A. 大于, B. 小于, C. 等于, D. 变宽, E. 变窄, F不变）5. 二极管实际就是一个PN结, PN结具有单向导电性, 即处于正向偏置时, 处于导通状态；反向偏置时, 处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_.，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A. 0.1～0.3V, B. 0.6～0.8V, C. 小于, D. 大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度.T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压. 0..伏，反向击穿电压. 16. 伏，反向电流.10-. 安培。
温度T.小..25℃。
（大于、小于、等于）图选择题78. PN结的特性方程是。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二. 判断题（正确的在括号内画√, 错误的画×）1. N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）2. 在P型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（√）3．P型半导体带正电, N型半导体带负电。
（×）4. PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程(第二版)课后 习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A ， 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。
解：在20C 时的反向电流约为：2°x 10# A= 1.25卩A在80C 时的反向电流约为：2310」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少？② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，贝V 二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U ： 0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
1.5V 1k? (b)习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin® t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
先假设所有二极管都截止,瞧哪个二极管得正偏电压高,先导通。
(a)图中,
所以,D2先导通,导通后VO＝3-0、7=2、3V,D1截止。
(b)图中,
所以,D2D4先导通,则,D1截止,
VO＝－1、4V
1、8设图题1、8中二极管得导通压降为0、7V,求二极管上流过得电流ID得值。
图题1、8
解:将二极管以外得电路进行戴维宁等效
所以
1、9已知图题1、9电路中稳压管DZ1与DZ2得稳定电压分别为5V与9V,求电压VO得值。
图题1、9
解:(a)图中DZ1、DZ2均工作于稳压状态,
(b)DZ1工作于稳压状态,DZ2工作于反向截止区,所以DZ2支路得电流近似为零,
1、10已知图题1、10所示电路中,,稳压管DZ1、DZ2得稳定电压分别为5V、3V,正向导通压降均为0、7V。试画出vO得波形。
6、普通小功率硅二极管得正向导通压降约为_B,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管得正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。
(A.0、1～0、3V,B.0、6～0、8V,C.小于,D.大于)
7、已知某二极管在温度为25℃时得伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为T1时得伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管得死区电压为0、5伏,反向击穿电压为160伏,反向电流为10-6安培。温度T1小于25℃。(大于、小于、等于)
图选择题7
8.PN结得特性方程就是。普通二极管工作在特性曲线得正向区;稳压管工作在特性曲线得反向击穿区。
二.判断题(正确得在括号内画√,错误得画×)
1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。(×)
2.在P型半导体中,掺入高浓度得五价磷元素可以改型为N型半导体。(√)
模电(李国立)10章习题答案
10 模拟集成电路自我检测题一．选择和填空1.试比较图选择题1中三个电流源电路的性能，填空：I0更接近于I REF的电路是a ；I0受温度影响最小的电路是b ；I0受电源电压变化影响最大的电路是a 。
0I0R R( a )( b )图选择题12．差分放大电路是为了C 而设置的〔A．提高放大倍数，B．提高输入电阻，C．抑制温漂〕，它主要通过 F 来实现。
〔D．增加一级放大电路，E．采用两个输入端，F ．利用参数对称的对管〕。
3．在长尾式的差分放大电路中，R e的主要作用是B 。
〔A．提高差模电压放大倍数，B．抑制零漂，C．增大差模输入电阻〕4．在长尾式的差分放大电路中，R e对B 有负反馈作用。
〔A．差模信号，B．共模信号，C．任意信号〕5．差分放大电路利用恒流源代替R e是为了C 。
〔A．提高差模电压放大倍数，B．提高共模电压放大倍数，C．提高共模抑制比〕6．具有理想电流源的差分放大电路，无论何种组态，其共模抑制比A 。
〔A．均为无穷大，B．均为无穷小，C．不相同〕7．输入失调电压V IO是C 。
(A．两个输入端电压之差，B．两个输入端电压均为零时的输出电压，C．输出电压为零时，两个输入端之间的等效补偿电压)8．V IO越大，说明运放B 。
〔A．开环差模电压放大倍数越小，B．输入差放级V BE 或〔V GS〕的失配越严重，C．输入差放级β的失配越严重〕9．输入失调电流I IO是C 。
〔A．两个输入端信号电流之差，B．两个输入端信号电流均为零时的输出电流，C．两个输入端静态电流之差〕10．I IO越大，说明运放B 。
〔A．差模输入电阻越小，B．输入差放级β的失配越严重，C．输入差放级V BE 或〔V GS〕的失配越严重〕二．判断题〔正确的在括号内画√，错误的画×〕1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
〔√ 〕2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件 (3)第2章基本放大电路 (14)第3章多级放大电路 (31)第4章集成运算放大电路 (41)第5章放大电路的频率响应 (50)第6章放大电路中的反馈 (60)第7章信号的运算和处理 (74)第8章波形的发生和信号的转换 (90)第9章功率放大电路 (114)第10章直流电源 (126)第1章常用半导体器件自测题一、 判断下列说法是否正确，用伙”和 V”表示判断结果填入空内。
(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
(V )(2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(X )(3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(V )(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压， 才能保证其R GS 大的特点。
(V )⑹若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(X )二、 选择正确答案填入空内。
(1) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、 写出图TI.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图 T1.3解：U oi =1.3V, U O 2=0V, U O 3=-1.3V, U O 4=2V, U O 5=1.3V, U O 6=-2V 。
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14 直流电源自我检测题一．选择和填空1. 已知电源变压器次级电压有效值为10V ，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电路后无滤波电路。
若采用半波整流电路，则输出电压平均值V O(AV)≈ C （A ．12V B ．9V C ．4.5V ）；若采用桥式整流电路，则输出电压平均值V O(AV)≈ B （A ．12V B ．9V C ．4.5V ）；半波整流电路输出电压的交流分量 A 桥式整流电路输出电压的交流分量（A ．大于 B ．等于 C ．小于）；半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压 B 桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压（A ．大于 B ．等于 C ．小于）。
2.在如图选择题2所示的两电路中，已知：它们的输出电压的平均值相等，即V O1(AV)= V O2(AV) ≈9V ；变压器的内阻及二极管的正向电阻均可忽略不计。
图（a ）中变压器次级电压有效值V 2≈ 20 V ；图（b ）中变压器次级电压有效值V 21= V 22 ≈ 10 V 。
( a )图选择题23.所示电路中，I V （平均值）≈ B （A ．28V B ．24V C ．18V ）；D 1～D 4流过的电流平均值≈ C （A ．60mA B ．80mA C ．45mA ）；考虑到电网电压波动范围为±10％，D 1～D 4所承受的最大反向电压≈ A （A ．31V B ．28V C ．62V ）；若稳压管D Z 的最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA ，则负载电流I L 有可能达到的最大变化范围＝ B（A ．5mA B ．20mA C ．25mA ）。
= 6V图选择题34．在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将 A （ A ．升高 B ．不变 C ．减小）；这时，二极管的导通角θ将 C （A ．增大 B ．不变 C ．减小）。
5. 分析如图选择题5所示电路：电容C 1上电压的极性是左 负 右 正 ，C 2上电压的极性是左 负 右 正 ；C 1上电压平均值≈ 28.4V ；输出电压O v 平均值≈ 56.8V ；二极管D 1承受的最高反向电压V RM1≈ 56.8V ；D 2承受的最高反向电压V RM2≈ 56.8V 。
12图选择题56．在图选择题6所示稳压电路中，稳压管的稳定电压V Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝35mA ，正向导通电压V D ＝0.7V ；V I ＝20V 。
当R ＝R L ＝1k Ω时，V O ＝ C ；当R ＝R L ＝3k Ω且D Z 开路时，V O ＝ D ；当R ＝3k Ω且VD Z 接反时，V O ＝ A ；当R ＝3k Ω且R L ＝1k Ω时，V O ＝ B 。
（A. 0.7V B. 5V C. 6V D. 10V ）V O图选择题6二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，单向桥式整流电路的输出电压平均值是半波整流电路的2倍（√），负载电流平均值是半波整流电路的2倍（√），二极管承受的最大反向电压是半波整流电路的2倍（×），二极管的正向平均电流是半波整流电路的2倍（×）。
2．电容滤波适用于大电流负载，而电感滤波适用于小电流负载。
（×） 3. 当输入电压I v 和负载电流L I 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（×） 4．在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流与稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（√）5．在稳压管稳压电路中，稳压管动态电阻Z r 越大，稳压性能越好。
（×）6. 开关型稳压电源中的调整管工作在开关状态。
（√）7. 开关型稳压电源比线性稳压电源效率低。
（×） 8．开关型稳压电源适用于输出电压调节范围小、负载电流变化不大的场合。
（√）习题14.1 变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题14.1所示，副边电压为tV v v ωsin 22b 2a 2=-=，假定忽略二极管的正向压降和变压器内阻：（1）试画出a 2v 、b 2v 、D1i 、D2i 、L i 、L v 及二极管承受的反向电压R v 的波形；（2）已知2V （有效值），求L V 、L I （均为平均值）；（3）计算整流二极管的平均电流D I 、最大反向电压RM V ；（4）若已知30V L =V ，80mA L =I ，试计算a 2V 、b 2V 的值，并选择整流二极管。
z 50H V 220~+-D LR 2Tr1v ∙解：（1）a 2v 、b 2v 、D1i 、D2i 、L i 、L v 及二极管的反向电压R V 的波形如下图所示。
2a 2v v 、2V D1i i 、L v 22V（2）负载电压L V 和负载电流L I （平均值）220L 0L 9.0)(d sin 21)(d 1V t t V t v V ===⎰⎰ωωπωπππL2LL L 0.9R V R V I ==（3）整流二极管的平均电流D I 和最大反向电压RM V2)(d )sin(221)(d 21L L20LL 0D I t t R V t R v I ===⎰⎰ωωπωπππ2RM 22V V =（4）当V 30L =V ，mA 80L =I 时33.3V30V 1.111.110.9L L b 2a 2=⨯====V V v v此时二极管电流40mA280mA 2L D ===I I94.2VV 3.3322222RM =⨯==V V选用2CP6A （100mA DM =I ，100V RM =V ）。
14.2如图14.2所示整流、滤波电路，已知变压器次级电压Vsin 2202t v ω=，电容C的取值在R L ＝100Ω时满足()()ms 2025~3L ==T T C R ，负载电阻为100Ω至无穷大。
试问：（1）当R L ＝100Ω时，输出电压的平均值()≈AV O V ？（2）当R L ＝∞时，输出电压的平均值()≈AV O V ？（3）设电网电压的波动范围是±10％，二极管的最大整流平均电流及最高反向工作电压至少应取多少？V OD 1~D 4图题14.2解：（1）V V V 242.12)AV (O =≈ （2）V V V 2822)AV (O =≈ （3）mAR V I L AVO D 13221.1min)(max ≈>VV V 3122RM ≈>14.3桥式整流、电容滤波电路如图题14.3所示，已知交流电源电压V 2201=V 、50Hz ，Ω=50L R ，要求输出直流电压为24V ，纹波较小。
（1）选择整流管的型号；（2）选择滤波电容器（容量和耐压）； （3）确定电源变压器的副边电压和电流。
z50H V 220~Tr1v L+-L v图题14.3 桥式整流、电容滤波电路解：（1）选择整流管的型号通过二极管的平均电流和二极管承受的最大反向电压分别为240mA0.24A 502V 242L D ==Ω⨯==LR V I1.2~1.1L 2V V =取20V1.224V 2==V和28.2V20V 222RM =⨯==V V选2CP1D （100mA DM =I ，100V RM =V ）。
（2）选择滤波电容器（容量和耐压）fT C R 25~32)5~3(L d =≥=τs01.0)5~3(Hz5025~3⨯=⨯=取s 05.0d =τ，F 1000)F 500.05(L d μτ===R C 。
要求电容耐压>28.2V22RM==V V 。
故选择50VF 1000μ的电解电容器。
（3）变压器副边电压2V 和电流2I20V1.2V 242==VDL 222)~(1.52)~(1.5I I I ⨯==取 720m A2)m A 240(1.51.5L 2=⨯⨯==I I 14.4 如图题14.3所示电路中，1A 组成一线性半波整流电路，2A 组成一加法电路，二者构成一线性全波整流电路。
（1）试画出其输入—输出特性)(s O v f v =；（2）试画出)V (sin 10s t v ω=时O1v '和O v 波形； （3）说明此电路具有取绝对值的功能。
v O图题14.4解：（1）当0s >v ，O1v 为负，2D 截止，1D 导通，s O1v v -='。
当0s <v ，为O1v 正，1D 截止，2D 导通，因此0O1='v ，故O1v '与s v 的关系为 s v - 0s >vO1v '= 0 0s <v1A 为线性半波整流电路，2A 为反相加法器。
当0s >v ，s O1v v -='，s s O1O 2v v v v =-'-=； 当0s <v ，0O1='v ，s O v v -=，故O v 与s v 的关系为s v 0s >v O v =s v - 0s <v 根据分析结果，可画出)(s O v f v =特性，如下图（a ）所示。
（2）O v 的波形如图b 所示，而)(s O1v f v ='与O1v '的波形，如图c 、d 所示。
s s/V O1v 'O v s v (a)(c)（3）由于电路中用了高增益的运放，故可保证用于毫伏级信号的高精度整流。
由O v 波形可见，精密整流的输出电压||s O v v =，故此电路又称为绝对值电路。
14.5在如图题14.5所示的稳压电路中，已知稳压管的最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax =35mA ，负载电流I L ＝5～25mA ，其余参数如图中所标注。
求解限流电阻R 的取值范围。
V O V I =15V图题14.5解：Ω=+-=+-=8332551540max O Zm Z in Im maxI I V V RΩ=+-=+-=6255351540minO ZM Z Im min I I V V R ax14.6在如图题14.6所示稳压电路中，稳压管Dz 的最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zzmax =20mA 。
试问：（1）R 1的取值范围为多少？ （2）V O 的调节范围为多少？V I V Z =图题14.6解： （1）Ω=-≈950maxmin 1ZZ I I V V RΩ=-≈k I V V R Z Z I 8.3m i nmax 1（2）ZOV R R R V 232+=R 3=0时，V O =6V ；R 3=2k Ω时，V O =18V ，即6V ≤V O ≤18V14.7在如图题14.7所示的直流稳压电源中，已知W78M15的输出电压为15V ，最大输出电流为0.5A ，I W ＝10mA ；变压器副边电压的有效值V 2＝18V ，其内阻可忽略不计，二极管正向电阻为零。