模电课后习题参考答案
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电课后题答案详解
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模拟电子技术课后习题解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电路课后练习题含答案
模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$，其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$，电感为L1=100mH，求相电角。
解答
根据电路理论，通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式：
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中，Z为电路的阻抗，$\\phi$ 为相电角，I m为电流幅值，U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路，其有源器件为晶体管，其I C=
5mA，V CE(sat)=0.2V，则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论，晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积，并乘以当前电路中的个数：
1。
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《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。
2.减小；增大。
3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。
4.0.5；；；。
5. 15V；；；；6V；。
6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。
2. ②；①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。
(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。
故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。
当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。
当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。
同理，当u i≤时，U om≈。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；<u i<8V时，u o=u i；u i<时，u o=。
图略。
1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。
(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。
(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。
第2章自测题一、1. 15；100；30。
2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。
3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA；(7)30mV。
4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。
5.削底，削底，削底。
6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。
二、1.②。
2.④。
3. ③。
4.②；①；④。
5.②④。
6.④。
三、1、5对；2、3、4、6错。
思考题与习题2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。
(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。
(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。
2.1.2 (a)放大状态。
(b)截止状态。
(c)因J C 零偏，管子处于临界饱和状态。
2.2.1图(a)电路不能放大，因为静态I B =0。
图(b)电路不能放大，因为V CC 极性接反。
图(c)、电路具有放大功能。
2.3.1 (1) 当S →A 时，因R b <βR c ，管子处于饱和区，I C =I CS ≈V CC /R c =3(mA)。
(2) 当S →B 时，因R b >βR c ，管子处于放大区，I B =(V CC -U BE )/R bB = (mA)，I C =βI B = (mA)。
(3) 当S →C 时，截止，I C =0。
2.3.2 (1)由题图(b)得V CC =10V ，U CE =4V ，I B =40μA ，I C =2mA ，所以R b =(V CC -U CE )/I B =Ω，R C =(V CC -U CE )/I C =3k Ω。
又由图可知I C R'L =(6-4)=2V ，故R'L =1k Ω。
据R'L =R c 2.3.32.3.42.3.52.3.62.4.12.4.22.4.32.4.42.4.52.4.62.4.72.4.8型和绝缘栅型；电压控制；输入电阻高；不参与导电。
2. 漏；源；源；漏；源。
3. 4mA ；-3 V 。
4. 16mA ；+4V ；8ms 。
5.减小；减小；减小。
6. g m 和R S 。
二、1. ②。
2. ③。
3. ④。
4. ④。
5.③。
6. ②。
三、3、4、5对；1、2、6错。
思考题与习题3.1.1图(a)为N-DMOS ，U P = -2V ，I DSS = 2mA ；图(b)为P-JFET ，U P = 2V ，I DSS = 3mA ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = 2mA ；图(d)为N-EMOS ，U T = 1V 。
3.1.2图(a)为N-EMOS ，U T =3V ；图(b)为P-EMOS ，U T = -2V ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = -2mA ；图(d)为N-DMOS ，U P = -3V ，I DSS = 3mA 。
3.1.3习题3..1.3图解3.1.4 (1)为N-DMOS ；(2) U P = -3V ；(3)I DSS ≈ 6mA 。
3.2.1(1)A u = -g m R D = -66。
(2)A u = -g m R ′L = -50。
(3)R i =R g +R g1≈3.2.23.2.33.2.43.2.53.2.6usl1001(100/)Aj f -=-&ush51001(/10)A j f -=+&。
5.不变；下降；不变；减小；不变；增大。
6.窄；低。
二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。
2. (1) ③；(2) ④。
3.(1) ③；(2) ①。
4. ④。
5.①。
6.②。
三、2、5对；1、3、4、6错。
思考题与习题4.1.1(1) I B1=20μA ，I C1=2mA ，U CE1≈10V 。
U B2=，I C2≈I E2 =，U CE2≈。
(2)r be1=Ω；r be2=Ω。
R i2≈(Ω)，R i =R b04.1.24.1.34.1.44.1.51.1M m d be c L u u1u2m f be////1+g R r R R A A A g R r β-⋅-=⋅=⋅&&& 4.1.64.2.14.2.24.2.34.2.114.2.44.2.54.2.6解。
3.效率；%；交越；甲乙。
4. 2.5 W ； W 。
5. W ；%。
6. 4。
二、1. ③。
2. ⑥。
3. ②③。
4. ④。
5. ①。
三、1、2、3、6对；4、5错思考题与习题5.2.1 (1)由P om=V CC2/2R L得V CC≥，故V CC取18V。
(2) I CM ≥V CC/R L=1.125A，U(BR)CEO≥2V CC=36V。
(3) P VCC=。
(4)P CM1=P CM2≥=2W。
(5)U i =。
P o=；P Vcc=2V CC U om/πR L≈；P c =P Vcc-P o=10W；η≈%。
(2)为尽限状态，5.2.2 (1)UP om=V CC 2/2R L=202/2×8=25W；P Vcc=2V CC2/πR L≈；P c=P Vcc-P o=；效率为η≈%。
5.2.3由P om=V CC 2/2R L得U om=16V，则I Lm=U om/R L=1A，故I CM >1A。
因电源电压|V CC|>16V，故U(BR)CEO>2V CC=32V。
由P CM>=。
5.2.4(1)U o=0，调R1或R3可满足要求。
(2)增大R2。
(3)此时I B=(2V CC-2U BE)/(R1+R3)，则V1、V2上的静耗为P C=βI B U CE=βI B V CC=2325mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.5(1)U C2=5V，调R1或R3。
(2)增大R2。
(3)P C=β(V CC/2)(V CC-2U BE)/(R1+R3)=896mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.6(1)准互补OCL功放电路，工作在甲乙类状态。
(2)P om=(V CC-U CE-U R5)2/2R L。
(3)U CEmax=U om+V CC= (V CC-U CES)R L/(R5+R L)+V CC=；I Cm=(V CC-U CES)/(R5+R L)=2.59A。
5.3.1因U om=18/2=9V，(1)P om=U om2/2R L=。
(2)因20lg A u=40dB，则A u=100，U im=U om/A u=9/100=，U i=64mV。
第6章自测题一、1.输入级；中间级；输出级；偏置电路；抑制零漂，且输入电阻高；电压增益高；带负载能力强。
2.恒定；小；大。
3.差模；共模。
4.两个特性相同；温度漂移。
5.两；两；四；相同；半边差模等效电路的电压增益；零；无穷大。
6.同相；反相；相同；相反。
二、1. ②。
2. ①；④。
3.③。
4. ③。
5. ③。
6. ③。
三、2、3、4、5、6对；1错。
思考题与习题6.2.1 (1) VT1、VT2和R组成镜像电流源电路。
由于其等效交流电阻非常大，因此把它作为VT3的集电极负载可提高电压放大倍数。
(2) 由于VT1、VT2特性相同，且β足够大，此时两管基极电流可忽略，则I C2=I C1≈I R=(V CC-|U BE|)/R≈V CC/R。
6.3.1 (1)因U BE+I E (R P/2+2R e)=V EE，故I C≈I E =，U CE =V CC-I C R c-U E=。
(2)因 u id=u i1-u i2=8mV，且A ud=-β(R c6.3.26.3.36.3.46.3.56.3.66.3.76.3.86.3.91. 0.1910；。
3. 34dB。
4. 10；。
5. 909；900。
6.自激。
二、1. ②。
2. ③。
3. ③。
4. ②。
5. ①。
6. ②。
三、4、5、6对；1、2、3错。
思考题与习题7.1.1图(a)：R e1和R e3分别引入一、三级直流和交流负反馈；R e2和C e2引入第二级直流负反馈；R e3、R f1和R e1引入一、三级间直流和交流负反馈；R e2、C e2和R f2引入一、二级间直流负反馈。
图(b)：R e1、C e1和R e2、C e2分别引入一、二级直流负反馈；R e3引入第三级直流和交流负反馈；R f引入一、三级间直流和交流负反馈。