模电课后习题参考答案

《自测题、思考题与习题》参考答案

第1章

自测题

一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；；；。5. 15V；；；；6V；。6.大；整流。

二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。

三、1、2、5、6对； 3、4错。

思考题与习题

1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。同理，当u i≤时，U om≈。图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。

第2章

自测题

一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA；

(7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。

二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。

三、1、5对；2、3、4、6错。

思考题与习题

2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。

2.1.2 (a)放大状态。(b)截止状态。(c)因J C 零偏，管子处于临界饱和状态。

2.2.1图(a)电路不能放大，因为静态I B =0。图(b)电路不能放大，因为V CC 极性接反。图(c)、电路具有放大功能。

2.3.1 (1) 当S →A 时，因R b <βR c ，管子处于饱和区，I C =I CS ≈V CC /R c =3(mA)。(2) 当S →B 时，因R b >βR c ，管子处于放大区，I B =(V CC -U BE )/R bB = (mA)，I C =βI B = (mA)。(3) 当S →C 时，截止，I C =0。

2.3.2 (1)由题图(b)得V CC =10V ，U CE =4V ，I B =40μA ，I C =2mA ，所以R b =(V CC -U CE )/I B =Ω，

R C =(V CC -U CE )/I C =3k Ω。又由图可知I C R'L =(6-4)=2V ，故R'L =1k Ω。据R'L =R c 2.3.32.3.42.3.52.3.62.4.12.4.22.4.32.4.42.4.52.4.62.4.72.4.8型和绝缘栅

型；电压控制；输入电阻高；不参与导电。2. 漏；源；源；漏；源。3. 4mA ；-3 V 。4. 16mA ；+4V ；8ms 。5.减小；减小；减小。6. g m 和R S 。 二、1. ②。2. ③。3. ④。4. ④。5.③。6. ②。 三、3、4、5对；1、2、6错。

思考题与习题

3.1.1图(a)为N-DMOS ，U P = -2V ，I DSS = 2mA ；图(b)为P-JFET ，U P = 2V ，I DSS = 3mA ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = 2mA ；图(d)为N-EMOS ，U T = 1V 。

3.1.2图(a)为N-EMOS ，U T =3V ；图(b)为P-EMOS ，U T = -2V ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = -2mA ；图(d)为N-DMOS ，U P = -3V ，I DSS = 3mA 。 3.1.3

习题3..1.3图解

3.1.4 (1)为N-DMOS ；(2) U P = -3V ；(3)I DSS ≈ 6mA 。 3.2.1(1)A u = -g m R D = -66。(2)

A u = -g m R ′L = -50。

(3)R i =R g +R g1≈3.2.23.2.33.2.43.2.53.2.6usl

1001(100/)A

j f -=

-&ush

51001(/10)

A j f -=+&。5.不变；下降；

不变；减小；不变；增大。 6.窄；低。

二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。2. (1) ③；(2) ④。3.(1) ③；(2) ①。4. ④。5.①。6.②。

三、2、5对；1、3、4、6错。

思考题与习题

4.1.1(1) I B1=20μA ，I C1=2mA ，U CE1≈10V 。U B2=，I C2≈I E2 =，U CE2≈。(2)r be1=Ω；r be2=Ω。R i2≈(Ω)，

R i =R b04.1.24.1.34.1.44.1.51.1M m d be c L u u1u2

m f be

////1+g R r R R A A A g R r β-⋅-=⋅=⋅&&& 4.1.64.2.14.2.24.2.34.2.114.2.44.2.54.2.6解。3.效率；%；交越；甲乙。4. 2.5 W ； W 。5. W ；%。6. 4。

二、1. ③。2. ⑥。3. ②③。4. ④。5. ①。。