FLASH 芯片种类与区别
FLASH芯片种类与区别
F L A S H芯片种类与区别 Hessen was revised in January 2021Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。
IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；?二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。
有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。
SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。
Intel ,SST,AMD,MXIC系列FLASH芯片比较
Intel ，SST，AMD，MXIC系列FLASH芯片比较目前常见的FLASH芯片的生产厂家主要有Intel，SST，AMD，MXIC等，现以使用比较广泛的16M BYTE的FLASH芯片为例，比较它们在性能、设计上的一些异同。
Intel的16M BYTE FLASH芯片的型号为28F160C3，SST的为39VF1601/1602，AMD的为29LV160D，MXIC的为29LV160BT/BB。
工作电压：这几种FLASH芯片的正常读、写、擦除电压都为2.7V-3.6V，但较特殊的是Intel 的28F160C3，有一条专用的快速写、擦除电源腿，可接＋12V电源进行快速写、擦除操作，若无＋12V电源，仍可接正常电源进行正常读写。
执行速度：这几种FLASH芯片都可提供最快70ns的数据读取速度。
可靠性：这几种FLASH芯片都支持最少100,000次的写、擦除操作。
并且都提供符合商业级、工业级标准的芯片。
芯片制作工艺：Intel 的28F160C3有0.13μm、0.18μm、0.25μm三种工艺的版本SST的39VF1601/1602为0.18μmAMD的29LV160D为0.23μmMXIC的29LV160BT/BB为0.23μm封装：Intel提供的封装有：48-Lead TSOP，48-Ball Easy BGA，48-Ball μBGA/VFBGA SST提供的封装有：48-Lead TSOP，48-Ball TFBGAAMD提供的封装有：44-Lead SOP，48-Lead TSOP，48-Ball FBGAMXIC提供的封装有：44-Lead SOP，48-Lead TSOP，48-Ball CSP功耗：这几种FLASH芯片在Typical Read时的电流相同，都为9mABOOT方式：这几种FLASH芯片都提供TOP BOOT和BOTTOM BOOT方式的型号。
数据存取线宽：Intel 的28F160C3和SST的39VF1601/1602都为1M×16bits的存取线宽，2M ×8bits存取线宽的FLASH芯片为另外型号。
固态硬盘芯片类型
固态硬盘芯片类型固态硬盘（Solid State Drive，SSD）作为一种新型存储设备，相对于传统机械硬盘具有更高的速度，更可靠的性能和更低的功耗。
其中，固态硬盘芯片类型是固态硬盘的核心组件，决定了其性能和稳定性。
本文将介绍一些常见的固态硬盘芯片类型。
1. NAND FlashNAND Flash是目前最常见的固态硬盘芯片类型。
它是一种非易失性的存储芯片，具有快速读写速度、低功耗、较高的可靠性和较长的寿命等特点。
根据NAND Flash的不同构造，可以分为SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）三种不同的存储单元。
SLC：SLC芯片使用较少的存储单元，每个存储单元只存储一个比特的数据，因此具有更快的读写速度、更高的耐用性和更长的寿命，但价格也相对较高。
MLC：MLC芯片每个存储单元可以存储两个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于SLC来说，读写速度稍慢，寿命也相对较短。
TLC：TLC芯片每个存储单元可以存储三个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于MLC来说，读写速度更慢，寿命也相对更短。
2. 3D NAND3D NAND是一种新型的NAND Flash技术，与传统的2D nand 不同，3D NAND采用立体多层的结构，将存储单元叠在一起，大大提高了存储密度和容量。
3D NAND具有更高的读写速度、较低的功耗和更长的寿命，还能够提供更大的容量，让用户可以存储更多的数据。
3. SLC LiteSLC Lite是一种基于MLC芯片的技术改进，通过减少存储单元的数量，将MLC芯片模拟成SLC芯片，以提高固态硬盘的性能和可靠性。
SLC Lite芯片具有较快的读写速度、较高的耐用性和较长的寿命，相对于普通的MLC芯片来说，更适合需要高性能和高可靠性的用户。
4. TLC 3DTLC 3D是一种结合了3D NAND和TLC技术的芯片类型。
FLASH的结构和种类以及主要供应商
FLASH的结构和种类什么是FLASH MEMORY？闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，特点是断电后数据不回丢失，数据删除不是以单个字节为单位而是以块为单位。
FLASH的内部架构闪存的存储单元为三端器件，与场效应管具有同样的名字：源极、漏极和栅极，源极与漏极之间的断通是收控于栅极，只不过的是FLASH是采用双栅极结构，增加了一个浮置栅极，如图：浮置栅极中有无电荷决定了晶体管断通状态，如图：A、当有电荷时，源极和漏极导通，此时的数据为OB、当无电荷时，源极和漏极不导通，此时的数据为1可以这样理解：写入数据时，则将1变成O，删除数据时，则将0变为1。
FLASH的种类分NAND和NOR FLASH,其区别在：1、因为FLASH的存储单元类似CMOS，输入与输出的关系正好符合“与非”关系，所以叫NAND型FLASH，NOR型就是符合“或非”关系。
2、NAND型FLASH是将各存储单元串联，而NOR型则为并联结构。
NOR型FLASH的特点：1、有独立的地址线和数据线，可以快速读取数据，在速度上较NAND快。
2、NOR型FLASH的储存单元为BIT（位）导致容量不大。
另外一个特点就是程序可以在FLASH内运行。
以存储程序代码为主，主要市场为手机。
NAND型FLASH的特点：1、地址线和数据线是公用的I/O线，在读取速度上比NOR慢。
2、存储单元是页（PAGE）跟硬盘的扇区一样，每一个页的有效容量是512字节的倍数，所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际还得加上16字节的校验信息，因此在技术资料上看到1PAGE=（512+16）BYTE，大容量的FLASH，校验信息更大，如64字节等。
3、NAND型FLASH是以块（BLOCK）为单位进行擦除操作的，一般每个块有32个521字节的页，容量为16KB，而大容量的采用2KB的页，每个块的有64个页，容量为128KB，还有一些块是128页的呢，容量为256KB如图：4、NAND FLASH的I/O口为8条，每条数据线每次传输（512+16）BIT的信息，8条则为（512+16）*8，也相当于512字节。
SLC和MLC闪存nand flash的区别和历史
SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。
市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。
我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支持。
成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。
包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测试。
使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。
备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。
MLC NAND已经得到广泛应用，是未来的发展方向。
------------------------------------------------------------------------------------------以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。
今天看到飞凌的升级信息，就在网上查了一下。
评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。
即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。
Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。
SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。
而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。
而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。
然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。
FLASH之SLC MLC TLC QLC芯片的区别与使用寿命
1.8V 100mA
3.3V 200mA
3.3V 500mA
价格
rmb280/4G(WBG)
坛友30块
同市场2012-4-2
rmb75/2G(WAG)
rmb66/16G
rmb60/16G
收的8G
其他
TLC= Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命；
QLC= Quad Level Cell，即4bit/cell。
本表只总结正片
SLC
MLC
TLC
QLC
SLC、MLC、TLC、QLC芯片的区别与使用寿命
SLC= Single-Level Cell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命；
MLC= Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，约3000-10000次擦写寿命；
不总结黑片
5Xnm
3Xnm
2Xnm
5Xnm
3Xnm
2Xnm
工业级
5Xnm
3Xnm2Xnm写寿命源自次10万10万
1万
5千
3千
3万
2.5千
1.2千
750
133
读寿命
次
无限
无限
无限
写速度
M/S
25
15
8
4
1.5
flash芯片选型
flash芯片选型Flash芯片是一种常见的存储器件，它可以在断电后仍然保持数据的存储状态。
在现代电子产品中，Flash芯片几乎无处不在，用于存储各种程序、文件和数据。
选择合适的Flash芯片对于设计电子产品至关重要，关系到产品的性能、稳定性和成本。
以下是一些选型Flash芯片的要点，以帮助您做出明智的选择。
1.存储容量：根据产品的需求确定所需的存储容量。
不同的应用场景可能需要不同容量的存储空间。
注意，Flash芯片的存储容量通常以字节（B）计算，常见的容量有128MB、256MB、512MB、1GB、2GB等。
2.接口类型：根据产品的主控芯片确定所需的接口类型。
常见的接口类型有SPI、SDIO、NAND、NOR等。
SPI接口适用于小容量的应用，SDIO接口适用于需要高速数据传输的应用，NAND接口适用于大容量存储器，NOR接口适用于需要较高可靠性和速度的应用。
3.速度等级：根据产品对读写速度的要求确定所需的速度等级。
速度等级通常以MHz表示，常见的等级有25MHz、50MHz、100MHz等。
较高的速度等级可以提高数据传输速度，但也可能导致产品成本的增加。
4.工作电压：根据产品对工作电压的要求确定所需的工作电压范围。
常见的工作电压范围有1.8V、3.3V等。
选择适合产品的工作电压范围可以保证产品的稳定性和可靠性。
5.数据保持能力：Flash芯片的数据保持能力是指在断电情况下，数据可以保持的时间。
根据产品的需求确定所需的数据保持能力。
一般来说，数据保持能力越长，产品的可靠性就越高。
6.耐用性和擦写次数：Flash芯片通常具有一定的擦写次数限制。
根据产品的需求确定所需的耐用性和擦写次数。
对于需要频繁写入和擦除数据的应用，选择具有更高耐用性和擦写次数的Flash芯片可以延长产品的使用寿命。
7.成本：根据产品的预算确定所需的成本范围。
不同品牌和型号的Flash芯片价格差异很大，根据产品需求在合适的价格范围内选购Flash芯片。
Flash 存储器的简介
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
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Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。
IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。
有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。
SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。
常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPI NorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WS ON8，US0N8，QFN8、BGA24等。
三、Parallel NorFalsh (CFI Flash)ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议。
拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术Flash Memory的所有特点；由于采用了Parallel接口，Parallel NorFalsh 相对于SPI NorFlash,支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。
Parallel NorFalsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。
常见到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型号都是Parallel NorFlash，其常见的封装多为TSSOP3 2、TSOP48、BGA64，PLCC32等。
四、Parallel NandFlashParallelNandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。
NandFlash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。
坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!对比Parallel NorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。
这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。
其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用 NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash 使用厂家通过软件进行完善。
常见到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型号都是Parallel NandFlash，其常见的封装多为TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。
五、SPI NandFlashSPINandFlash，采用了SPI NorFlash一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与Parallel NandFlash相同的结构，所以SPI nand相对于SPI norFlash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样跟Parallel NandFlash一样会出现坏块，因此，也需要做特殊坏块处理才能使用；SPINandFlash相对比Parallel NandFlash还有一个重要的特点，那就是芯片自己有内部ECC纠错模块，用户无需再使用ECC算法计算纠错，用户可以在系统应用当中可以简化代码，简单操作；常见到的W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A等型号都是SPI NandFlash，其常见的封装多为QFN 8、BGA24等。
六、eMMC FlasheMMC采用统一的MMC标准接口，自身集成MMC Controller，存储单元与NandFlash相同。
针对Flash的特性，eMMC产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
MMC接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能，同时其接口电压可以是 1. 8v 或者是 3.3v。
eMMC相当于NandFlash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。
这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND 供应商来说，同样的重要。
eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(Nand Flash)及主控制器，所有都在一个小型的BGA 封装,最常见的有BGA153封装;我们通常见到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JB AIM、EMMC04G-S100等型号都是eMMC Flash。
eMMCFlash存储容量大，市场上32GByte容量都常见了，其常见的封装多为BGA153、BGA169、BGA100等。
七、USF2.0JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储器标准USF2.0，该标准下得闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。
UFS闪存规格采用了新的标准2.0接口，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。
相对之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包，在速度上就已经是略逊一筹了，而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。
目前仅有少数的半导体厂商有提供封装成品，如三星、东芝电子等SPI FLASH NAND FLASH 和NOR FLASH 的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解。
下面细说一下标题中的中Flash中的关系一，Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash。
NorFLASH使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码，稳定性出色，传输速率高，在小容相对于NorFLASH，NandFLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命。
这使NandFLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。
1，Nand Flash在工艺制程方面分NAND flash有两种类型：MLC和SLC。
MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器。
SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。
它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。
在页面容量方面分NAND也有两种类型：大页面NAND flash（如：HY27U F082G2B）和小页面NAND flash（如:K9F1G08U0A）。
这两种类型在页面容量，命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同，并遵循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意。
2，Nor Flash在通信方式上Nor Flash 分为两种类型：CFI Flash和SPI Flash。
a，CFI Flash英文全称是common flash interface,也就是公共闪存接口，是由存储芯片工业界定义的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。
CFI有许多关于闪存芯片的规定，有利于嵌入式对FLASH的编程。
现在的很多NOR FLASH 都支持CFI，但并不是所有的都支持。
CFI接口，相对于串口的SPI来说，也被称为parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定义的，所以，有的又成CFI接口为JEDEC接口。
所以，可以简单理解为：对于Nor Flash来说，CFI接口＝JEDEC接口＝Parallel接口 = 并行接口b，SPI Flashserial peripheral interface串行外围设备接口,是一种常见的时钟同步串行通信接口。
c，CFI Flash 和 SPI Flash 比较SPI flash和 CFI Flash 的介质都是Norflash ，但是SPI 是通过串行接口来实现数据操作，而 CFI Flash 则以并行接口进行数据操作，SPI容量都不是很大，市场上 CFI Flash 做大可以做到128Mbit，而且读写速度慢，但是价格便宜，操作简单。
而parallel接口速度快，容量上市场上已经有1Gbit的容量，价格昂贵Nand Flash，Nor Flash，CFI Flash，SPI Flash 之间的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解。