3-4-2光伏探测器
4-2光电探测器偏置电路
光电二极管交流探测电路 光电池交流检测电路
4.2.2 PV探测器的偏置
PV器件的回顾 1）零偏置或正向偏置：工作在伏安特性的第四象 限，多用于输出功率。也可以用于探测。 2）反向偏置：工作在第三象限，多用于探测。
PV器件零偏置时1/f噪声最小，可以获得较高的 S/N。
一.PV器件静态工作点的确定
VQ V2
光电池伏安曲线
•由伏安曲线，对于给定的Φ0，只要选定RL，工作点 就能由负载线与光电池相应伏安曲线的交点决定。该 点的IQ和VQ即为RL上的输出值。 •由图知：对应相同的ΔΦ=Φ1―Φ2， 当RL< RLS（临界电阻）时，IQ、VQ与ΔΦ呈线性； 当RL> RLS时，呈非线性，在检测电路中往往希望线 性。
V0
smax G0 G
2）计算偏置电阻Rb、偏 I
压Vb。
I max
M
max
为 保 证 最 大 线 性 输 出 条 I 件，负载线和由Φmax对 Imin 应的伏安曲线的交点不
H
tg 1G
min 0
V
能低于M点。
tg 1G0V0 V Vmaxtg 1Gb Vb
G0V0=Gb(Vb-V0)
设负载线拐点M点，由图可得
(RlVBRs )2Rs
VB2 4Rs
•与上两种偏置比较，当Rs变化时探测器上的偏置 功率的变化最小。
•实际上, 往往选Rs的平均值，而该偏置功率变化不 大，故命名为恒功率偏置。
2.三种偏置情况的比较
从可以获得的响应度来考虑，则恒流偏置优于匹配偏 置，匹配偏置又优于恒压偏置。 由于恒流偏置通常需要较高的偏置电压源，在实用中 可以采取匹配偏置而获得与恒流偏置相当的响应度。
硅光伏探测器工作原理
硅光伏探测器工作原理
硅光伏探测器是一种基于硅材料的光电转换器件，其工作原理主要基于光电效应。
以下是硅光伏探测器的工作原理的简要描述：
1. 光吸收：当光线照射到硅光伏探测器的表面时，光子能量被硅材料吸收。
硅材料对光的吸收与其能带结构有关，只有能量大于硅的禁带宽度的光子才能被吸收。
2. 电子激发：吸收的光能将硅中的电子从价带激发到导带，形成电子-空穴对。
这个过程是光电效应的核心，实现了光能到电能的转换。
3. 载流子分离：由于硅具有半导体特性，存在内建电场或外加电场的作用下，电子和空穴会被分离开来。
内建电场通常存在于PN结中，由P型区和N型区的掺杂差异形成。
外加电场则可以通过在探测器上施加电压来产生。
4. 电流产生：分离的电子和空穴在电场的作用下沿着导体形成电流。
这个电流可以被外部电路检测和测量，从而实现对光信号的探测和转换。
总结来说，硅光伏探测器的工作原理是通过光电效应将光能转化为电能，利用硅材料的特性实现光子的吸收、电子的激发、载流子的分离和电流的产生。
这种探测器在光纤通信、光学传感器、星载探测和医学成像等领域有广泛的应用。
第04章_光伏探测器A 20141030
Cj 与负载电阻 RL 所决定的
扩散时间～10-9s
电路时间常数 τe。
漂移时间～10-11s
电路时间常数 1.5×10－9 s
光伏效应示意图
如何计算？ 光敏区薄，缩短扩散时间
4.1 光伏探测器的原理和特性
（2）频率特性： 仅考虑电路时间常数
e RLCj
哪些因素决定？
1
fHC 2π e
在反向偏置状态，PN结势垒区加宽，有利于光生载
反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，
其减小量即光生电势差，P端正，N端负。
♥ 只要光照不停止，这个光生电压将永远存在。
2021/6/24
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这时用电压表就能测量出p区正, n区负的 开路电压un，称为光生伏特效应。如 果用一个理想电流表接通p-n结，则有 电流i0通过．称为短路电流。
2DR: N型硅为受光面
2CR：P型硅为受光面
防反射膜，同时也可以起到防 潮、防腐蚀的保护作用
（2）光电特性
伏安特性 硅光电池的伏安特性，表示输出电流和电压随负载电阻变 化的曲线。伏安特性曲线是在某一光照下，取不同的负载电 阻所测得的输出电流和电压画成的曲线。
（2）光电特性
4.2 常用光伏探测器
第四象限：光伏模式 光电池的工作区域
4.1 光伏探测器的原理和特性
PN 结无外加偏压；流过光伏探测 器的电流随着光照变化，其电流与 电压出现明显的非线性。光伏探测 器的输出电流流过外电路负载电阻 产生的压降就是它自身的正向偏压， 故称为自（生）偏压，这种工作模 式通常称为光伏模式。
伏安特性
4.1 光伏探测器的原理和特性
反向偏置之分；而结型器件因p-n结的存在， 有正向偏置、反向偏置之分，且无外加电压， 也可工作，也能实现光电转换。 • 3、光敏电阻的光电流依赖于光生载流子的产 生—复合运动，弛豫时间常数大，频率响应差。 结型器件的光电流依赖于结区部分光生载流子 的漂移运动，弛豫过程时间常数小，响应速度 快。
光电探测器的种类..
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如何选择合适的光探测器
1、实际光谱测量范围是选择光探测器的首要注意问题； 2、光电倍增管是高灵敏的探测器，使用时要求配套高稳
定性的高压电源；
3、光伏型探测器具有响应快、灵敏度高的特点，使用时 一般可不需要锁相放大器，探测微弱信号时可选用锁相 放大器以提高信噪比；
7、红外探测器通常需要制冷和配合锁相放大器使用。
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光电导探测器
常用光电导探测器材料有： （1）射线和可见光波段：CdS、CdSe、CdTe、Si、
Ge等； （2）在近红外波段：PbS、PbSe、InSb、HgCdTe
等 （3）在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-
1、光敏二极管在较小负 载电阻下，光电流与入射 光功率有较好的线性关系 。
2、光敏二极管的响应波 长与GaAs激光管和发光二 极管的波长一致，组合制 作光电耦合器件。
3、光电二极管结电容很 小，频率响应高，带宽可 达100kHz。
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CCD--电荷耦合器件
CCD主要功能： 信息处理和信息存 储 有体积小、重量轻 、分辨率高、灵敏度 高、动态范围宽、光 敏元的几何精度高、 光谱响应范围宽、工 作电压低、功耗小、 寿命长、抗震性和抗 冲击性好、不受电磁 场干扰和可靠性高等 一系列优点。
xTe、Si掺杂、Ge掺杂等；
可见光波段的光电导探测器极少用于光谱探测，通常 称为光敏电阻。可见光波段的光探测器通常为PMT 和光电二极管。
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光电倍增管
光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度的光探 测器件，同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极 （光敏面）等特点。
半导体光电探测器的原理及其应用
半导体光电探测器之阳早格格创做纲要：本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的处事本理及其个性，末尾叙述了光电导探测器与光伏探测器的辨别.闭键词汇：半导体光电探测器，光电系统，光电导探测器，光伏探测器弁止光电探测器是一种受光器件,具备光电变更功能.光敏器件的种类繁琐,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN 结型、PIN结型及同量结型的等.由于光电探测器的赞同速度快,体积小,暗电流小,使之正在光纤通讯系统、光纤尝试系统、光纤传感器、光断绝器、彩电光纤传输、电视图象传输、赶快光源的光探测器、微小光旗号的探测、激光测距仪的接支器件、下压电路中的光电丈量及光电互感器、估计机数据传输、光电自动统造及光丈量等圆里得到了广大应用.半导体光电探测器是用半导体资料创造的能接支战探测光辐射的器件.光映照到器件的光敏区时，它便能将光旗号转形成电旗号，是一种光电变更功能的测光元件.它正在国防战工农业死产中有着要害战广大的应用.半导体光电探测器可分为光电导型战光伏型二种.光电导型是指百般半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包罗光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.本文最先介绍了光电系统的组成，而后分别介绍其处事本理及其个性，末尾将那二类探测器举止比较.一、光电子系统的组成系统又称为收射天线，果为光波是一种电磁波，收射光教系统所起的效率战无线电收射天线所起的效率真足相共.收支进去的光旗号通过传输介量，如大气等，到达接支端.由接支光教系统或者接支天线将光散焦到光电探测器上，光电过少距离传输后会衰减，使接支到的旗号普遍很强，果此需要用前置搁大器将其搁大，而后举止解码，还本成收支端本初的待传递旗号，末尾由末端隐现器隐现出去.图1-1光电子系统图二、半导体探测器的本理1、光电导探测器光电导探测器主假如通过电阳值的变更去检测，以下尔将以光敏电阻为例介绍其处事本理.光敏电阻又称光导管, 它不极性, 杂粹是一个电阻器件, 使用时既可加曲流电压, 也不妨加接流电压.无光照时, 光敏电阻值（暗电阻）很大, 电路中电流（暗电流）很小. 当光敏电阻受到一定波少范畴的光照时, 它的阻值（明电阻）慢遽缩小, 电路中电流赶快删大. 普遍期视暗电阻越大越佳, 明电阻越小越佳,此时光敏电阻的敏捷度下. 本量光敏电阻的暗电阻值普遍正在兆欧级, 明电阻正在几千欧以下.它的处事本理图如2-1图当不光照时，Rd=10断路当有光照时，Rd= 导通2、光伏探测器光伏探测器鉴于光照爆收电势好，用测电势好的本理.它分为光电池与光电二极管二种典型，光电池主假如把光能变更为电能的器件，暂时有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但是暂时使用最广的是硅光电池.光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.以下尔将分别介绍其处事本理及其个性. 1）P-N结光电二级管2）PIN光电二级管PIN光电二极管又称赶快光电二极管，与普遍的光电二极管相比，它具备不的时间常量，并使光谱赞同范转背少波目标移动，其峰值波少可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的收射波少相对于应.它具备敏捷度下的便宜，所以通时常使用于强光检测（线性）.它的结构图如2-3所示，它是由P型半导体战N型半导体之间夹了一层本征半导体形成的.果为本征半导体近似于介量，那便相称于删大了P-N结结电容二个电极之间的距离，使结电容变得很小.其次，P型半导体战N型半导体中耗尽层的宽度是随反背电压减少而加宽的，随着反偏偏压的删大，结电容也要变得很小.由于I层的存留，而P区普遍干得很薄，进射光子只可正在I层内被吸支，而反背偏偏压主要集结正在I区，产死下电场区，I区的光死载流子正在强电场效率下加速疏通，所以载流子渡越时间常量（）减小，进而革新了光电二极管的频次赞同.共时I层的引进加大了耗尽区，展宽了光电变更的灵验处事地区，进而使敏捷度得以普及.3）雪崩光电二级管雪崩光电二级管（APD）是得用光死载流子正在下电场区内的雪崩效力而赢得光电流删益，具备敏捷度下、赞同快等便宜，通时常使用于激光测距、激光雷达、强光检测（非线性）.APD雪崩倍删的历程是：当光电二极管的p-n结加相称大的反背偏偏压时，正在耗尽层内将爆收一个很下的电场，它脚以使正在强电场区漂移的光死载流子赢得充分的动能，通过与晶格本子碰碰将爆收新的电子-空穴对于.新的电子-空穴对于正在强电场效率下，分别背好同的目标疏通，正在疏通历程中又大概与本子碰碰再一次爆收新的电子-空穴对于.如许反复，产死雪崩式的载流子倍减少.那个历程便是APD的处事前提.APD普遍正在略矮于反背北脱电压值的反偏偏压下处事.正在无光照时，p-n结不会爆收雪崩倍删效力.但是结区一朝有光映照，激励出的光死载流子便被临界强电场加速而引导雪崩倍删.若反背偏偏压大于反背打脱电压时，光电流的删益可达（十的六次圆）即爆收“自持雪崩倍删”.由于那时出现的集粒噪声可删大到搁大器的噪声火仄，以以致器件无法使用.4）光电三级管光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，普遍正在毫安级，但是光照个性较好，多用于央供输出电流较大的场合.光电三极管有pnp战npn型二种结构，时常使用资料有硅战锗.比圆用硅资料创造的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型.采与硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变更效率小，所以得到位广大应用.底下以3DU型光电三极管为例证明它的结构、处事本理与主要个性.3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管，如图2-4（a）所示.由图可知，3DU管的结媾战一般晶体管类似，不过正在资料的掺杂情况、结里积的大小战基极引线的树立上战一般晶体管分歧.果为光电三极管要赞同光辐射，受光里即集电结（bc结）里积比普遍晶体管大.其余，它是利用光统造集电极电流的，所以正在基极上既可树立引线举止电统造，也不妨不设，真足共光一统造.它的处事本理是处事时各电极所加的电压与一般晶体管相共，即要包管集电结反偏偏置，收射正偏偏听偏偏置.由于集电结是反偏偏压，正在结区有很强的内修电场，对于3DU管去道，内修电场目标是由c到b的.战光电二极管处事本理相共，如果有光照到集电结上，激励电子-空穴对于，接着那些载流子被内修电场分散，电子流背集电极，空穴流背基极，相称于中界背基极注进一个统造电流Ib=Ip.果为收射打队结是正偏偏置的，空穴则留正在基区，使基极电位降下，收射极便有洪量电子经基极流背集电极，总的集电极电流为Ic=Ip+βIp=(1+β)Ip，式中β为电流删益系数.由此可睹，光电三极管的集电结是光电变更部分.共时集电极、基极、收射极形成一个有搁大效率的晶体管.所以正在本理上不妨把它瞅万里一个由光电二极管与一般晶体管分散而成的拉拢件，如图2-4(b)所示.光电三级管另一个个性是它的明暗电流比要比光电二极管、光电池、光电导探测器大，所以光电三极管是用去做光启闭的理念元件.3．光电导探测器与电伏探测器的辨别1）光电导探测器是均值的，而光伏探测器是结型的.2）光。
3-4 光伏探测器
3.4 光伏探测器（PV——Photovoltaic ）光伏探测器——利用光生伏特效应制成的光电探测器，是结型探测器。
原理：在内建电场的作用下，电子——空穴对漂移至两端，形成电压。
§3.4.1 光伏探测器的工作原理一、热平衡下的PN 结 1.几个物理参数 势垒高度 2lnA DD iN N qV kT n ⋅= 结区宽度 1/22[()]A DL A DN N W V q N N V εε+=⋅−⋅ PN 结电容 1/201[()()]2A D j A D D qN N C A N N V Vεε⋅=⋅+−2.PN 结电流方程（伏安特性曲线）1：正向导通部分2：反向截止部分3：反向击穿部分/00qV KT D I I e I =−I D ：流过PN 结的电流 I 0：PN 结的反向饱和电流 V ：加在PN 结上的正向电压 二、有光照下的PN 结1.光照下PN 结的两种工作模式当光照射PN 结时，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子－空穴对。
这些非平衡载流子在内建电场的作用下，空穴顺着电场运动，电子逆电场运动；在开路状态，最后在N 区边界积累光生电子，P 区积累光生空穴，产生了一个与内建电场方向相反的光生电场，即P 区和N 区之间产生了光生电压V oc２.光照下PN 结的电流方程 零偏置的光伏工作模式:光照PN 结工作原理有光照射时，若PN 结电路接负载电阻R L ,如图，在PN 结内出现两种方向相反的电流：光激发产生的电子－空穴对，在内建电场作用下，形成的光生电流I p ，它与光照有关，其方向与PN 结反向饱和电流I 0相同。
反向偏置的光电导工作模式:另一种在PN 结施加反向偏置电压，总电流是两者之差：/00qV KT L D p p I I I I e I I =−=−−光生电流: p E I S E =⋅ S E 为光照灵敏度 有光照下的伏安特性曲线如下：/00qV KT L D p p I I I I e I I =−=−−有光照下的伏安特性曲线讨论：开路电压V oc负载电阻R L 断开时I L =0，PN 结两端的电压为开路电压，用V oc 表示/00qV KT L D p p I I I I e I I =−=−− 0ln(1)p oc I kTV q I =+ 通常I p 》I 0；则：000ln()ln(p E c I S E kT kT V q I q I ⋅≈= 短路电流负载电阻短路时R L =0, 短路电流：sc p E I I S E ==⋅频率特性如果给PN 结加上一个反向电压V b ，外加电压所建电场和PN 结内建电场方向相同，使得结势垒由qV D 增加到q(V D +V b )，使光照产生的电子－空穴对在强电场作用下更容易产生漂移运动，提高了器件的频率特性。
光伏探测器的原理和应用
光伏探测器的未来发展
多光谱光伏探测器
目前的光伏探测器大多只能响应特定波长的光。然而， 在实际应用中，往往需要同时响应多种波长的光。因此， 发展多光谱光伏探测器将成为未来的一个重要方向
安全监控：由于光伏探测器对光敏感， 因此它们可以用于安全监控系统。例 如，在机场或重要设施的安全检查中， 光伏探测器可以检测到隐藏的武器或 其他危险物品
医学成像：在医学成像中，光伏探测 器被用于各种成像技术，如光学层析 成像和荧光成像等。这些技术对于疾 病的诊断和治疗具有重要意义
空间探索：在空间探索中，光伏探测 器被用于各种目的，如测量太阳辐射、 检测星球表面的地形地貌以及研究大 气组成等
4
章节 PART
结论
结论
5
章节 PART
光伏探测器的未 来发展
光伏探测器的未来发展
Annual work summary
随着科技的进步和需求的增长，光伏探测器在未来将有更多的应用领域和更高的性能要求 。以下是几个可能的趋势
高效率光伏探测器：目前的光伏探测器转换效率已经相当高，但仍有提升空间。未来 的研究将致力于进一步提高光伏探测器的转换效率和稳定性，以实现更高效的能源利 用
集成化和智能化
将光伏探测器与其他电子器件集成在一起，实现智能化 控制和数据传输，将有助于提高光伏探测器的应用范围 和性能
环境适应性
在某些应用领域，如空间探索和海洋环境监测，光伏探 测器需要能够在极端环境下正常工作。因此，提高光伏 探测器的环境适应性也是未来发展的重要方向
光伏探测器的未来发展
光电探测器 入门详细解析
光电探测器摘要本文研究了近期崛起的高科技新秀：光电探测器。
本文从光电探测器的分类、原理、主要参数、典型产品与应用、前景市场等方面简单介绍了光电探测器，使大家对光电探测器有一个初步的理解。
了解光电探测材料的原理不仅有利于选择正确适宜的光电探测材料，而且对研发新的光电探测器有所帮助一、简单介绍引入光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时，性质会发生各种变化的材料。
光电探测器能把辐射信号转换为电信号。
辐射信号所携带的信息有：光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等，其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示，从而进行探测。
光电探测器的发展历史：1826年，热电偶探测器→1880，金属薄膜测辐射计→1946，热敏电阻→20世纪50年代，热释电探测器→20世纪60年代，三元合金光探测器→20世纪70年代，光子牵引探测器→20世纪80年代，量子阱探测器→近年来，阵列光电探测器、电荷耦合器件（CCD）这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面，都有着不可或缺的作用。
二、光电探测材料的分类。
由于器件对辐射响应的方式不一样，以此可将光电探测器分为两大类，分别是光1子探测器和热探测器。
○1光子探测器：光子，是光的最小能量量子。
单光子探测技术，是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术，其原理是利用新式光电效应，可对入射的单个光子进行计数，以实现对极微弱目标信号的探测。
光子计数也就是光电子计数，是微弱光（低于10－14W）信号探测中的一种新技术。
○2利用光热效应制作的元件叫做热探测器，同时也叫热电探测器。
（光热效应指的是当材料受光照射后，光子能量会同晶格相互作用，振动变得剧烈，温度逐渐升高，由于温度的变化，而逐渐造成物质的电学特性变化）。
若将光电探测器按其他种类分类，则按应用分类：金属探测器，非成像探测器（多为四成像探测器），成像探测器（摄像管等）。
按波段分类：红外光探测器（硫化铅光电探测器），可见光探测器（硫化镉、硒化镉光敏电阻），紫外光探测器。
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在图的第3象限与第4象限。
由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区，形成自身保护（具有很强
雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。
它利用雪崩效应获得光电流的增益。
电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数定义为0
I M =
为倍增输出的电流，I 0为倍增前输出的电流。
（npn）型
n型硅片作为衬底，扩散硼而形成p型，再扩散磷而形
＋层，并涂sio
作为保护层。
在重掺杂n+引出一个电
２
光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。
这是因为光
4.温度特性
硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流I
和光电流
d
度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μ
3.光电位置敏感器件（PSD）小结
光伏探测器可以工作于零偏与反偏两种状态。
零偏工作时，
不会引入偏置电路噪声，还可简化前级电子电路。
反偏工作
时，可以降低器件的热噪声及散粒噪声，并可减小器件电容，
此外可得到较高的探测率和响应频率。
光伏探测器的响应速度比光电导探测器快，它主要取决于负
载电阻和结电容所构成的时间常量。
与光电导探测器一样，光伏探测器的灵敏度与频带宽度之积
为一常量，在使用时要综合考虑。
同时，器件的各种参量基本
上都与温度有关。
降低探测器工作温度会减小暗电流和噪声，
提高电路的稳定性。