【CN110003208A】热活化延迟荧光材料及其制备方法与有机电致发光二极管器件【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910305990.2
(22)申请日 2019.04.16
(71)申请人 武汉华星光电半导体显示技术有限
公司
地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开
发区高新大道666号光谷生物创新园
C5栋305室
(72)发明人 罗佳佳　严舒星　
(74)专利代理机构 深圳市德力知识产权代理事
务所 44265
代理人 林才桂　程晓
(51)Int.Cl.
C07D 471/14(2006.01)
C09K 11/06(2006.01)
H01L 51/50(2006.01)
H01L 51/54(2006.01)
(54)发明名称
热活化延迟荧光材料及其制备方法与有机
电致发光二极管器件
(57)摘要
本发明涉及一种热活化延迟荧光材料及其
制备方法与有机电致发光二极管器件，所述热活
化延迟荧光材料的结构通式如下式一所示：式一
R表示作为电子给体的化学
基团。

本发明的热活化延迟荧光材料具有超快反向系间窜越速率及高发光效率，为具有显著TADF 特性的绿光TADF材料，因此，当其作为发光材料应用于有机电致发光二极管器件时，可以有效提高有机电致发光二极管器件的发光效率，基于本发明的热活化延迟荧光材料的有机电致发光二
极管器件具有非常高的器件效率。

权利要求书3页 说明书7页 附图2页CN 110003208 A 2019.07.12
C N 110003208
A
1.一种热活化延迟荧光材料，其特征在于，具有如下式一所示的化学结构：
式一
以上式一中，R表示作为电子给体的化学基团，R处于吡啶基团中的第1位、第2位或第4位。

2.如权利要求1所述的热活化延迟荧光材料，其特征在于，所述电子给体的化学基团R
选自以下基团中的任意一种：
3.如权利要求2所述的热活化延迟荧光材料，其特征在于，为化合物1、化合物2或化合物3，所述化合物1、
化合物2和化合物3的结构式分别如下：
4.一种热活化延迟荧光材料的制备方法，其特征在于，其化学合成路线如下所示：
权　利　要　求　书1/3页2CN 110003208 A。