EMC EMI解决的终极有效方案,80通过。SSDCP1108AF

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EMCEMI解决的终极有效方案,80通过。SSDCP1108AF

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EMCEMI解决的终极有效方案,80通过。

SSDCP1108AF General Purpose Peak EMI reduction IC General Features1x, LVCMOS Peak EMI ReductionIncorporates the latest Timing-Safe technologywhich allows the spread of analog video signalInput frequency:********************************Output frequency :********************************Analog Deviation SelectionSpread Spectrum Enable/DisableSupply Voltage: 2.5V±0.2V3.3V±0.3V8pin TDFN(2X2) COL PackagesCommercial temperature rangeDC coupled to XIN/CLKIN) and locks on to it delivering a 1x modulated clock output. SSDCP1108AF has a SSON pin for enabling and disabling Timing-Safe?Spread Spectrum function.SSDCP1108AF has an SSEXTR pin to select different deviations depending upon the value of an external resistor connected between SSEXTR and GND. Charge Pump (CP) control selects one of the two different ChargePumpcurrent settings.SSDCP1108AF operates from a 3.3V/2.5V supply, and isavailable in an 8 pin TDFN(2X2) COLpackages, over Commercial temperature range.Functional DescriptionSSDCP1108AF is a versatile, 3.3V/2.5V Peak EMI reduction IC. SSDCP1108AF accepts an input clock either from a fundamental Crystal or from an external reference (AC or ?ApplicationSSDCP1108AF is targeted for consumer electronicsapplication such as MFP, STB, DSC, MID,HDMI,LCD panel Camcorder,and other timing sensitive analog video imaging applications ?Applications of HDMI, RJ45 port has good compatibilityBlock DiagramVDDSSON CPXIN/CLKINXOUTCrystalOscillatorPLL ModOUTSSEXTRGNDPin ConfigurationXIN / CLKIN 1XOUT 2SSON 38 VDDSSEXTRModOUT7 SSDCP1108AF SSDCP1108A6GND 4 5 Pin Description Pin #12345678 Pin NameXIN / CLKINXOUTSSONGNDModOUTCPSSEXTRVDDPin TypeIOIPOIPDescriptionCrystal connection or External reference clock input.Crystal connection. If using an external reference, this pin should be left open.Spread Spectrum ON/OFF. Spread Spectrum function enabled when HIGH, disabledwhen LOW. Has an internal pull-up resistor inside.GroundModulated clock outputCharge Pump current Select. When LOW selects Low CP current. Selects High CPcurrent when pulled HIGH. Has an internal pull-up resistor inside.Analog Deviation Selection through external resistor to GND.2.5V /3.3V supply Voltage.Frequency Selection tableVDD (V)2.53.3 Frequency (MHz)15-3515-40Operating ConditionsParameterVDDTACCINDescriptionSupply VoltageOperating Temperature (Ambient Temperature)Load CapacitanceInput CapacitanceMin2.3Max3.6+70107UnitV°CpFpFAbsolute Maximum RatingSymbolVDD, V INT STG T s T JT DVParameterVoltage on any input pin with respect to Ground Storage temperatureMax. Soldering Temperature (10 sec) Junction Temperature Static Discharge Voltage (As per JEDEC STD22- A114-B)Rating-0.5 to +4.6 -65 to +125260 150 2Unit V°C °C °C KVNote: These are stress ratings only and are not implied for functional use. Exposure to absolute maximum ratings for prolonged periods of time may affectdevice reliability.DC Electrical Characteristics for 2.5V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply Current Dynamic Supply Current Output ImpedanceTest Conditions Min2.3Typ2.5Max2.7 0.71.7V IN V INI OL I OH= 0V= V DD = 8mA = -8mA25 25 0.61.8XIN / CLKIN pulled low Unloaded Output50 1235UnitV V VμA μA V V μA mASwitching Characteristics for 2.5VParameterInput Frequency* / ModoUT 1, 2Duty CycleTest Conditions 1, 2 Output Rise Time 1,2Output Fall Time2Cycle-to-Cycle Jitter 2PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max3555 2.2 2±1753Unit% nS nS pSmSNote: 1. All parameters are specified with 10pF loaded outputs.2. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.DC Electrical Characteristics for 3.3V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply CurrentDynamic Supply CurrentOutput ImpedanceTest Conditions Min3.0Typ3.3Max3.6 0.82.0V IN V INI OL I OH= 0V= V DD= 8mA = -8mA 25 25 0.4XIN / CLKIN pulled lowUnloaded Output501630UnitV V VμA μA V VμAmASwitching Characteristics for 3.3VParameterInput Frequency* / ModOUT 3, 4Duty CycleTest Conditions 3, 4 Output Rise Time 3, 4Output Fall Time4Cycle-to-Cycle Jitter 4PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max55 1.8 1.6±1503UnitMHz% nS nS pSmSNote: 3. All parameters are specified with10pF loaded outputs.4. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.Typical Crystal SpecificationsFundamental AT cut parallel resonant crystal Nominal frequency Frequency tolerance Operating temperature range Storage temperatureLoad capacitance(C P ) Shunt capacitance ESR27MHz± 50 ppm or better at 25°C 0°C to +70°C -40°C to +85°C 18pF7pF maximum 25Note: C L is the Load Capacitance and Rx is used to prevent oscillations at overtone frequency of the Fundamental frequency.Typical Crystal Interface CircuitSSDCP1108ARXIN/CLKINCrystalXOUTRxC LC LC L = 2*(C P - C S ),Where C P = Load capacitance of crystal from crystal vendor datasheetC S = Stray capacitance due to C IN, PCB, Trace etc.Switching WaveformsDuty Cycle Timingt 1t 2V DD /2V DD /2 V DD /2OUTPUTOutput Rise/Fall Time80%20%80%20%OUTPUTt 3t 4Application SchematicC L is the load capacitance for proper XTAL operation1 C LSSDCP1108AFXIN/CLKINVDD 8Noise Reduction FilterCVDDExternal Deviation ControlVDDR1XOUTVDD2 SSEXTR7Analog Deviation Control SSEXTR can be Pulled HIGH to turn OFF Deviation3 SSONCP 6SSON ControlCP Control4 GNDModOUT 5Note: SSON (Pin#3) CP (Pin#6): Connect to VDD or GNDRefer to Pin Description table for Functionality detailsNote: For AC Coupled Interface refer to Application Brief: CT100801Deviation Vs SSEXTR resistance Charts at 27MHzDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=1MR=12.0 1.51.00.550 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650Resistance(K _))% ± ( n o i t a i v e DDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=0MR=0 2.01.51.00.50.00 50 100 150Resistance(K_) 200 250 300) %±( n o i t a i v e DTDFN COL 2x2 8L package Outline drawing Symbol InchesMin0.027 DimensionsMillimetersA A3 b D E e LMax0.0315Min0.700.008 BSC0.0080.0120.079 BSC0.078 BSC0.020 BSC0.0200.0240.200.50Max0.800.203 BSC0.302.00 BSC2.00 BSC0.50 BSC0.60SSDCP1108AF Spectrum DeviceOrdering CodePart Number SSDCP1108AF-08-CR Marking DAPackage8- pin 2-mm TDFN COL - TAPE & REEL, Green Temperature0 °C to +70 °CDevice Ordering InformationS S D C P 1 1 0 8 A F - 08 - CRR = Tape & Reel, T = Tube or TrayO = TSOT23S = SOICT = TSSOPA = SSOPV = TVSOPB = BGAQ = QFNU = MSOPE = TQFPL = LQFPU = MSOPP = PDIPD = QSOPX = SC-70J=TSOT26C=TDFN (2X2) COLDEVICE PIN COUNTF = LEAD FREE AND RoHS COMPLIANT PARTG = GREEN PACKAGE, LEAD FREE, and RoHS PART NUMBERI= Industrial(-40 °C to +85 °C )A = Clock GeneratorB = Non PLL basedC = EMI ReductionD = DDR support productsE = STD Zero Delay BufferP or n/c = Commercial(0 °C to +70 )°CF = Power ManagementG = Power ManagementH = Power ManagementIJ= Hi Performance= ReservedSpread Spectrum Device CO.,LTDCopyright All rights reserved by Spread Spectrum Device Part Number:SSDCP1108AFDocument Version:0.22。

电磁兼容解决方案

电磁兼容解决方案

电磁兼容解决方案一、背景介绍电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,简称EMC)是指在电子设备和系统之间实现相互协调和无干扰的能力。

在现代社会中,电子设备的广泛应用使得电磁辐射和电磁干扰的问题日益突出。

为了保证电子设备的正常运行,确保设备之间不发生干扰,需要采取一系列的电磁兼容解决方案。

二、问题描述在电子设备和系统中,常常会出现以下问题:1. 电磁辐射:电子设备在工作过程中会产生电磁辐射,如果辐射强度过大,会对周围的设备和系统产生干扰。

2. 电磁干扰:电子设备之间的相互干扰会导致设备的正常工作受到影响,甚至造成设备损坏。

3. 电磁敏感性:某些电子设备对外界的电磁干扰非常敏感,容易受到干扰而无法正常工作。

三、解决方案为了解决上述问题,我们提出以下电磁兼容解决方案:1. 设计合理的电磁屏蔽结构通过在电子设备和系统中设计合理的电磁屏蔽结构,可以有效地阻挡电磁辐射的传播,减少对周围设备和系统的干扰。

常见的电磁屏蔽结构包括金属外壳、屏蔽罩、屏蔽隔板等。

通过合理的屏蔽结构设计,可以降低电磁辐射的强度,提高设备的电磁兼容性。

2. 优化电磁波传输路径在电子设备和系统的设计过程中,需要优化电磁波的传输路径,减少电磁波在传输过程中的能量损耗和干扰。

通过合理的布局设计、优化导线和电缆的走向,可以降低电磁波的传输损耗,提高设备的电磁兼容性。

3. 选择合适的滤波器和隔离器在电子设备和系统中,可以通过选择合适的滤波器和隔离器来降低电磁干扰的影响。

滤波器可以通过滤除特定频率的电磁波来减少干扰,隔离器可以将不同部分的电子设备和系统隔离开,减少相互干扰。

4. 合理设置接地系统接地系统是保证设备正常工作和提高电磁兼容性的关键。

通过合理设置接地系统,可以有效地降低电磁干扰的影响。

在接地系统设计中,需要考虑接地电阻、接地路径的选择等因素,确保设备的接地系统能够有效地排除干扰。

5. 进行电磁兼容测试和评估在电子设备和系统设计完成后,需要进行电磁兼容测试和评估,以验证设备的电磁兼容性。

EMC-EMI之综合解决方案

EMC-EMI之综合解决方案

EMC-EMI之综合解决方案引言概述:电磁兼容性(EMC)和电磁干扰(EMI)是当今电子设备开发中不可忽视的问题。

随着电子设备的不断发展和普及,电磁辐射和干扰问题也日益突出。

为了确保设备的正常运行和互相兼容,综合解决方案变得至关重要。

本文将介绍EMC-EMI 综合解决方案的五个部分,以及每个部分的详细内容。

一、电磁辐射控制1.1 电磁屏蔽材料的选择:选择合适的电磁屏蔽材料对于控制电磁辐射至关重要。

常见的电磁屏蔽材料包括金属板、导电涂层和电磁屏蔽膜等。

根据设备的具体需求和频率范围,选择适合的材料可以有效降低电磁辐射。

1.2 接地系统设计:良好的接地系统设计是控制电磁辐射的关键。

通过合理布置接地导线和接地板,可以有效地降低电磁辐射的水平。

在设计接地系统时,应考虑接地电阻、接地路径的长度和接地导线的截面积等因素。

1.3 电磁辐射测试:进行电磁辐射测试是评估设备电磁辐射水平的重要手段。

通过在实验室环境中进行电磁辐射测试,可以了解设备在不同频率下的辐射水平,并根据测试结果进行相应的改进和优化。

二、电磁干扰抑制2.1 滤波器的应用:滤波器是抑制电磁干扰的常用工具。

根据不同的频率范围和干扰源的特点,选择合适的滤波器可以有效地抑制电磁干扰。

常见的滤波器包括低通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

2.2 电磁屏蔽技术:采用电磁屏蔽技术可以有效地抑制电磁干扰的传播。

通过在电路板上布置屏蔽罩、屏蔽盒或屏蔽层,可以阻止电磁波的传播和干扰其他设备。

2.3 地线的设计:合理的地线设计对于抑制电磁干扰非常重要。

通过采用星形接地或者分布式接地的方式,可以减少地线的电阻和电感,从而降低电磁干扰的水平。

三、电磁兼容性测试3.1 电磁兼容性测试标准:根据不同的应用领域和国家的要求,制定适用的电磁兼容性测试标准非常重要。

常见的标准包括CISPR、IEC和FCC等,根据标准进行测试可以评估设备的电磁兼容性。

3.2 辐射和传导测试:电磁兼容性测试包括辐射测试和传导测试。

电磁兼容解决方案

电磁兼容解决方案

电磁兼容解决方案一、背景介绍电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,简称EMC)是指电子设备在特定的电磁环境中,能够与其他设备共存并正常工作的能力。

随着现代电子技术的快速发展,电磁干扰(Electromagnetic Interference,简称EMI)问题越来越突出,对电子设备的正常运行造成了严重的影响。

为了解决电磁兼容问题,提供稳定可靠的电子设备,我们需要制定一套全面的电磁兼容解决方案。

二、问题分析1. 电磁干扰源分析:通过对电子设备的电磁辐射源进行分析,确定可能导致电磁干扰的主要因素,如高频振荡器、电源线等。

2. 电磁感应源分析:通过对电子设备的电磁感应源进行分析,确定可能受到电磁干扰的主要因素,如电源线、通信线等。

3. 电磁兼容性测试:通过对电子设备进行电磁兼容性测试,了解设备在特定电磁环境下的工作状态,确定是否存在电磁干扰问题。

三、解决方案1. 电磁辐射源控制:通过对电子设备的电磁辐射源进行控制,减少电磁辐射的强度和频率,降低对其他设备的干扰。

- 优化电路设计:采用合理的电路布局和线路走向,减少电磁辐射的产生。

- 使用屏蔽材料:在电子设备中使用屏蔽材料,阻止电磁辐射的泄漏。

- 优化接地系统:建立良好的接地系统,减少电磁辐射的传播。

2. 电磁感应源控制:通过对电子设备的电磁感应源进行控制,减少电磁感应的强度和频率,降低对其他设备的敏感性。

- 优化电路设计:采用合理的电路布局和线路走向,减少电磁感应的产生。

- 使用屏蔽材料:在电子设备中使用屏蔽材料,阻止电磁感应的干扰。

- 优化接地系统:建立良好的接地系统,减少电磁感应的传播。

3. 电磁兼容性测试:对电子设备进行电磁兼容性测试,评估设备在特定电磁环境下的工作状态。

- 辐射发射测试:通过对设备进行辐射发射测试,了解设备在工作状态下产生的电磁辐射强度是否符合标准要求。

- 抗干扰能力测试:通过对设备进行抗干扰能力测试,了解设备在特定电磁环境下的抗干扰能力是否符合标准要求。

解读电源设计中的EMI问题与解决方案

解读电源设计中的EMI问题与解决方案

解读电源设计中的EMI问题与解决方案电源设计中的EMI问题与解决方案电磁干扰(Electromagnetic Interference,简称EMI)是电源设计过程中需要重点考虑的问题之一。

EMI问题可能对电子设备的性能产生负面影响,干扰其正常工作并导致其他设备的性能下降。

本文将介绍电源设计中的EMI问题以及一些常见的解决方案。

一、电源设计中的EMI问题1. 什么是EMI问题?EMI指的是由电子设备产生的电磁场干扰。

当电子设备中的电流和信号在设备内部或外部传输时,会产生电磁辐射和电磁敏感性。

如果这些辐射或敏感性超过了某个特定的范围,就会导致EMI问题。

2. EMI问题可能导致的影响EMI问题可能导致以下影响:- 对设备本身造成干扰:电源系统中的高频噪声可能干扰设备的正常工作,降低设备性能。

- 对其他设备造成干扰:电磁辐射可能传播到其他设备上,导致它们的性能下降,甚至损坏。

- 不符合法规:有些国家和地区对EMI有严格的法规要求,如果不符合这些要求,产品可能无法上市销售。

二、解决EMI问题的常见方案1. 电源线滤波器电源线滤波器是最常见的解决EMI问题的措施之一。

它通过滤波器电路将高频噪声滤除,防止其传播到其他设备上。

电源线滤波器通常由电感器和电容器组成,通过选择合适的元件参数来实现滤波效果。

2. 地线设计正确的地线设计对于减少EMI问题非常重要。

地线应该尽可能短而宽,以减小回路面积,降低电磁辐射。

可以采用单点接地或多点接地的方式,根据具体情况选择最合适的设计方案。

3. 布局设计良好的布局设计可以减少EMI问题。

重要的电路应该远离敏感的传感器、接收器等部件,以减少电磁辐射对它们的影响。

同时,电路板的铺铜区域应尽可能广泛,以提供良好的地面平面。

4. 屏蔽设计屏蔽设计可以有效地减少EMI问题。

对于电源模块,可以使用金属屏蔽罩来封闭电路,将电磁辐射限制在较小的范围内。

此外,对于敏感部分,如高频元件和传感器,还可以采用局部屏蔽来降低电磁辐射。

电子设备的EMI与EMC问题解决方法

电子设备的EMI与EMC问题解决方法

电子设备的EMI与EMC问题解决方法随着科技的快速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。

然而,随之而来的问题就是电磁干扰(Electromagnetic Interference,简称EMI)与电磁兼容性(Electromagnetic Compatibility,简称EMC)。

这些问题会导致设备性能下降,甚至可能造成严重的故障。

下面将详细介绍电子设备EMI与EMC问题的解决方法。

一、了解EMI与EMC的原因和影响1. EMI的原因:电子设备中的各种信号电路会产生互相干扰的电磁场,从而产生电磁波辐射,导致EMI问题。

2. EMC的影响:EMI问题可能会导致信号传输的错误、数据丢失、仪器测量不准确等影响设备性能的问题。

二、采取措施减少EMI问题1. 采用屏蔽技术:在电子设备的关键部件或线路周围设置屏蔽罩,以减少电磁波的辐射和接受。

这可以通过使用屏蔽材料和接地技术来实现。

2. 优化线路布局:合理排布电路,避免信号线与电源线之间的互相干扰,减少EMI问题的发生。

同时,使用分离地面平面和分层布局也可以有效降低EMI问题。

3. 控制信号的频率和功率:降低电子设备内部信号线路的频率和功率,可减少电磁波辐射。

这可以通过电路设计和合理选择相关元件来实现。

三、提高设备的EMC性能1. 通过滤波器控制电磁波干扰:在设备中添加滤波器,可有效降低电磁波的干扰。

常见的滤波器包括电源滤波器、信号滤波器等。

2. 使用合适的接地设计:良好的接地系统设计可以有效地减少EMI问题。

通过使用大地板、接地导线等,可将设备的电磁辐射能量导入地面。

3. 注意设备的散热设计:过高的温度可能会导致电子设备内部电路的不稳定工作,进而影响EMC性能。

因此,设备的散热设计应得到重视。

四、进行EMC测试和认证1. 进行EMI测试:通过使用专业的EMI测试仪器,对电子设备进行辐射和传导测量。

这可以帮助确定问题所在,并采取相应的措施进行修正。

emc解决方案

emc解决方案

emc解决方案
《EMC解决方案:提升企业数据管理和存储效率》
在当今数字化时代,企业面临着越来越多的数据管理和存储挑战。

为了更好地应对这些挑战,许多企业正在寻找适合自身需求的EMC解决方案。

EMC是一家知名的数据存储和管理解决方案提供商,其产品和服务涵盖了存储设备、数据备份和恢复、安全性、云计算、大数据分析等领域。

通过EMC的解决方案,企业能够提升数据管理和存储效率,实现数据的更好利用和保护。

首先,EMC的存储设备能够提供高速和可靠的数据存储,满足企业不断增长的存储需求。

其数据备份和恢复解决方案能够确保数据安全和可恢复性,保障企业在面对意外情况时能够快速恢复数据。

此外,EMC的安全性解决方案能够帮助企业建立起健壮的安全防护体系,保护数据免受各种威胁。

除此之外,EMC还推出了适用于云计算和大数据分析的解决方案,帮助企业更好地利用数据。

这些解决方案能够帮助企业实现数据的高效管理和分析,提升数据的价值和利用效率。

总的来说,EMC的解决方案能够帮助企业应对存储和数据管理的挑战,提升企业的数据管理和存储效率。

随着数字化时代的发展,EMC的解决方案将会继续发挥重要作用,助力企业实现数字化转型和数据驱动业务发展。

EMC-EMI之综合解决方案

EMC-EMI之综合解决方案

EMC/EMI之综合解决方案中心议题:EMC/EMI的综合解决方案解决方案:ESD防护解决方案开关电源电磁干扰抑制措施汽车电子设备的电磁兼容设计电磁兼容主要包括电磁干扰(EMI)和电磁抗干扰(EMS)两方面,本讲将从探讨电磁干扰措施和电磁抗干扰技术的角度来介绍EMC/EMI的综合解决方案。

具体内容包括结合实例探讨ESD 防护解决方案;从电磁兼容三要素(干扰源、耦合通路和敏感体)入手分析,开关电源电磁干扰抑制措施;及汽车电子设备的电磁兼容设计案例。

1 ESD防护解决方案电磁干扰普遍存在于电子产品,不仅是设备之间的相互影响,同时也存在于元件与元件之间,系统与系统之间,其主要的两种途径为传导干扰和辐射干扰,而传导干扰又细分为共模干扰差模干扰。

引起干扰的原因种类复杂,其核心为静电放电干扰。

静电有两种类型,即传导型的静电和辐射型的静电。

对于这两种静电主要采取如下防护措施:1.1传导性ESD防护对静电电流在电路中防护主要使用一些保护器件,在敏感器件前端构成保护电路,引导或耗散电流。

此类保护器件有:陶瓷电容,压敏电阻,TVS管等。

下面通过某电子产品接触式静电放电的接地改良来说明传导型ESD防护方案。

某电子产品的ESD发生器采用苏州泰斯特电子科技有限公司生产的型号为ESD-20静电放电测试仪器,器性能满足IEC61000-4-2标准要求,电子产品抗击电压为4.7KV,超过4.7KV就会出现蜂鸣器报警,死机现象。

实验布置图:图1 某电子产品接触式静电放电的接地改良实验布置图对此电子产品的接触式静电放电的接地进行分析,找出其存在的问题,并提出解决措施,可对其接地进行改良。

1.2辐射性ESD防护对于静电产生的场对敏感电路产生影响,防护方法主要是尽量减少场的产生和能量,通过结构的改善增加防护能力,对敏感线路实施保护。

对场的保护通常比较困难,在改良实践中探索出了一种叫做等位体的方法。

通过有效地架接,是壳体形成电位相同体,抑制放电。

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General Purpose Peak EMI reduction IC General Features• •• •• • •• • 1x, LVCMOS Peak EMI ReductionIncorporates the latest Timing-Safe technologywhich allows the spread of analog video signalInput frequency:1 0MHz - 35MHz @ 2.5V1 0MHz - 40MHz @ 3.3VOutput frequency :1 0MHz - 35MHz @ 2.5V1 0MHz - 40MHz @ 3.3VAnalog Deviation SelectionSpread Spectrum Enable/DisableSupply Voltage: 2.5V±0.2V3.3V±0.3V8pin TDFN(2X2) COL PackagesCommercial temperature rangeDC coupled to XIN/CLKIN) and locks on to it delivering a 1xmodulated clock output. SSDCP1108AF has a SSON pin forenabling and disabling Timing-SafeʳSpread Spectrumfunction.SSDCP1108AF has an SSEXTR pin to select differentdeviations depending upon the value of an external resistorconnected between SSEXTR and GND. Charge Pump (CP)control selects one of the two different ChargePumpcurrent settings.SSDCP1108AF operates from a 3.3V/2.5V supply, and isavailable in an 8 pin TDFN(2X2) COLpackages, over Commercial temperature range.Functional DescriptionSSDCP1108AF is a versatile, 3.3V/2.5V Peak EMI reduction IC. SSDCP1108AF accepts an input clock either from a fundamental Crystal or from an external reference (AC or •ApplicationSSDCP1108AF is targeted for consumer electronicsapplication such as MFP, STB, DSC, MID,HDMI,LCD panel Camcorder,and other timing sensitive analog video imaging applications •Applications of HDMI, RJ45 port has good compatibilityBlock DiagramVDDSSON CPXIN/CLKINXOUTCrystalOscillatorPLL ModOUTSSEXTRGNDPin ConfigurationXIN / CLKIN 1XOUT 2SSON 38 VDDSSEXTRCPModOUT7 SSDCP1108AFSSDCP1108A6GND 4 5 Pin DescriptionPin #12345678 Pin NameXIN / CLKINXOUTSSONGNDModOUTCPSSEXTRVDDPin TypeIOIPOIIPDescriptionCrystal connection or External reference clock input.Crystal connection. If using an external reference, this pin should be left open.Spread Spectrum ON/OFF. Spread Spectrum function enabled when HIGH, disabledwhen LOW. Has an internal pull-up resistor inside.GroundModulated clock outputCharge Pump current Select. When LOW selects Low CP current. Selects High CPcurrent when pulled HIGH. Has an internal pull-up resistor inside.Analog Deviation Selection through external resistor to GND.2.5V /3.3V supply Voltage.Frequency Selection tableVDD (V)2.53.3 Frequency (MHz)15-3515-40Operating ConditionsParameterVDDTACLCINDescriptionSupply VoltageOperating Temperature (Ambient Temperature)Load CapacitanceInput CapacitanceMin2.3Max3.6+70107UnitV°CpFpFAbsolute Maximum RatingSymbolVDD, V INT STG T s T JT DVParameterVoltage on any input pin with respect to GroundStorage temperatureMax. Soldering Temperature (10 sec) Junction TemperatureStatic Discharge Voltage (As per JEDEC STD22- A114-B)Rating-0.5 to +4.6 -65 to +125260 150 2Unit V°C °C °C KVNote: These are stress ratings only and are not implied for functional use. Exposure to absolute maximum ratings for prolonged periods of time may affectdevice reliability.DC Electrical Characteristics for 2.5V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply Current Dynamic Supply Current Output ImpedanceTest Conditions Min2.3Typ2.5Max2.7 0.71.7V IN V INI OL I OH= 0V= V DD = 8mA = -8mA25 25 0.61.8XIN / CLKIN pulled low Unloaded Output50 1235UnitV V VµA µA V V µA mASwitching Characteristics for 2.5VParameterInput Frequency* / ModoUT 1, 2Duty CycleTest Conditions 1, 2 Output Rise Time 1,2Output Fall Time2Cycle-to-Cycle Jitter 2PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max3555 2.2 2±1753UnitMHz% nS nS pSmSNote: 1. All parameters are specified with 10pF loaded outputs.2. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.DC Electrical Characteristics for 3.3V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply CurrentDynamic Supply CurrentOutput ImpedanceTest Conditions Min3.0Typ3.3Max3.6 0.82.0V IN V INI OL I OH= 0V= V DD= 8mA = -8mA 25 25 0.42.4XIN / CLKIN pulled lowUnloaded Output501630UnitV V VµA µA V VµAmASwitching Characteristics for 3.3VParameterInput Frequency* / ModOUT 3, 4Duty CycleTest Conditions 3, 4 Output Rise Time 3, 4Output Fall Time4Cycle-to-Cycle Jitter 4PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max4055 1.8 1.6±1503UnitMHz% nS nS pSmSNote: 3. All parameters are specified with10pF loaded outputs.4. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.Typical Crystal SpecificationsFundamental AT cut parallel resonant crystal Nominal frequency Frequency tolerance Operating temperature range Storage temperatureLoad capacitance(C P ) Shunt capacitance ESR27MHz± 50 ppm or better at 25°C 0°C to +70°C -40°C to +85°C 18pF7pF maximum 25Note: C L is the Load Capacitance and Rx is used to prevent oscillations at overtone frequency of the Fundamental frequency.Typical Crystal Interface CircuitSSDCP1108ARXIN/CLKINCrystalXOUTRxC LC LC L = 2*(C P - C S ),Where C P = Load capacitance of crystal from crystal vendor datasheetC S = Stray capacitance due to C IN, PCB, Trace etc.Switching WaveformsDuty Cycle Timingt 1t 2V DD /2V DD /2 V DD /2OUTPUTOutput Rise/Fall Time80%20%80%20%OUTPUTt 3t 4Application SchematicC L is the load capacitance for proper XTAL operation1 C LSSDCP1108AFXIN/CLKINVDD 8Noise Reduction FilterRCVDDExternal Deviation ControlVDDR1XOUTVDD2 SSEXTR7Analog Deviation Control SSEXTR can be Pulled HIGH to turn OFF Deviation3 SSONCP 6SSON ControlCP Control4 GNDModOUT 5Note: SSON (Pin#3) CP (Pin#6): Connect to VDD or GNDRefer to Pin Description table for Functionality detailsNote: For AC Coupled Interface refer to Application Brief: CT100801Deviation Vs SSEXTR resistance Charts at 27MHzDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=1MR=12.0 1.51.00.50.050 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600650Resistance(K _))% ± ( n o i t a i v e DDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=0MR=0 2.01.51.00.50.00 50 100 150Resistance(K_) 200 250 300) %±( n o i t a i v e DTDFN COL 2x2 8L package Outline drawingSymbol InchesMin0.027 DimensionsMillimetersA A3 b D E e LMax0.0315Min0.700.008 BSC0.0080.0120.079 BSC0.078 BSC0.020 BSC0.0200.0240.200.50Max0.800.203 BSC0.302.00 BSC2.00 BSC0.50 BSC0.60SSDCP1108AF Spectrum DeviceOrdering CodePart Number SSDCP1108AF-08-CR MarkingDAPackage8- pin 2-mm TDFN COL - TAPE & REEL, GreenTemperature0 °C to +70 °CDevice Ordering InformationS S D C P 1 1 0 8 A F - 08 - CRR = Tape & Reel, T = Tube or TrayO = TSOT23S = SOICT = TSSOPA = SSOPV = TVSOPB = BGAQ = QFNU = MSOPE = TQFPL = LQFPU = MSOPP = PDIPD = QSOPX = SC-70J=TSOT26C=TDFN (2X2) COLDEVICE PIN COUNTF = LEAD FREE AND RoHS COMPLIANT PARTG = GREEN PACKAGE, LEAD FREE, and RoHSPART NUMBERI= Industrial(-40 °C to +85 °C )A = Clock GeneratorB = Non PLL basedC = EMI ReductionD = DDR support productsE = STD Zero Delay BufferP or n/c = Commercial(0 °C to +70 )°CF = Power ManagementG = Power ManagementH = Power ManagementIJ= Hi Performance= ReservedSpread Spectrum Device CO.,LTDCopyright All rights reserved by Spread Spectrum Device Part Number:SSDCP1108AFDocument Version:0.22。

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