周立功ARM调试心得

周立功ARM调试心得2008-9-11调试"SmartARM2200 V2.02实验箱"心得：1、在调试"E:\htwang\smart2200v201\ARM嵌入式系统实验教程(二)\开发板出厂编程程序\液晶显示程序\LCM_Disp"的程序时，想使用外部RAM进行仿真调试，在将ADS1.2中的"DebugInExram Settings->Arm Linker -> Output -> Equivalent Command Line"的"-info totals -entry 0x8100000 -scatter .\src\mem_b.scf"改为"-info totals -entry 0x80000000 -scatter .\src\mem_b.scf"时，编译时总是出现错误信息"Error: L6206E: Entry point(0x80000000) lies outside the images"，经梁工（宝琼）提示："这是由于程序空间超出范围，需要改一个参数。

"打开关于外部RAM调试的分散加载文件"mem_b.scf"发现所有的程序调试地址都是指向0x81000000的Flash地址空间，而不是0x80000000的RAM地址空间（此时硬件电路板上的短路片RAM接CS0、Flash接CS1），后把0x81******全部改为0x80******，编译调试都正常。

2、不正常现象：在调试"SmartARM2200 V2.02"实验箱时，每次实验箱断电或实验箱上复位按键后，H-Flash的Load操作都要重新执行一遍（或者简单一点：只要在H-Flash -> Programming -> Check 按钮上点击一下也可以），否则下载程序后实验箱运行不了。

（先是在选用DebugInExram出现这种情况，后选用RelOutChip则不会出现这种情况。

）<2008-9-12> 另外，每次重新启动H-JTAG和H-Flash后，都要将H-Flash重新设一遍。

3、现象：在调试GB_Disp工程时，程序无法正常运行。

分析：当调试的程序中包含中断时，分散加载文件"mem_*.scf"的"IRAM "项设置不能从0x40000000开始，而应该从0x40000040开始（给中断向量留下空间），否则程序无法调试。

（先是在选用RelOutChip出现这种情况，后选用DebugInExram也出现这种情况。

）< 2008-9-12 htwang注: 上面的解释并不正确，因为在调试其他中断实验的过程中，配置文件"mem_*.scf"的"IRAM "项设置成从0x40000000开始也可以正常运行。

（估计可能是存储器映射的问题）打开GB_Disp工程"target.c"文件，果然发现在函数"void TargetResetInit(void)"中将存储器映射寄存器初始化成"MEMMAP ＝0x2"，这是选用的用户RAM模式，中断向量也从静态RAM重新映射。

如果想映射到用户外部存储器模式，应该改为"MEMMAP ＝0x3"（见《ARM嵌入式系统基础教程》P166 或《深入浅出ARM7-LPC2200》P119）。

按此方式更改后，实际调试也正常。

>（2008-9-12）结论：要么把该工程文件"mem_bscf"中的"IRAM "项改成从0x40000040开始；要么把该工程文件"target.c"中的存储器映射初始化为"MEMMAP ＝0x3"。

4、在调试中断程序时，如果使用IRQ.S中的汇编宏定义程序和"IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3"代替原来的C语言函数中断方式（当然同时将代码"VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3;"改为"VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3_Handler; "），则应将C语言中断函数"void __irq IRQ_Eint3(void)"改写成"void IRQ_Eint3(void)"。

否则调试是出现的情况就是程序在"IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3"和中断函数"void __irq IRQ_Eint3(void){}"里面反复执行，再也退不出来。

2008-9-12调试"SmartARM2200 V2.02实验箱"心得：5、现象：在自己编写定时器中断程序时，如果自己用工程模板"ARM Executable Image for lpc2200"建立工程并编写中断程序后，调试过程中总是不能进入中断，但是用定时中断的事例程序可以进入。

原因：经将自己建立的模板工程文件中的"Startup.s"文件和事例程序中的比较，发现在模板工程的"Startup.s"文件中的堆栈初始化代码"InitStack "中有一行语句为：;设置系统模式堆栈MSR CPSR_c, #0xdfLDR SP, =StackUsr这就将IRQ和FIQ都禁止了，需要将"MSR CPSR_c, #0xdf"改为"MSR CPSR_c, #0x5f"来打开IRQ中断才行。

6、现象：用C语言编写中断函数时，如void __irq Timer0Int(void){ }，该中断函数必须放在主函数main()的上方，否则编译时会出现错误（因为主函数需要调用语句"VICVectAddr0 = (uint32)Timer0Int;"）：1）Error: (Serious) C2933E: type disagreement for "Timer0Int"2) Error: C2456E: undeclared name, inventing 'extern int Timer0Int'解决方法：在主函数前面加上声明"void __irq Timer0Int(void);"（ZLG李工），此时编译应该不会再出现上述的问题，但如果此时Debug运行时不正常，需在ADS1.2(编程软件)执行操作"Project -> Remove Object Code "后，再重新编译调试。

如果把C语言编写的中断函数放到其他文件中，也是类似的处理方法，如："extern void __irq Timer0Int(void);"7、在ADS软件中int类型占用4个字节的空间。

8、ALIGN=2 ，即定义2的n次幂对齐方式（梅工（程宇））。

（见ARM指令集ARM_zhiling.pdf）9、SvcStackSpace SPACE SVC_STACK_LEGTH * 4；其中的SPACE为字节空间定义（梅工（程宇）），并用0对之进行初始化。

（见ARM指令集ARM_zhiling.pdf）10、要想看到所有文件（函数）对FLASH和RAM的使用情况，在编译选项设置->ARM Linker -> Listings -> Listings的"Image map"和"Symbols"前面的复选框选中，编译后即可输出想要的详细信息（梅工（程宇））。

11、实验箱上的ZLG7290芯片由于内部键盘处理程序没有去抖动和防连击处理，所以用起来不太好用。

（据说ZLG7290芯片只是ZLG用一款单片机写了软件贴了个商标）2008-9-16调试"SmartARM2200 V2.02实验箱"心得：12、中断使能寄存器VICVectEnable写入1，对应通道的中断使能；写入0，无效。

如指令：VICIntEnable = 1 << 6;VICIntEnable = 1 << 4;指令这两条指令之后，通道6和通道4都被中断使能。

（课本《深入浅出ARM7--LPC2200》的P164有详细说明）13、在任务Task定义的局部变量与定义的静态局部变量功能等同，因为任务不可能返回，只能被中断(大部分是定时中断，也可能是其他中断)所打断，这时中断会保存相应的现场。

（自我理解，没有看到相关资料上如此解释）14、用typedef定义的结构体不能多次用#include 包含，否则会出现错误：Error：(Serious) C2930E: duplicate definition of ' ***'<2008-9-16 htwang注：上述结论并不正确，出现这种情况是因为一个有typedef的头文件在同一个文件中include包含了两次。

>2008-9-17调试"SmartARM2200 V2.02实验箱"心得：15、因为任务创建成功后OSTaskCreate（）即进行任务的调度OS_Sched()，因而与此相关的事件创建（如消息邮箱）程序要放在先创建的任务中，而不是放在即将创建的高优先级任务中。

<2008-9-17 htwang注：上述结论不正确，因为任务创建后并不会马上运行，它创建后的切换操作总是会切换到最高优先级的任务运行，而一般我们都是用高优先级的任务进行所有低优先级任务的创建，因此任务仍然会返回起始任务继续创建其它任务。

所以与此相关的事件创建（如消息邮箱）程序必须要放在相关的即将创建的高优先级任务中。

>16、现象：在使用消息邮箱进行工程"E:\htwang\uCOS_Homework\uCOS_Homework"调试时，发现消息邮箱的指针DispMbox总是被不正常修改（因此程序也就不能正常运行）。

检查调试：经反复检查调试，发现在一个任务中使用了一个100字节的字符数组，而给这个任务分配的堆栈长度只有64个字节，分析应该是由于堆栈溢出造成的上述现象。