电容CHIP识别教育资料
电容的识别与检测(教学课件)
电容的识别与检测
电容器是最常见的电子器件之一，通常简称为 电容。电容是衡量导体储存电荷能力的物理量， 在电路中，常作为滤波、耦合、振荡、旁路、隔
直、调谐、计时等。其基本特性如下：
1.电容两端的电压不能突变。向电容中存储 电荷的过程，称为“充电”，而电容中的电荷消 失的过程，称为“放电”，电容在充电或放电的 过程中，其两端的电压不能突变，即有一个时间
1mF=10-3F 1uF=10-3mF=10-6F
1nF=Hale Waihona Puke 0-3μF=10-6mF=10-9F
1pF=10-3nF=10-6μF=10-9mF=10-12F
2.1 电容的型号命名法 电容器的型号命名一般由四部分组成 示例： (1) CD-11：铝电解电容（箔式），序号为11； (2) CC1-1： 圆片形瓷介电容，序号为1； (3) CZJX： 纸介金属膜电容，序号为X。
1.3 微调电容的外形及特点
微调电容又叫半可调电容，电容量可在小 范围内调节。
2 电容的识别
在电路原理图中电容用字母 “C”表示，常用电容在电路 原理图中的符号如图所示。电容量大小的基本单位是法拉 （F），简称法。常用单位还有毫法（mF）、微法（μF）、 纳法（nF）、皮法（pF）。它们之间的换算关系是：
11. 贴片式钽电解电容
贴片式钽电解电容有矩形的，也有圆柱形的，封装形式有 裸片形、塑封型和端帽型三种，以塑封型为主。它的尺寸 比贴片式铝电解电容器小，并且性能好。
电容器识别与检测ppt课件
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电子产品工艺（第3版）项目三 元器件识别与检测
2．常用电容器 （1）瓷介电容。瓷介电容用陶瓷做介质，在陶瓷 基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。 瓷介电容属无机介质电容器，具有结构简单、体积小、 稳定性高和高压性能好的特点。根据陶瓷成分不同可 分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器。
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电子产品工艺（第3版）项目三 元器件识别与检测
（6）钽电解电容。由于钽及其氧化膜的物理性能稳 定，因而它比电解电容的漏电小、寿命长，长期存放性 能稳定，温度、频率特性好。但它比铝电解电容成本高、 额定电压低（最高只有160V）。这种电容主要用于一些 电性能要求较高的电路，如积分电路、定时电路、延时 开关电路等。
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电子产品工艺（第3版）项目三 元器件识别与检测
（2）独石电容器。独石电容器实际上是一种瓷介 电容器，陶瓷材料以钛酸钡为主，由若干片印有电极 的陶瓷膜叠放起来烧结而成。它外形具有独石形状， 相当于若干个小陶瓷电容并联，容量大、体积小，是 小型陶瓷电容器。它具有电容量大、体积小、可靠性 高、电容量稳定，耐湿性好等。
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电子产品工艺（第3版）项目三 元器件识别与检测
（2）对于容量小于5100pF的电容，由于充电时间 很快，充电电流很小，即使用万用表的高阻值档也看 不出表针摆动。所以，可以借助一个NPN型的三极管 的放大作用来测量。选用R×10k档，将万用表红表笔 接三极管发射极，黑表笔接集电极，电容器接到集电 极和基极两端，由于晶体管的放大作用就可以看到表 针摆动。也可利用交流信号来进行测量，即是万用表 或试电笔通过串接电容器去测量交流信号。
CHIP R和C品番识别方法培训
公/英制转换对照表
公制
英制
0.6*0.3 0201
1005
0402
1608
0603
2012
0805
3216
1206
3225
1210
4532
1812
5750
2220
POWER RATE 贴片电阻的功率识别规则
贴片电阻功率的国际标准 功率:元件的负载能力 标识单位:瓦特 (W)
参数列表:
SIZE=0201 SIZE=0402 SIZE=0603 SIZE=0805 SIZE=1206 SIZE=1210 SIZE=2010 SIZE=2512
4
5 ³£ ¹æ ²¿ Æ·
(L)
103 MCR03 EZP
J
(L) 103
SIZE
TOLERANCE
SIZE MCR006 MCR01 MCR03 MCR10 MCR18 MCR25 MCR50 MCR100
POWER
SIZE=0201 1/20W
SIZE=0402 1/16W
SIZE=0603 1/10W
罗姆制部品品番编码规则
ROHM
1
2
3
MCR03 EZP J
´ú Âë ²Î Êý Ãû ³Æ 1 ¹¦ ÂÊ Óë ³ß ´ç ²Î Êý 2 °ü װβ Êý 3 ¹« ²î ²Î Êý (4) µÍ ×è Öµ ²Î Êý £¨10 ¦¸ ÒÔ Ï £© 5 ×è Öµ ²Î Êý
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ROHM
SIZE=0201 SIZE=0402 SIZE=0603 SIZE=0805 SIZE=1206 SIZE=1210 SIZE=2010 SIZE=2512
常见DIP CHIP元件的识别
法)=109nF(纳法)=1012pF(皮 用
有
法)
c. 退 耦 、
耦合、旁
路作
d 滤波、
无
谐振
贴片电容 C 法拉（F）
无
电感
色环电感 （L）
亨利(H)
工字电感 (L)
亨利(H)
贴片绕线电 感(L)
亨利(H)
磁环电感 亨利(H)
(L)
无 a. 阻 流 作
用.b.调谐
与选频作
无 1H( 亨 利 )=1000mH( 毫 用.c.与其
降压，分 流，限流， 建立电路 中所需特 定数值的 电压或电
流
直插电解电
容（EC） 法拉（F）
有
电容
贴片电解电 容（EC） 法拉（F）
引线钽电容
（EC）
法拉（F）
贴片钽电容 法拉（F） (EC)
积层陶瓷电 容(独石电
容)C
法拉（F）
有
a. 充 放 电
和延时作
用
.
有
b. 通 交 流
1F=103mF(毫法)=106µF(微 隔直流作
电流，上限 (1)金属脚嵌在
玻璃里较小的
频率，最大 一端为正极﹐ 较大的一极是
负极。
正向（整流） (2)外壳下边切 弧的一端为负
电流等
极﹐对面为正 极。
符号：
_
贴片发光二
极管（LED） +
有绿点 的一端 为负极
符号：
整流桥
峰值反压
整流桥（D）
VRRM(V) 流(A)
平均电 正向压
有
降(V) 封装
符号：
三极管（Q） 发 射 极 反 向 击
穿电压,表示 临界饱和时的 饱 和 电 压 ）， P C M（ 最 大 允 许 耗散功率）
Chip片电阻电容等尺寸规格02...
SMT操作员培训手册SMT基础知识目录一、 SMT简介二、 SMT工艺介绍三、元器件知识四、 SMT辅助材料五、 SMT质量标准六、安全及防静电常识第一章SMT简介SMT 是Surce mounting technology的简写，意为表面贴装技术。
亦即是无需对PCB钻插装孔而直接将元器件贴装焊接到PCB表面规定位置上的焊接技术。
SMT的特点从上面的定义上，我们知道SMT是从传统的穿孔插装技术（THT）发展起来的，但又区别于传统的THT。
那么，SMT与THT比较它有什么优点呢？下面就是其最为突出的优点：1.组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右，一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。
2.可靠性高、抗振能力强。
焊点缺陷率低。
3.高频特性好。
减少了电磁和射频干扰。
4.易于实现自动化，提高生产效率。
5.降低成本达30%~50%。
节省材料、能源、设备、人力、时间等。
采用表面贴装技术(SMT)是电子产品业的趋势我们知道了SMT的优点，就要利用这些优点来为我们服务，而且随着电子产品的微型化使得THT无法适应产品的工艺要求。
因此，SMT是电子焊接技术的发展趋势。
其表现在：1.电子产品追求小型化，使得以前使用的穿孔插件元件已无法适应其要求。
2.电子产品功能更完整，所采用的集成电路(IC)因功能强大而引脚众多，已无法做成传统的穿孔元件，特别是大规模、高集成IC，不得不采用表面贴片元件的封装。
3.产品批量化，生产自动化，厂方要以低成本高产量，出产优质产品以迎合顾客需求及加强市场竞争力。
4.电子元件的发展，集成电路(IC)的开发，半导体材料的多元应用。
5.电子产品的高性能及更高焊接精度要求。
6.电子科技革命势在必行，追逐国际潮流。
SMT有关的技术组成SMT从70年代发展起来，到90年代广泛应用的电子焊接技术。
由于其涉及多学科领域，使其在发展初期较为缓慢，随着各学科领域的协调发展，SMT在90年代得到迅速发展和普及，预计在21世纪SMT将成为电子焊接技术的主流。
电容器识别PPT优秀课件
63v 4.7nF=4700pF
±5%
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铝电解电容器（CD）
2021/6/3
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作业
在电磁炉电路板上任意找出5个电容器写出它们的主要参数 （耐压值、标称容量、允许误差）
2021/6/3
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谢谢大家
2021/6/3
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部分资料从网络收集整 理而来，供大家参考，
感谢您的关注！
2021/6/3
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项目三、电容器的识别
学习目标 1.掌握电容器的主要参数及标注方法： 2.能熟练分辨出常见的电容器并读出其容量值：
2021/6/3
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标称容量
标称容量是指标注在电容器上的电容量。 电容量的基本单位是法拉（简称法），用字母“F”表示。比
法拉小的单位还在毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF） 、皮法（pF），它们之间的换算关系是： 1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 其中，微法（μF）和皮法（pF）两单位最常用。
4.7nF
2021/6/3
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容量:33×100nF=33nF，允许误差:J=±5%,
耐压值=100V
2021/6/3
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知识总结
1.直标法 直标法是将电容的标称容量、耐压及偏差直接标在电容体上
。有标单位的直接表示法和不标单位的直接表示法两种例如 ：4700μF 25V。若是零点零几，常把整数位的“0”省去， 如.01μF 表示0.01μF；有些用R表示小数点，如R47μF表示 0.47μF。
2021/6/3
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瓷介电容器
技能训练
22×102pF
2021/6/3
51×10pF=510pF 30KV
电容器的识别与检测讲述
电容器的识别与检测讲述电的识别与检测介绍本文档旨在讲述电的识别与检测方法。
电作为一种常见的电子元件，在电路中起到储存能量、滤波和耦合等重要作用。
因此，正确识别和检测电的状态对于电路的正常运行至关重要。
电的识别方法1. 标识代码大多数电都会在外壳上印有标识代码，以帮助识别其参数和特性。
常见的标识代码包括电容值、电压额定值、容差、温度系数等信息。
通过仔细观察和对照相关资料，可以快速识别电的基本参数。
2. 外观和尺寸不同类型的电在外观和尺寸上也有所不同。
例如，固态电解电通常较大，而电介质电则较小。
通过观察电的外壳形状、颜色和尺寸等特征，也可以初步判断其类型和容量范围。
3. 测量电容值使用万用表或电容计等仪器可以准确测量电的电容值。
将仪器的测量引线连接到电的两个引脚上，根据仪器的操作说明进行测量。
通过测量结果可以确定电的实际电容值，与标识代码进行对比，检查是否存在损耗或故障。
电的检测方法1. 可视检查定期进行可视检查是发现电损坏和老化的重要方法之一。
观察电的外观，如果发现外壳变形、破裂、渗漏或焦糊等异常情况，应立即更换电。
2. 电的充电和放电通过对电进行充电和放电测试，可以评估电的电性能。
将电连接到适当的电源电路，记录充电和放电过程中的电流和电压变化情况。
对比理论模型，评估电的响应速度、电荷保持能力和泄漏情况。
3. 高频测试对于特定应用场景中使用的电，如射频电路中的电，可以通过高频测试来评估其性能。
高频测试要求使用特定的测试设备和频率，检测电在高频下的阻抗、容差和稳定性等特性。
结论准确识别和检测电容器的状态对于电路的正常运行至关重要。
通过标识代码、外观观察和测量电容值等方法可以识别电容器的基本参数。
而通过可视检查、充放电测试和高频测试等方法可以评估电容器的状态和性能。
在实际应用中，根据电路需求选择适当的识别和检测方法，以确保电容器的有效运行。
CHIP电阻和电容
CHIP電阻和電容講義整理: 劉欣電阻:SIZE: Delta用到有<1>1206 1/4W 將會隨adaptor的小型化而消失,但高壓電阻需1206這樣大SIZE<2>0808 1/10W 較常用,以後會發1/4W<3>0603 1/16W 現在較少用,因其SIZE小,故在layout時0603的resistor下無trace將會發展為1/8W 還有0402之SIZE,以Delta生產adaptor的儀器設備及需要,暫時不會用到它.消耗resistor上之power=I²R,設計時一般在電阻上的Power要小於1/2定power,因chip電阻散熱較慢.溫度特性:一般的chip電阻有如下之溫度特性:ResistorTemperature 基本成反比例電壓:對一般chip電阻來說加在其兩端的電壓不會很大,因阻值不是很大時power=V²/R,電壓太高電阻不能承受,而對高壓電阻來說高壓下其特性是否穩定就很重要了.在測IR時ADP-60DB F為例,QA曾作實驗,在高壓下分別測Philips及KMAYA之高壓電阻,發現高壓時Philips之resistor阻值明顯降低,而KAMAYA之Resistor無明變化,甚至還有上升之趨勢.電容:相對chip電阻,chip電容明顯的一個特徵即無marking.SIZE: 因其容值及耐壓的需要,chip電容的size從3640~0402都有.Delta adaptor用到的一般為1206,0805,0603.Type: COG X5R X7R Z5U Y5VPF=Q值Y5V>Z5U>XYR>X5R>COG/NPO誤差: COG±2.5% X7R X5R ±7.5% Z5U Y5V±20%耐溫: COG -55℃+105℃X5R -55℃+85℃X7R -55℃+125℃Z5U +10℃+85℃Y5V -30℃+85℃因chip電阻散熱慢,因此X5R Z5U Y5V adaptor基本不用,而COG與X7R 235℃~300℃可耐10S,可過錫爐.溫度特性COG 0±30PPM/℃X7R 0±50PPM/℃體積:當容值在1uf以上時,X7R比COG厚,因Prop test薄的較容易破,所以COG較少用. 使用:容值在0.1uf以下,一般耐壓為50V/63V,而二次側Schottky Diode上snubber線路上電容一般j為200V.Chip電容相對電解電容高頻時特性較好.對二次側output filter capacitor Frequency rating:100 KHZ而對於Bulk-cap,則Frequency rating:100HZ/20HZChip電阻和電容的台達P/N電阻03 X X XXX X XXA B C D EA: 0:1/8W 1:1/4W 2:1/2W 3:1W 4:1/10WB: 1:±1% 2: ±2% 3: ±5%C: 阻值D: 0:1206 1:0805 2:1406 3:0603E: vendor電容15 X X X X X X X XA B C D E FA: 耐壓2: 50V 3:100V 4:200VB: 誤差1: ±1% 2: ±5%C: TypeD: 容值E: SIZE 1: 0805 2: 1206F: Vendor。
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三星电容：
CL 10 A 105 K Q 8 N N N C ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦⑧ ⑨ ⑩ ⑾
京瓷（KYOCERA）电容： CM 21 X7R 105 K 10 A T 000 ① ② ③ ④ ⑤⑥⑦⑾ ⒀
村田（MuRata）电容： GRM 36 X7R 472 K 25 PT
TDK电容:
① ② ③ ④ ⑤ ⑥⑾ C 1005 COG 1E 100 D T ① ② ③ ⑥ ④ ⑤⑾
国巨（YAGEO）电容:
CC 0603 K R X7R 9 B B 102
① ② ⑤ ⑾ ③⑥⑧⑿④
①：表示系列编号
※ ②：表示元器件尺寸编码 ※ ③：表示元器件温度特性 （电解质编码）
※ ④：表示元器件的值编码 ※ ⑤：表示元器件值允许误差编码
以上序号根据命名代号顺序
村田（ MuRata ）电容简介
4． 额定容量： 容量大小一般由三位数字表示，前二位表 示容量的有效值，第三位数字表示10的乘方（即0的个 数），容量单位为PFຫໍສະໝຸດ ※ ⑥：表示元器额定电压编码
⑦：表示元器件终端类型编码
⑧：表示内电极/端子/电镀编码 ⑨：表示产品编码
⑩：表示特殊编码
⑾：表示包装编码
※ ⑿：表示B = 卑金属电极，N = 非卑金属电极(卑金属便宜的金属，非卑指贵金属）。
⒀：选用品-特殊情况的选用
国巨（YAGEO）电容简介
国巨积层陶瓷电容（MLCC）包括一般陶瓷电容、高容值陶瓷电容、软端电极电容、 串连排容、中高压电容、低感值电容、高频电容和X2Y®电容滤波器。国巨积层陶瓷 电容（MLCC）型号包括9个部分，下面以CC0603KRX7R9BB102为例 ①表示国巨积层陶瓷电容的系列名称。CC表示一般的贴片电容，CS表示软端电极电 容，CA表示串连排容，CH表示高频电容，CL表示低感值电容，CX表示X2Y®电容滤波 器。 ②表示标准EIA晶片尺寸。国巨电容的常用尺寸有0201，0402，0603，0805，1206， 1210，1808，1812，2010，2512等。 ⑤表示电容误差值。 A=±0.05PF,B=±0.1PF,C=±0.25PF,D=±0.5PF,F=±1PF,G=±2PF,J=±5%,K=±10%,M=±2 0%,Z=-20%~+80%。 ⑾表示包装形式。R表示7寸盘纸带卷装，P表示8寸盘纸带卷装，K表示7寸盘塑料带 卷装。 ③表示介电材料。国巨陶瓷电容介电材料有NPO,X5R,X7R,Y5V。 ⑥表示电压。4=4V, 5=6.3V, 6=10V, 7=16V, 8=25V, 0=100V, A=200V, B=500V, C=1KV, D=2KV, E=3KV等。 ⑧表示引脚材料。A = PdAg，B = Ni-Barrier，C = Ni / Au。 ⑿ B = 卑金属电极，N = 非卑金属电极。 ④表示容值。有效数字+零号码，第三位是指数。如果容值带有小数点，用R表示小 数点。如5.6PF=5R6,100=10PF,101=100PF, 102=1000PF, 103=10,000PF……以此类推。