化学气相沉积技术的进展
化学气相沉积技术的研究与应用进展

化学气相沉积技术的研究与应用进展化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition, CVD)是一种利用气体在高温下反应生成固体材料的制备技术。
该技术在半导体、表面涂层、高温材料、纳米材料和生物医学领域等方面应用广泛。
本文将探讨近年来CVD技术在不同领域的应用和研究进展。
在半导体领域,CVD技术被广泛用于制备薄膜材料,如二氧化硅、氧化铝和氮化硅等,这些材料对于微电子器件的制备至关重要。
此外,CVD技术还可用于快速生长薄膜,提高生产效率。
例如,低压化学气相沉积(LPCVD)已经被用于制备多晶硅太阳能电池,可有效提高太阳能电池的效率。
在表面涂层领域,CVD技术在遮光、防腐蚀和氟碳涂层方面有应用,其中最常用的是金属有机CVD技术(MOCVD),用于制备各种涂层,如二氧化钛、三氧化二铁和铜等。
此外,CVD技术还可用于涂覆金刚石。
例如,化学气相沉积金刚石(Chemical Vapor Deposition Diamond, CVD diamond)技术已被应用于生产工具和高精度零件,如机械刀片、研磨片和光学元件等。
在高温材料领域,CVD技术可用于制备耐高温材料,如氮化硅、氮化钛和碳化钨等,这些材料可用于高温环境下的结构件,如火箭发动机的外壳和太空探测器的热盾。
此外,CVD技术还可用于制备防热涂料和光学涂层等。
在纳米材料领域,CVD技术可用于制备不同类型的纳米材料,如碳纳米管、石墨烯和金属纳米粒子等。
这些纳米材料具有独特的电学、光学和机械性能,在光电器件、传感器和催化剂等领域有广泛的应用。
在生物医学领域,CVD技术可用于制备生物医学器械,如植入物和人工关节。
例如,CVD钛涂层可用于表面改性,增强其生物相容性和机械稳定性,提高植入物的生物相容性和耐用性。
总之,CVD技术是一种多功能的制备技术,可应用于广泛的领域。
随着技术的不断进步和改进,CVD技术将在更多领域展现其重要作用。
化学气相沉积技术的研究与应用进展

化学气相沉积技术的研究与应用进展化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种重要的化学气相生长技术,广泛应用于薄膜材料合成、表面涂层、纳米材料制备等领域。
随着科学技术的不断进步,CVD技术在功能材料、能源材料、电子材料等领域的应用前景更加广阔。
本文将介绍CVD技术的基本原理、发展历程以及最新研究进展,并探讨其在各领域中的应用前景。
一、CVD技术的基本原理CVD技术是一种通过将气态前驱体转化为固体薄膜的方法。
其基本原理是:气相前驱体在恰当的条件下分解或反应,生成固相产物并沉积在基底表面,形成一层薄膜材料。
CVD技术可分为热CVD、等离子CVD、光CVD 等几种类型,分别适用于不同的材料制备过程。
二、CVD技术的发展历程CVD技术起源于20世纪60年代,最初用于半导体材料的制备。
随着科学技术的不断进步,CVD技术不断完善和拓展,应用领域也从半导体材料扩展到功能材料、生物材料、光学涂层等多个领域。
特别是近年来,随着纳米材料、二维材料等新兴材料的发展,CVD技术的应用越来越广泛。
三、CVD技术的最新研究进展1.碳纳米管的制备:CVD技术在碳纳米管的制备中表现出色,可以实现高质量、大面积的碳纳米管制备。
研究人员通过调控CVD过程中的气相组分和反应条件,可以实现碳纳米管的控制生长和结构调控。
2.二维材料的合成:CVD技术也被广泛应用于二维材料的制备,如石墨烯、硼氮化物等。
研究人员利用CVD技术可以实现大面积、高质量的二维材料生长,为其在电子器件、传感器等领域的应用提供了新的可能性。
3.光催化材料的合成:利用CVD技术可以实现多种光催化材料的合成,如TiO2、ZnO等。
这些光催化材料在环境净化、水处理等领域具有重要应用前景,利用CVD技术可以控制其结构和性能,提高其光催化性能。
四、CVD技术在各领域中的应用前景1.电子器件领域:CVD技术可以实现高质量、大面积的半导体薄膜的制备,为电子器件的制备提供了基础材料。
化学气相沉积原理

化学气相沉积原理化学气相沉积原理(ChemicalVaporDeposition,CVD)技术是一种利用特定温度和压力等环境下,以原料气体为主要反应物,在晶体表面生成一层膜的一种技术。
它是制备复杂晶体和半导体材料、功能膜绝缘膜以及薄膜传感器等的重要手段。
本文将对化学气相沉积原理进行简要介绍并探讨其原理、发展状况和应用前景。
化学气相沉积原理是20世纪60年代美国Stony Brook大学的研究人员发明的。
原理是利用特定温度和压力,将源气体反应后形成膜,在许多材料上都可以进行。
它不仅具有半导体薄膜和金属膜的有机结合性,而且在低温、低压条件下,晶体表面受到源气体的温度和压力的影响极小,可以在各种晶体表面上形成膜,用以获得有效的原位制备有序膜。
一般来说,CVD技术具有以下特点:1、反应产物留在晶体表面,操作步骤简单,可以形成深厚的均匀合晶膜;2、晶体表面和晶体体系都不受到CVD过程的影响;3、均匀膜可用于形成精密器件或小型器件;4、CVD过程中不会产生有害物质,环境污染小;5、CVD过程中可以形成合晶膜,无须热处理保持晶体结构;6、可用于大规模生产。
CVD技术最早被用于半导体制备,因其具有良好的结构控制和可大规模生产的特点,近年来,CVD技术被广泛用于金属膜、纳米晶体、纳米化合物等的制备,成为特种器件、传感器、节能技术和生物医学技术的重要基础。
CVD技术的发展以来,已经取得了较大的进展。
现在,CVD技术已被用于多种半导体芯片、显示器和太阳能电池的制备,有效地为现代信息、电子、能源和医疗等领域提供了支撑。
随着更先进的技术的出现,CVD技术的研究和应用也在不断发展,被广泛应用于传感器,电子信号处理,新材料研究,太阳能电池,太空技术等领域,发挥着重要作用。
总之,化学气相沉积技术发展快速,应用广泛,已经取得了许多重要的研究成果,可以有效地支撑信息、电子、能源和医疗等领域的发展。
新一代CVD技术可以为未来许多领域提供更多的可能性,它将成为节能技术,精密器件,薄膜传感器,生物医学技术的重要基础。
化学气相沉积技术的应用案例及研究进展

化学气相沉积技术的应用案例及研究进展化学气相沉积技术是一种重要的薄膜制备技术,在微电子、光学、生物医学等领域得到了广泛应用。
本文将介绍化学气相沉积技术的基本原理和分类、应用案例及研究进展。
一、基本原理和分类化学气相沉积技术是利用半导体材料与某种气体在高温和高压下进行反应,以获得所需要的材料的薄膜制备技术。
其基本原理在于,将一定比例的气体通过反应釜,使气体在高温和高压的环境下发生化学反应,从而在衬底表面生成所需的薄膜。
化学气相沉积技术分为很多类别,其中流化床反应器CVD方法被广泛应用于半导体材料的制备,主要包括热CVD、LF-CVD、LPCVD、MOCVD等。
其中,热CVD是一种最基本的气相沉积技术,是利用热反应产生活性原子或分子的方法,通常工作在高温高压下,可以沉积纯金属和化合物。
MOCVD在半导体材料生长和光电子器件制备中得到了广泛应用。
二、应用案例化学气相沉积技术广泛应用于微电子、光电、生物医学等领域。
以下将举几个应用案例。
1、微电子化学气相沉积技术在微电子领域的应用主要包括硅片外延生长、电子器件制备、光电子器件制备等方面。
例如,在金属有机化学气相沉积中,能够沉积出高质量的锡酸锶薄膜,这种薄膜可用于蓝色光发射体中,具有很好的光学性能。
2、光电领域光电材料的制备是化学气相沉积技术的另一个重要领域。
氧化锌是一种常用的光电材料,其薄膜可以通过MOCVD等方法沉积。
利用氧化锌薄膜可以制备太阳能电池、光电探测器、柔性显示器等光学器件。
3、生物医学领域化学气相沉积技术在生物医学领域的应用主要包括生物传感器、医学诊断、药物释放等方面。
例如,利用化学气相沉积技术制备铜纳米粒子,可以制作用于疾病治疗的药物纳米粒子。
三、研究进展随着化学气相沉积技术的不断发展和改进,其应用范围也在逐步扩大。
当前,一些研究者正在探索该技术在新领域中的应用,如:利用化学气相沉积制备2D材料、能源领域新材料、减少废弃物等。
同时,在化学气相沉积技术的研究方面也存在诸多挑战:如如何实现快速、低成本、高质量的薄膜制备、如何进行材料的设计和优化等。
化学气相沉积技术的应用与发展

化学气相沉积技术的应用与进展一、化学气相沉积技术的发展现状精细化工是当今化学工业中最具活力的新兴领域之一,是新材料的重要组成部分,现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料,这些功能材料必须是高纯的,或者是在高纯度材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料。
但是,我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求,也难以保证得到高纯度的产品。
因此,无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。
化学气相沉积技术(Chemical vapor deposition,简称CVD)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。
化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的沉积过程精确控制。
目前,用CVD技术所制备的材料不仅应用于宇航工业上的特殊复合材料、原子反应堆材料、刀具材料、耐热耐磨耐腐蚀及生物医用材料等领域,而且还被应用于制备与合成各种粉体料、新晶体材料、陶瓷纤维及金刚石薄膜等。
二、化学气相沉积技术的工作原理化学气相沉积是指利用气体原料在气相中通过化学反应形成基本粒子并经过成核、生长两个阶段合成薄膜、粒子、晶须或晶体等固体材料的工艺过程。
它包括5个主要阶段:反应气体向材料表面扩散;反应气体吸附于材料的表面;在材料表面发生化学反应;生成物从材料的表面脱附;(5)产物脱离材料表面。
目前CVD技术的工业应用有两种不同的沉积反应类型即热分解反应和化学合成反应。
它们的共同点是:基体温度应高于气体混合物;在工件达到处理温度之前气体混合物不能被加热到分解温度以防止在气相中进行反应。
三、化学气相沉积技术的特点化学气相沉积法之所以得以迅速发展,是和它本身的特点分不开的,与其他沉积方法相比,CVD技术除了具有设备简单、操作维护方便、灵活性强的优点外,还具有以下优势:(1)沉积物众多,它可以沉积金属、碳化物、氮化物、氧化物和硼化物等,这是其他方法无法做到的;(2)能均匀涂覆几何形状复杂的零件,这是因为化学气相沉积过程有高度的分散性;(3)涂层和基体结合牢固;(4)镀层的化学成分可以改变, 从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层;(5)可以控制镀层的密度和纯度;(6)设备简单,操作方便。
化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展

化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展摘要:SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。
其制备方法多种多样其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注。
近年来在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果。
采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考。
目前,未添加催化剂时利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差;制备温度较高和产率相对较低的问题。
而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度提高反应速率以及产率但易在SiC 纳米线中引入杂质。
将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构以拓宽SiC纳米线的应用领域。
本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据。
引言:SiC纳米线因具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等而表现出独特的电、磁、光、热等物理和化学性质。
同时SiC纳米线还具有优异的力学性能、抗腐蚀性、耐热性以及耐高温氧化性等,使其在复合材料和陶瓷材料的强化增韧中起重要作用调以及吸收性能好,可有效改善材料的场发射性能、催化性能、电化学性能及微波吸收性能等l1。
多功能性的SiC纳米线成为极具广泛应用潜力的理想新型材料。
金属有机化学气相沉积反应器技术及进展

论 了反 应 器 的 设 计 、优 化 及 发 展 趋 势 。
关键词
中 图分 类 号
金 属 有 机 化 学 气 相 沉 积 ( tl r a i mea g nc o c e cl a o eo io ,简称 MO V ,是 将 稀 h mi p rdp s in av t C D) 释 于载气 中 的金属 有 机化 合 物导 人 反应 器 中 ,在 被 加热 的衬底 上 进行 分 解 、氧 化或 还 原 等反 应 ,生 长 薄膜 或 外 延 薄层 的技 术 。 它 是 由 Masvt等[_ nei 1在
2 0世纪 6 0年 代 发 展 起 来 的 ,现 已在 半 导 体 器 件 、
金 属 、金 属氧 化物 、金属 氮 化物 等 薄 膜材 料 的制 备 和研 究 方 面 得 到 广 泛 应 用 。 这 种 技 术 的 优 点 是 :
效 反应 组分 浓 度 的 降低 ,对 于主要 以质 量扩 散 为 限 制 步骤 的薄膜 生 长 过程 ,生 长速 率沿 气 流 流动 方 向 降低 E, 5 。为 避 免 因此 造成 的 薄膜 厚 度 及 组 成 的 不 均 匀性 ,一般 是 将 托 盘 以 一 定 的 角 度 倾 斜 放 置 [ , 如 图 1 示 ;或 将 反应 器 室 的顶 部设 计 为非 水 平 而 所 呈一 定 倾 斜 角 度 J 3,这 在 一 定 程 度 上 可 以 或 基 本 上 消除 薄 膜 的不 均 匀性 。管式 反 应 器 的生 产能 力 虽 较低 ,但 其结 构 简 单 ,因此被 广 泛用 于 实验 室 研究 和 新材 料 的 开 发 。近 年来 ,人 们 将气 浮旋转 衬 底 技 术 和托 盘 转动 技 术 应用 于 管式 反 应 器 ,大 大提 高 了 生 长薄 膜 的均 匀性 和 反应 器 的 生 产 能 力 _8 。 前 6 』 ’ 者 利用 气 动技 术 使 水平 放 置 的衬 底 自转 ,消除 了生
化学气相沉积技术的应用与研究进展汇总

化学气相沉积技术的应用与研究进展摘要:本文主要围绕化学气相沉积(cvd )技术进行展开,结合其基本原理与特点,对一些CVD 技术进行介绍。
同时也对其应用方向进行一定介绍。
关键词:cvd ;材料制备;应用引言化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术是近几十年发展起来的主要应用于无机新材料制备的一种技术。
[1]CVD 是一种以气体为反应物(前驱体),通过气相化学反应在固态物质(衬底)表面生成固态物质沉积的技术。
它可以利用气相间的反应, 在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。
本文论述了化学气相沉积技术的基本原理、特点和最新发展起来的具有广泛应用前景的几种新技术, 同时分析了化学气相沉积技术的发展趋势, 并展望其应用前景。
1 CVD 原理化学气相沉积( CVD, Chemical Vapor Deposition) 是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室, 在衬底表面发生化学反应, 并把固体产物沉积到表面生成薄膜的过程。
图1 CVD 法示意图CVD 的化学反应主要可分两种:一是通过一种或几种气体之间的反应来产生沉积,如超纯多晶硅的制备、纳米材料(二氧化钛)的制备等;另一种是通过气相中的一个组分与固态基体(有称衬底)表面之间的反应来沉积形成一层薄膜,如集成电路、碳化硅器皿和金刚石膜部件的制备等。
它包括 4 个主要阶段:① 反应气体向材料表面扩散; ② 反应气体吸附于材料的表面; ③ 在材料表面发生化学反应; ④ 气态副产物脱离材料表面。
在 CVD 中运用适宜的反应方式, 选择相应的温度、气体组成、浓度、压力等参数就能得到具有特定性质的薄膜。
但是薄膜的组成、结构与性能还会受到 CVD 内的输送性质( 包括热、质量及动量输送) 、气流 的性质( 包括运动速度、压力分布、气体加热等) 、基板种类、表面状态、温度分布状态等因素的影响。
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3.1,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
[9-10]
等离子体是在低真空条件下,利用直流电 压、交流电压、射频、微波或电子回旋共振等方 法实现气体辉光放电在沉积反应器中形成的。 由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子 相互碰撞,可以大大降低沉积温度。如氮化硅的 沉积,在等离子体增强反应的情况下,反应温度 由通常的 1 1 0 0 K 降到 6 0 0 K 。这样就可以拓宽 C V D 技术的应用范围。
近来,C V D 技术已用于制备陶瓷、陶瓷基 复合材料((CMC) 、C/C 复合材料等,以及低压 CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition,简称 LPCVD)理论模型的研究。英 国 Dunlop 航空公司利用 C V I 技术制备的 C / C 刹车盘已占全球市场的63%[3]。四院四三十所 也采用 CVI 工艺制备 C 但喷管及 C/C 刹车盘[4]。
M O C V D 技术的主要优点是沉积温度低,这对 某些不能承受常规 C V D 的高温基体是很有用 的,如可以沉积在钢这样一类的基体上;其缺点 是沉积速率低,晶体缺陷度高,膜中杂质多,且 某些金属有机化合物具有高度的活性,因此必 须加倍小心。
4,化学沉积技术改性沸石
催化性能的应用
4 . 1 ,化学气相沉积(C V D ) C V D 是一种较为成熟的表面沉积技术。人 们现在已经利用它对沸石进行改性,以求得更 理想的催化效果。起初人们是利用它对沸石的 表面进行钝化以几孔径的精细调节,效果很好。 如 N o m u r a , M[12] 选原硅酸四乙酯( T M O S ) 为 硅源、O3 为氧化剂,利用反扩散 CVD 对沸石进 行改性。结果显示,沸石晶体间的空隙被堵上 了,物质只能从沸石晶体的孔道进入;而同时由 于 T M O S 的沉积是孔道的孔径缩小。当改性后 的沸石用于生产丁烷时,正丁烷的选择性达到 84.4%。Jung 等人[13]在儿茶酚的叔丁基醇 烷基化反应中,采用了( T M O S ) / O 3 反扩散 C V D 改性 H - Z S M - 5 沸石。反应中催化剂的活 性降低,3,5-对叔丁基邻苯二酚的选择性降低, 而同时叔丁基邻苯二酚的选择性高。 4.2 ,化学液相沉积(CLD) C L D 技术虽然起步较晚,但由于这种技术 有其自身的一些优点,使得 C L D 技术同样受到 人们的重视。在采用 C L D 对沸石进行改性,通 过对沸石孔径、表面酸性中心等进行微调以沸 石的择形催化性能的研究,取得了很大进展[14- 16]。 乐英红[15,17]在 CLD 精细调变沸石孔径方面 进行了一些研究。对 N a Z S M - 5 和 H Z S M - 5 沸 石进行比较,孔径微调精度最高可达 0.05nm 左 右,而且小分子的 SiCl4 比大分子的 Si(OCH3) 4 和 Si(OC2H5)4 调变效果更好。 张铭金等[18] 采用 CLD,用铜的无机与有机 酸盐对β,Y,丝光沸石进行改性,以萘的异丙 基化反应评价 H Y ,H β,H M ,H M C M - 2 2 以 及改性沸石的催化反应性能。结果表明用铜的 无机与有机酸盐改性沸石催化性能明显改善, CuH β系列的萘转化率最高达 60%,β,βˊ 位选择性达 70%,CuHY 系列则分别为 97%和 69 %。
科 技 论 坛
中国科技信息 2005 年第 12 期 CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION Jun.2005
化学气相沉积技术的进展
张迎光 1 白雪峰2 张洪林1 刘宁生2 (1.辽宁石油化工大学,抚顺 113001; 2. 黑龙江省石油化学研究院,哈尔滨 150040)
3.2,激光化学气相沉积(LCVD) LCVD 是利用激光来做为热源,通过激光激 活而增强 C V D 的一种技术。它类似于 P E C V D 技术,但两者之间有重要差别。在等离子体中, 电子的能量分布比激光发射的光子的能量分布 要宽得多。另外,普通 C V D 和 P E C V D 是热驱 动的,通常会使大体积内的反应物预热,能耗很 大,还容易导致沉积物受到加热表面的污染。而 L C V D 技术是在局部体积内进行,所以减少了 能耗和污染问题。如金属钨的沉积,通常这一反 应是在 300℃左右的衬底表面,而采用激光束平 行于衬底表面,激光束与衬底表面的距离约 1 m m ,结果处于室温的衬底表面就能沉积出一 层光亮的钨膜。 LCVD 技术也应用于包括激光光刻、大规模 集成电路掩膜的修正、激光蒸发—沉积以及金 属化。 3 . 3 ,金属有机化学气相沉积(M O C V D ) M O C V D 技术的形成是半导体外延沉积的 需要。通常的金属化合物都是一些无机金属盐 类,挥发性很低,很难作为 CVD 技术的原料气。 而如果把无机的金属盐类转变成与基金属盐类, 就会得到很好的应用。这样就逐渐的形成了利 用有机烷基金属作为原料的 M O C V D 技术。
摘 要: 介绍了化学气相沉积(CVD)技术的应用,还有化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括等离增强化学气相沉积、激光化学气相沉积、金 属有机化合物化学气相沉积;同时介绍了化学气相沉积(CVD )和化学液相沉积(CLD )技术在改性沸石催化性能方面的应用和研究。 关键词: 化学气相沉积;化学液相沉积;择形催化
图1 浓度边界层模型示意图 图 1 中示意的主要过程如下: a 反应气体从气相主体被强迫引人边界层; b 反应气体由气相主体扩散和流动(粘滞流 动)穿过边界层; c 气体在基体表面上的吸附;
d 吸附物之间的或者吸附物与气态物质之 间的化学反应过程;
e 吸附物从基体解吸, f 生成气体从边界层到整体气体的扩散和流 动; g 气体从边界层引出到气相主体 如今,有很多 CVD 技术的理论模型和“CVD 相图”理论被提出。我国在金刚石生长[7-8] 技 术取得很大的进展 ,在这个领域的研究过程中 对金刚石生长热力学及其非平衡热力学理论及 理论模型也进行了很多的探讨。
由上列三个方程分别解得矢量 a,b,c,即
(上接第 82 页)
石催化性能方面的研究还刚刚起步不久,还需 要人们进行更多的研究,相信以后有关化学沉 积法改性沸石的报道和研究会更多的。
式中 (13)
由上列各矢量中可以看出,行列式 D是一个 三阶行列式,计算比较复杂。为了计算方便起 见,我们选择矢量 d 时,可以令它为 d = - D
1,概述
化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质 在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技 术。这一名称是在 20 世纪 60 年代初期由美国 John M Blocher Jr 等人[1]首先提出来的,后 来又有人称它为蒸气镀Vapor Plating, 而Vapor Deposition 一词后来被广泛的接受。人们又利 用引导气体深入到多孔材料内部沉积以达到使 材料致密化的目的。法国最先利用制备致密化 材料的 CVI 技术,即化学气相渗透 CVI [2]。
2. 作矢量多边形
将机构的图形看作为一个封闭的矢量多边 形,各个矢量的箭头指向如图中所示。由此得到
a+b-c+d=0 (1)
图 四连杆机构矢量多边形 将(1)式的矢量方程写成复数形式,得到
(2) 式中,θ4 =π, ejπ= -1 所以,(2)式变成
(3 )
3. 矢量方程求导
将矢量方程(3)对时间t 进行一次和二次求 导,分别得到
文献 1 1 中 V e p r e k S 对等离子体激活对 C V D 制取 T i C、T i N 和 T i C x N y 镀层的沉积温 度等因素的影响进行了较为系统的研究。在常 规 C V D 技术中,T i C、T i N 和 T i C x N y 的沉积 温度一般分别在 1200K、1000K、900K 以上,在 上述温度下,Δ Gr0 ≤ 0 ;而在 P E C V D 中,沉 积反应不受此平衡热力学限制,因而温度是相 当低的,反应温度降低了 500K 左右。
关键词:设置参数;矢量;求导;计算
利用复数法进行机构的综合是其运动分析 的逆过程。机构中各个构件是利用复数的形式 所表示的各个矢量。
1. 设置参数
图示为四连杆机构 O AA B OB,各个构件的长 度分别为 d,b ,c,d,其相应的各个辐角为θ 1,θ 2,θ 3,θ 4,如图所示。设长度为 d 的机 架 4为固定件,其余三个构件的角速度和角加速 度分别为ω 1,ω 2,ω 3 和α 1,α 2,α 3。
(下转第 84 页)
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科 技 论 坛
中国科技信息 2005 年第 12 期 CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION Jun.2005
利用复数法按速度和加速度综合四连杆机构
李洪忠 山东临沂师范学院工程学院
摘 要:通过对四连杆机构 OAABOB 的分析,将其图形看作为一个封闭的矢量多边形并写成复数形式,将矢量方程对时间 t 进行求导,把复数表达的公 式用矢量表示,得到构件实际长度的计算公式。
4. 复数表达的公式用矢量表示
为计算的方便,把复数表达的公式重新再 用矢量来表示。于是分别有
上面三个方程式是由三个齐次方程所组成 的方程组,其中有四个未知数,即矢量 a、b,c, d。为了能够求解,在计算时我们根据要求预先 选择机架长度 d 。因此有
参考资料: 1、曹惟庆 著 《平面连秆机构分析与综合》 科学出版社 1989 2、华大年 华志宏 吕静平 编著 《连杆机构 设计》上海科学技术出版社 1995 3、傅则绍 主编 《机构设计学》成都科技 大学出版社 1988
5,总结
C V D 技术开发的较早,对它的研究也更深 入一些,目前它已在表面科学与工程中发挥着 重要的作用,代表 CVD 技术发展前沿的 PECVD 在我国也有很多的研究。CLD 虽然起步较晚,但 由于它自身所具有一些的优点,使 CLD 技术会 得到人们更多关注。人们用这两种技术改性沸 石催化性能,都得到了很好的效果。但在改性沸