832微电子器件考试大纲详细
考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷）
考试时间180分钟考试总分150分
一、总体要求
主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、内容
1．半导体器件基本方程
1）半导体器件基本方程的物理意义
2）一维形式的半导体器件基本方程
3）基本方程的主要简化形式
2．PN结
1）突变结与线性缓变结的定义
2）PN结空间电荷区的形成
4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图
7）PN结的少子分布图
8) PN结的直流伏安特性
9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素
10）薄基区二极管的特点
11）大注入效应
12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点
14）PN结的交流小信号参数与等效电路
15）PN结的开关特性与少子存储效应
2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算
3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算
4）基区渡越时间的概念及计算
5）缓变基区晶体管的特点
6）小电流时电流放大系数的下降
7）发射区重掺杂效应
8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图
9）基区宽度调变效应
10）晶体管各种反向电流的定义与测量
11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算
13）晶体管的小信号参数
14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
15）高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益的主要因素
4．绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）
1）MOSFET的类型与基本结构
2）MOSFET的工作原理
3）MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应
4）MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程
5）MOSFET的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算6）MOSFET的直流输出特性曲线图
7）MOSFET的有效沟道长度调制效应
8）MOSFET的直流参数及其温度特性
9）MOSFET的各种击穿电压
10）MOSFET的小信号参数
11）MOSFET跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素
12）MOSFET的高频等效电路及其频率特性
13）MOSFET的主要寄生参数
14）MOSFET的最高工作频率的定义与计算、影响最高工作频率的主要因素15）MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。
南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础
南京理工大学研究生入学考试大纲
科目名：《电子技术基础》
一. 考试内容
模拟电路部分
1半导体器件
（1）半导体的基本概念：本征半导体；PN结
（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。
（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。
（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数
（5）场效应管：
①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；
②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区；
2基本放大电路
（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；
（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。
3 多级放大电路。
微电子制造概论考试复习提纲
– 4.9.1 蚀刻的种类 – 4.9.2 湿法刻蚀的特点，缺点 – 4.9.3 干法刻蚀的特点，优点，缺点，种类
4、半导体制造基础
• 4.10、杂质注入
– 4.10.1 扩散：原理、主要流程 – 4.10.2 离子注入：原理，设备，特点
• 4.11、CMP：化学机械抛光的原理 • 4.12、CMOS集成电路的制作过程
• 1.2 半导体的载流子（种类、特点） • 1.3 本征半导体和本征激发 • 1.4 杂质半导体的种类，p型和n型半导体的
类型区别，主要掺入杂质的种类，多数载 流子和少数载流子，施主杂质和受主杂质， 补偿效应
1、半导体物理基础
• 1.5 载流子迁移（漂移）运动和扩散运动 • 1.6 载流子浓度，费米能级的意义 • 1.7 非平衡载流子：热平衡和非热平衡的区
6、无源元件制造技术
• 6.4、无源元件及其制造
– 6.4.1 分类 – 6.4.2 薄膜电阻的主要工艺 – 6.4.3 电解电容的主要结构，铝电解电容的主要
工艺 – 6.4.4 集成式无源元件的优点 – 6.4.5 嵌入式无源元件的优点
7、PCB设计和制造技术
• 7.1、PCB的基本术语：PCB、基板、单面 板，双面板，多层板，焊盘，连接盘，导 线，过孔，盲孔，沉孔等
别，非平衡载流子载流子的特点，载流子 的复合（种类，寿命，复合中心）
2、半导体器件原理
• 2.1 pn结：pn结的形成，内电场，空间电荷区， pn结的电流电压特性，击穿的种类和原因；
• 2.2 双极型晶体管（三极管）：种类（pnp、 npn），结构，分析其能够产生电流放大的条件， 分析其开关特性的条件和原因
• 7.2、PCB设计准则
833电子技术考试大纲
《电子技术基础》硕士入学考试自命题大纲一、制定本大纲的根据国家教委高等教诲司《高等小学工科本科基础课程教学基本要求》之电子技术基础课程教学基本要求和小学专业教学计划要求制定的。
二、课程性质与任务本课程是电子类、自动控制类、电力类专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，它具有自身的体系，是门实践性及工程性很强的课程。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，为电子技术在专业中的应用打好基础。
三、本课程的教学内容，基本要求及学时分配本课程分模拟电子技术和数学电子技术两大部分。
《模拟电子技术》部分72学时一、绪论控制电子系统与信号、信号及其频谱、模拟信号和数字信号等基本概念。
控制放大电路的基本知，控制模拟信号放大电路的主要性能指标。
二、半导体二极管及其基本电路控制半导体的基本知识：半导体材料、半导体的共价键结构、本征半导体、空穴及其导电作用、杂质半导体、PN结的形成及特性。
控制半导体二极管的结构、二极管的V-I特性、二极管的参数。
熟练控制二极管基本电路及其分析主意。
了解异常二极管：齐纳二极管、变容二极管、光电子器件、光电二极管、发光二极管、激光二极管。
三、半导体三极管及放大电路基础控制半导体BJT的结构、BJT的电流分配与放大作用、BJT的特性曲线、BJTR的主要参数。
熟练控制共射极、共集电极、共基极放大电路的工作原理及静态工作点的设置与估算，用微变等效电路法分析增益、输入电阻和输出电阻。
了解图解分析法和电流源的工作原理。
控制放大电路的工作点稳定问题，了解温度对工作点的影响。
了解放大电路的频率响应。
四、场效应管放大电路控制结型场效应管：JFET的结构和工作原理、JFET的特性曲线及参数；控制金属—氧化物---半导体场效应管：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET；各种FET的特性比较及使用注重事项控制场效应管放大电路：FET的直流偏置电路及静态分析、FET放大电路的小信号模型分析法；控制各种放大器件电路性能。
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
天津理工大学2024年硕士研究生招生考试复试大纲 集成：《微电子器件》复试大纲
一、科目：《微电子器件》
二、考查的知识范围：
第一部分半导体器件基本方程
半导体器件基本方程的组成、基本形式与物理意义，主要简化方法与应用。
第二部分PN结
PN结空间电荷区的形成过程；PN结内建电场、内建电势及耗尽区宽度的计算；耗尽近似、中性近似的含义及应用；不同状态下的PN结能带图；理想PN 结I-V特性的推导与假设；大注入与小注入效应；PN结的击穿；PN结的扩散电容、势垒电容；PN结的开关特性。
第三部分双极结型晶体管
双极结型晶体管的结构、工作状态、少子浓度分布与能带图；双极结型晶体管放大状态下的电流传输过程；均匀基区晶体管中基区输运系数、基区渡越时间、发射结注入效率以及电流放大系数的定义及求解过程；缓变基区晶体管的电流放大系数；双极结型晶体管的直流电流电压方程与输出特性；双极结型晶体管的反向特性；基区宽度调变效应；基区穿通效应。
第四部分绝缘栅型场效应晶体管
MOSFET的结构、工作原理、基本类型、转移特性与输出特性；MOSFET阈值电压的推导与计算；衬底偏置效应；MOSFET的亚阈区特性；MOSFET的小尺寸效应。
三、参考书目：
《微电子器件》（第4版），陈星弼、陈勇、刘继芝、任敏编著，电子工业出版社，2018.7.。
清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书
清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书清华大学832半导体器件与电子电路考试科目，2020年初试考试时间为12月22日下午14:00-17:00进行笔试，清华大学自主命题，考试时间3小时。
一、适用院系及专业清华大学026微电子与纳电子学系085400电子信息专业学位二、考研参考书目清华大学832半导体器件与电子电路2019年没有官方指定的考研参考书目，盛世清北根据专业老师指导及历年考生学员用书，推荐使用如下参考书目：《电子线路基础》高教出版社，1997 高文焕，刘润生《数字电子技术基础》高等教育出版社，第4版阎石《半导体物理与器件》（第三版）电子工业出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译盛世清北建议：参考书的阅读方法目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。
体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。
问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。
尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。
三、考研历年真题2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）今年的题整体来看与往年风格略不同半器四道题证明费米能级给半导体掺杂浓度算内建电场，画载流子分布画n+n结的能带图计算接触电势老生常谈的mos管电流计算数电4道题给真值表化简并画电路图3-8译码＋数据选择器的真值表求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图最要吐槽的就是这个！流水线给延时求周期模电也与往年风格略不同3道题分别是电流镜、集成运放以及波特图。
2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）选择天空全是半导体与电子器件的概念大题：1、算二极管参数2、算MOS阈值电压3、MOS放大2级算静态工作电流电压增益米勒电容去零点电阻4、负反馈5、集成预防搭电路6、二进制数反补原+ 运算7、卡诺图8、2个电阻2个非门组合问工作原理电压传输曲线正负阈值电压9、D触发器时序图10、画COMS 异或门盛世清北建议：认真分析历年试题，做好总结，对于考生明确复习方向，确定复习范围和重点，做好应试准备都具有十分重要的作用。
电子技术科目考试大纲
《电子技术》科目考试大纲考试科目代码：807模拟电子技术局部：一、主要内容1、半导体器件：半导体，PN结与伏安特性，二极管与伏安特性，稳压二极管，双极型三极管和场效应管等半导体器件的工作原理、特性和使用方法。
2、根本放大电路：双极型三极管根本放大电路的组成、分析方法，场效应管放大电路的组成、分析方法。
3、集成运算放大器：多级放大器的一般问题，多级放大器的分析，差动放大器的结构和特点，差动放大器的分析，电流源、常用电流源，集成运算放大器组成、工作原理与主要指标。
4、放大电路的频率特性：三极管的高频等效电路，放大电路的频率特性、分析方法和计算方法。
5、反应：反应的概念、反应电路的组成、分类、判断，四种根本组态反应电路、根本分析方法、深度负反应放大电路的计算方法、负反应对放大器性能的影响、负反应放大电路的自激问题。
6、信号的运算和处理：理想运算放大器，根本运算电路〔比例、加减、积分、微分、对数、指数〕，模拟乘法器与应用，有源滤波器。
7、波形的产生和转换：正弦波振荡的条件和振荡器的组成，RC振荡器、LC振荡器、石英晶体振荡器，比拟器、非正弦信号发生电路〔包括矩形波、三角波和锯齿波〕以与波形的转换。
8、功率放大电路：功率放大器的一般问题，互补功率放大电路，功率放大器的安全运行，集成电功率放大电路。
9、直流电源：直流电源的组成，整流电路、滤波电路、稳压二极管稳压电路，线性稳压电路。
二、根本要求：根据课程在本专业知识结构中的作用，分为掌握、熟悉、了解、三个层次，具体要求如下：1、掌握局部：PN结与伏安特性、二极管与伏安特性、双极型三极管和场效应管的工作原理与特性、双极型三极管小信号模型、三极管放大电路的组成、三极管放大电路的静态和动态分析方法、场效应管小信号模型、场效应管放大电路的组成和分析方法、差动放大器的特点和分析方法、放大器的频率特性、反应的概念、反应的判断、深度负反应放大器的计算、理想运算放大器、根本运算电路、文氏电桥振荡器、根本LC振荡器、石英晶体振荡器、比拟器与应用、互补对称功率放大电路、直流电源的组成、整流电路、滤波电路、串联式线性稳压电源。
823电子技术基础考试大纲.doc
路宏敏等
科学出版社
《微波技术基础》
廖承恩
西电科大出版社
《微机原理与接口技术》
楼顺天等
科学出版社
《天线原理》
魏文元
国防工业出版社
9023电子信息技术综合知识二
《电磁场与电磁波基础》
路宏敏等
科学出版社
《数字信号处理》
奥本海姆
科学出版社
《模拟电子技术基础》
孙肖子等
西电科大出版社
《数字电子技术基础》四版）
吴功宜
电子工业出版社2007
9066会计综合
《财务管理》（四版）
卢家仪
清华大学出版社2011
《会计学原理》（四版）
徐晔等
复旦大学出版社2011
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9067项目管理基础
《现代项目管理概论》
白思俊
电子工业出版社2006
朴立明
清华大学出版社2009
《商业银行经营学》
戴国强
高等教育出版社2007
9061金融综合
《货币金融学》（七版）
米什金
人民大学出版社2006
《证券投资学》
朴立明
清华大学出版社2009
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9062管理科学与工程综合
《管理学》
王益峰
西电科大出版社2007
中日合编
人民教育出版社
282二外俄语
大学俄语1.2册（新版）
史铁强
外语教学与研究出版社
新大学俄语综合教程（1）
何红梅
高等教育出版社
283二外德语
832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。