关于介质损耗的一些基本概念
简述介质损耗的定义
简述介质损耗的定义嘿，朋友们！今天咱来唠唠介质损耗这个事儿。
你说啥是介质损耗呢？这就好比你跑步，跑着跑着累了，体力消耗了，这就是一种损耗。
那在电的世界里，电在介质中传播的时候，也会有类似的情况呀。
介质就像是电要通过的一条路，在这条路上，电也会有点“累”，会损失一些能量呢。
想象一下，电就像个急着赶路的人，介质呢就是那条不太好走的路，这人在路上跑啊跑，总会有点磕磕绊绊，能量就这么不知不觉地少了一些。
这少掉的能量就是介质损耗啦！比如说，我们家里的电线，电流在里面跑的时候，电线的绝缘材料就会有一定的介质损耗呀。
可别小瞧了这介质损耗，它要是大了，那可就麻烦啦！就好像你本来跑一段路就够累了，结果路上还全是坑坑洼洼，那不是更累得慌嘛。
那介质损耗会带来啥后果呢？这就好比一辆车，油慢慢漏没了，车还能好好跑吗？同理，介质损耗大了，电的传输效率可能就降低啦，设备可能就会发热，甚至可能出故障呢！这可不是闹着玩的呀。
而且哦，不同的介质，损耗的情况还不一样呢！就像不同的路，有的好走，有的难走。
有些介质损耗小，电就能顺顺利利地通过；有些介质损耗大，电就得费好大的劲。
咱再打个比方，就像水流过不同的管子，有的管子光滑，水阻力小，损耗就小；有的管子粗糙，水阻力大，损耗就大。
电在介质中也是这个道理呀。
那怎么减少介质损耗呢？这就得从介质本身下手啦。
就像修路，把路修得平坦光滑些，人走起来就轻松。
我们可以选择更好的介质材料，让电在里面跑起来更顺畅，损耗也就小啦。
总之呢，介质损耗可不是个小事情，它关系到电的传输和设备的正常运行。
我们得重视起来，想办法把它控制好，不然可会惹出大麻烦的哟！所以啊，大家可别小看了这介质损耗，要好好了解它，和它“打好交道”，这样我们的电才能更好地为我们服务呀！这就是我对介质损耗的理解，你们觉得呢？。
介质损耗
电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。
一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。
异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。
通常用正切tanδ表示。
tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。
介电损耗角正切值是无量纲的物理量。
可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。
仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。
橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。
在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。
电介质损耗（dielectric losses ）：电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。
这些热会使电介质升温并可能引起热击穿，因此，在电绝缘技术中，特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因数（即电介质损耗角正切tgδ，它是电介质损耗与该电介质无功功率之比）较低的材料。
但是，电介质损耗也可用作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3～300 兆赫）对电介质损耗大的材料（如木材、纸、陶瓷等）进行加热。
这种加热由于热量产生在介质内部，比外部加热的加热速度快、热效率高，且加热均匀。
频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波炉即据此原理）。
电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。
前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。
对于弛豫损耗，当交变电场的频率ω＝1／τ时，介质损耗达到极大值，τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。
对于共振损耗，当电场频率等于电介质振子固有频率（共振）时，损失能量最大。
电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起，属焦耳损耗，与电场频率无关。
电容介质损耗和电流电压相位角之间的关系又称介电相位角。
什么是介质损耗
什么是介质损耗？介质损耗是什么意思？介质是指能够传播媒体的载体。
媒体包括各种文件、数据等，泛指一切可以用电子信号存储的东西。
介质亦称媒质。
一般地说,它是物理系统在其间存在或物理过程(如力和能量的传递,光和声的传播等)在其间进行的物质。
介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
简称介损角。
介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。
一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。
异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。
通常用正切tanδ表示。
tanδ=1/WCR(式中W 为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。
介电损耗角正切值是无量纲的物理量。
可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。
仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。
橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。
在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。
介质损原理
介质损原理
介质损耗原理是指在电磁波传播过程中，电磁波与介质相互作用而产生的能量损耗现象。
介质损耗原理在电磁学中有着重要的应用，可以解释电磁波在介质中衰减的原因。
介质损耗主要有两种形式，即导电损耗和磁性损耗。
导电损耗是指当电磁波通过导电介质时，在电场的作用下，导电介质中的自由电子发生运动和碰撞，产生能量损耗。
磁性损耗是指当电磁波通过磁性介质时，在磁场的作用下，磁性介质中的磁化电流会发生耗散，导致能量损耗。
导电损耗和磁性损耗的大小与介质的性质有关。
对于导电介质来说，其导电损耗主要取决于导电率和电磁波的频率。
导电率越高，频率越高，导电损耗也越大。
而对于磁性介质来说，其磁性损耗主要取决于磁导率和电磁波的频率。
磁导率越高，频率越高，磁性损耗也越大。
介质损耗的存在会导致电磁波在传播过程中能量逐渐减弱，信号衰减。
这对于电磁波的传输和通信系统的性能都会产生影响。
因此，在设计和选择介质时，需要考虑介质的损耗特性，以在最小损耗的情况下传递信号。
同时，还可以通过改变介质的结构和物理性质来减小介质的损耗。
总之，介质损耗原理是电磁学中重要的概念，它解释了电磁波在介质中衰减的机制。
了解介质损耗原理对于电磁波的传输和通信系统的设计与优化具有重要意义。
关于介质损耗的一些基本概念
第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗，主要分为三种形式：漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。
直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了，因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。
2、介质损耗角δ：在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ：又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值。
简称介损角正切。
根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时，介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比，所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小，工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小。
4、高压介质损耗测量仪：简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
5、外施：使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
6、内施：使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
7、正接线：用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
8、反接线：用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
9、常用介损仪的分类：现常用介损测试仪有西林型和M型两种。
QS1和KD9000属于西林型。
10、常用抗干扰方法：目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种：倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等。
11、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）CX：±（1%C+1pF）加号前表示为相对误差，加号后表示为绝对误差。
耗散因子 介质损耗
耗散因子和介质损耗是两个与信号传输和能量损耗相关的概念，它们在电路、通信和材料科学等领域中具有重要意义。
1. 耗散因子（Damping Factor）：
耗散因子通常用于描述电路或系统中的能量损耗。
在模拟电路中，耗散因子是指电路的输出信号与输入信号的幅值比值的平方根的倒数。
它反映了电路放大信号时能量的损耗程度。
耗散因子越小，表示电路的能量损耗越少，放大效果越好。
在无线通信系统中，耗散因子也可以用来描述信号在传输过程中的能量损耗。
2. 介质损耗（Dielectric Loss）：
介质损耗是指在电场作用下，介质材料在交流电信号作用下能量损耗的特性。
在绝缘材料、电容器和其他电子元件中，介质损耗会导致能量以热的形式损耗掉。
介质损耗通常用介电损耗角正切（Tanδ）来表征，它是指介质材料的损耗角正切值，反映了介质在交流电场中的能量损耗能力。
介电损耗角正切值越大，表示介质的能量损耗越大。
在实际应用中，耗散因子和介质损耗都是非常重要的参数，因为它们直接影响到电子设备和系统的性能。
例如，在设计电路时，需要选择耗散因子小的元件以确保信号的有效传输；在选择电容器等元件时，需要考虑其介质损耗以避免过多的能量损耗。
关于介质损耗的一些基本概念
第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗，主要分为三种形式：漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。
直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了，因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。
2、介质损耗角δ：在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ：又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值。
简称介损角正切。
根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时，介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比，所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小，工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小。
4、高压介质损耗测量仪：简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
5、外施：使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
6、内施：使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
7、正接线：用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
8、反接线：用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
9、常用介损仪的分类：现常用介损测试仪有西林型和M型两种。
QS1和KD9000属于西林型。
10、常用抗干扰方法：目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种：倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等。
11、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）CX：±（1%C+1pF）加号前表示为相对误差，加号后表示为绝对误差。
介质损耗10a -回复
介质损耗10a -回复什么是介质损耗？为什么介质会发生损耗？有哪些常见的介质损耗机制？介质损耗如何影响电磁波传播？在实际应用中，如何减小介质损耗？本文将以介质损耗为主题，为您一步一步回答这些问题。
一、什么是介质损耗？介质损耗指的是电磁波在介质中传播过程中能量的损失。
当电磁波通过某种介质时，由于介质的特性，电磁波的能量会被吸收并转化为其它形式的能量。
这种能量损失就是介质损耗的结果。
介质损耗是一种普遍存在的现象，几乎所有的介质都会导致电磁波传播中的能量损失。
二、为什么介质会发生损耗？介质发生损耗的原因可以有很多，主要包括以下几点：1. 电子的碰撞和摩擦：当电磁波通过介质中的原子或分子时，电子会和原子核或其它电子发生相互碰撞或摩擦，导致电磁能量的转化和吸收。
2. 激发态和基态之间的转化：一些介质中的原子或分子会在电磁波的作用下发生能级转移，从一个能级跃迁到另一个能级，这个过程也会伴随能量的损耗。
3. 电介质和磁介质的损耗：电介质和磁介质具有一定的电阻和磁导率，当电磁波通过它们时，会发生能量的转化和吸收。
三、常见的介质损耗机制有哪些？介质损耗机制多种多样，常见的有以下几种：1. 电导损耗：当电磁波通过导电介质时，介质中的自由电荷会随之产生电流，导致电能的损耗。
2. 电容损耗：介电介质中的电子会因为电磁力的作用而发生运动和碰撞，从而导致能量的转化和吸收。
3. 磁性损耗：磁介质中的磁化过程会产生磁滞损耗和涡流损耗，导致能量的消耗。
4. 介质吸收：介质中的分子或原子会吸收电磁波的能量，并将其转化为分子或原子内部的能量。
5. 辐射损耗：在电磁波传播过程中，电磁波会辐射出去，并损耗一部分能量。
四、介质损耗如何影响电磁波传播？介质损耗对电磁波传播有着重要的影响，主要体现在以下几方面：1. 引起信号衰减：介质损耗会导致电磁波的能量逐渐减弱，使得信号在传播过程中逐渐衰减，影响信号的传输距离和质量。
2. 引起相位失真：介质损耗会引起电磁波的相位延迟和失真，使得接收到的信号与发送的信号之间存在相位差，影响信号的解调和恢复。
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关于介质损耗的一些基本概念（泛华电子）1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
2、介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。
功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。
一般cosΦ<tgδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。
5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。
通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。
因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。
接线也十分烦琐。
国内常见高压电容电桥有：6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。
国内常见高压介质损耗测量仪有：7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
8、内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
9、正接线用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
10、反接线用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
11、常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种，QS1和AI-6000为西林型。
12、常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种：倒相法、移相法和变频法。
AI-6000采用变频法抗干扰，同时支持倒相法测量。
13、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）Cx：±（1%C+1pF）+前表示为相对误差，+后表示为绝对误差。
相对误差小表示仪器的量程线性度好，绝对误差小表示仪器的误差起点低。
校验时读数与标准值的差应小于以上准确度，否则就是超差。
14、抗干扰指标抗干扰指标为满足仪器准确度的前提下，干扰电流与试验电流的最大比例，比例越大，抗干扰性能越好。
AI-6000在200%干扰（即I干扰 / I试品≤2）下仍能达到上述准确度。
介损与频率的关系及变频测量原理（泛华电子）1、变频测量原理干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。
例如用55Hz 测量时，测量系统只允许55Hz 信号通过，50Hz 干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明选频测量的效果：两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y 0=12.4517，Y 1= -11.1017，Y 2=12.2075，Y 3= -13.5576，计算A=Y 1 - Y 3=2.4559，B=Y 0 - Y 2=0.2442，则：这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被抑制。
实际波形的测量点多达数万，计算量很大，结果反映了波形的整体特征。
2、频率和介损的关系任何有介损的电容器都可以模拟成RC 串联和并联两种理想模型： (1) 并联模型认为损耗是与电容并连的电阻产生的。
这种情况RC 两端电压相等：有功功率，无功功率 ，因此并联模型其中ω＝2πf ，f 为电源频率。
可见，如果用真正用一个纯电阻和一个纯电容模拟介损的话，它与频率成反比。
当R=∞时，没有有功功率，介损为0。
这种方法常用于试验室模拟10％以上的大介损，或用于制做标准介损器。
(2) 串联模型认为损耗是与电容串连的电阻产生的。
这种情况电路的电流相等：有功功率，无功功率，因此串联模型由上分析可知，串联模型tgδ=2πfRC，并联模型tgδ=1/(2πfRC)，R和C基本不变，f是变化量。
把45Hz、50Hz、55Hz分别代入公式，可看到tgδ分别随频率f成正比和反比。
如下图所示，f对完全正比和完全反比两种模型影响较大。
但实际电容器是多种模型交织的混合模型，此时f的影响就小。
3. 实际电容试品：(1) 固定频率下测量实际电容试品在一个固定频率下，即可以用串连模型也可以用并联模型表示。
例如50Hz下，下面两个电路对外呈现的特性完全一样：高压电容电桥的基本工作原理（泛华电子）（1）西林电桥调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。
因为交流电路中电容阻抗为。
电路中R4、C4的并联阻抗为两者倒数和的倒数按阻抗元件分压原理，不难得到：两边取倒数得：按复数相等实部、虚部分别相等的规定得到按串连模型介损定义：,由于R4是固定的可以从C4刻度盘上读出介损，通过R3、R4、Cn可以计算Cx。
采用这个原理的仪器有现场用的QS1、试验室用的2801等。
（2）M型电桥将试品改为并联模型。
注意到Ir与Icx、Icn差90度：调节R4使Uw最小。
这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此：由于a、b间电压没有完全抵消，因此M型电桥也称为不平衡电桥。
Uw测量的是绝对值，小介损时电压很低，难以保证测量精度。
（3）数字电桥数字电桥的测量回路还是一个桥。
R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机，求得:进一步可求得试品介损和电容量。
数字电桥的最大优势在于：可以实现自动测量，可以补偿所有原理性误差，没有复杂的机械调节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。
测量介损时常用的抗干扰方法（泛华电子）1、干扰源介损测量受到的主要干扰是感应电场产生的工频电流。
无论何种测量方式，它都会进入桥体：一般介损仪都能抗磁场干扰，因为内部的升压变压器就是一个强烈的磁场干扰源。
2、倒相法测量一次介损，然后将试验电源倒相180度再测量一次，然后取平均值。
倒相法是抗干扰最简单的方法，也是效果最差的方法。
因为两次测量之间干扰电流或试品电流的幅度会发生波动，会引起明显误差。
一般干扰电流不超过试验电流2％时，这种方法是很有效的。
3、移相法一种方法是采用大功率移相电源，调整试验高压的相位，使试品电流与干扰电流方向相同或相反，这样干扰电流影响减小，再配合倒相测量，能大大提高测量精度。
另一种方法是采用小功率移相电源，从R3桥臂上抵消干扰电流，再配合倒相测量，能大大提高测量精度。
通常在升压之前先检测干扰电流的大小和方向，然后调整移相电源。
由于测量过程中无法再了解干扰的信息，因此测量过程中干扰或电源发生相位波动，仍会引起明显误差。
一般干扰电流不超过试验电流20％时，这种方法是很有效的。
4、变频法干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。
例如用55Hz测量时，测量系统只允许55Hz信号通过，50Hz干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明变频测量的效果：两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y0=12.4517，Y1= -11.1017，Y2=12.2075，Y3= -13.5576，计算A=Y1- Y3=2.4559，B=Y0- Y2=0.2442，则：这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被完全抑制。
变频测量时，仪器需要知道的唯一信息是干扰频率。
因为仪器供电频率就是干扰频率，整个电网的频率是一样的。
仪器在测量中可以动态实时跟踪干扰频率，将数字滤波器的吸收点时刻调整到干扰频率上。
而干扰信号的幅值和相位变化对这种测量是没有影响的。
表面泄漏或屏蔽不良引起正接线测量介质损耗减小的分析（泛华电子）用末端屏蔽法测量电磁式PT 、正接线测量CT 或变压器套管，有时会出现介损极小或负值的现象，这主要是绝缘受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的，可分析如下：示意图等效电路图CX：试品C1：高压端对瓷套的杂散电容C2：低压端对瓷套的杂散电容R：瓷套表面泄漏对地电阻1：为试验电压2：为仪器输入这样，C1、C2、R形成T形网络，由于C1和R微分移相作用，使通过C2的电流超前，而使介损减小。
设1为外加电压U、2接地电位，流过2的电流为：介质损耗因数为实部电流与虚部电流之比，由于第一项为负值，故介损因数减小。
以CX=120pF，C1=1pF，C2=0.1pF，R=1000MΩ，CX无介损，按上式计算，T形网络引起的附加介损为：-0.025%同理，检修用脚手架及包装箱引起正接线测量介质损耗减小：试品对包装箱形成杂散电容，也形成T型网络干扰。
解决方法：1、擦干净瓷套表面的脏污。
2、在阳光下曝晒试品或加热烤干瓷套，变压器套管吹干中间三裙。
3、高压线尽量水平拉远，不要贴近瓷套表面。
4、改用末端加压法或常规法测量电磁式PT。
5、新设备吊装前试验时，一定要拆掉包装箱和脚手架，移开木梯，解开绳套。
做变压器套管时一定要放在套管架上试验，不能斜靠在墙上或躺放在地上。
为什么升压显示不到10kV--仪器防"容升效应"电压自校正技术的介绍（泛华电子）AI-6000介损测试仪在升压测量时，尤其是测量大容量试品（>1000P，如变压器试品），用户有时看到升不到10kV（如9.8kV、9.5kV）的现象，而测量结束后打印的测量电压已到10kV，这就是仪器启动了防“容升”电压自校正技术。
仪器内部升压变压器(L)和试品电容(C)，形成了一个LC回路，回路内电压会抬高，这就是“容升效应”。