模拟电子技术基础第一章答案

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模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

模拟电子技术基础习题及答案

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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术基础-模电课后题答案

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(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值,建立 iD f (uGS ) 坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示,它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) ,并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA , 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ,饱和管压降 U CES 0.1V ;稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问:当 uI 0V 时 uO ?;当 uI 5V 时 uO ? 解:当 uI 0V 时,晶体管截止,稳压管击穿,
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适, u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。

智慧树知到《模拟电子技术基础(九江职业技术学院)》章节测试答案

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模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

题图 2.6
解: (1)Q1 点: β ≈ 50, Q2点:β ≈ 0。 (2) U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V (a) RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 ( μ A ) ,直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ,取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ,可得直流负载线如图 2.18(b)中①线,工作 1 1 = − ,可得图 2.18(b)中 点 Q( U CEQ = 6 V, I CQ = 2 mA),交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V, β = 100 。判别电路的工
9V
(b) 题图 2.7
(c)
解: 在题图(a )中,由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图(b) :
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )

智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案

智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案

智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是()。

A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为()。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中,若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V,1.2V,1V,则该管为()。

A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时,Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。

A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时,其⼯作在( ) 。

A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中,()。

A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是()。

A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90,且⼤⼩相等C:两者同相,输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相,且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是()。

A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是()。

A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10,输⼊电阻⼤于10MΩ,输出电阻⼩于100Ω,第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中,所谓差摸信号是指两个输⼊信号()。

模拟电子技术基础-第一章课后习题详解

模拟电子技术基础-第一章课后习题详解

习题1.1选择合适答案填入空内。

(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将。

A.增大B.不变C.减小解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。

1.3 电路如图P1.3所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3解图P1.3解:u i和u o的波形如解图P1.3所示。

1.4 电路如图P1.4所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i与u O的波形,并标出幅值。

图P1.4解图P1.4解:波形如解图P1.4所示。

1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1.5解:u O的波形如解图P1.5所示。

解图P1.51.6 电路如图P1.6所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流有效值解:二极管的直流电流I D=(V-U D)/R=2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D=10Ω故动态电流有效值I d=U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。

1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。

1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。

1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。

1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。

1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。

1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。

稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。

( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。

( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。

( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。

( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。

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1.3电路如图所示,已知i 5sin (V)u t ω=,二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出u i 与u o 的波形,并标出幅值。

解:当i 3.7u ≥V 时,D 1导通,将u o 钳位在3.7V ;
当i 3.7u <V 时,D 2导通,将u o 钳位在-3.7V ; 当i 3.7 3.7V u -<<V 时,D 1、D 2均截止,u o = u i 。

1.4电路如图所示,二极管导通电压U D =0.7V ,常温下U T ≈26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少? 解:二极管中的直流电流为
D D ()/ 2.6I V U R mV =-=
其动态电阻r D ≈U T /I D =10Ω。

故动态电流有效值为I D =U i /r D ≈1mA 。

1.6已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。

(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值;
(2)若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
解:(1)稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为
Imin Z L Zmin Z
(/)(6/0.55)1623V U U R I R U =++=+⨯+=
Imax Z L Zmax Z
(/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+⨯+=
故23V<U i <43V 。

因此,U I 为10V 和15V 时稳压管未工作在稳压状态下。

所以
I L
O 10V I L | 3.33V
U R U U R R ===+
I L
O 15V I L
|5V
U R U U R R ===+
U I 为35V 时稳压管工作在稳压状态下,所以
I O 35V Z |6V U U U ===
(2)当负载开路时,稳压管的电流等于限流电阻中的电流,即
Z D I Z Zmax ()/29I U U R mA I =-=>
稳压管将因功耗过大而损坏。

1.7电路如图所示,发光二极管导通电压UD=1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

试问: (1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R 的取值范围是多少?
解:(1)S 闭合时发光二极管才有正向电流,也才有可能发光。

(2)发光二极管的正向电流过小将不发光,过大将可能损坏。

R 是限流电阻,其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。

因此,R 的范围为
min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω
max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω
即233700R Ω<<Ω
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

解:因为六只晶体管均在放大电路中,通常工作在放大状态,所以直流电位相近的两个电极分别为发射极和基极,另一极为集电极;若集电极电位最高,则为NPN 型管,电位最低的为发射极,电位居中的是基极;若集电极电位最低,则为NPN 型管,电位最高的为发射极,电位居中的是基极。

若b-e 间电压在0.1~0.3V 之间,则为锗管;若b-e 间电压在0.6~0.8V 之间,则为硅管。

设晶体管三个极分别为上、中、下管脚,根据上述原则判断,得出结论如下表:
管号 T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.11电路如图所示,晶体管的β=50,|U be |=0.2V ,饱和管压降|U CES |=0.1V ;稳压管的稳定电压U Z =5V ,正向导通电压U D =0.5V 。

试问:当u I =0时u O =?当u I =-5V 时u O =? 解:当u I =0时晶体管截止,稳压管击穿,u O =-U Z =-5V 。

当u I =-5V 时,基极电流
I BE B B
||||
||0.48u U I mA R -=
=
临界饱和时的基极电流
CC CES BS c
||
||0.238V U I mA R β-=
=
B BS ||||I I >,说明晶体管饱和,故u O =-0
1.12分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

解:因为图(a)中,T 的发射结正偏,集电结有可能反偏,所以T 有可能工作在放大状态。

同理可得,图(b)和(e)中的晶体管均可能工作在放大状态。

因为图(c)中T的发射结反偏,所以T截止。

因为图(d)中T的发射结会因电流过大而损坏,所以T不可能工作在放大状态。

结论:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能;(e)可能。

1.16分别判断图示各电路中的场效应管是否可能工作在恒流区。

解:图(a)中的T为N沟道结型场效应管,夹断电压U GS(off)<0。

因为其栅-源电压有可能是0~ U GS(off)的某值,且V DD有可能使U DS≥U GS-U GS(off),所以T有可能工作在恒流区。

图(b)和(c)中的T均为N沟道MOS管,开启电压U GS(th)>0。

因为它们的栅极电位均为0,栅-源电压不可能大于U GS(th),所以它们均处于截止状态。

图(a)中的T为P沟道结型场效应管,夹断电压U GS(off)>0。

因为其栅-源电压有可能是0~ U GS(off)的某值,且V DD有可能使U DS≤U GS-U GS(off),所以T有可能工作在恒流区。

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