哈工大微电子复试---基础电子与集成电子习题资料汇总
哈尔滨工业大学复试科目
人文与社会科学学院030204中共党史（含：党的学说与党的建设）复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。
复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。
（1）中国古代史，占40分。
（2）中国现代史，占60分。
（3）国际共产主义运动史，占50分。
（4）马克思主义理论，占50分。
人文与社会科学学院030301社会学（1）社区概论黎熙元主编，《现代社区概论》，中山大学出版社，2003。
（2）发展社会学张琢、马福云著：《发展社会学》，中国社会科学出版社，2001。
（3）经济社会学周长城：《经济社会学》，中国人民大学出版社，2003复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。
复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80（1）社区概论，占68分。
（2）发展社会学，占66分。
（3）经济社会学，占66分人文与社会科学学院0305马克思主义理论（1）辩证唯物主义原理《辩证唯物主义原理》或《马克思主义哲学》的辩证唯物主义部分均可（2）历史唯物主义原理《历史唯物主义原理》或《马克思主义哲学》的历史唯物主义部分均可。
复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。
复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。
（1）辩证唯物主义原理，占60分。
（2）历史唯物主义原理，占40分。
（3）思想政治教育学原理，占50分。
（4）思想政治教育方法论，占50分人文与社会科学学院060107 中国近现代史复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。
复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分（1）中国近现代史，占100分。
（2）中国古代史，占40分。
（3）世界史，占60分。
外国语学院050201英语语言文学胡壮麟，姜望琪《语言学教程》，北京大学出版社复试总成绩为280分，其中笔试占200分，面试为80分1）基础英语（100分）2）语言学（40分）3）英美文学（40。
哈工大微电子IC思考题、作业、提问总结1
1-1 思考题1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主要工序）？增加工序的的目的是什么？答：分立器件NPN管制造工艺：外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻→P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。
典型PN结隔离工艺：氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→隔离扩散、推进（氧化）→基区光刻→基区扩散、再分布（氧化）→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊点→合金化及后工序。
增加的主要工序：埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。
目的：埋层：1、减小串联电阻；2、减小寄生PNP晶体管的影响。
隔离墙：将N型外延层隔离成若干个“岛”，并且岛与岛间形成两个背靠背的反偏二极管，从而实现PN结隔离。
1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？答：集成电路中的各个电极均从上表面引出。
要求：形成欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。
因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。
1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？答：由于隔离扩散深度较深，基区扩散深度相对较浅。
放在基区扩散之前，以防后工序对隔离扩散区产生影响。
1-1 作业1-1-1.典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？答：在N型外延层中进行隔离扩散，并且扩穿外延层，与P型衬底连通，从而将N 型外延层划分为若干个“岛”；同时，将隔离区接最低电位，使岛与岛之间形成两个背靠背的反偏二极管，从而岛与岛互不干涉、互不影响。
通过以上两点实现了器件间的隔离。
1-1-2. 设典型PN结隔离工艺允许的最小线宽、外延层的厚度和各相关图形间的间距都为W，画出最小面积NPN晶体管图形和剖面结构图，并分别估算W为1μm 和0.5μm时，在1cm2的芯片面积上可以制作多少各这种相互隔离的最小面积晶体管。
哈工大电路原理基础课后习题集
第一章习题1.1 图示元件当时间t<2s时电流为2A，从a流向b；当t>2s时为3A，从b流向a。
根据图示参考方向，写出电流的数学表达式。
1.2图示元件电压u=(5-9e-t/τ)V，τ>0。
分别求出t=0 和t→∞时电压u的代数值及其真实方向。
图题1.1 图题1.21.3 图示电路。
设元件A消耗功率为10W，求；设元件B消耗功率为-10W,求；设元件C发出功率为-10W，求。
图题1.31.4求图示电路电流。
若只求，能否一步求得？1.5 图示电路，已知部分电流值和部分电压值。
(1) 试求其余未知电流。
若少已知一个电流，能否求出全部未知电流？(2) 试求其余未知电压u14、u15、u52、u53。
若少已知一个电压，能否求出全部未知电压？1.6 图示电路，已知,,,。
求各元件消耗的功率。
1.7 图示电路，已知，。
求(a)、(b)两电路各电源发出的功率和电阻吸收的功率。
1.8 求图示电路电压。
1.9 求图示电路两个独立电源各自发出的功率。
1.10 求网络N吸收的功率和电流源发出的功率。
1.11 求图示电路两个独立电源各自发出的功率。
1.12 求图示电路两个受控源各自发出的功率。
1.13 图示电路，已知电流源发出的功率是12W，求r的值。
1.14 求图示电路受控源和独立源各自发出的功率。
1.15图示电路为独立源、受控源和电阻组成的一端口。
试求出其端口特性，即关系。
1.16 讨论图示电路中开关S开闭对电路中各元件的电压、电流和功率的影响，加深对独立源特性的理解。
第二章习题2.1 图(a)电路，若使电流A,，求电阻；图(b)电路，若使电压U=(2/3)V，求电阻R。
2.2 求图示电路的电压及电流。
2.3 图示电路中要求，等效电阻。
求和的值。
2.4求图示电路的电流I。
2.5 求图示电路的电压U。
2.6 求图示电路的等效电阻。
2.7 求图示电路的最简等效电源。
图题2.72.8 利用等效变换求图示电路的电流I。
2019年哈工大电子与信息工程学院考研复试时间复试内容复试流程复试资料及经验
2019年哈工大电子与信息工程学院考研复试时间复试内容复试流程复试资料及经验随着考研大军不断壮大，每年毕业的研究生也越来越多，竞争也越来越大。
对于准备复试的同学来说，其实还有很多小问题并不了解，例如复试考什么？复试怎么考？复试考察的是什么？复试什么时间？复试如何准备等等。
今天启道小编给大家整理了复试相关内容，让大家了解复试，减少一点对于复试的未知感以及恐惧感。
准备复试的小伙伴们一定要认真阅读，对你的复试很有帮助啊！学院简介学院前身是始建于1959年的哈尔滨工业大学无线电工程系，1996年更名为电子与通信工程系，2003年成立电子与信息技术研究院，2009年更名为电子与信息工程学院。
学院下设信息与通信工程一级学科、电磁场与微波技术二级学科，信息与通信工程学科1981年被确定为首批硕士点，1998年被确定为国家一级学科博士点，2007年通信与信息工程二级学科被评为国家重点学科，信号与信息处理二级学科被评为国家重点培育学科，2012年教育部一级学科评估排名全国第10位，2016年教育部第四轮学科评估结果为A-。
目前学院有通信工程、电子信息工程、信息对抗技术、遥感科学与技术、电磁场与无线技术五个专业，其中通信工程和电子信息工程为国防重点专业和黑龙江省重点专业，信息对抗技术和遥感科学与技术为国防紧缺专业。
学院现有在校本科生1127人，硕士研究生331人，博士研究生237人。
复试时间资格审查时间为2018年3月9日8：30-14：00;地点为哈工大一校区主楼二楼大厅。
笔试考试时间为2018年3月10日上午8:30-11:30，地点：哈工大正心楼：510, 511, 514, 516, 518, 520, 522教室。
面试时间：2018年3月11日8:00-17:00，地点正心楼。
集合时间和具体地点另行通知。
复试内容（科目）一、全日制招生学科目录二、非全日制招生学科目录复试分数线同时满足①单科成绩为政治50分、外语50分、数学75分、专业课80分及以上;②政治、外语、数学及专业课四门课总成绩为320分及以上。
微电子学面试试题
模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）11、画差放的两个输入管。
（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。
(Infineon笔试试题)15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<<T时，给出输入电压波形图，绘制两种电路的输出波形图。
（未知）16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?（新太硬件）17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题）19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P 管还是N管，为什么？（仕兰微电子）20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题
1、微电子封装定义及封装的作用？1)为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适的操作环境的科学和技术，是一个涉及多学科并且超越学科的制造和研究领域。
2)作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机械连接2、什么是电迁移？电迁移是指在高电流密度（105－106A/cm2）下金属中的质量迁移的现象。
3、什么是芯片尺寸封装？芯片尺寸封装（CSP）是指封装外壳尺寸比芯片本身尺寸仅大一点（最大为芯片尺寸的1.2倍）的一类新型封装技术。
5、可作为倒装芯片凸点的材料有哪些？高可靠性的焊凸点应该在那个工艺阶段制作？凸点的典型制作方法有哪些？其中什么方法也常用于BGA器件焊球的植球？1)凸点材料：a) 钎料：单一钎料连接：高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯片载体；低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体C4-Controled Collapse Chip Connection)b) 金属：Au、Cuc) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性2)高可靠性的焊凸点制作，是在IC还处于圆片阶段时制作焊凸点。
3)蒸发沉积法；模板印刷法；电镀法；钉头凸点法；钎料传送法；微球法；钎料液滴喷射（印刷）法4)微球法6、扩散焊在什么情况下会采用中间层？中间层材料应具有哪些性能？1)结晶化学性能差别较大的两种材料连接时，极易在接触界面生成脆性金属间化合物。
措施：选择中间层，使中间层金属与两侧材料都能较好的结合，生成固溶体，则实现良好的连接。
2)两种材料的热膨胀系数差别大，在接头区域极易产生很大的内应力。
措施：用软的中间层（甚至几个中间层）过渡,缓和接头的内应力3)扩散连接时，中间层材料非常主要，除了能够无限互溶的材料以外，异种材料、陶瓷、金属间化合物等材料多采用中间夹层的扩散连接。
4)中间层可采用多种方式添加，如薄金属垫片、非晶态箔片、粉末（对难以制成薄片的脆性材料）和表面镀膜（如蒸镀、PVD、电镀、离子镀、化学镀、喷镀、离子注入等）。
哈工大电气工程面试题库
哈⼯⼤电⽓⼯程⾯试题库哈尔滨⼯业⼤学电⽓⼯程⾯试题温馨提⽰：⾯试主要专业基础课为：《电机学》《单⽚机》《计算机组成原理》《⼯业控制⽹络》等。
其中《电机学》与《单⽚机》⾯试题内容较多，需认真复习。
提供以上所有课程的课本、课件等资料。
电机学1、什么是直流电机直流电机是实现机械能和直流电能之间相互转换的旋转电机。
直流电机本质上是交流电机，需要通过整流或逆变装置与外部电路相连接。
常见的是采⽤机械换向⽅式的直流电机，它通过与电枢绕组⼀同旋转的换向器和静⽌的电刷来实现电枢绕组中交变的感应电动势、电流与电枢外部电路中直流电动势、电流间的换向。
（实质是⼀台有换向装置的交流电机）2、同步机和异步机的区别同步电机定⼦交流电动势和交流电流的频率，在极对数⼀定的条件下，与转⼦转速保持严格的同步关系。
同步电机主要⽤做发电机，也可以⽤作电动机，还可以⽤作同步调相机（同步补偿机）。
同步电机可以通过调节励磁电流来调节⽆功功率，从⽽改善电⽹的功率因数。
（同步电动机主要⽤于功率⽐较⼤⽽且不要求调速的场合。
同步调相机实际上就是⼀台并联在电⽹上空转的同步电动机，向电⽹发出或者吸收⽆功功率，对电⽹⽆功功率进⾏调节。
）异步电机是⼀种转速与电源频率没有固定⽐例关系的交流电机，其转速不等于同步转速，但只要定转⼦极对数相等，⽆论转⼦转速如何，定、转⼦磁动势都以同步转速相对于定⼦同向旋转，即⼆者总是相对静⽌。
异步电机主要⽤作电动机，缺点是需要从电⽹吸收滞后的⽆功功率，功率因数总⼩于1。
异步电机也可作为发电机，⽤于风⼒发电场和⼩型⽔电站。
3、什么是电枢反应？直流电机是否有电枢反应？对于同步电机来说，电枢反应是指基波电枢磁动势对基波励磁磁动势的影响。
直流电机也有电枢反应，是指电枢磁动势对励磁磁动势产⽣的⽓隙磁场的影响。
4、异步机的转⼦有那⼏种折合⽅式？异步电机转⼦的折合算法主要包括频率折合和转⼦绕组折合，原则是保持转⼦基波磁动势不变，对定⼦侧等效。
在进⾏这两种折合之前还有⼀个转⼦位置⾓的折合。
考研——哈工大微电子期末考试题
================================================================================= 哈工大2001/2002秋季学期
固态电子论试题
一、解释下列名词或概念：（20）
1．施主和受主杂质 2．状态密度
3．热载流子 4．光电导增益 5．少子寿命
6．简并半导体 7．格波
8．准费米能级 9．深能级杂质
10．表面复合速度
二、简述半导体中载流子的主要散射机构（20分）
三、画出p 型半导体MOS 结构可能测出的高频C-V 特性曲线，如果SiO 2中存在Na +
离子，
如何测出其面密度？（20分） 四、简述半导体的光生伏特效应，利用理想光电池电流-电压方程确定开路电压V OC 和短路
电流I SC （20分）
五、如图所示，有一均匀掺杂的n 型半导体，在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，
产生率为g P ，寿命为τP ,仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为S P ，载流子的扩散
长度为L P ，试确定非平衡载流子分布。
（20分）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学专业复试——基础电子技术习题第一章基本放大电路1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-4在如图1-4所示的基本放大电路中，设晶体管的β=100，U BEQ=-0.2V，r bb′=200Ω，C1，C2足够大。
1．计算静态时的I BQ，I CQ和U CEQ。
2．计算晶体管的r be的值。
3．求出中频时的电压放大倍数A u。
4．若输出电压波形出现底部削平的失真，问晶体管产生了截止失真还是饱和失真？若使失真消失，应该调整电路中的哪个参数？5．若将晶体三极管改换成NPN型管，电路仍能正常工作，应如何调整放大电路，上面1~4得到的结论是否有变化？6．用EWB仿真验证上述结论。
图1-41-5放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a：增大、b：减小、c：不变（包括基本不变）1．要使静态工作电流I c减小，则R b2应。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
3．R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
4．从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
5．V cc减小时，直流负载线的斜率。
图1-51-6电路如图1-5所示，设V CC=15V，R b1=20kΩ，R b2=60Kω，R C=3kΩ，R e=2kΩ,电容C2，C2和C e都足够大，β=60，U BE=0.7V，R L=3kΩ1．电路的静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。
2．电路的电压放大倍数A u，放大电路的输出电阻r i和输出电阻r03．若信号源具有R S=600Ω的内阻，求源电压放大倍数A us。
1-7 图1-7所示电路中，已知三极管的β=100，U BEQ =0.6V ，r bb ′=100Ω。
1．求静态工作点。
2．画微变等效电路。
3．求i o1u U U A ='。
4．求r i ，r o1，r o2。
图1-71-8 在图1-8中所示电路中，已知U GS =-2V ，管子参数I DSS =4mA 。
U p =-4V 设电容在交流通路中可视为短路。
1．求电流I D 和电阻R S1。
2．求正常放大条件下，R S2可能的最大值。
3．画出微变等效电路，用已求得的有关数值计算A u ，r o1和r o2（设r DS 的影响可以忽略不计）。
4．为显著提高u A ，最简单的措施是什么？(+10V)u图1-81-9电路如图1-9所示，场效应管的r DS>>R D，求：1．画出该放大电路的微变等效电路；2．写出A u，r i和r o的表达式；3．定性说明当R S增大时，A u，r i，r o是否变化，如何变化？4．若C S开路，A u，r i，r o是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。
图1-9第二章 多级放大电路与频率特性2-1 填空：1．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为：)1(1(10006101010u ff fj jA ++=式中f 单位Hz表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。
2．幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真，在出现这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波，若u i 为非正弦波，则u o 与u i 的频率成分 ，但不同频率成分的幅度 变化。
3．饱和失真，截止失真都属于 失真，在出殃这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波。
u o 与u i 的频率成分 。
4．多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带 。
5．多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率产生的附加相移 。
6．多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的 。
7．在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。
8．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 ；前级对后级而言又是 。
9．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦 合方式。
10．为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。
2-2 电路图2-2所示：其中V cc =6.7V ，R b =300k Ω，R c =2 k Ω，晶体管的β=100，r bb ’=300Ω，U BE =0.7V ，电容C 1=C 2=5μF ，R L =∞1．求中频电压放大倍数A u 2．求下限频率f L3．若信号频率f =10Hz ，希望放大倍数|A u |仍不低于0.7|A um |则应更换哪个元件？其值为多少?图2-22-3 放大电路如图2-3所示，试判断下列说法是否正确。
1．增大电容C 1，C 2，将有利于高频信号流通，因此可以提高上限频率f H 。
2．当集电极电阻R C 增大时，中频增益|A um |增大，由于电路的增益带宽积近似为常数，因此f H 减小。
3．C b'e 通常远小于C b'e ，所以它对频率特性的影响可以忽略不计，在分析f H 时，只需考虑C b'e 的作用的就行了。
2-4 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为： )1)(1)(1(5.051010022u fffj jjfA +++=f 的单位为Hz1．求中频电压放大倍数A um 2．画出A u 幅频特性波特图3．求上限截止频率f H 和下限截止频率f L2-5 图2-5中的T 1，T 2均为硅管，U BE =0.7V ，两管间为直接耦合方式，已知β1=β2=50，r b b’1= r b b’2=300Ω，电容器C 1，C 2，C 3，C 4的容量足够大。
1．估算静态工作点I CQ2，U CEQ2（I BQ2的影响忽略不计） 2．求中频电压放大倍数A u 3．求输入电阻r i 和输出电阻r o 4．用仿真验证上述结果+-U o L ΩCC图2-52-6 电路如图2-6所示1．写出i o u U UA =及r i ，r o 的表达式（设β1，β2 ，r be1，r be2及电路中各电阻均为已知量）2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。
若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？+-U o图2-6第三章 差动、功放电路3-1 填空1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路 。
这是由于 。
3．差动放大电路是为了 而设置的，它主要通过 来实现。
4．在长尾式差动电路中，R e 的主要作用是 。
5．抑制零漂的主要措施有 种，它们是 。
3-2 某差动放大电路如图3-2所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。
2．差模电压放大倍数A ud =1211oΔΔΔU U U3．仿真验证上述结果。
V EE (-12V)图3-23-3 在图3-3所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。
1．画出共模、差模半边电路的交流通路。
2．求差模电压放大倍数i2i1oud ΔU U U A ∆∆-=。
3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。
V V EEEE图3-3 图3-43-4 分析图3-4中的电路，在三种可能的答案（a ：增大；b ：减小；c ：不变）中选择正确者填空，设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放大管处于截止或饱和状态。
1．若电阻R e 增大，则差模电压放大倍数 ，共模电压放大倍数 。
2．若电阻R 增大，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。
3．若两个R C 增大同样的数量，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。
3-5 在图3-5所示的放大电路中，各晶体管的β均为50，U BE =0.7V ，r be1=r be2=3k Ω，r be4=r be5=1.6k Ω，静态时电位器R W 的滑动端调至中点，测得输出电压U o =+3V,试计算： 1．各级静态工作点：I C1、U C1、I C2、U C2、I C4、U C4、I C5、U C5（其中电压均为对地值）以及R e 的阻值。
2．总的电压放大倍数1ou ΔΔU U A =（设共模抑制比极大）。
(+6V)(-6V)图3-53-6在图3-4的电路中，T1，T2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE=0.6V。
II图3-63-7 填空：1．功率放大电路的主要作用是。
2．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据放大管的大小来区分的，其中甲类放大；乙类放大；甲乙类放大。
3．乙类推挽功率放大电路的较高，这种电路会产生特有的失真现象称；为消除之，常采用。
4．一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为W的功率管个。
3-8在图3-8功放电路中，已知V CC=12V，R L=8Ω。