集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-一篇 2章
第二章半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200μA ；另一个β=50，I CEO =10μA 其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳定。
题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.7V ；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.2V 。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 共射电路如图题1.2.3所示。
现有下列各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =3.1k Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =4.7k Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =3.9k Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50 判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题1.2.3 解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)； (2)工作在饱和状态(工作在饱和区)； (3)工作在放大状态(工作在放大区)； (4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题1.2.4 从图题1.2.4所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管还是硅管？（2） 是NPN 型还是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈−=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V −=>0.7V ；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
图题1.2.4解： (a)NPN硅管，工作在饱和状态； (b)PNP锗管，工作在放大状态； (c)PNP锗管，管子的b-e结已开路； (d)NPN硅管，工作在放大状态； (e)PNP锗管，工作在截止状态； (f)PNP锗管，工作在放大状态； (g)NPN硅管，工作在放大状态； (h)PNP硅管，b-c结已短路。
题1.2.5 图题1.2.5所示电路中，设晶体管的β=50，V BE=0.7V。
（1）试估算开关S分别接通A、B、C时的I B、I C、V CE，并说明管子处于什么工作状态。
（2）当开关S置于B时，若用内阻为10kΩ的直流电压表分别测量V BE和V CE，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？（3）在开关置于A时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的V CE=0.7V），R c值不应小于多少？解： (1) S接A点；I B≈0.14mA,I C≈3mA,V CE≈0.3V,管子饱和。
S接B点：IＢ≈28.6mA,I C≈1.43mA,V CE≈7.85V，放大状态。
S接C点：I B≈0,I C≈0,V CE=15V,管子截止。
(2) 不能够测得实际数值。
测V BE时会引起三极管截止，测V CE时偏小. (3) R C不应小于2KΩ。
图题1.2.5题1.2.6 共射放大电路及三极管的伏安特性如图题1.2.6所示。
（1）用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适？（2）在V CC和三极管参数不变的情况下，为了把三极管的集电极电压V CEQ提高到5V左右，可以改变哪些电路参数？如何改变？（3）在V CC和三极管参数不变的情况下，为了使I CQ=2mA，V CEQ=2V，应改变哪些电路参数，改变到什么数值？图题1.2.6 图题1.2.7解： (1) 不合适； (2) 有多种Rc,R b组合(3) Rc=4KΩ，R b≈250KΩ。
题1.2.7 在图题1.2.7所示电路中，已知R1=3kΩ，R2=12kΩ，R c=1.5kΩ，R e=500Ω，V CC=20V，3DG4的β=30。
（1）试计算I CQ、I BQ和V CEQ；（2）如果换上一只β =60的同类型管子，估算放大电路是否能工作在放大状态；（3）如果温度由10°C升至50°C，试说明V C（对地）将如何变化（增加、不变或减少）？（4）如果换上PNP型的三极管，试说明应做出哪些改动（包括电容的极性），才能保证正常工作。
若β仍为30，你认为各静态值将有多大的变化？解： (1) I CQ≈6.39mA,I BQ≈0.21mA,V CEQ≈7.23V； (2) 能工作在放大状态； (3) Vc将减小。
题1.2.8 放大电路如图题1.2.8（a）所示。
试按照给定参数，在图题1.2.8（b）中：（1）画出直流负载线；（2）定出Q点（设V BEQ=0.7V）；（3）画出交流负载线；（4）画出对应于i B由0~100μA变化时，v CE的变化范围，并由此计算不失真输出电压V o（正弦电压有效值）。
图题1.2.8解： (1) 直流负载线方程：V CE =V CC -I C (R C +Re)，V CE =15-3I C ,作在输出特性上。
(2) 由交点Q ，求得：I CQ ≈2.4mA,V CEQ ≈7.5V ； (3) 交流等效负载为R ′L =R C ∥R L =1K Ω，所以过Q 点作一条'/1/L ce c R v i =∆∆的直线，即为交流负载线。
题1.2.9 在图题1.2.9（a ）所示的共发射极放大电路中，三极管的输出和输入特性曲线如图（b ）、（c ）所示。
图题1.2.9 （1） 用图解法分析静态工作点Q （I BQ 、V BEQ 、I CQ 、V CEQ ）；（2） 设v i =0.2sin ωt （V ）,画出i B 、v BE 、i C 和v CE 的波形，并从图中估算电压放大倍数。
[提示：为方便分析，可将图（a ）中的输入回路用戴维斯宁定理化简。
]题1.2.10 图题1.2.10所示电路中，设各三极管均为硅管，V BE ≈0.7V ，β=50,V CES ≈0.3V , I CEO 可忽略不计。
试估算I B 、I C 、V CE 。
图题1.2.10解： (a) I B≈47.7μA,I C≈=2.38mA,V CE≈10.2(b) I B≈0.243mA,I C≈7.35mA,V CE≈0.3V; (c) I B≈0,I C≈0,V CE≈15V; (d) I B≈97μA,I C≈4.85mA,V CE≈10.6V; (e) I D≈0,I C≈0,V CE≈6V; (f) I B≈195μA,Ic≈1.425mA,V CE≈0.3V。
题1.2.11 在图题1.2.11所示的放大电路中，输入信号的波形与幅值如图中所示。
三极管的输入、输出特性曲线分别如图1.2.11（b）和（c）所示，试用图解法分析：（1）静态工作点：I BQ、V BEQ、I CQ、V CEQ；（2）画出i B、v BE、i C和v CE的波形，并在波形上注明它们的幅值（要求各波形的时间轴对齐）。
（3）为得到最大的不失真输出电压幅度，重新选择静态工作点（I BQ、I CQ、V CEQ），并重选R b的阻值。
解： (1)写出输入回路负载线方程，V BE=V BB-I B R b，在输入特性上作出该负载线，与输入特性交于Q点，求得I BQ,V BEQ，写出输出回路负载线方程，V CE=V CC-I C R C，在输出特性上作该负载线，交于I BQ 对应输出特性上的Q点，求得I CQ,V CEQ。
(2)在Q点的基础上，作出相应的i B、υBE、i C和υCE的变化范围，求出各变化量图题1.2.11题1.2.12 按照放大电路的组成原则，仔细审阅图题1.2.12，分析各种放大电路的静态偏置和动态工作条件是否符合要求。
如发现问题，应指出原因，并重画正确的电路（注意输入信号源的内阻R S一般很小；分析静态偏置时，应将v S短接）。
图题1.2.12解： (a) 图静态工作点I B不对，应把R b接地； (b) 图无静态基极电流I B； (c) 图无基极偏置电流，R b一端应接地； (d) 图无基极电路，动态时发射极和集电极都接地了。
题1.2.13 试用三只电容量足够大的电容器C1、C2、C3将图题1.2.13所示放大电路分别组成CE、CC和CB组态，并在图中标明各偏置电源和电解电容上的极性，以及信号的输入、输出端子。
（在电源前加正、负号，在电介电容正极性端加正号）。
图题1.2.13解：连接成CE时：C1作信号输入耦合电容，C3一头接V EE,C2作信号输出耦合电容； 连接成CC时：C2一端接+V CC，C1一端作输入，C2作输出耦合电容； 连接成CB时：C1一端接V BB，C3一端作输入耦合电容，C2作输出耦合电容。
题1.2.14 设图题1.2.14（a）~（b）所示电路中的三极管均为硅管，V CES≈0.3V，β=50，试计算标明在各电路中的电压和电流的大小。
图题1.2.14解： (a)三极管已处于饱和状态，V CE≈0.3V (b)I C≈6.3mA (c)V CE≈-4.8V (d)Vc≈-10.8V 题1.2.15 图题1.2.15（a）~（c）所示均为基本放大电路，设各三极管的r bbˊ=200Ω，β=50，V BE=0.7V。
，（1）计算各电路的静态工作点；（2）画出交流通路；说明各种放大电路的组态。
图题1.2.15解： (1)图(a):I BQ≈18.5μA,I CQ≈0.93mA,V CEQ≈8.2V; 图(b):I BQ≈73μA,I CQ≈3.67mA,V CEQ≈-5.7V;图(c):I BQ≈18μA,I CQ≈0.9mA,V CEQ≈9.5V (2)交流通路略，图(a)、图(b)为CE组态，图(c)为CB组态。
题1.2.16 在图题1.2.16所示的电路中，已知三极管的V BE=0.7V，β=50，其余参数如图中所示。
（1）分别计算v I=0 V和V I=6 V时的v O值。
（2）画出v I在0~6V之间变化时的电压传输特性曲线。
图题1.2.16 图题1.2.17解： (1)当V I=0V时，V0=6V(晶体管截止);当V I=6V时,V0≈0.3V(晶体管饱和)。
(2)电压传输特性略。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)
第一章思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。
例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。
在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。
最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。
当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。
空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流。
(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。
(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
模拟电子技术基础课后习题答案
第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。
2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。
2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。
2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。
2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。
2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。
2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。
二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。
2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。
集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-三篇 2章
第二章 集成运算放大器 题3.2.1 某集成运放的一个偏置电路如图题3.2.1所示，设T 1、T 2管的参数完全相同。
问：(1) T 1、T 2和R 组成什么电路？(2) I C2与I REF 有什么关系？写出I C2的表达式。
图题3.2.1解：(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路(2) REFBE CCREF C R V V I I −==2题3.2.2 在图题3.2.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的β =80，r be =2 k Ω。
(1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ；(2) 求差模电压放大倍数vdA &。
图题3.2.2解：(1) R i =2(r be +R e )=2×(2+0.05)=4.1 k ΩR o =2R c =10 k Ω(2) 6605.0812580)1(−=×+×−=β++β−=e be c vd R r R A &题3.2.3 在图题3.2.3所示的差动放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。
(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ，若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？(2) 计算差模输入电阻R id 。
当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2d A &=?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2c A &和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，问v C2相对于静态值变化了多少？e 点电位v E 变化了多少？解：(1) 求静态工作点：mA 56.0102101/107122)1/(1=×+−=+β+−=e b BE EE CQ R R V V I V 7.07.01010056.01−≈−×−=−−=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+×−=−−=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路，则mA 56.021==Q C Q C I I （不变）V 7.127.0121=+=−=E CC Q CE V V VV 1.77.01056.0122=+×−=−−=E c CQ CC Q CE V R I V V （不变）(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数：Ω=×+=β++=k 9.456.026101200)1('EQT bb be I V r r Ω=+×=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22=×=+β=be b c d r R R A & (3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比：5.0201019.410101002)1(2−=×++×−=β++β−=e be b c c R r R R A & 675.05.3322===c d CMR A A K &&（即36.5dB ） (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，mV 109510521=−=−=I I Id v v vmV 100295105221=+=+=I I Ic v v v mV 285100)5.0(105.33222=×−+×=⋅+⋅=∆Icc Id d O v A v A v && 所以，V O2相对于静态值增加了285 mV 。
电子技术基础习题答案(模拟部分)
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?电子技术根底?习题答案(模拟局部) 半导体二极管半导体三极管放大电路根底负反应放大电路与根本运算电路线性集成电路的应用集成模拟乘法器及其应用...
技术根底
?电子技术根底?习题答案〔模拟局部〕
第一章半导体二极管
第二章半导体三极管第三章放大电路根底
第四章负反应放大电路与根本运算电路
第五章线性集成电路的应用
第六章集成模拟乘法器及其应用
第七章信号产生电路
第八章直流稳压电源
?电子技术根底?习题〔数字局部〕第一章绪论
第二章逻辑代数根底
第三章逻辑门电路
第四章集成触发器
第五章脉冲信号的产生和整形
第六章组合逻辑电路
第七章时序逻辑电路
第八章数模和模数转换器。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k 时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础,课后习题答案
[标签:标题]篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?V?，二极管导通电压降UD?0.7V。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7V时，uo?3.7V (2) 当?3.7V?ui?3.7V时，uo?ui (3) 当ui??3.7V时，uo??3.7V 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压UAO。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，UAO??6V 采用恒压降模型来说，UAO??6.7V对于（c）来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。
采用理想模型来说，UAO?0 采用恒压降模型来说，UAO??0.7V1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID??解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：25?15?＝1.5V 18?225?510U右＝15?＝1V140?10U左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为ID＝0（c）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：52＝2.5V，U左＝2.5?20?＝0.5V 25?518?210U右＝15?＝1V140?10U左1＝15?由于U右?U左?0.5V，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为ID?0.5?32.7μA 15.31.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解：T1: 硅管，PNP，11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应cT2: 硅管，NPN，3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c T3: 硅管，NPN，12.7V对应b, 12V 对应e,15V对应c T4: 锗管，PNP，12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c T5: 锗管，PNP，14.8V 对应b, 15V对应e, 12V对应c T6: 锗管，NPN，12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻RL?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件欧阳学文自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，GS则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3 解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。
试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BEB b V U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。