浙大模电1篇2章习题解答
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压①图1 ① 图2C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是B。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
浙江大学 模电课件 1-2
2020/5/24
• 三、三极管电路的基本组态
❖放大系统的组成
➢输入信号源 ➢输出负载 ➢供电电源
❖三种基本组态
➢共 基 极（CB），共基组态 ➢共发射极（CE），共射组态 ➢共集电极（CC），共集组态
➢放大电路
❖区分依据
➢一极连接输入端； ➢一极连接输出端； ➢第三极作为输入、输出的公共端； ➢“公共的极”即为组态形式。
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❖共基组态
➢共基直流电流放大倍数
✓E区自由电子到达C极形成的电流 与E极电流之比
ICN /IE, 0.95 ~0.995
➢输入：E极 ➢输出：C极 ➢公共端：B极
IE IC IB IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程
第一篇 电子器件基础
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1.2.4 双极型三极管 1.1.4 双极型三极管的伏安特性及其模型
• 一、双极型三极管的基本结构
❖简称：晶体管、三极管 ❖内部参与导电有自由电子、空穴两种极性载流子：
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） ❖分类：
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❖共基—共射电流放大倍数的关系
➢共基：
α IC IE IB (1 α )IE
➢共射：
β IC IB IE (1 β )IB
,
1
1
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❖共集组态
➢输入：B极 ➢输出：E极 ➢公共端：C极
IE IB IC (1 β )I B I CEO (1 β )I B
发射区
基区
集电结 （Jc）
浙大模电2篇2章习题解答
第二篇第2章习题题2.2.1对于放大电路的性能指标，回答下列问题：（1）已知某放大电路第一级的电压增益为40dB ，第二级为20dB ，总的电压增益为多少dB ？（2）某放大电路在负载开路时输出电压为4V ，接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻为多少？（3）为了测量某CE 放大电路的输出电阻，是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻？解：（1）总电压增益的分贝是二级放放大器分贝数相加，即60dB 。
（2）接入3KΩ电阻后，在内阻上产生了1V 的压降。
所以有430×+=R R R L L 1310=×=L R R KΩ。
（3）不可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻。
题2.2.2有一CE 放大电路如图题2.2.2所示。
试回答下列问题：（1）写出该电路电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 的表达式。
（2）若换用β值较小的三极管，则静态工作点BQ I 、CEQ V 将如何变化？电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 将如何变化？（3）若该电路在室温下工作正常，但将它放入60˚C 的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大，这时电路产生了饱和失真还是截止失真？其主要原因是什么？图题2.2.2解：（1）这是一个典型的共射放大电路，其电压放大倍数的表达式为：beL C v r R R A //β−=̇；输入电阻：b be i R r R //=；输出电阻：C o R R ≈（2）当晶体三极管的β值变小时，基极电流不变，但集电极电流变小，V CEQ 变大；be r 电阻变大（EQT bb be I V r r )1('β++=），所以电压放大倍数下降；输入电阻增加；输出电阻不变。
（3）该失真是饱和失真，因为T 上升后，集电极电流增加，集电极和发射极之间电压下降即工作点上移（向饱和方向），因此在同样的输入信号下，输出信号将首先出现饱和失真。
模拟电路1习题及解答
8. 稳压二极管电路如图所示，稳压二极管的参数为：UZ＝8V，IZmin＝5mA，
PZM＝240mW，限流电阻R＝390，负载电阻RL＝510，输入电压UI＝17V。
（1）求输出电压Uo及稳压管电流IDZ；
（2）若UI增加20%，RL开路，分析稳压二极管是否安全。
（1）Uo＝8V，IDZ＝7.4mA
5
1. 二极管电路如图所示，设二极管的导通电压UD(on)＝0.7V，试求出各电路 的输出电压Uo。
3kΩ R
3kΩ R
6V
3kΩ R Uo
6V
3kΩ R Uo
6V
Uo
6V
Uo
12V
12V
（a）
（b）
（c）
（d）
（a）二极管导通，输出电压Uo＝6－0.7＝5.3V （b）二极管截止，输出电压Uo＝0 （c）二极管截止，输出电压Uo＝12V （d）二极管导通，输出电压Uo＝6＋0.7＝6.7V
（e）β＝121，α＝0.992， iB＝6μA
16
12. 某双极型晶体管，共射放大倍数β的范围为110≤β≤180。试求对应的共基 放大倍数α的范围。如果基极电流为iB＝50µA，试求集电极电流iC的范围。
iE iC iB
iC iB
iE 1 iB
iC iE
iC 1 iE
1
D
I1
VDD1 4V
I2 R
VDD2
12V
Io RL 1kΩ Uo
R＝1kΩ，二极管截止。I1＝0，I2＝－6mA，Io＝6mA，Uo＝6V R＝5kΩ，二极管导通。I1＝1.56mA，I2＝－1.74mA，Io＝3.3mA，Uo＝3.3V
9
5. 二极管电路如图所示，D1、D2为硅二极管，即二极管的导通电压UD(on)＝ 0.7V，已知ui＝10sinωt (V)，画出输出电压波形。
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第一篇 第2章习题题 1.2.1 有二个晶体管，一个200=β，A I CEO μ200=；另一个50=β，A I CEO μ10=，其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50，I CEO =10μA 的管子较稳定。
穿透电流大，电流放大系数也大的管子稳定性较差。
题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V V X 9=，V V Y 6=，V V Z 7.6=；乙管V V X 9-=，V V Y 6-=，V V Z 2.6-=。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？ 解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极； 乙管为PNP 型锗管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 从图题1.2.3所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1）是锗管还是硅管？ （2）是NPN 型还是PNP 型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且V V V V E C CE 7.0>-=；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
]图题1.2.3解：该题中的锗管还是硅管，看V BE 是0.7V 还是0.3V ，0.7V 是硅管，0.3V 左右是锗管，也可以看第二个英文字母，如果第二个字母是D 、C 则通常为硅管，如果第二个字母是A 、则为锗管。
第三个英文是高频管还是低频管，还是开关管或是大功率管。
（G 是高频管、K 是开关管、X 是低频管、D 是大功率管），据此有：(a) NPN 硅管，工作在饱和状态； (b) PNP 锗管，工作在放大状态； (c) PNP 锗管，管子的b-e 结已开路； (d) NPN 硅管，工作在放大状态； (e) PNP 锗管，工作在截止状态； (f) PNP 锗管，工作在放大状态； (g) NPN 硅管，工作在放大状态； (h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。
题1.2.4 图题1.2.4所示电路中，设晶体管的50=β，V V BE 7.0=。
（1）试估算开关S 分别接通A 、B 、C 时的B I 、C I 、CE V ，并说明管子处于什么工作状态。
（2）当开关S 置于B 时，若用内阻为10 k Ω的直流电压表分别测量BE V 和CE V ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？（3）在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的V V CE 7.0=），c R 的值不应小于多少？图题1.2.4解： (1) S 接A 点；143.01007.015≈-=B I mA ，1.7143.050=⨯==B C I I βmA ， 5.2015-=-=C C CE R I V V ，说明管子已经饱和了。
I C 和V CE 应重新计算如下：94.215=-≈CCESC R V I mA, V C E ≈0.3V 。
S 接B 点时：6.285007.015≈-=B I μA ， 43.10286.050=⨯==BC I I βmA ，85.715=-=C C CE R I V V ，管子处于放大状态。
S 接C 点时：发射极反偏，所以，I B ≈0，I C ≈0，V CE =15V ，管子截止。
图1.2.5(2) 不能够测得实际数值。
测V BE 时由于0.7V V 294.01050010'<=+=CC B V V ，会引起三极管截止；测V CE 时集电极的等效电源为V 1010510'=+=CC CC V V ，等效电阻为Ω=ΩΩ= 3.33k //10k k 5'cR ，由图解法可知所测电压值偏小。
(3) R C 不应小于2kΩ。
题1.2.5 在图题1.2.5所示电路中，已知Ω=k R 31，Ω=k R 122，Ω=k R c 5.1，Ω=500e R ，V V CC 20=，3DG4的30=β。
（1）试计算BQ I 、CQ I 和CEQ V ；（2）如果换上一只60=β的同类型管子，估算放大电路是否能工作在放大状态？（3）如果温度由10˚C 升至50˚C ，试说明C V （对地）将如何变化（增加、不变或减少）？图题1.2.5解：(1) I CQ ≈6.39mA ，I BQ ≈0.21mA ，V CEQ ≈7.12V ；(2) 能工作在放大状态；(3) 温度上升，I C 上升，集电极电流增加，集电极电位V C 将减小。
题1.2.6 设图题1.2.6（a ）~（d ）所示电路中的三极管均为硅管，V V CES 3.0=，50=β，试计算标明在各电路中的电压和电流的大小。
图题1.2.6解： (a) 这是一个开关电路，当输入为5V 时，三极管已处于饱和状态，V CE ≈0.3V ；当输入电压为0V 时，三极管处于截止状态，V CE ≈5.7V(b) 根据电路，稳压管击穿后三极管发射极电阻上的压降为6V ，发射极电流为I C ≈I E =6mA ，则二只电阻上就降了12V ，所以管子已处于饱和了。
(c) 电路选用了PNP 管，将基极回路用戴维宁定理定律等效后（求基极开路电压，求基极等效电阻），求出I B 和I C 后，即可求得V CE ＝-4.8V 。
(d) 这是一只复合管形成的电路，可以求得V C ＝-10.8V 。
题1.2.7 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.2.7(a)~(d)所示。
（1）说明图(a)~(d)曲线对应于何种类型的场效应管。
（2）根据图中曲线粗略地估计：开启电压T V 、夹断电压P V 和饱和漏极电流DSSI 或DO I 的数值。
图题1.2.7解：该题应该注意V T 、V P 、I DSS 、I DO 的定义。
（V T 使NMOS 管形成导电沟道所需的电压、V P 耗尽型使漏极电路为0时的栅源电压、I DSS 耗尽型管子VGS 电压为0时的漏极电流、2倍V T 电压时的漏极电流）。
图(a)：增强型N 沟道MOS 管，V GS(th)≈3V ，I DO ≈3mA ； 图(b )：增强型P 沟道MOS 管，V GS(th)≈-2V ，I DO ≈2mA ； 图(c)：耗尽型型P 沟道MOS 管，V GS(off)≈2V ，I DSS ≈2mA ； 图(d)：耗尽型型N 沟道MOS 管，V GS(off)≈-3V ，I DSS ≈3mA 。
题1.2.8 场效应管的漏极特性曲线同图题1.2.7(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线()GS D v f i =。
解： 在漏极特性曲线上，取某一V DS 下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了V GS 和I D 的大小，如此逐点作出，连接成曲线，就是该管子的转移特性了，针对4种特性曲线的转移特性分别如图1.3.2所示。
图1.3.2题1.2.9 图题1.2.9所示为场效应管的转移特性曲线。
试问： （1）DSS I 、P V 值为多大？（2）根据给定曲线，估算当mA i D 5.1=和mA i D 9.3=时，m g 约为多少？ （3）根据m g 的定义：GSDm v d i d g =，计算V v GS 1-=和V v GS 3-=时相对应的m g 值。
解： (1) I DSS =5.5mA ，V GS(off)=-5V ；(2) I D =1.5mA 时，g m ≈0.88ms ，I D =3.9mA 时，g m ≈1.76ms ； (3) v GS =-1V 时，g m ≈0.88ms ，v GS =-3V 时，g m ≈1.76ms 。
图题1.2.9题1.2.10 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.2.10(a)和(b)所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并粗略估计V P 或V T 值，以及V v DS 5=时的I DSS 或I DO 值。
解： 图(a)：耗尽型PMOS 管，V GS(off)=3V ；当V DS =5V 时，I DSS =2mA ；图(b)：增强型PMOS 管，V GS(th)=-4V ；当V DS =5V 时，I DO ≈1.8mA 。
题1.2.11 某MOS 场效应管的漏极特性如图题1.2.11所示。
试画出V v DS 9=时的转移特性曲线，并定性分析跨导m g 与D i 的关系。
解： 在V DS =9V 处作一垂直线，与各V GS 下的输出特性曲线相交，各交点决定了V GS 和I D ，从而逐点描绘转移特性曲线，如图1.3.5所示。
从转移特性曲线的某一点作切线，可得g m 的大小。
图题 1.2.10图题1.2.11图1.3.5题 1.2.12 由P 沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.2.12(a)、(b)中。
在V V I 10-=，Ω=k R 10，Ω=k R d 5，GS V 分别为0 V 、1 V 、2 V 、3 V 时，求电路输出V O 值各为多少？图题1.2.12解： 当V I = 10V ，R=10k Ω，R d =5k Ω时，场效应管工作在可变电阻区上。
当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，R DS 分别为0.83k Ω、1k Ω、1.25k Ω、1.67k Ω。
而输出电压为I d DS dDS O V R R R R R V +++=所以当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，相应的输出电压分别为3.68V 、3.75V 、3.84V 、4.0V 。
题1.2.13 总结各种类型FET 的偏置条件：（1）说明场效应管处于可变电阻区、恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指DS v 、GS v 和D i ）。
（2）为保证工作于放大区，DS v 和GS v 的极性应如何设置？[在题表1.2.13(a)和题表1.2.13(b)中打“√”]。
解：(1) 可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，V DS ＜V GS-V GS(th)，I D 随V DS 增加而较快增加。
恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，V DS ＞V GS -V GS(th)，V GS ＞V GS(th)，I D 基本不随V DS 增加而增大。
截止区：场效应管的沟道被完全夹断，V GS ＜V GS(th)，I D =0，V DS =V DD 。
(注：指增强型NMOS 管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)。