第3章-逻辑门电路案.doc

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《数字电子技术基本教程第》阎石习题详解

《数字电子技术基本教程第》阎石习题详解
vI/V vO/V
51Ω 1.5KΩ 100KΩ ∞
0
0
0 不定
5
5
5 不定
图 2.44 习题 2-3 电路图
图 2.45
3.16 答案:
RP(m a x)
VCC VOH nIOH IL
5 3.6 2 0.1103 3 20106 5.4K
RP(m in)
VOH mI IH

10106
5 3.5 3 1106
6

41.7K
RP(m in)
VDD VOL IOL(max) mI IL

5 0.3 4103 1106
6
1.2K
图 2.53 习题 2-17 图
3.13 答案:
图 2.44 习题 2-3 电路图
vI1/V 悬空 接地 51Ω 3.6 50KΩ 0.2 vI2/V 1.4V 0V 0V 1.4V 1.4V 0.2V
2.7 答案:
0
1
1
0
0
1
高阻态
0 0
1
2.8 答案: 1
1 0
0
1
0 0
1
2.9 答案:
图 2.48 习题 2-9 图
2.12 答案:
F A B AB AB 1 B 1 B B
最多可以接10个同样的门电路
图 2.55 习题 2-19 图
3.20 答案:
IOH(max) 0.4mA
IIH(max) 20 A
IOL(max) 8mA IIH(max) 0.4mA
2nIIH(max) IOH(max)
n
IOH (max) 2I IH(max)

数字逻辑第3章 门电路

数字逻辑第3章 门电路

逻辑式:Y=A + B
逻辑符号: A 1
B
Y
电压关系表
uA uB uY
0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
真值表
ABY
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
三、三极管非门
5V
利用二极管的压降为0.7V, 保证输入电压在1V以下时,
电路可靠地截止。
A(V) Y(V) <0.8 5 >2 0.2
II H &
II L &
… …
NOH
I OH (max) I IH
N MIN ( NOH , NOL )
NOL
IOL(max) I IL
六、CMOS漏极开路门(OD)门电路(Open Drain)
1 . 问题的提出
普通门电路
在工程实践中,往往需要将两个门的输出端 能否“线与”?
并联以实现“与”逻辑功能,称为“ 线与 。
输入 0 10% tr tf
tPHL
输出
tPLH
tr:上升时间
tf:下降时间 tw:脉冲宽度 tPHL:导通传输时间
tPLH:截止传输时间
平均传输延迟时间 (Propagation delay)
tpd= tpHL+ tpLH 2
5、功耗: 静态功耗:电路的输出没有状态转换时的功耗。 动态功耗:电路在输出发生状态转换时的功耗。
PMOS
NMOS
3、增强型MOSFET的开关特性
iD管可变子类型恒
VGS1 击开/关的条(件1)N沟道增强开型/M关O的S等FE效T电:路

数字电路教案-阎石-第三章-逻辑门电路

数字电路教案-阎石-第三章-逻辑门电路

第3章逻辑门电路3.1 概述逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。

简称门电路.用逻辑1和0 分别来表示电子电路中的高、低电平的逻辑赋值方式,称为正逻辑,目前在数字技术中,大都采用正逻辑工作;若用低、高电平来表示,则称为负逻辑。

本课程采用正逻辑。

获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态.在数字集成电路的发展过程中,同时存在着两种类型器件的发展。

一种是由三极管组成的双极型集成电路,例如晶体管-晶体管逻辑电路(简称TTL电路)及射极耦合逻辑电路(简称ECL电路).另一种是由MOS管组成的单极型集成电路,例如N-MOS逻辑电路和互补MOS(简称COMS)逻辑电路。

3。

2 分立元件门电路3。

3.1二极管的开关特性3.2.2三极管的开关特性NPN型三极管截止、放大、饱和3种工作状态的特点工作状态截止放大饱和条件i B=0 0<i B<I BS i B>I BS工作特点偏置情况发射结反偏集电结反偏u BE〈0,u BC〈0发射结正偏集电结反偏u BE>0,u BC〈0发射结正偏集电结正偏u BE〉0,u BC〉集电极电流i C=0 i C=βi B i C=I CSce间电压u CE=V CC u CE=V CC-i C R cu CE=U CES=0.3Vce间等效电阻很大,相当开关断开可变很小,相当开关闭合3.2。

3二极管门电路1、二极管与门2、二极管或门u A u B u Y D1D20V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V0V4。

3V4。

3V4.3V截止截止截止导通导通截止导通导通3。

2.4三极管非门3。

2。

5组合逻辑门电路1、与非门电路2、或非门电路3.3 集成逻辑门电路一、TTL与非门1、电路结构(1)抗饱和三极管作用:使三极管工作在浅饱和状态。

因为三极管饱和越深,其工作速度越慢,为了提高工作速度,需要采用抗饱和三极管。

构成:在普通三极管的基极B和集电极C之间并接了一个肖特基二极管(简称SBD)。

数字模拟电路---第三章 逻辑门电路(1)

数字模拟电路---第三章 逻辑门电路(1)

路。

简称门电路。

5V一、TTL 与非门图3-1 典型TTL 与非门电路3.2 TTL 集成门电路•数字集成电路中应用最广的为TTL 电路(Transister-Transister-Logic 的缩写)•由若干晶体三极管、二极管和电阻组成,TTL 集成电路有54/74系列 ①输出高电平UOH 和输出低电平UOL 。

 •输出高电平U OH:至少有一个输入端接低电平时的输出电平。

•输出低电平U OL:输入全为高电平时的输出电平。

• 电压传输特性的截止区的输出电压UOH=3.6V,饱和区的输出电压UOL=0.3V。

一般产品规定U OH≥2.4V、U OL<0.4V时即为合格。

 二、TTL与非门的特性参数③开门电平U ON 和关门电平U OFF 。

 开门电平U ON 是保证输出电平达到额定低电平(0.3V )时,所允许输入高电平的最低值,表示使与非门开通的最小输入电平。

通常U ON =1.4V ,一般产品规定U ON ≤1.8V 。

 关门电平U OFF 是保证输出电平为额定高电平(2.7V 左右)时,允许输入低电平的最大值,表示与非门关断所允许的最大输入电平。

通常U OFF ≈1V ,一般产品要求U OFF ≥0.8V 。

5). 扇入系数Ni和扇出系数N O 是指与非门的输入端数目。

扇入系数Ni是指与非门输出端连接同类门的个数。

反扇出系数NO映了与非门的带负载能力。

6)输入短路电流I IS 。

 当与非门的一个输入端接地而其余输入端悬空时,流过接地输入端的电流称为输入短路电流。

7)8)平均功耗P 指在空载条件下工作时所消耗的电功率。

三、TTL门电路的改进 74LS系列 性能比较好的门电路应该是工作速度既快,功耗又小的门电路。

因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗—延迟积或pd积)来评价门电路性能的优劣。

74LS系列又称低功耗肖特基系列。

74LS系列是功耗延迟积较小的系列(一般t pd<5 ns,功耗仅有2 mW) 并得到广泛应用。

第 三 章 逻辑门电路

第 三 章 逻辑门电路

是构成数字电路的基本单元之一
CMOS 集成门电路 用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。
TTL 集成门电路 输入端和输出端都用 三极管的逻辑门电路。
CMOS 即 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor TTL 即 Transistor-Transistor Logic 按功能特点不同分 普通门 输出 三态门 CMOS (推拉式输出) 开路门 传输门 EXIT
CE(sat) CE
B
C
uI 增大使 uBE > Uth 时,三极管开始导通, iB > 0,三极管工作于放 大导通状态。
uBE < Uth E
三极管 截止状态 等效电路
EXIT
iC 临界饱和线 M T IC(sat) + uBE S Q
放大区
IB(sat)
uI=UIH
饱 和 区
O UCE(sat)
t
uI 负跳变到 iC 下降到 0.1IC(sat) 所需的时间 toff 称 为三极管关断时间。 通常 toff > ton
UCE(sat) O
开关时间主要由于电 通常工作频率不高时, 荷存储效应引起,要提高 可忽略开关时间,而工作 开关速度,必须降低三极 频率高时,必须考虑开关 管饱和深度,加速基区存 速度是否合适,否则导致 储电荷的消散。 不能正常工作。 EXIT t
iB 0,iC 0,C、E 间相当 于开关断开。
三极管 截止状态 等效电路
E
Uth为门限电压 EXIT
iC u S 为放大和饱和的交界点,这时的临界饱和线I 增大使 iB 增大, 放大区 从而工作点上移, iC 增 iB 称临界饱和基极电流,用 IB(sat) 表示; M T 相应地,IC(sat) 为临界饱和集电极电流; S 大,uCEI减小。 IC(sat) B(sat) UBE(sat) 为饱和基极电压; 饱 Q UCE(sat) 为饱和集电极电压。对硅管, 和 截止区 UBE(sat) 0.7V, UCE(sat) 0.3V。在临 A 区 界饱和点三极管仍然具有放大作用。 U O N u

第 3 章 逻辑门电路总结

第 3 章 逻辑门电路总结

EXIT
逻辑门电路
一、三极管的开关作用及其条件
iC 临界饱和线 M T IC(sat) S
放大区
IB(sat)
uI=UIL
三极管为什么能用作开关? 饱 Q + 怎样控制它的开和关? uBE 和 区
O UCE(sat) B uBE < Uth
负载线
A N C
截止区
uCE
三极管关断的条件和等效电路
当输入 uI 为低电平,使 uBE < Uth时,三极管截止。
逻辑门电路
第3章
逻辑门电路
概 述 三极管的开关特性
TTL 集成逻辑门 CMOS 集成逻辑门 集成逻辑门的应用
本章小结
EXIT
逻辑门电路
3.1
主要要求:
概 述
了解逻辑门电路的作用和常用类型。 理解高电平信号和低电平信号的含义。
EXIT
逻辑门电路
一、门电路的作用和常用类型
按逻辑功能不同分 指用以实现基本逻辑关系和 门电路 (Gate Circuit) 常用复合逻辑关系的电子电路。 与门 或门 非门 异或门 与非门 或非门 与或非门 按电路结构不同分
上例中三极管反相 器的工作波形是理想波 形,实际波形为 :
t
UCE(sat) O
EXIT
逻辑门电路
二、三极管的动态开关特性
uI
UIH
UIL O iC 0.9IC(sat) IC(sat) 0.1IC(sat) O uO VCC ton toff t
uI 正跳变到 iC 上升到 0.9IC(sat) 所需的时间 ton 称 为三极管开通时间。
逻辑门电路
(2) 对应输入波形画出输出波形 三极管截止时, iC 0,uO +5 V 三极管饱和时, uO UCE(sat) 0.3 V

数字电子技术基础第三章逻辑门电路

数字电子技术基础第三章逻辑门电路
ts 的大小是影响三极管速度的最主要因素,要提高三极 管的开关速度就要设法缩短ton与toff ,特别是要缩短ts 。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
3.MOS管的开关特性
A、MOS管静态开关特性
在数字电路中,MOS管也是作为 开关元件使用,一般采用增强型的 MOS管组成开关电路,并由栅源电压 uGS控制MOS管的导通和截止。
时间。
toff = ts +tf 关断时间toff:从输入信号负跃变的瞬间,到iC 下降到 0.1ICmax所经历的时间。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
2.三极管的开关特性
B、晶体三极管动态开关特性
ton和toff一般约在几十纳秒(ns=10-9 s)范围。通常都
有toff > ton,而且ts > tf 。
0 .3V 3 .6V 3 .6V
1V 5V
3 .6V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
3 .6V 3 .6V 3 .6V
2.1V
0 .3V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
❖ 2.教学重点:不同元器件的静态开关特性,分立元件门电路 和组合门电路,TTL和CMOS集成逻辑门电路基本功能和电气特 性。
❖ 3.教学难点:组合逻辑门电路、TTL和CMOS集成逻辑门4.课时 安排: 第一节 常见元器件的开关特性 第二节 基本逻辑门电路 第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路

电子教案数字电子技术第三章组合逻辑电路XX1

电子教案数字电子技术第三章组合逻辑电路XX1
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
3rew
演讲完毕,谢谢听讲!
再见,see you again
2020/11/28
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
•解:(1)列出真值表:
(2)由真值表写出各输出的逻辑表达式为:
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
• 重新整理 得:
• (3)由表达式 画
• 出逻辑图:
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
• (4)增加控制使能标志GS :
• 当按下S0~ S9
• 任意一个键 时,
• GS=1,表示 有
例4.3.1 试用8选1数据选择器74151实现逻辑函数:
解:将逻辑函数转换成 最小项表达式:
=m3+m5+m6+m7 画出连线图。
电子教案数字子技术第三章组合逻 辑电路XX1
(2)当逻辑函数的变量个数大于数据选择器的地址输入变 量个数时。 例4.3.2 试用4选1数据选择器实现逻辑函数: 解:将A、B接到地址输入端,C加到适当的数据输入端。 作出逻辑函数L的真值表,根据真值表画出连线图。
按内部连接方式不同,七段数字显示器分为共阴极和共阳极两 种。
2.七段显示译码器7448 七段显示译码器7448是一种 与共阴极数字显示器配合 使用的集成译码器。
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
•7448的逻辑功能: (1)正常译码显示。LT=1,BI/RBO=1时,对输入为十
如果想用与非门组成半加器,则将上式用代数法变换 成与非形式:
由此画出用与非门组成的半加器。
电子教案数字电子技术第三章组合逻 辑电路XX1
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3 逻辑门电路3.1 MOS 逻辑门电路3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。

解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。

从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ,I OL =8mA ,I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ,I IL =0.1mA ,其实省略了表示电流流向的符号。

(1) 根据(3.1.4)和式(3.1.5)计算扇出数74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA ===所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。

(2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 8800.1OL OL IL I mA N I mA === 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。

3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。

解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题3.1.4(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。

N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。

当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。

对于图题3.1.4(a ),GS V =5V ,DS v =5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。

对于图题3.1.4(c ),GS V =0V <V T ,所以MOS 管处于截止状态。

P 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为负。

当GS V >V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≤V T ,且DS v ≤(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。

对于图题3.1.4(b ),GS V =0V >﹣2V ,该MOS 管处于截止状态。

对于图题3.1.4(d ),GS V =-5V ,GS V =﹣5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。

3.1.5 为什么说74HC 系列CMOS 与非门在﹢5V 电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0:(1)输入端接地;(2)输入端低于1.5V 的电源;(3)输入端同类与非门的输出低电压0.1V ;(4)输入端接10k Ω的电阻到地。

解:对于74HC 系列CMOS 门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:V OL =0.1V , V IL =1.5V 。

因此,有:(1) I v =0<V IL =1.5V ,属于逻辑0。

(2) I v <1.5V=V IL ,属于逻辑0。

(3) I v =0.1V <V IL =1.5V ,属于逻辑0。

(4) 由于CMOS 管得栅极电流非常小,通常小于1uA ,在10k Ω电阻上产生的压降小于10mV 即I v <0.01V <V IL =1.5V ,故亦属于逻辑0。

3.1.6 试分析图题3.1.6所示的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路?解:该电路由两部分组成,如图题3.1.6所示,细线左边为一级与非门,虚线右边组成与或非门,其中T 1N 和T 2N 并联实现与功能,两者再与T 3N 串联实现或功能。

与非门的输出X AB =。

与或非门的输出L 为()()L A B X A B AB AB AB AB =+=+=+=该电路实现同或功能。

3.1.7 求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式。

解:图题3.1.7所示电路中,1234,,,L AB L BC L D L ===实现与功能,即4123L L L L =⋅⋅,而4L L E =⋅,所以输出逻辑表达式为L AB BC D E =⋅⋅⋅。

3.1.8 用三个漏极开路与非门74HC03和一个TTL 与非门74LS00实现图题3.1.7所示的电路,已知CMOS 管截止时的漏电流I OZ =5uA, 试计算R P(min)和R P(max)。

解:第一级的两个与非门和一个非门用漏极开路与非门74HC03组成,第二级的与非门用TTL 与非门74LS00实现。

从附录A 查得74HC 系列的参数为:V OL(max)=0.33V ,I OL(max)=4 mA ,V OH(min)=3.84V ;74LS 系列的参数为:I IL(max)=0.4mA ,I IH(max)=0.02mA 。

因为三个漏极开路门的公共上拉电阻R P 的下端74LS00的一个输入端,即:在灌电流情况下,求出R P 的最小值:(max)(min)(max)()(50.33) 1.3(40.4)DD OL p OL IL total V V V R k I I mA--==≈Ω-- 在拉电流情况下,求出R P 的最大值(min)(max)()()(5 3.84)33.1(0.00530.02)DD OH p OZ total IH total V V V R k I I mA--==≈Ω+⨯+ 3.1.9 .图题.3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n 个三态门的输出接数据传输总线,D 1、D 2、…、n D 为数据输入端,CS 1、CS 2、…、i CS 为片选信号输入端。

试问:(1)CS 信号如何进行控制,以便数据D 1、D 2、…、n D 通过该总线进行正常传输;(2)CS 信号能否有两个或两个以上同时有效?如果CS 出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况?(3)如果CS 信号均无效,总线处在什么状态?解:(1)根据图题3.1.9可知,片选信号CS 1、CS 2、…、i CS 为高电平有效,当i CS =1时,第i 个三态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上。

根据数据传输的速度,分时地给CS 1、CS 2、…、i CS 端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上。

(2)CS 信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突。

即总线不能同时既为0又为1。

(3)如果所有CS 信号均无效,总线处于高阻状态。

3.1.10 某厂生产的双互补对及反相器(4007)引出端如图题3.1.10所示,试分别连接:(1)三个反相器;(2)三输入端或非门;(3)三输入端与非门;(4)或与非门[()L C A B =+];(5)传输门(一个非门控制两个传输门分时传送)。

解:(1)三个反相器将图题3.1.10所示电路按下列方式连接,可以得到三个反相器。

①8、13相连,6端为输入,8端为输出,14端接V DD,7端接地;②1、5相连,3端为输入,5端为输出,2端接V DD,4端接地;③10端为输入,12端为输出,11端接V DD,9端接地。

(2)三输入端或非门电路图如图题解3.1.10(a)所示。

(3)三输入端与非门电路图如图题解3.1.10(b)所示。

(4)或与非门电路图如图题解3.1.10(c)所示。

(5)传输门电路图如图题解3.1.10(d)所示,由6端输入的信号控制TG1、TG2、分时传送数据。

6端接低电平时,TG1、导通,2端得数据传送到12端;6端接高电平时,TG2导通,4端得数据传送到12端。

3.1.11试分析图题3.1.11所示某CMOS器件的电路,写出其逻辑表达式,说明它是什么逻辑电路。

解:电路由两个输入反相器、一个输出反相器、一个传输门T1、T2、和T3构成的电路组成。

传输门由B和B控制,当B=0时传输门导通,当B=1时传输门截止。

T1、T2、和T3构成电路的工作状态由B控制,当B=1时T1、T3均截止,T1、T2、和T3构成的电路不工作;当B=0时T1、T3均导通,T1、T2和T3构成的电路工作,并且起反相作用,其输出等于A。

综上所述,当B=0时,T1、T2、和T3构成的电路不工作,传输门导通,输出L=A;当B=1=。

列出真值表如表题解3.1.11时T1、T2、和T3构成的电路工作,传输门截止,输出L A=+=⊕,故电路为异或门电路。

所示。

其逻辑表达式L AB AB A B3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能。

解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时,T P2和T N2均导通,T P1和=;当EN=1时,T P2和T N2均截止,无论A为高电平T N2构成的的反相器正常工作,L A还是低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。

图题3.1.12(b)所示的CMOS电路,EN=0时,T P2导通,或非门打开,T P1和T N1构成的反相器正常工作,L=A;当EN=1时,T P2截止,或非门输出低电平,使T N1截止,输出端处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其标示符号如图题解3.1.12(b)所示。

同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门,其标示符号分别如图题解3.1.12(c)和图题解3.1.12(d )所示。

3.1.13 试分析图题3.1.13所示传输门的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路。

解:对于图题3.1.13所示的电路,输入信号A 作为传输门的控制信号,输入信号B 通过传输门与输出L 相连。

当A=0时,传输门TG 1导通,TG 2断开,L=B ;当A=1时,传输门TG 1断开,TG 2导通,L B =;其真值表如表题解3.1.13所示,该电路实现异或功能,L A B =⊕。

3.1.14 由CMOS 传输门构成的电路如图题3.1.14所示,试列出其真值表,说明该电路的逻辑功能。

解:当CS=1时,4个传输门均为断开状态,输出处于高阻状态。

当CS=0时,4个传输门的工作状态由A 和B 决定,A=B=0时,TG 1和TG 2导通,TG 3和TG 4截止,L=1。

依此分析电路可以列出真值表如表题解3.1.14所示,根据真值表可得L A B =+。

该电路实现三态输出的2输入的或非功能。

3.2 TTL逻辑门电路3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端接10kΩ电阻到地。

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