铁电材料的研究热点
铁电材料的研究热点
铁电材料的研究热点摘要：铁电材料具有优秀的电学性能，其电子元件集成度高、能耗小、响应速度快。
目前研究者将铁电材料同其它技术相结合，使新诞生的集成铁电材料性能更为优秀。
本文介绍了有压电材料、储能用铁电介质材料、有机铁电薄膜材料、多铁性材料、铁电阻变材料的研究状况。
关键词：铁电；压电材料；铁电储能；有机铁电薄膜材料；多铁性材料；铁电阻变1 铁电材料的研究背景铁电体早在20世纪40年代就引起物理学界的关注，但由于大快铁电晶体材料不易薄膜化，与半导体和金属不相兼容，使其未能在材料和信息领域扮演重要的角色，随着薄膜技术的发展，克服了制备高质量铁电薄膜的技术障碍，特别是能在不同衬底材料上沉积高质量的外延或择优取向的薄膜，使铁电薄膜技术和半导体技术的兼容成为可能。
由于人工铁电材料种类的不断扩大，特别是铁电薄膜技术和微电子集成技术长足发展，也对铁电材料提出了小型化，集成化等更高要求，正是在这样的研究背景下，传统的半导体材料和陶瓷材料结合而形成新的叫交叉学科——集成铁电学（Integrated Ferroc-Icctrics）出现了，并由此使铁电材料及其热释电器件的研究开发呈现了两个特点：①是由体材料组成的器件向薄膜器件过渡；②是由分立器件向集成化器件发展。
集成铁电体是凝聚态物理和固态电子学领域的热门课题之一。
铁电材料有着丰富的物理内涵，除了具备铁电性之外，还具有压电性、介电性、热释电性、光电效应、声光效应、光折变效应以及非线性光学效应等众多性能，可用于制备电容器件、压力传感器、铁电存储器、波导管、光学存储器等一系列电子元件，铁电材料因其广阔的应用前景而倍受关注。
目前的铁电器件往往仅单独用到了铁电材料中的单一性能，如压电性或者热释电性。
将铁电材料中的性能综合在一起或者将铁点技术同半导体等其他技术结合在一起的集成铁电材料有着更为强大的功能。
铁电材料的研究进展主要包括[1]：①提高现有材料的单一性能，儒压电材料中准同型相界以及合适的晶格取向会大幅度提高压电系数。
铁电材料的制备及其铁电性能研究
铁电材料的制备及其铁电性能研究铁电材料是指具有铁电性质的材料，铁电性质是指在外加电场下，材料会发生极性翻转，即正负极性相互转换。
这种性质使铁电材料广泛应用于存储器、传感器、激光器、换能器、电容器等领域。
本文将介绍铁电材料的制备方法及其铁电性能研究。
一、铁电材料的制备方法1.溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种低温热处理制备铁电材料的方法。
首先，将合适比例的金属盐溶解在水和有机物的混合液中，然后使之脱水凝固，得到凝胶。
接着，将凝胶热处理干燥，形成透明的玻璃状材料。
该方法制备的铁电材料具有良好的机械性能和化学稳定性。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是一种高温热处理制备铁电材料的方法。
在该方法中，通过激光或者热蒸发等方式将材料原子或分子蒸发，沉积在基底上，形成薄膜结构。
该方法具有工艺简单、生产效率高等优点，可以制备出高质量的铁电薄膜材料。
3.气相沉积法气相沉积法是一种制备铁电材料薄膜的方法，通过气体反应沉积铁电薄膜。
该方法可以制备出大面积、高质量、低成本的铁电薄膜。
在该方法中，可以通过改变反应条件来控制铁电薄膜的性能，如薄膜的微观结构和组分等。
二、铁电材料的铁电性能研究研究铁电材料的铁电性能是了解材料电性能的一种重要手段。
以下是常用的铁电性能研究方法。
1.压电测试压电测试是通过在机械应力下测量铁电材料的电感生成能力来研究铁电性质。
在该测试中，将电极夹在铁电材料两端，给材料施加机械压力后，测量材料中电极间电势差的变化，进而计算出电感。
2.电容测试电容测试是一种测量铁电材料铁电性能的方法。
在该测试中，先将材料置于电场中，并在电场强度不断增大的过程中测量材料的电容变化，进而计算出材料的介电常数与电容变化量之间的关系。
通过电容测试可以了解材料的介电常数、铁电极化强度和耐电压强度等参数。
3.极化测试极化测试是一种研究材料极化行为的方法。
该测试中，通过在外场的作用下，测量材料中电极间电势差，进而计算出铁电极化强度的大小。
铁电材料的性质与应用研究
铁电材料的性质与应用研究随着科学和技术的不断发展，越来越多的材料在各个领域得到了应用。
其中，铁电材料是近年来备受关注的一类材料。
它具有一些特殊的性质，可以应用在许多领域，例如电子、通讯、能源等。
本文将对铁电材料的性质和应用进行介绍和分析。
一、铁电材料的性质铁电材料最重要的性质是它们可以在电场作用下表现出电偶极矩。
这意味着它们可以根据电场的变化而改变自己的极性，这使得它们成为许多应用领域的理想选择。
铁电材料的另一个特点是，它们可以通过外加电场来实现电荷的分离，这里的电荷分离指的是正负电荷的分离。
对于某些应用，这意味着电子可以被有效地捕获和传输，这使得铁电材料成为一个特殊的有催化性质的材料。
铁电材料一般可以分为单晶体和多晶体两类，其中单晶体的性质更好。
铁电材料还应该具有较高的饱和极化强度（即较低的居里温度）和较高的压电系数。
铁电材料的物理性质和化学性质也因其化学组成而异。
铁电材料可以被制成不同的形态、大小和形状，包括薄膜、纳米颗粒、多孔材料和复合材料等。
二、铁电材料的应用铁电材料因其所具备的特殊性质而成为许多领域的研究热点和工业生产中不可或缺的材料。
下面将介绍一些典型的应用领域：1、电子货币铁电材料的电偶极矩使其成为非易失性记忆体（NVM）的理想候选材料。
这项技术可以用于智能卡和电子商务中，成为一种电子存储和交易的快速、安全和方便的方式。
铁电材料的使用可以大大提高数据存储和检索的速度和可靠性。
2、传感器铁电材料的压电效应使其成为感应器和执行器的好选择。
铁电材料的压电效应指的是在加电场或机械应力等条件下，铁电材料的形态、大小或形状等会发生变化。
压电效应可以被应用于感应器中，用于检测温度、压力、体积、加速度、重力和声音等变化。
3、储能铁电材料具有高能储存能力，可以用作高能物质的储存材料，例如储存在电容器中的电能。
此外，铁电材料的电调谐水平可以被调整，使其成为电致储能材料的理想选择。
铁电材料的成本相对较低，这使其成为储存能源的一种可行选择。
铁电材料的制备与性能研究
铁电材料的制备与性能研究铁电材料是指在外电场作用下，能够产生电偏极矩而发生电极化的材料。
它们具有许多独特的物理和化学性质，因此被广泛地应用于电子、信息科学等领域。
铁电材料的制备与性能研究一直是热门的研究方向之一，本文就此进行探讨。
制备方法铁电材料的制备方法是多种多样的，常见的方法包括热压、液相法、气相法、溶胶-凝胶法、水热法等。
这里我们简要介绍其中几种方法。
热压法：热压法是将粉末填充进高温高压设备中，在一定的温度和压力下进行热压，使粉末结晶并形成石墨烯。
这种方法具有操作简单、成本低等优点，但是精度较低，需要进行后续的热处理。
液相法：液相法是通过溶液中的化学反应，制备出所需的铁电材料。
常见的液相法包括水热法和溶液法。
水热法的原理是将需要制备的化合物放入反应釜中，加入一定量的溶液，并加热到高温高压状态下进行反应。
溶液法则是将化合物溶解在水或有机溶剂中，迅速混合并经过去离子水/溶剂后，利用特定条件形成纳米颗粒或薄膜。
气相法：气相法主要有化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD）。
CVD主要是利用化学反应在升高温度的环境下，在载气中加入金属或前体有机物，再让其在沉积器内形成膜。
PVD则是将待沉积材料制成靶，并在真空环境下通过离子轰击等方式，让材料以原子或微粒子的形式由靶材上沉积到基底上。
性能研究铁电材料具有良好的铁电性能，且具有压电、热电、光电等多种性质，可应用于材料、传感、储存、显示等多个领域。
因此，对铁电材料的性能研究也是重要的。
铁电性能：铁电性能指材料在外加电场下产生极化，当外力消失时，该材料仍能够维持所产生的极化状态。
通过电滞回线图，可以了解铁电相的情况，并对铁电材料做出鉴别。
压电性能：压电效应是指材料在外压力下产生电荷。
铁电材料具有压电性能，可以应用于超声波、传感等领域。
通过测试材料产生的电荷与加在材料上的外力值，可以评估材料的压电性能。
热电性能：热电效应是指材料在温度梯度下产生电荷。
铁电材料的应用及其机制研究
铁电材料的应用及其机制研究铁电材料是一类具有独特电学性质的材料，具有晶体对称性中心的铁电晶体，在外电场或机械应力作用下可以发生电极化，在电场消失时仍能保持电极化状态，具有永久电性。
铁电材料的广泛应用已经成为了当前材料学及电子学领域的研究热点。
一、铁电材料的应用铁电材料的使用范围非常广阔，从蓝牙无线耳机到高端军事夜视设备，都有着铁电材料的身影。
1. 贝壳层材料目前大多数识别在商业上使用的贝壳层材料皆使用铁电材料，贝壳层材料是指碳纳米管包裹的，长有刺状物业的材料。
铁电材料由于其独特的电学性质，在贝壳层材料中起到了响应电子的作用，从而实现了一类电子描述在管道内穿行行为的有力工具。
2. 人机界面技术机器人、电脑软件和科幻电影中的交互方式一样，都需要一个理想的人机界面。
铁电材料结合触摸屏技术实现了最热门交互方式。
基于铁电材料的触摸屏排除了若干传统触摸屏的弱点，如传统的电容触屏大大受到皮肤的影响，而铁电材料在触摸的时候一般不会受到肤色亮度、湿度的影响。
3. 地下探测器铁电材料在分析地下管道以及检查铁路、公路、电力线、建筑物和其他类似物质的压力探测器方面发挥了重大作用。
铁电材料通过先进的轻质探测器，快速地检测压力，并将其传播到软件系统，以确定任何变化，使得在地下是察觉到缺陷的地下管道的检测变得更加容易。
4. 高密度储存介质铁电材料的高密度储存中最具代表性的是最早的DVD光盘，铁电材料是通过储存功能的储存介质硬度、密度和稳定性而实现的。
铁电材料的原型成为了DVD等高清储存介质，让我们在家中就可以享受一些高清大片了。
二、铁电材料的机制研究铁电材料的研究，主要包括铁电性质，材料的合成及其性质、其它学科的各种经验相关性，和铁电材料的应用。
铁电材料工作机制是铁电学的一部分，铁电学是研究铁电材料的产生、发展和应用的学科。
以下是铁电材料的机制研究几个方面：1. 基础知识铁电材料主要是由离子化合物组成的晶体，同时铁电性的主要施加在晶体中心点与化合物能量的比较中。
铁电材料的性能研究和优化
铁电材料的性能研究和优化铁电材料是近年来备受关注的一类功能材料。
它具有电极化反转和pi电荷重分布的特性，有很高的压电和介电常数，在微电子电路、数据存储和传感器等领域有广泛的应用前景。
然而，铁电材料的性能优化仍是一个挑战，探索如何有效地提高其性能是当前铁电材料研究的热点和难点之一。
在本文中，我将围绕铁电材料的性能研究和优化这一主题进行讨论。
一、铁电材料的结构和性质铁电材料是一类具有铁电性质的无机材料，具有多晶、单晶或薄膜等多种形态。
在其结构上，铁电材料通常采用ABO3的结构，其中A代表Ba、Sr等极性大正离子，B代表Ti、Zr等过渡金属离子，O代表氧离子。
由于这种结构中B离子的电子结构，铁电材料在外电场作用下会表现出自发的电极化反转现象，从而具有压电、介电、铁电等多种性质。
在实际应用中，铁电材料的性能取决于其微观结构、晶体缺陷、材料形貌等多个因素。
其中，晶体缺陷是影响铁电材料性能的关键因素之一。
在晶体中，不同种类的缺陷会影响材料的电导率、介电常数、压电常数等多种性质，从而影响材料在不同的应用场景中的性能表现。
二、铁电材料的性能研究方法铁电材料的性能研究和优化是一个涉及多个层面和方面的工作，需要借助多种技术手段和实验方法。
以下是一些常用的铁电材料性能研究方法：1. X射线衍射：X射线衍射是一种常用的表征材料晶体结构和微观缺陷的方法。
通过X射线衍射，可以得到材料的晶体结构、晶面间距和材料中的缺陷类型等信息。
2. 透射电镜：透射电镜是一种高分辨率的电子显微镜技术，可以用于观察材料的微观结构和缺陷形貌。
通过透射电镜，可以观察到铁电材料的晶界、位错和孪晶等缺陷，并进一步探索这些缺陷对材料性能的影响。
3. 介电和压电性能测试：介电和压电性能测试是评估铁电材料性能的主要方法之一。
在介电测试中，可以测量材料在外电场下的介电常数和介电损耗，从而评估其应用于电容器、电缆等领域的适用性。
在压电测试中，可以测量材料在外力作用下的压电常数和压电系数，从而评估其应用于超声传感器、振动器等领域的性能表现。
铁电材料结构及性质研究
铁电材料结构及性质研究近年来，铁电材料作为一种重要的功能材料受到了越来越多的关注。
铁电材料具有许多独特的性质，如铁电性、压电性、形状记忆效应等，这些性质使得铁电材料在电子器件、传感器、存储器、智能材料等领域具有广泛的应用前景。
关于铁电材料的结构和性质研究一直是当前材料科学研究的热点之一。
一、铁电材料的基本概念铁电材料是一类具有铁电性质的材料。
铁电性质是指在电场作用下产生的极化强度可保留在材料内的现象。
一般来说，铁电材料分为无机铁电材料和有机铁电材料两大类。
无机铁电材料通常是钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3、PbTiO3等。
有机铁电材料一般为高分子材料，如P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE)等。
二、铁电材料的晶体结构铁电材料的晶体结构是其性质的基础。
铁电材料的晶体结构一般可以分为两类：氧化物类型和有机类型。
1.氧化物类型氧化物类型的铁电材料一般具有钙钛矿结构，其晶格常数与离子半径相关，因此常用离子半径比法判别铁电材料。
例如，BaTiO3、PbTiO3等就是具有钙钛矿结构的典型铁电材料。
2.有机类型有机型铁电材料的晶体结构一般为棱柱型、单轴型、双轴型等。
例如，P(VDF-TrFE)的棱柱型结构，其POSS悬臂朝向呈一定的角度相对空间排列，构筑出一部分插层的晶体前景，因此PU偌成为一种近年来极具研究前景的有机铁电材料。
三、铁电材料的性质研究铁电材料具有许多独特的性质，包括铁电性、压电性、形状记忆效应等，这些性质使得铁电材料在电子器件、传感器、存储器、智能材料等领域都有很好的应用前景。
1.铁电性质铁电性是指材料在外加电场的作用下会出现极化现象。
铁电材料的铁电性质使得它在制造电容器、非挥发性存储器等方面具有广泛的应用前景。
2.压电性质压电效应是指材料在受到外力作用下产生变形，同时产生电荷分离效应的现象。
铁电材料的压电效应使得它在传感器、扫描仪等方面具有广泛的应用前景。
3.形状记忆效应形状记忆材料是指材料在受到外部刺激（如温度、电场、磁场等）时发生形状变化，再次遭到刺激后能够恢复原来形状的材料。
铁电材料的性能研究与优化
铁电材料的性能研究与优化铁电材料是一种特殊的功能材料，其具有一系列独特的物理和化学特性，例如可逆的极化、压电、热释电、非线性光学和快速电化学响应等。
在近年来，铁电材料成为了研究热点，因为它们在电子器件、储能设备、传感器和光学器件中都有广泛的应用。
因此，铁电材料的性能研究与优化具有重要意义。
1. 铁电材料的性能与微结构铁电材料是一种具有不对称晶格的物质，其在内部结构上存在一些缺陷，正负离子存在失配和空缺，因此其极化状态可以被改变。
一般来讲，铁电材料的性能与微结构密切相关。
例如，当铁电材料中的缺陷数量和分布不均匀时，它们的极化强度会降低，且难以在外界的电场中被快速极化和去极化。
因此，铁电材料的制备工艺和微观结构对其性能的影响非常重要。
2. 铁电材料的表面性质与应用表面性质是影响铁电材料性能的重要因素之一。
现代科学技术中，往往要求材料具有高度的表面稳定性，因为表面是材料与外界相互作用的接口。
铁电材料的表面性质影响着其在电子器件和传感器中的应用，影响其与其它材料的界面相互作用。
因此，铁电材料的表面性质对其性能和应用具有重要意义。
3. 铁电材料的缺陷与优化在铁电材料中，缺陷是难以避免的。
在制备和应用过程中，会出现杂质等缺陷现象。
缺陷直接影响铁电材料的性能和应用。
因此，如何减少缺陷，实现铁电材料的优化，是当前铁电材料研究领域的重点之一。
此外，人们还可以通过引入特定杂原子、制备合适的晶体结构和生长条件等方法，来优化铁电材料的缺陷。
4. 铁电材料的制备与新型材料研究为了得到性能良好的铁电材料，人们对制备工艺进行了长期的探究和研究。
现在，学界和工业界都面临着提高铁电材料制备的效率、精度和可控性的挑战。
在新型材料研究方面，人们尝试合成功能性复合材料、高分辨率电子显微镜等新的研究方法，以解决现有材料面临的问题。
总之，铁电材料的性能研究与优化具有广泛的应用前景，也是当前研究热点领域。
铁电材料的性能与微结构、表面性质、缺陷与优化、制备与新型材料研究等方面都需要进行深入的探究和研究，以实现铁电材料的优化与提升。
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铁电材料的研究热点摘要：铁电材料具有优秀的电学性能，其电子元件集成度高、能耗小、响应速度快。
目前研究者将铁电材料同其它技术相结合，使新诞生的集成铁电材料性能更为优秀。
本文介绍了有压电材料、储能用铁电介质材料、有机铁电薄膜材料、多铁性材料、铁电阻变材料的研究状况。
关键词：铁电；压电材料；铁电储能；有机铁电薄膜材料；多铁性材料；铁电阻变1 铁电材料的研究背景铁电体早在20世纪40年代就引起物理学界的关注，但由于大快铁电晶体材料不易薄膜化，与半导体和金属不相兼容，使其未能在材料和信息领域扮演重要的角色，随着薄膜技术的发展，克服了制备高质量铁电薄膜的技术障碍，特别是能在不同衬底材料上沉积高质量的外延或择优取向的薄膜，使铁电薄膜技术和半导体技术的兼容成为可能。
由于人工铁电材料种类的不断扩大，特别是铁电薄膜技术和微电子集成技术长足发展，也对铁电材料提出了小型化，集成化等更高要求，正是在这样的研究背景下，传统的半导体材料和陶瓷材料结合而形成新的叫交叉学科——集成铁电学（Integrated Ferroc-Icctrics）出现了，并由此使铁电材料及其热释电器件的研究开发呈现了两个特点：①是由体材料组成的器件向薄膜器件过渡；②是由分立器件向集成化器件发展。
集成铁电体是凝聚态物理和固态电子学领域的热门课题之一。
铁电材料有着丰富的物理内涵，除了具备铁电性之外，还具有压电性、介电性、热释电性、光电效应、声光效应、光折变效应以及非线性光学效应等众多性能，可用于制备电容器件、压力传感器、铁电存储器、波导管、光学存储器等一系列电子元件，铁电材料因其广阔的应用前景而倍受关注。
目前的铁电器件往往仅单独用到了铁电材料中的单一性能，如压电性或者热释电性。
将铁电材料中的性能综合在一起或者将铁点技术同半导体等其他技术结合在一起的集成铁电材料有着更为强大的功能。
铁电材料的研究进展主要包括[1]：①提高现有材料的单一性能，儒压电材料中准同型相界以及合适的晶格取向会大幅度提高压电系数。
②开发新型铁电材料，如存储能量的电介质和有机铁电材料。
③将铁电性同其他性能结合，包括可以实现磁电互控的具备多种初级铁性的多铁材料，以及可以通过铁电极化调控材料内部电阻的铁电阻变材料。
2 压电材料由于压电薄膜具有优异的压电效应和逆压电效应并且介电常数高，稳定性好，因此制备出来的微型传感器和驱动器等压电器件有众多优势：①在高频共振体系中，传统的高频静电驱动器虽然有很大的进展，但是这类器件不仅要求发达的图像成形技术以满足小尺寸要求的同时还要克服容易受到外界环境的巨大影响的弱点，而压电材料本身谐振频率就在MHz~GHz之间，并且有着很好的温度稳定性，工艺制造相对简单很多。
而且已经制备出了如扫描声学显微镜[2]和薄膜声波谐振器(FBAR)[3]等MEMS器件。
②微型压电传感器消除了必要的电荷或者电压之外并不需要额外动力，能耗很低并且具有宽广的动态范围和低噪音层。
③压电材料在很小的驱动电压下就能产生很大的振幅，几乎没有滞后现象，这意味着响应速度非常快，而其它的基于电流的驱动设备加热式或者磁式驱动器的反应较慢。
④在微米量级上，由于传统由电磁驱动器尺寸达不到要求，已经很难应用在MEMS上，而压电传感器却有着小尺寸，高能量集成的有点，并且像静电感应那样，压电传感器或者驱动器只需要点接触就能产生电信号，在芯片中很容易处理这些电信号。
3 储能用铁电介质材料作为脉冲功率装置的负载提供电磁能量，主要由初级能源，能量储存系统、能量转换和释放系统组成。
目前，主要有机械能储能、电化学储能、电容器储能3种方式用于脉冲功率技术的能量储存。
相对于其它储能器件，电容器储能因为具有储能密度高、能量释放速度快、可靠性高、安全性高、价格低廉以及较易容易实现轻量化和小型化等优点，因此成为目前高功率脉冲电源中应用最广的储能器件之一[3-4]。
3.1 BaTiO3基陶瓷以BaTiO3陶瓷为代表的铁电体具有较高的介电常数，是制造铁电陶瓷电容器的基础材料，也是目前国内外应用最广泛的电子陶瓷材料之一。
在介电层厚度确定的情况下，材料的介电常数越高，电容器的比电容越大，越易于实现器件的小型化。
许多研究结果表明，掺杂可以改善BaTiO3陶瓷的介电性能从而更有利于储能电容器应用，可以掺杂的元素离子包括Nd3 +，Ca2 +，Sr2 +，La3 +，Sn4 +，Zr4 +，Mg2 +，Co3 +，Nb5 +，Mn4 +和稀土离子的掺杂［5］。
最近报导了一种具有良好温度稳定性的高介电常数、高电阻率的BaTiO3-0. 3BiScO3陶瓷材料。
用该陶瓷制作的单介电层电容器室温73 kV/mm 时的储能密度达到6.1J/cm3，这显著高于X7R 商用电容器的相应性能。
并且，该电容器在300 ℃仍保持高储能密度，从而具有高储能密度高温电容器的应用潜力［6］。
3.2 SrTiO3基陶瓷SrTiO3基陶瓷具有高介电常数，低介电损耗和稳定的温度、频率和电压特性，是用于制备大容量陶瓷晶界层电容器的理想材料。
Yamaoka等研制出的系列陶瓷不仅具有优良的介电性能和显著的伏安非线性特性，而且具有吸收1 000～3 000 A /cm2这样较高电涌的能力，所以该材料兼有大容量电容器和压敏电阻器的功能。
SBBT陶瓷属于SrTiO3系，具有介电常数大，介质损耗小，击穿场强高的特点［7］。
3.3 TiO2陶瓷TiO2陶瓷具有高的耐击穿强度(～350 kV/cm) 和较高介电常数(～110)，从而具有可观的储能密度。
研究表明［8］，纳米晶TiO2陶瓷比粗晶制备的TiO2陶瓷具有更高的耐击穿强度(最高可达2 200 kV/cm)。
3.4 PMN基陶瓷以铌镁酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(简称PMN)为代表的铅基复合钙钛矿结构弛豫型铁电陶瓷，以其优良的介电、铁电性能，在多层陶瓷电容器(MLCC) 和高压高介电常数电容器等诸多方面，正越来越被各国学者所关注，具有十分广阔的应用前景。
PMN-PT［9］，PMN-PT－BT［10］也都属于PMN基的电容器材料。
4 有机铁电薄膜材料有机铁电薄膜的制备方法包括溶胶－凝胶法、旋涂法(Spin-Coating)、分子束外延技术及Langmuir-Blod-get膜技术等。
与传统的无机材料相比，有机聚合物材料具有易弯曲、柔韧性好、易加工、成本低等优点而备受关注。
作为一种新型的铁电体，铁电高分子聚合物的研究主要以聚偏氟乙烯(Poly Vinylidene Fluoride，PVDF)及其共聚物为代表。
此外，具有铁电性的聚合物材料还有聚三氟乙烯、聚氨酯和奇数尼龙等［11－13］。
有机铁电材料具有良好的压电和电致伸缩效应、热电效应、光电效应、光学非线性效应和介电响应，广泛应用于传感器、探测器、换能器、非易失性存储器等电子器件中。
这里主要介绍以聚偏氟乙烯及其共聚物为代表的铁电高分子聚合物材料在存储器中的应用。
5 多铁性材料多铁性材料指具有2种以上初级铁性体特征的材料，此类性质包括铁电性、反铁电性、铁磁性以及反铁磁性等。
多铁性材料的研究是目前材料科学及凝聚态物理中的一个宽广的新领域，蕴含着丰富的材料科学与物理学研究课题，以及可预期的广阔应用前景。
铁电存储器( FeRAMs)读写速度快、集成度高，然而存在破坏性读取和疲劳等问题。
磁致电阻随机存储器(MRAMs)的读取虽是非破坏性的，但却有读取时间较慢并且磁写入所需功率较大等缺点。
多铁性材料的出现为FeRAMs和MRAMs各自优点(低功率的电写入操作和非破坏性的磁读取操作)的融合提供了契机。
多铁性材料具有同时存在的铁电性和磁性，是一种新型多功能材料，提供了同时用电极化和磁化来编码储存信息的可能性，而且还存在磁性和电性的强耦合，可以实现磁性和电性的互相调控［14］。
6 铁电阻变材料不同于铁电材料在极化翻转过程中产生的瞬态电流，铁电极化调制铁电材料内部电阻在2009年以前鲜有报道，尚未有成熟的理论。
传统意义上，当铁电材料的电阻值在绝缘体范围，铁电极化能够被翻转，同时伴随较大的瞬态极化电流，但是穿过铁电材料自身的稳态电流(比如漏电流) 非常微弱，此时无需考虑铁电极化与铁电材料自身稳态电流的耦合关系。
当铁电材料的电阻值较小时，铁电极化难以翻转，即难以观测到铁电极化翻转与铁电材料自身稳态电流的耦合现象。
2000年前后Julian等人提出，如果铁电薄膜尺度在5 nm以下，电子可以在小于铁电矫顽场的电场作用下隧穿铁电薄膜，样品的电阻值较小，铁电薄膜的极化翻转将影响电子隧穿势能和隧穿电流［70］。
理论上，电子隧穿几率随铁电薄膜厚度的增加而指数降低，所以隧穿理论无法独立解释铁电极化如何调控10 nm以上厚度铁电样品的稳态电流。
参考文献[1]殷江，袁国亮，刘治国.铁电材料的研究进展[J].中国材料进展，2012，31(3):26-34.[2]Ito Y, Kushida K, Sugawara K, et al. A 100 MHz Ultrasonic Transducer Array Using ZnO Thin Films [J]. IEEE TUFFC, 1995, 42(2):316-323.[3]Dubois M A, Muralt P. Properties of Aluminum Nitride Thin Films for Piezoelectric Transducers and Microwave Filter Applications [J]. Appl Phys Lett, 1999,74:3032-3034.[4] Gualtieri J G, Kosinski J A, Ballato A. Piezoelectric Materials for Acoustic Wave Applications [J]. Trans UFFC,1994,41 ( 1 ) :53-58.[5] Yao Zhonghua, Liu Hanxing, Liu Yan, et al. Structure and Dielectric Behavior of Nd-Doped BaTiO3 Perovskites Materials [J]. Chem and Phys，2008,109: 475－481．[6] Hideki Ogihara, Clive A Randall, Susan Trolier-McKinstry. High-Energy Density Capacitors Utilizing 0. 7BaTiO3 -0. 3BiScO3 Ceramics [J]. J Am Ceram Soc,2009,92 ( 8 ) : 1 719－1 724．[7 ]刘斌, 王德生, 陈维等. Ba2 +浓度对SBBT 高压陶瓷电容器电击穿特性的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2002，31(6) : 480－482．[8] Ye Y, Zhang S C, Dogan F, et al. Influence of Nanocrystalline Grain Size on Breakdown Strength of Ceramic Dielectrics [C]//14th IEEE International Pulsed Power Conference. Dallas: IEEE 2003,1-2: 719-722．[9] Goel T C, KumaR Pawan, James A R, et al. Processing and Dielectric Properties of Sol-Gel Derived PMN-PT ( 68:32 ) Thin Films[J]. J Electroceram,2004,13: 503－507．[10] Syamaprasad U, Sheeja Nair A R, Sarma M S, et al. Multilayer Capacitor Ceramics in the PMN-PT-BT System: Effect of MgO and4PbO·B2O3 Additions[J]. J Mater Sci: Materials in Electronics, 1997(8) : 199－205．[11] Bune A V. Two-Dimensional Ferroelectric Films[J]. Nature，1998，391: 874－877．[12] Dawber M. Physics of Thin-Film Ferroelectric Oxides [J]. Reviews of Modern Physics, 2005, 77: 1 083－1 130．[13] Vizdrik G. Kinetics of Ferroelectric Switching in Ultrathin Films [J]. Physical Review B, 2003, 68: 94- 113．[14] Yan Zhibo. Resistance Switching Behaviors in ComplexTransition-Metal Oxides [D]. Nanjing: Nanjing University,2011．[15] Contreras J R. Resistive Switching in Metal-Ferroelectric-Metal Junctions [J]. Appl Phys Lett,2003,83: 4 595－4 597．。