电工学：第8章 半导体器件
+4
价电子填补空穴
+4
+4
+4
+4
电子移动方向
空穴移动方向
+4
+4
+4
外电场方向
二、杂质半导体
+4
通过扩散工艺，在 本征半导体中掺入微量 特定元素，便可形成杂 质半导体。
1、N 型半导体
+4
在纯净的硅或锗晶
体中掺入微量五价元素
第8章 半导体器件
内容提要
半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数 字电路，集成电路和分立元件电路的基础。本章首先介绍半导 体的特性，半导体中载流子的运动，阐明PN结的单向导电性 ，然后介绍半导体二极管、稳压管、半导体三极管及场效应管 的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
掌握器件要领10字令： 功能、结构、原理、曲线、参数
二极管的应用范围很广,它可用于整流、检波、函数发生 器、波形整形、元件保护（限幅、钳位、隔离）以及在数字 电路中作为开关元件。
四、应用举例
【例1】二极管的降压作用
~220V
RL
【例2】二极管的开关作用 D1
D2 D3
~220V
Adapter
Battery
Notebook
1. 有电时，
(1)对电池充电D2 on；(2)向负载供电；(3)电池只充电不放电
底座 负极
按材料二极管有硅 管和锗管之分
二、伏安特性 iD D
+
ID / mA
uD –
正向特性
iD= f (uD)
正向特性 ID / mAΒιβλιοθήκη 600反向特性 400
200 –100 –50
Uon
UBR
I
0 0.4 0.8 UD / V
– 0.1
击
S
– 0.2
死区
穿
6
4
2
– 80 – 40
–0.1 0 0.4
1.正向平均电流IF：是二极管长期工作时允许通过的 最大正向电流。
注意
二极管的正向平均电流不得超过此值， 否则可能使管子过热而烧坏。
2. 正向工作电压UF：二极管流过额定电流时所需的 额定正向电压。
注意
二极管导通时会有一定的正向压降， 设计电路时应当充分考虑到这一点。
3. 最高反向工作电压UR：二极管工作时允许外加的 最大反向电压。
采用不同的掺杂工艺，在同一块半导体单晶上形成 P型半导体和N型半 导体，在它们的交界面处就形成了一个PN 结。
P区
P区的空穴空向间N电区扩荷散区并与电子复合
N
区
漂移 N内区电的场电方子向向P区扩散并与空穴复合
2、 PN 结的单向导电性
（1）外加正向电压（正向偏置）
P区
外电场驱使P空区间的电空荷N穴区区进电变入窄子空进间入空间电荷区
注意
二极管的反向电压不得超过此值， 否则二极管可能因过压被击穿。
4. 反向电流IR：二极管未击穿时的反向电流。它愈小，二极管 的单向导电性愈好。由于反向电流是由少数载流子形成的，所 以其受温度的影响很大。
5. 最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。 fM的值主要 取决于PN结结电容的大小，结电容愈大，则fM愈低。利用结 电容——变容二极管
外电场方向
此时PN结截止
E
结论:
1. 当PN结正向偏置时，IF较大，PN结处于导通状态； 2. 当PN结反向偏置时，反向电流IR≈0， PN结截止；
——单向导电性 3. 反向电流IR是由少数载流子产生的，对温度非常敏感
§8–2 半导体二极管
一、基本结构
PN
D
正极
负极
1、点接触型二极管
(1) 结构
二极管方程 iD=Is(euD /UT –1)
UT：温度的电压当量。常温下，即T=300K（270C）时，UT= 26mV。
在正向段：当uD>>UT时，iD= IseuD / UT
在反向段：当| uD |>> UT时，iD –IS
三、主要参数
器件的参数是其各方面性能的定量描述，它是设计、分析 电路，选择器件的主要依据。各种器件的参数可由手册查得。
–0.2
0.8
U D/ V
反向特性
硅管的伏安特性
锗管的伏安特性
注意
二极管的伏安特性受温度的影响。如当环境温度升 高时，二极管的正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
死区电压（开启电压） Uon
Si 管：0.5V左右 Ge管：0.1V左右
正向电压
Si 管：0.6V~0.8V Ge管：0.2V~0.3V
2. 没电时，
(1) 电池放电D3 on；(2) 不能向充电器放电D1 off
正极引线
触丝 PN结 N型锗 支架 外壳 负极引线
(2) 特点
PN结的结面积小，不能通过 较大的电流，但其结电容较小（一 般在1pF以下），工作频率可高达 100MHZ以上，因此适用于高频检 波和小功率的高频整流电路。
2. 面接触型二极管
(1) 结构
正极
PN结
金锑合金
(2) 特点
PN结的结面积大， 能够通过较大的电流， 但其结电容大，因此只 能在较低的频率下工作 ，一般仅用于整流电路
一、本征半导体
+4
+4
+4
纯净的半
导体，单晶结构 ，排列整齐称为 本征半导体。它 是共价键结构
硅原子
+4
+4
+4
价电子
+4
+4
+4
本征半导体的共价键结构
在常温下自由电子和空穴的形成
+4
成对消失
复合 +4
+4
+4
+4
+4
+4
空
自由电子
穴
成对出现
+4
+4
自由电子和 空穴称为载 流子
载流子导电规律
+4
N 区 电荷区抵消一部分负抵空消间一电部荷分正空间电荷
I
扩散运动增强，形 内电场方向
成较大的正向电流， 此时PN结导通
外电场方向
E
R
（2） 外加反向电压（反向偏置）
外电场驱使多空数间载电流荷子区的两扩侧散的运空动穴难和于自进由行电子移走
空间电荷区变宽
P区
N区
IR 少数载流子越过PN结
内电场方向
R
形成很小的反向电流，
§8–1 半导体的基础知识
半导体的特性
导电能力介于导体和绝缘体之间的物体称半导体。 如：硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）以及大多数金属氧化物 和硫化物
特性
1. 温度导电能力可做成各种热敏元件 2. 受光照导电能力可做成各种光电器件 3. 掺入微量杂质导电能力（几十万~几百万倍）可制做半导 体器件。如半导体二极管、三极管、场效应及晶闸管等。
（如磷）所形成的杂质
+4
半导体称N型半导体
+4
+4
正磷原离子子
+45
+4
多余价电子
自由电子
+4
+4
2、P型半导体
+4
在纯净的硅
或锗的晶体中掺
入微量的三价元
素（如硼）所形
成的杂质半导体 称P 型半导体。
+4
+4
+4
+4
负硼原离子子
+34
+4
填补空位
+4
+4
三、 PN结
1、 PN 结的形成——扩散、漂移
电工学(目录及教学基本要求)
第13章时序逻辑电路
1.掌握基本R-S触发器的逻辑功能。 2.掌握钟控R-S触发器、J-K触发器和D触发器的逻辑 功能及触发方式。 3.理解数码寄存器和移位寄存器的工作原理。 4.理解二进制计数器和十进制计数器的工作原理。 5.理解555集成定时器的工作原理，了解用555集成定 时器组成的单稳态触发器和多谐振荡器的工作原理。
第2章交流电路
1.理解正弦交流电中频率、角频率与周期之间，瞬时值、有效值与最大值之 间，相位、初相位与相位差之间的关系。 2.理解电路基本定律的相量形式和相量图，掌握用相量法计算简单正弦交流 电路的方法。 3.理解R、L、C在交流电路中的作用。 4.掌握串联交流电路中的阻抗、阻抗模和阻抗角的计算；理解串联交流电路 中电压与电流的相量关系、有效关系和相位关系。 5.掌握串联、并联和简单混联电路的计算方法。 6.了解正弦交流电路瞬时功率的概念，理解和掌握有功功率、功率因数的概 念和计算。 7.了解无功功率和视在功率的概念，了解提高功率因数的方法及其经济意义。 8.了解正弦交流电路串联谐振和并联谐振的条件及特征。 9.了解非正弦周期信号线性电路的基本概念。
பைடு நூலகம்
第1章直流电路
1.了解电路的作用和组成。 2.理解电路模型及理想电路元件(电阻、电感、电容、电压源和 电流源)的电压-电流关系。 3.理解电压、电流参考方向的意义。 4.了解电路中的参考点的意义，掌握电位的计算。 5.了解电源的两种模型及其等效变换。 6.理解基尔霍夫定律，了解支路电流法、理解叠加定理和戴维 南定理。 7. 了解额定值和电功率的意义。 8.了解非线性电阻元件的伏安特性及静态电阻和动态电阻的概 念。了解简单非线性电阻电路的图解分析法。
第9章基本放大电路
1.了解模拟电路和数字电路的区别。 2.了解共射极、共集电极单管放大电路的组成和主要 特点；掌握静态分析和动态分析的计算方法。 3.了解多级放大的概念，掌握其静态和动态的计算方 法。 4.了解差分放大电路的电路组成，工作原理和输入输 出方式；掌握其静态和动态的计算方法。 5.了解基本互补对称放大电路的工作原理 。
电工学第8章半导体器件
第8 章半导体器件8.1二极管8.2 双极性晶体管8.3场效应管8.1 二极管8.1.1 PN结及其单向导电性导体: 自然界中很容易导电的物质.例如金属。
绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。
半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。
1. 本征半导体GeSi本征半导体的导电机理纯净的半导体。
如：硅和锗1）最外层四个价电子。
2）共价键结构+4+4+4+4共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。
共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。
+4+4+4+43）共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，在绝对0度和没有外界激収时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。
+4+4 +4+45）在热或光激収下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。
+4+4+4+4空穴束缚电子自由电子4)常温下只有少量束缚电子才能挣脱共价键束缚成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。
在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。
+4+4+4+46）自由电子和空穴的运动形成电流可见因热激収而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。
本征半导体的导电机理常温下本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。
温度越高(光照越强)→载流子的浓度越高→本征半导体的导电能力越强→热敏性,光敏性。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
电工学简明教程_第三版_课后答案
电工学简明教程_第三版_课后答案电工学简明教程（第三版）课后答案在学习电工学的过程中，课后习题的答案往往是我们检验自己知识掌握程度、巩固所学内容的重要参考。
下面，我将为大家详细呈现《电工学简明教程（第三版）》的课后答案，并对一些重点和难点问题进行解释和说明。
首先，让我们来看看电路部分的习题。
在第一章中，关于电路基本概念和定律的题目，答案的重点在于对电流、电压、电阻等基本物理量的理解和运用。
例如，在计算电路中的电流和电压时，我们需要熟练运用欧姆定律，即 I ＝ U ／ R 。
通过课后习题的练习，我们可以更好地掌握如何根据给定的电路参数求出未知量。
在第二章，我们学习了电路的分析方法。
对于复杂电路的分析，节点电压法和回路电流法是常用的工具。
在习题答案中，我们会看到如何正确地选择节点和回路，列出相应的方程，并求解出各支路的电流和电压。
这需要我们对电路的结构有清晰的认识，并且能够熟练运用数学方法进行求解。
接下来是第三章的暂态电路分析。
这部分的课后习题主要涉及到一阶电路的零输入响应、零状态响应和全响应。
答案中会详细展示如何利用初始值和时间常数来计算电路在不同时刻的电压和电流。
理解暂态过程的特点和规律对于解决这部分的习题至关重要。
在电机和变压器部分，第四章的习题答案围绕着直流电机和交流电机的工作原理、结构特点和性能参数展开。
我们需要了解电机的电磁关系、转矩方程和调速方法等内容。
例如，在计算电机的转速、转矩和功率时，要准确运用相应的公式。
第五章的变压器部分，课后答案重点解释了变压器的工作原理、变比关系和等效电路。
通过习题的练习，我们可以掌握如何计算变压器的电压、电流和功率变换，以及如何分析变压器的运行特性。
在电气控制部分，第六章的习题答案涵盖了各种电气控制电路的设计和分析。
我们需要学会读懂电路图，理解各种电器元件的作用和工作原理，例如接触器、继电器等。
同时，能够根据控制要求设计出合理的电气控制电路。
第七章的电工测量部分，课后答案主要涉及到各种电工测量仪器的使用和测量误差的分析。
电工学第8章
~
+
u2
—
+
C RL uO
—
解:(1) U O 1.2 U 2 30 V
IO UO 0.3 A RL IO 0.3A 2 2U 2 35.4 V
+
~
+ u
+
C RL uO
—
—
2
IF 2ID 2 U R U Rm
查表选择 2 CZ53B 4 ( I F 300 mA ，U R 50 V) (2) C (3 ~ 5) T (1.5 ~ 2.5) (300 ~ 500) F 2 RL RL f
用以前的限 幅flash
例2:电 路 如 图 所 示，设 二 极 管 D1，D2，D3 的 正 向 压 降 忽 略 不 计，求 输 出 电 压 uO。
12V
0V 6V
D1
R + uO -
D2
D
3
2 V
（四）整流电路
定义： 交流
整流
逆变
直流
（1）单相桥式整流电路 （a）电路及工作原理 u2＞0，D1和D3导通, uo= u2 正半周: Ta + + D4 + D1 u1 u2 R u
uo -
D3
uD3,uD1
▲输出电压、电流的平均值： 1 2p Uo = ∫ uodw t =0.9 U2 2p 0 1 ▲ D上的平均电流： ID = 2 Io
Uo Io = R L
▲ D上承受的最高反向电压： URm =√2 U2
• 整流桥块 正确使用：
~ ~ +
输入交流电压
输出直流电压
~
~
电工学：第8章 半导体器件
uD
/
V 0
–3
t
–9
§8–3 特殊二极管
一、稳压二极管
1、特点
稳压管实质上是一种特殊的面接触型半导体 硅二极管。它工作于反向击穿区，在一定的电流 范围内，端电压几乎不变，所以这段特性可以用 来稳压，因而广泛用于稳压电源与限幅电路。
2、 稳压管的伏安特性
IZ/mA
正向特性
DZ
反向特性
UZ
0
IZmin
–0.2
0.8
U D/ V
反向特性
硅管的伏安特性
锗管的伏安特性
注意
二极管的伏安特性受温度的影响。如当环境温度升 高时，二极管的正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
死区电压（开启电压） Uon
Si 管：0.5V左右 Ge管：0.1V左右
正向电压
Si 管：0.6V~0.8V Ge管：0.2V~0.3V
击穿特性
IZmax
伏安特性
UZ/V
D1 D2 UZ rd 等效电路
3、 稳压管的主要参数
IZ/mA
1.稳定电压UZ：
是在规定电流下稳压管的反向击穿 电压。UZ具有一定的离散性。
UZ
UZ
0
IZmin
IZ IZmax
UZ/V
2. 稳定电流 IZ： 保证管子进入反向击穿区的电流。 IZ=IZmin~ IZmax只要不超过管子的额定功 率，电流愈大，稳压效果愈好。
一、本征半导体
+4
+4
+4
纯净的半
导体，单晶结构 ，排列整齐称为 本征半导体。它 是共价键结构
硅原子
+4
+4
+4
河北联合大学 (原河北理工大学)电工学试题库及答案 第8章半导体器件 习题
第8章 半导体二极管、三极管1004 N 型 半 导 体 的 多 数 载 流 子 是 电 子，因 此 它 应（ ）。
(a) 带 负 电 (b) 带 正 电 (c) 不 带 电2002当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变3007在 PN 结 中 形 成 空 间 电 荷 区 的 正、负 离 子 都 带 电，所 以 空 间 电 荷 区 的 电 阻 率（ ）。
(a) 很 高 (b) 很 低(c)等 于N 型 或 P 型 半 导 体 的 电 阻 率 4010半 导 体 二 极 管 的 主 要 特 点 是 具 有（ ）。
(a) 电 流 放 大 作 用(b) 单 向 导 电 性 (c) 电 压 放 大 作 用 5011理 想 二 极 管 的 正 向 电 阻 为（ ）。
(a) 零 (b) 无 穷 大 (c) 约 几 千 欧 6014二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿7015如 果 把 一 个 小 功 率 二 极 管 直 接 同 一 个 电 源 电 压 为1.5V 、内 阻 为 零 的 电 池 实 行 正 向 连 接，电 路 如 图 所 示，则 后 果 是 该 管（ ）。
(a) 击 穿 (b) 电 流 为 零 (c) 电 流 正 常 (d) 电 流 过 大 使 管 子 烧 坏-6.3VD8016 电 路 如 图 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件，U S =5 V ，则 电 压u O =（ ）。
(a) U s (b) U S / 2 (c) 零Du O9018电 路 如 图 所 示, 所 有 二 极 管 均 为 理 想 元 件，则 D 1、D 2、D 3的 工 作 状 态 为（ ）。
(a) D 1导 通，D 2、D 3 截 止 (b) D 1、D 2截 止 ， D 3 导 通 (c) D 1、D 3截 止， D 2导 通 (d) D 1、D 2、D 3均 截 止0V+6V10019电 路 如 图 所 示，二 极 管 D 1、D 2 为 理 想 元 件，判 断D 1、D 2的 工 作 状 态 为（ ）。
《半导体器件》PPT课件
b
+
D1
RL uO
D2
_
输出 波形
1.3.3 限幅电路
+ –
R
D1
D2
++
A Ri
––
工作原理
a. 当ui较小使二极管D1 、D1截止时
电路正常放大
b. 当ui 较大使二极管D1 或D1导通时
+ –
输入电压波形
ui
R
D1
D2
++
A Ri
––
0 t
R
+
D1
D2
++
A Ri
–
––
输出端电压波形
ui
因此，理想二极管正偏时，可视为短路线；反偏 时，可视为开路。
在分析整流，限幅和电平选择时，都可以把二极 管理想化。
1.3 半导体二极管的应用
1.3.1 在整流电路中的应用
整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电
路。
整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不 是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上 称单向脉动性直流电压。
1.2 半导体二极管
二
1.2.1 半导体二极管的结构和类
极
型
外壳
引线 阳极引线
管
铝合金小球
就
是
PN结
一
N型锗片
触丝
个
N型硅
金锑合金
封
底座
装
的
阴极引线
PN
结
点接触型
平面型
半导体二极管的外型和符号
正极
电工学第八章常用半导体器件
3. 发光二极管（LED）
光电二极管电路
符号
工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 2) V 发光类型： 可见光：红、黄、绿 不可见光：红外光
8-4 晶体管
一、基本结构 二、电流放大原理 三、特性曲线 四、主要参数
一、基本结构
晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。
相邻原子共有 价电子所形成 的束缚。
+4 +4
自 由 空电 穴子
+4 空穴
+4
硅(锗)的共价键结构
本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量 摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中 留下一个空位(空穴)的过程。 复 合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结 合成对消失的过程。 结论: 1. 本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外 界条件有关。
P型半导体的简化图示 负离子
+4 硼原子
+3
+4
空穴
多数载 流子 少数载 流子
空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 空穴数
8-2 PN结
一、PN结的形成
二、PN结的单向导电性
一、PN结的形成
扩散运动：由浓度差引起的载流子运动。
漂移运动： 载流子在电场力作用下引起的运动。 1、载流子的浓度差引起多子的扩散
按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP
二、电流放大原理
(一)、晶体管放大的条件
发射区掺杂浓度高 1.内部条件 基区薄且掺杂浓度低 I B
集电结面积大 发射结正偏 集电结反偏 (二)、晶体管的电流分 配和放大作用 2.外部条件 电路条件: EC>EB 发射结正偏 集电结反偏
电工学第8章
I/mA
O IR
A
UD
U/V
反向饱 和电流
击穿电压
3. 理想二极管的伏安特性
I I
O
UD
U
O
U
近似特性
理想特性
三、主要参数 1.额定正向平均电流：(IF) 额定正向平均电流： 额定正向平均电流 2.正向电压降：(UF） 正向电压降： 正向电压降 3.最高反向工作电压：（UR） 最高反向工作电压：（ 最高反向工作电压：（ 4.最大反向电流：（IRm） 最大反向电流：（ 最大反向电流：（
二.杂质半导体 1. P型半导体 型半导体 在本征半导体中, 掺入微量的三价元素硼。 在本征半导体中 掺入微量的三价元素硼。 >>自由电子数量 ∴空穴总数 >>自由电子数量 空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。 空穴为多数载流子 自由电子为少数载流子。 自由电子为少数载流子
+4 +4 +4 自由电子 空穴
uO 0 iO π ωt 2π π uO 0
0.45U2 U/RL IO
2U2
0.9U2 UO/RL IO/2
2U2
iO
π
2π π
ωt
半波整流
桥式整流
4.整流元件的选择 整流元件的选择
a. 先计算电路中的 D和URM 。 先计算电路中的I b. 查手册，令 IF≥ID 查手册， UPR≥URM 例：若ID= 250mA, URM= 40V， ， ——查手册选 查手册选2CZ53B。 查手册选 。
解：
DA UA UB DB
R
⑴ DA 、DB导通 UF UF=(3+0.6)V=3.6V ⑵ DB先导通 UF=(0+0.6)V=0.6V 此时D 截止。 此时 A截止。 DB 起箝位作用， 起箝位作用，