三种LED衬底比较
led 材料
led 材料LED材料。
LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，具有节能、环保、寿命长等优点，被广泛应用于照明、显示、指示等领域。
LED的性能和品质受到材料的影响，下面将介绍LED材料的种类和特性。
1. 发光材料。
LED的发光材料主要包括氮化镓（GaN）、磷化铝（AlP）、碳化硅（SiC）等。
其中，氮化镓是目前用于LED的主要发光材料，具有较高的发光效率和稳定性。
磷化铝用于白光LED的发光材料，具有良好的色温调节性能。
碳化硅是一种新型的发光材料，具有较高的热稳定性和光电性能，适用于高温高压环境下的LED应用。
2. 衬底材料。
LED的衬底材料主要有蓝宝石、氮化镓、碳化硅等。
蓝宝石是LED的常用衬底材料，具有优良的热导性和光学性能，适用于蓝光LED的制备。
氮化镓衬底材料具有与LED发光层匹配的晶格结构，有利于提高LED的发光效率。
碳化硅衬底材料具有较高的耐高温性能和热导率，适用于高功率LED的制备。
3. 封装材料。
LED的封装材料主要包括环氧树脂、硅胶、陶瓷等。
环氧树脂是LED封装的常用材料，具有良好的绝缘性能和机械强度，适用于一般照明和显示LED的封装。
硅胶具有较好的耐高温性能和抗紫外线性能，适用于户外LED的封装。
陶瓷材料具有良好的导热性能和耐腐蚀性能，适用于高功率LED的封装。
4. 散热材料。
LED的散热材料主要包括铝基板、铜基板、陶瓷基板等。
铝基板具有良好的导热性能和加工性能，适用于一般LED的散热。
铜基板具有较高的导热性能和机械强度，适用于高功率LED的散热。
陶瓷基板具有良好的绝缘性能和耐腐蚀性能，适用于特殊环境下的LED的散热。
5. 封装胶。
LED的封装胶主要包括硅胶、环氧树脂等。
硅胶具有良好的耐高温性能和抗紫外线性能，适用于户外LED的封装。
环氧树脂具有良好的绝缘性能和机械强度，适用于一般照明和显示LED的封装。
总结。
LED材料是LED器件的重要组成部分，不同的材料对LED的性能和品质有着重要的影响。
LED芯片衬底材料
LED芯片衬底材料【摘要】衬底材料作为半导体照明产业的技术发展的基石，是半导体产业的核心，具有重要地位。
本文对适合于LED芯片衬底材料的蓝宝石，硅，碳化硅，氮化镓等从材料本身的特性出发，阐述了各种衬底材料的优缺点和未来发展趋势。
【关键词】LED照明蓝宝石衬底硅衬底碳化硅衬底氮化镓衬底1 引言LED照明即是发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件。
它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
由于LED的寿命长，安全可靠，环保节能，色彩多样，所以自从LED发明以来，很快就获得世人的认可。
全球都投入了大量的人力、财力去研究和开发。
我国LED产业起步于20世纪70年代，经过40多年的发展，中国LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。
在“国家半导体照明工程”的推动下，我国LED下游产业有了长足的发展，但是上游的LED产业仍然需要进一步的投入，以赶上日本，美国和欧洲。
2 衬底材料的要求当今大部分的芯片是GaN，GaN的生长方法有很多种，但是由于尚未解决单晶生产工艺，目前还是在衬底上进行外延生长，是依靠有机金属气象沉积法在相关的异型支撑衬底上生长的[1]。
这样，衬底材料的选用就是我们首要考虑的问题。
要想采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择[2]。
目前来说，好的衬底材料应该有以下九方面的特性：（1）结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。
（2）接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。
（3）化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。
（4）热学性能好，要具备良好的导热性。
（5）导电性好，有利于衬底电极的制备[3]。
micro led衬底玻璃、晶圆键合等工艺
一、背景介绍微型LED是一种新兴的显示技术，具有体积小、功耗低、亮度高、响应速度快等优点，因此备受关注。
而微型LED的制造工艺是影响其性能和成本的关键因素之一。
其中，衬底玻璃和晶圆键合等工艺是微型LED制造中的重要环节，对于提高产品质量和降低成本具有重要作用。
二、微型LED衬底玻璃工艺微型LED的衬底是LED器件的基础，直接影响LED的性能和稳定性。
传统LED的衬底一般采用蓝宝石基板，但其成本较高，制造过程复杂。
而近年来，衬底玻璃技术逐渐成为微型LED的发展趋势。
衬底玻璃具有制造成本低、材料透明度好、热传导性能优异等优点，可以有效提高LED器件的亮度和稳定性。
1. 衬底玻璃的选择微型LED衬底玻璃的选择首先考虑材料的透明度和热传导性能。
透明度直接影响LED器件的发光效率，而热传导性能则影响LED器件的散热效果。
常见的衬底玻璃材料有硼硅玻璃、镍镉硼硅玻璃等，不同的材料具有不同的特性，因此在选择衬底玻璃时需要综合考虑LED器件的具体要求和工艺成本。
2. 衬底玻璃的生产工艺衬底玻璃的生产工艺包括原料准备、玻璃熔制、成型、抛光等环节。
其中，玻璃熔制工艺是衬底玻璃制备的关键环节，其熔制温度、成型工艺、抛光工艺等均对衬底玻璃的质量和性能产生影响。
优化衬底玻璃的生产工艺，提高玻璃的透明度和平整度，对于改善LED器件的质量和亮度具有重要意义。
三、晶圆键合工艺晶圆键合是微型LED制造中的另一个关键环节，其质量直接影响LED 器件的性能和可靠性。
晶圆键合工艺一般分为前端晶圆键合和后端晶圆键合两个环节。
1. 前端晶圆键合前端晶圆键合是指LED芯片与衬底之间的键合工艺。
其关键是实现LED芯片与衬底的精确对准和牢固连接。
传统的前端晶圆键合工艺采用金属线键合或电镀键合，但这些工艺存在着工艺复杂、成本高、性能有限等问题。
近年来，新型的晶圆键合技术逐渐发展起来，包括等离子体键合、焊接键合、贴附键合等。
这些新技术能够实现高精度、高可靠性的LED芯片键合，提高LED器件的性能和可靠性。
发光二极管的原料
发光二极管的原料发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）是一种半导体器件，具有发光功能。
它是由特定的原料制成的，这些原料是实现LED发光的关键因素。
本文将介绍LED的原料及其特性。
一、发光材料1. 发光材料：LED的发光材料是由特定的化合物构成的，常见的材料包括氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟镓（InGaP）等。
不同的发光材料具有不同的发光特性，可发出不同颜色的光，如红色、绿色、蓝色、黄色等。
二、衬底材料1. 蓝宝石衬底：蓝宝石是制造LED最常用的衬底材料之一。
它具有良好的热传导性能和电绝缘性能，可有效降低LED的发热量，并提高LED的光电转换效率。
2. 碳化硅衬底：碳化硅是一种新型的衬底材料，具有优异的热传导性能和电绝缘性能。
与蓝宝石相比，碳化硅衬底能够更好地降低LED的发热量，提高LED的工作稳定性和寿命。
三、导电材料1. 金属材料：LED中的电极需要使用导电材料，常见的金属材料有银、铜、铝等。
这些金属材料具有较低的电阻率和良好的导电性能，可确保电流流过LED时的高效能转换。
2. 透明导电材料：LED的透明电极通常采用透明导电材料，如氧化锡（ITO）薄膜。
透明导电材料能够保持LED的发光效果，并提高LED的光电转换效率。
四、封装材料1. 玻璃封装：LED的封装材料常用玻璃，具有良好的光透过性和耐高温性能，能够保护LED芯片，并提供良好的光学性能。
2. 塑料封装：除了玻璃封装外，LED还常用塑料封装材料。
塑料封装具有成本低、可塑性好等优点，能够满足不同应用场景对LED封装的需求。
五、其他辅助材料1. 焊料：LED的制造过程中需要使用焊料进行电极的连接。
常见的焊料有锡铅焊料、无铅焊料等，能够确保电极与导线的可靠连接。
2. 胶水：胶水在LED制造中常用于封装和固定LED芯片。
它能够提供良好的粘结性能，确保LED的稳定性和可靠性。
发光二极管的原料包括发光材料、衬底材料、导电材料、封装材料以及其他辅助材料。
白光LED芯片衬底的对比研究
EXCHANGE OF EXPERIENCE 经验交流摘要：通过介绍LED外延生长工艺，对比外延材料和蓝宝石衬底材料的特性，总结蓝宝石衬底的优缺点，得出蓝宝石衬底具有晶格匹配性较好，工艺成熟、产品质量优，透光性极高，出光效率高等优点。
同时存在热导率较低，电导性差， 折射率高导致内部光损达，LED整体出光效率低等缺点。
通过阐述图形化衬底的原理，很好的论述了图形化蓝宝石最大的优点，通过图形的光学原理降低在蓝宝石衬底中的光损耗，大大提高了芯片的光有效利用率。
针对普通蓝宝石衬底、图形化蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底的光电特性、工艺成熟情况、成本等，对比得出蓝宝石衬底以及图形化蓝宝石衬底工艺最为成熟，应用最广，因图形化蓝宝石衬底解决了常规蓝宝石衬底内部光损大的问题，大大提高了普通蓝宝石衬底的发光效率，是业界应用最广的晶片衬底材料。
碳化硅衬底，作为行业巨头科锐采用的主导衬底，导热及导电性能远远高于蓝宝石衬底，更适合做大面积芯片，但是碳化硅衬底的制造成本高，实现大批量生产还需要大大降低其制作成本，应用市场存在局限性。
硅衬底同样具有极高的导热、导电性，因其硅物质充足，其材料成本是四种衬底中最低的。
由于制作硅衬底的技术并不成熟，制作成本昂贵，量产可行性小。
关键词：衬底；蓝宝石；芯片一、前言LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种将电能转化成光能的固态半导体器件[1]。
作为新型的发光元器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最具潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。
LED芯片作为LED的核心部件，主要由4个部件组成衬底、n-GaN、p-GaN和InGaN/GaN多量子阱结构。
简单描述LED芯片的制作也就是在一个特定的基板材料上生长GaN薄膜以及发光材料的一个过程，而此特定的基板材料就是所说的衬底。
目前LED的主要衬底材料有四大类：蓝宝石（Al2O3）、图形化蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）称底。
硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管
硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管以硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管为标题，我们来探讨一下这种新型发光二极管的特点和应用。
一、引言发光二极管（LED）作为一种节能环保、寿命长、体积小的光源，已经广泛应用于照明、显示、通信等领域。
然而，传统的LED在蓝光发射方面还存在一些问题，如低发光效率、频谱不稳定等。
为了解决这些问题，硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管应运而生。
二、硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管的特点1. 高发光效率：硅衬底可以提供更好的晶格匹配，有助于提高发光效率。
2. 高热稳定性：硅衬底具有良好的热导性能，可以有效地散热，提高LED的热稳定性。
3. 高亮度：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管具有较高的亮度，能够满足一些高亮度要求的应用场景。
4. 窄频谱：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管的频谱稳定性较好，能够提供更纯净的蓝光。
三、硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管的应用1. 智能照明：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管可以用于智能照明系统中，提供高亮度的蓝光，使照明效果更加明亮和舒适。
2. 显示技术：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管可以用于液晶显示器的背光源，提供高亮度的蓝光，使显示效果更加清晰和鲜艳。
3. 光通信：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管可以用于光通信系统中，作为高速传输的光源，提供稳定的蓝光信号。
4. 医疗器械：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管可以用于一些医疗器械中，如光疗仪、光动力学治疗设备等，提供高亮度的蓝光，有助于治疗效果的提升。
四、硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管的发展前景随着人们对节能环保、高效照明的需求不断增加，硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管有着广阔的市场前景。
同时，随着技术的不断进步，硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管的性能将得到进一步提升，应用范围也将更加广泛。
总结：硅衬底高光效GAN基蓝色发光二极管作为一种新型的发光二极管，具有高发光效率、高热稳定性、高亮度和窄频谱等特点，适用于智能照明、显示技术、光通信和医疗器械等领域。
LED芯片种类及介绍
芯片晶粒种类表
晶粒种类 类别
可见光
不可见光
颜色 红
高亮度红 橙
高亮度橙 黄
高亮度黄 黄绿
高亮度黄绿 绿
高亮度绿 高亮度蓝绿/绿
高亮度蓝
红外线
波长 645nm~655nm 630nm~645nm 605nm~622nm
585nm~600nm
569nm~575nm
555nm~560nm 490nm~540nm 455nm~485nm 850nm~940nm
台湾LED芯片厂商：
晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（ Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称 ：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜 （HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技 TC，灿圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC），
☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按组成元素可分为：
☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；
☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色 GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等；
☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。
蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案_范文模板及概述说明
蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案范文模板及概述说明1. 引言1.1 概述本文旨在探讨蓝宝石、碳化硅和硅衬底半导体照明技术方案，并比较它们的优势和挑战。
随着人们对高效能、长寿命和环境友好的照明解决方案的需求增加，半导体照明技术得到了广泛的关注。
蓝宝石、碳化硅和硅衬底半导体作为新兴的材料，在半导体照明中展示出巨大的潜力。
1.2 文章结构本文将按照以下结构进行论述。
首先，我们将在第2部分介绍蓝宝石照明技术方案，包括对蓝宝石材料的简要介绍以及其在半导体照明中的应用。
然后，在第3部分，我们将探讨碳化硅照明技术方案，包括对碳化硅材料的简介以及其在半导体照明中的应用。
接下来，在第4部分，我们将讨论硅衬底半导体照明技术方案，包括对硅衬底半导体材料及其特性的介绍，以及其在照明中的应用。
最后，在第5部分，我们将对各种技术方案进行总结和对比分析，并展望未来半导体照明技术的发展方向。
1.3 目的本文旨在深入了解蓝宝石、碳化硅和硅衬底半导体照明技术方案，以便读者能够全面了解这些新兴材料在半导体照明领域的应用，以及它们带来的优势和挑战。
通过对比分析不同技术方案的优缺点，并展望未来的发展趋势，本文将有助于读者更好地理解并选择最适合自己需求的半导体照明解决方案。
2. 蓝宝石照明技术方案2.1 简介蓝宝石材料蓝宝石材料，也被称为刚玉（corundum），是一种高硬度的晶体材料，由氧化铝（Al2O3）组成。
蓝宝石因其在可见光谱中的透明性而在半导体行业中得到广泛应用。
蓝宝石具有良好的光学特性，包括高透射率、低折射率和高耐热性。
2.2 蓝宝石在半导体照明中的应用蓝宝石在半导体照明领域中被用作LED芯片的衬底材料。
LED（Light Emitting Diode）是一种通过电流激发产生光辐射的器件，广泛应用于照明、显示和指示等领域。
使用蓝宝石作为衬底材料可以提供良好的结构支撑和优化光学性能。
具体来说，在LED制造过程中，使用基于蓝宝石的衬底可以实现以下几个关键步骤：首先，通过外延生长技术，在蓝宝石衬底上沉积一层带有特定掺杂物的半导体外延膜层。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。
应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
目前市面上一般有三种材料可作为衬底：
·蓝宝石（Al2O3）
·硅 (Si)
碳化硅（SiC）[/url]
蓝宝石衬底
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。
蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。
因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。
图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片
使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。
蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。
在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。
由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。
但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。
蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。
添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。
蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。
因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。
为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。
硅衬底
目前有部分LED芯片采用硅衬底。
硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触
（Laterial-contact ,水平接触）和 V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V 型电极。
通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。
由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。
因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。
碳化硅衬底
碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。
采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。
采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。
图2 采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片[/url]
碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/(m·K)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。
蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。
使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。
但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。
三种衬底的性能比较
前面的内容介绍的就是制作LED芯片常用的三种衬底材料。
这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。
除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。
衬底材料的评价
1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低；
2．衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏；
3．衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降；
4．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。
衬底尺寸一般不小于2英寸。
当前用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底目前只有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。
其它诸如GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。
氮化镓：
用于GaN生长的最理想衬底是GaN单晶材料，可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。
但是制备GaN体单晶非常困难，到目前为止还未有行之有效的办法。
氧化锌：
ZnO之所以能成为GaN外延的候选衬底，是因为两者具有非常惊人的相似之处。
两者晶体结构相同、晶格识别度非常小，禁带宽度接近（能带不连续值小，接触势垒小）。
但是，ZnO作为GaN外延衬底的致命弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。
目前，ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没有得到真正解决，适合ZnO基半导体材料生长的设备尚未研制成功。
蓝宝石：
用于GaN生长最普遍的衬底是Al2O3。
其优点是化学稳定性好，不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟。
导热性差虽然在器件小电流工作中没有暴露明显不足，却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。
碳化硅：
SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石，目前还没有第三种衬底用于GaNLED的商业化生产。
SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高，晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、机械加工性能比较差，另外，SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光，不适合用来研发380纳米以下的紫外LED。
由于SiC衬底有益的导电性能和导热性能，可以较好地解决功率型GaNLED器件的散热问题，故在半导体照明技术领域占重要地位。
同蓝宝石相比，SiC与GaN外延膜的晶格匹配得到改善。