Si衬底LED芯片制造和封装技术
发光二极管LED典型工艺流程
发光二极管LED典型工艺流程
1.衬底选择
LED的衬底通常使用为硅(Si)或氮化镓(GaN)材料。
硅衬底主要用于制造低功率LED，而氮化镓衬底则用于制造高功率LED。
2.外延片生长
外延片生长是制造LED的核心步骤。
在这一步骤中，通过化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)或金属有机气相外延(MOCVD)等技术，将稀薄的GaN材料沉积在衬底上。
3.择优薄化
将生长完成的外延片剥离出衬底，通常使用化学机械研磨(CMP)或机械研磨等方法进行择优薄化，以减少缺陷密度并提高材料质量。
4.P型和N型掺杂
将外延片分别进行P型和N型掺杂。
通常使用离子注入或金属有机分解(MOCVD)等技术，在外延片表面扩散掺入P型或N型材料。
5.调制层和电极制备
在外延片上制备调制层和金属电极，调制层通常采用P型和N型材料的多层结构，金属电极则用于连接LED芯片和外界电源。
6.光刻和蚀刻
使用光刻技术对调制层进行图案化处理，以定义出LED芯片中发光区域。
然后使用干法或湿法蚀刻技术将不需要的材料去除，保留发光区域。
7.透明电极制备
制备透明导电氧化锡(ATO)或氧化锌(ZnO)等透明电极材料，并通过蚀刻或镀膜等方法将其覆盖在LED芯片的发光区域上。
8.金属电极制备
制备金属电极，通常使用电镀或蒸镀技术在LED芯片的非发光区域上形成金属电极，以提供电流输入和输出。
9.封装和封装后处理
将制备好的LED芯片进行封装，通常使用环氧树脂或硅胶等材料进行封装。
然后进行焊接、焊盘修整、完全固化等封装后处理步骤，以确保LED芯片的性能和可靠性。
(整理)世界七大LED芯片制造商技术优势盘点.
世界七大LED芯片制造商技术优势盘点1、科锐(CREE)科锐公司是市场上领先的革新者与半导体的制造商，以显著地提高固态照明，电力及通讯产品的能源效果来提高它们的价值。
科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。
这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更少。
科锐把能源回归解决方案用于多种用途，包括在更亮及可调节的发光二极管光一般照明，更鲜艳的背光显示，高电流开关电源和变转速电动机的最佳电力管理，和更为有效的数据与声音通讯的无线基础设施等方面有令人兴奋的可选择的方案。
Cree的顾客有从创新照明灯具制造商到与国防有关的联邦机构。
科锐的产品系列包括蓝的和绿的发光二极管芯片，照明发光二极管，背光发光二极管，为功率开关器件，无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。
技术优势1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片级封装技术；2.大功率芯片和封装技术。
2008-2009年企业状况2008年，科锐公司实现了年收入25%的增长，达到4.93亿美元，其中LED 产品销售收入为4.15亿美元，占总收入的84%。
并购INTRINSIC和COTCO以及对市场营销环节的投入使销售管理费用较2007年增长了44%；由于对两公司的并购带来的隐性资产折旧使财务报表中相应费用较2007年增长了3倍多。
科锐将其业绩增长归于它制定实施的战略要点：XLamp LED的销售较2007年增长140%，成功并购LLF和华刚等，且达到预计的收益目标，通过分销渠道的零配件销售翻番，以及通过在亚洲的扩产，主要包括将XLamp的生产转移至中国，大大降低了生产成本。
对技术加大投资，实现了业内最优秀的研发报告结果••161流明每瓦的白光功率LE D的同时，科锐还扩大了其产品的应用范围。
2008年，科锐(Cree)针对美国的校园及主要街道，设计和安装了以节能和降低维护费用为主的照明系统，为今后在室内外普通照明市场的发展奠定了基矗其赞助及参与的照明工程包括：LED城市、LED工作场所和LED大学。
三种LED衬底比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。
应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅 (Si)碳化硅（SiC）[/url]蓝宝石衬底通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。
蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。
因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。
图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。
蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。
在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。
由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。
但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。
蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。
添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。
蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。
因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。
无荧光粉硅衬底芯片发光技术
无荧光粉硅衬底芯片发光技术
无荧光粉硅衬底芯片发光技术是一种新型的发光技术，其主要特点是
在硅基材料上实现发光。
相比于传统的荧光粉技术，无荧光粉硅衬底
芯片发光技术具有更高的亮度、更长的使用寿命以及更好的可靠性。
无荧光粉硅衬底芯片发光技术的工作原理是通过在硅基材料上引入掺
杂元素来实现电子和空穴之间的复合，从而产生发光。
这种技术可以
分为两类：一类是基于锗掺杂的红外LED；另一类则是基于氮掺杂的
蓝绿色LED。
对于锗掺杂红外LED来说，其主要特点是具有高亮度、低电压和低热
阻等优势。
同时，由于其使用了硅基材料，因此可以采用标准CMOS
工艺进行制造，从而大大降低了成本。
而对于氮掺杂蓝绿色LED来说，则具有更高的亮度和更好的颜色饱和度。
同时，由于其使用了无毒、环保的硅基材料，因此具有更好的可
靠性和更长的使用寿命。
无荧光粉硅衬底芯片发光技术在实际应用中具有广泛的应用前景。
例如，在照明领域中，无荧光粉硅衬底芯片发光技术可以用于制造高效、低成本的LED灯具；在显示领域中，无荧光粉硅衬底芯片发光技术可
以用于制造高清晰度、高亮度的显示器件。
总之，无荧光粉硅衬底芯片发光技术是一种新型的发光技术，其具有更高的亮度、更长的使用寿命以及更好的可靠性。
在未来，这种技术将会得到广泛的应用，并为人们带来更加美好的生活体验。
LED芯片制作流程
LED芯片制作流程引言LED（Light Emitting Diode）芯片是一种能够将电能转化为可见光的电子器件。
随着LED技术的不断发展，LED芯片已成为照明、显示和通信等领域的重要组成部分。
本文将介绍LED芯片制作的流程，从材料准备、晶片制备、封装和测试等方面进行详细的说明。
材料准备LED芯片制作的第一步是准备所需的材料。
以下是常见的LED芯片制作所需材料：1.衬底材料：LED芯片通常以蓝宝石或硅基片作为衬底材料。
2.外延材料：外延材料是在衬底上生长的材料，通常为GaAs（镓砷化镓）或InP（磷化铟）。
3.掺杂剂：为了调节LED芯片的发光功率和光谱特性，需要添加适量的掺杂剂，如硅、锌、镁等。
4.金属线：用于提供电流给LED芯片的金属线，通常为金或铜线。
5.光学材料：用于封装LED芯片的透明材料，如环氧树脂或硅胶。
晶片制备外延生长外延生长是制作LED芯片的关键步骤之一。
外延生长是指在衬底材料上生长外延材料。
这一过程通常通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法进行。
1.清洗衬底：首先，将衬底材料进行清洗，以确保表面干净，无杂质。
2.磊晶：在清洗后的衬底表面，通过外源原子束或气相反应的方式，使外延材料逐层生长在衬底上，形成结晶的外延层。
晶圆加工在外延层生长完毕后，需要对晶圆进行加工和处理，以制作成最终的LED芯片。
1.剥离：将衬底材料从外延层上剥离，通常采用机械剥离或化学剥离的方法。
2.制造PN结：在外延层上通过掺杂剂添加，形成PN结，即正负电荷的结合面。
3.打孔：通过化学腐蚀或机械打孔等方式，形成电极接触孔。
4.极性标记：在晶圆上标记正负极性。
封装为了保护晶片并提供适当的电气和光学性能，LED芯片需要进行封装。
1.胶水应用：将LED晶片粘贴在塑料或金属基底上，并使用胶水固定。
2.金属线焊接：使用金属线将LED芯片的电极与封装基底连接。
3.导光板安装：安装导光板，以提高光的效果，并引导光线发射。
LED芯片的制造工艺流程
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。
LED芯片的制造工艺流程 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD介绍：
金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
1、 主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。
2、 晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
LED芯片的制造工艺流程：
半导体衬底—集成电路工艺技术
半导体衬底—集成电路工艺技术半导体衬底是集成电路工艺技术中非常重要的一个环节，它相当于集成电路的基础材料，承载着芯片的各种功能。
在集成电路工艺中，半导体衬底起到了支撑和隔离的作用，保证了芯片的稳定性和可靠性。
本文将从半导体衬底的材料、制备和表面处理等方面，详细介绍半导体衬底在集成电路工艺技术中的重要性。
首先，半导体衬底的选择对集成电路的性能和可靠性有着重要影响。
常见的半导体衬底材料有硅(Si)和镓砷(GaAs)等，它们具有良好的导电性和半导体特性。
硅作为最常用的半导体材料，其价格低廉、晶体质量好、热稳定性和刻蚀性能较强，被广泛用于集成电路制造。
而镓砷则在高频器件和光电器件中表现出较强的优势。
其次，半导体衬底的制备工艺对芯片性能的影响也是不可忽视的。
制备半导体衬底的工艺主要包括晶体生长和衬底切片。
晶体生长通常有单晶生长和多晶生长两种方式，其中单晶生长技术可以制备出较高质量的单晶硅。
而衬底切片是将大块的单晶硅或其他材料切割成薄片，以满足集成电路制造的要求。
此外，半导体衬底的表面处理也是集成电路工艺中的关键步骤之一、半导体衬底的表面处理主要包括清洗、刻蚀和涂覆等工艺。
清洗可以去除衬底表面的杂质和污染物，保证表面的纯度；刻蚀可以改善衬底的表面形貌和平整度，提高集成电路的器件性能；涂覆则是将各种功能材料覆盖在衬底表面，制作出具有特定功能的结构和元件。
最后，随着集成电路工艺的不断发展和进步，半导体衬底的制备和工艺技术也在不断创新和完善。
例如，目前已经提出了一种新型的衬底材料，绝缘体衬底。
绝缘体衬底具有较低的电阻率和较好的绝缘性能，可以用于制备低功耗和高速的集成电路。
此外，还有一些新型的半导体材料，如碳化硅和氮化镓等，也被广泛应用于集成电路的制造。
总之，半导体衬底在集成电路工艺技术中起着至关重要的作用。
它不仅是芯片的基础材料，还承载着芯片的各种功能和性能。
通过选择合适的材料、优化制备工艺和表面处理技术，可以提高集成电路的性能和可靠性。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
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Si衬底LED芯片制造和封装技术(2011-10-17 11:52:22)转载标签：杂谈引言1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。
因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。
1 Si衬底LED芯片制造1.1 技术路线在si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。
工艺流程：在si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN多量子阱发光层→生长P型AlGaN层→生长p型GaN层→键合带Ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。
1.2 主要制造工艺si衬底GaN基LED芯片结构图见图1。
图1 si衬底GaN基LED芯片结构图从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜（P欧姆电极）、GaN外延层、粗化表面和Au电极。
这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。
1.3 关键技术及创新性用Si作GaN发光二极管衬底，虽然使LED的制造成本大大降低，也解决了专利垄断问题，然而与蓝宝石和SiC相比，在Si衬底上生长GaN更为困难，因为这两者之间的热失配和晶格失配更大，si与GaN的热膨胀系数差别也将导致GaN膜出现龟裂，晶格常数差会在GaN外延层中造成高的位错密度；另外si衬底LED还可能因为si与GaN之问有0.5 v 的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成P型掺杂效率低，导致串联电阻增大，还有si吸收可见光会降低LED的外量子效率。
因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的P型GaN欧姆电极制备技术及键合技术、高出光效率的外延材料表面粗化技术、衬底图形化技术、优化的垂直结构芯片设计技术，在大量的试验和探索中，解决了许多技术难题，最终成功制备出尺寸1 mln×1 mm，350 mA下光输出功率大于380 mW、发光波长451 nm、工作电压3.2 V的蓝色发光芯片，完成课题规定的指标。
采用的关键技术及技术创新性有以下几个方面。
（1）采用多种在线控制技术，降低了外延材料中的刃位错和螺位错，改善了si与CaN 两者之间的热失配和晶格失配，解决了GaN单晶膜的龟裂问题，获得了厚度大于4 m的无裂纹GaN外延膜。
（2）通过引入A1N，A1GaN多层缓冲层，大大缓解了si衬底上外延GaN材料的应力，提高了晶体质量，从而提高了发光效率。
（3）通过优化设计n.GaN层中Si浓度结构及量子阱／垒之间的界面生长条件，减小了芯片的反向漏电流并提高了芯片的抗静电性能。
（4）通过调节P型层镁浓度结构，降低了器件的工作电压；通过优化P型GaN的厚度，改善了芯片的取光效率。
（5）通过优化外延层结构及掺杂分布，减小串联电阻，降低工作电压，减少热产生率，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性。
（6）采用多层金属结构，同时兼顾欧姆接触、反光特性、粘接特性和可靠性，优化焊接技术，解决了银反射镜与p-GaN粘附不牢且接触电阻大的问题。
（7）优选了多种焊接金属，优化焊接条件，成功获得了GaN薄膜和导电Si基板之间的牢固结合，解决了该过程中产生的裂纹问题。
（8）通过湿法和干法相结合的表面粗化，减少了内部全反射和波导效应引起的光损失，提高LED的外量子效率，使器件获得了较高的出光效率。
（9）解决了GaN表面粗化深度不够且粗化不均匀的问题，解决了粗化表面清洗不干净的难题并优化了N电极的金属结构，在粗化的N极性n.GaN表面获得了低阻且稳定的欧姆接触。
2 Si衬底LED封装技术2.1 技术路线采用蓝光LED激发YAG／硅酸盐／氮氧化物多基色体系荧光粉，发射黄、绿、红光，合成白光的技术路线。
工艺流程：在金属支架／陶瓷支架上装配蓝光LED芯片（导电胶粘结工艺）一键合（金丝球焊工艺）一荧光胶涂覆（自动化图形点胶／自动喷射工艺）一si胶封装（模具灌胶工艺）一切筋一测试一包装。
2.2 主要封装工艺Si衬底的功率型GaN基LED封装采用仿流明的支架封装形式，其外形有朗柏型、矩形和双翼型。
其制作过程为：使用导热系数较高的194合金金属支架，先将LED芯片粘接在金属支架的反光杯底部，再通过键合工艺将金属引线连接LED芯片与金属支架电极，完成电气连接，最后用有机封装材料（如si胶）覆盖芯片和电极引线，形成封装保护和光学通道。
这种封装对于取光效率、散热性能、加大工作电流密度的设计都是最佳的。
其主要特点包括：热阻低（小于10~c／w），可靠性高，封装内部填充稳定的柔性胶凝体，在一40～120 oC范围，不会因温度骤变产生的内应力，使金丝与支架断开，并防止有机封装材料变黄，引线框架也不会因氧化而沾污；优化的封装结构设计使光学效率、外量子效率性能优异，其结构见图2。
图2 封装结构图2.3 关键技术及创新性功率型LED的热特性直接影响到LED的工作温度、发光效率、发光波长、使用寿命等，现有的si衬底的功率型GaN基LED芯片设计采用了垂直结构来提高芯片的取光效率，改善了芯片的热特性，同时通过增大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的光通量，也因此给功率型LED的封装设计、制造技术带来新的课题。
功率LED 封装重点是采用有效的散热与不劣化的封装材料解决光衰问题。
为达到封装技术要求，在大量的试验和探索中，分析解决相关技术问题，采用的关键技术和创新性有以下几点。
（1）通过设计新型陶瓷封装结构，减少了全反射，使器件获得高取光效率和合适的光学空间分布。
（2）采用电热隔离封装结构和优化的热沉设计，以适合薄膜芯片的封装要求。
（3）采用高导热系数的金属支架，选用导热导电胶粘结芯片，获得低热阻的良好散热通道，使产品光衰≤5％（1 ooo h）。
（4）采用高效、高精度的荧光胶配比及喷涂工艺，保证了产品光色参数可控和一致性。
（5）多层复合封装，降低了封装应力，实施SSB键合工艺和多段固化制程，提高了产品的可靠性。
（6）装配保护二极管，使产品ESD静电防护提高到8 000 V。
3 产品测试结果3.1 Sl衬底LED芯片通过优化si衬底表面的处理和缓冲层结构，成功生长出可用于大功率芯片的外延材料。
采用Pt电极作为反射镜，成功实现大功率芯片的薄膜转移。
采用银作为反射镜，大大提高了反射效率，通过改进反射镜的设计并引入粗化技术，提高了光输出功率。
改进了A异反射镜蒸镀前P型GaN表面的清洗工艺和晶片焊接工艺，改善了银反射镜的欧姆接触，量子阱前引入缓冲结构，提高了芯片发光效率，优化量子阱／垒界面生长工艺，发光效率进一步提高，通过改进焊接技术，减少了衬底转移过程中芯片裂纹问题，芯片制备的良率大幅度提高，且可靠性获得改善。
通过上述多项技术的应用和改进，成功制备出尺寸1 mmx 1 mm，350 n 下光输出功率大于380 mW的蓝色发光芯片，发光波长451 nnl，工作电压3.2 V，完成课题规定的指标。
表1为芯片光电性能参数测试结果。
表1 芯片光电性能参数测试结果3.2 Si衬底LED封装根据LED的光学结构及芯片、封装材料的性能，建立了光学设计模型和软件仿真手段，优化了封装的光学结构设计。
通过封装工艺技术改进，减少了光的全反射，提高了产品的取光效率。
改进导电胶的点胶工艺方式，并对装片设备工装结构与精度进行了改进，采用电热隔离封装结构和优化的热沉设计，降低了器件热阻，提高了产品散热性能。
采用等离子清洗工艺，改善了LED封装界面结合及可靠性。
针对照明应用对光源的光色特性的不同要求，研究暖白、日光白、冷白光LED颜色的影响因素：芯片参数、荧光粉性能、配方、用量，并通过改进荧光胶涂覆工艺，提高了功率LED光色参数的控制能力，生产出与照明色域规范对档的产品。
蓝光和白光LED封装测试结果见表2。
表中：Φ为光通量；K为光效；P为光功率；R为热阻；μ为光衰；I为饱和电流。
表2 蓝光和白光LED封装测试结果4 结语si衬底的CaN基LED制造技术是国际上第三条LED制造技术路线，是LED三大原创技术之一，与前两条技术路线相比，具有四大优势：第一，具有原创技术产权，产品可销往国际市场，不受国际专利限制。
第二，具有优良的性能，产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。
第三，器件封装工艺简单，芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺，节约了封装成本。
第四，由于Si衬底比前两种技术路线使用的蓝宝石和SiC价格便宜得多，而且将来生产效率更高，因此成本低廉。
经过三年的科技攻关，课题申请发明专利12项、实用新型专利7项，该技术成功突破了美国、日本多年在半导体发光芯片（LED）方面的专利技术壁垒，打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国CREE公司垄断SiC衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、SiC、Si衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。
因此采用si衬底GaN的LED产品的推出，对于促进我国拥有知识产权的半导体LED照明产业的发展有着重大意义。