防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)
防护电路设计
防护电路设计防护电路设计图防护电路设计第一招：了解被保护电源模块的特性；譬如上述电源模块在浪涌测试中，可以通过多少伏的共模干扰？耐压测试是多少？模块内部是否集成了压敏电阻、放电管等瞬态抑制器件？+110V电路上是否集成了防反接的二极管？能否通过电压跌落20ms以上的测试？防护电路设计第二招：“瞬态抑制器件”与“安规耐压防护”结合：有些电源模块，由于绝缘耐压设计、器件选择（如开关MOS管耐过压冲击高），虽然没有共模抑制，但是单独对模块L、N与机壳地之间做浪涌测试，可达2000V以上。
这样的电源模块，由于其耐压防护较好，仅需要防护电路（前级滤波或共模抑制电路的输出残压在2000V就行。
这样设计的好处，如果外部干扰过压，在2000V以下，电源模块通过耐压水平硬扛，共模抑制电路根本不动作，有效的保护防护器件（防护器件，气体放电管、压敏电阻在冲击有一定的冲击使用寿命），提供其可靠性。
因此，在对电源模块能有效保护的前提下，防护电路的动作电路应可能的高，避免其动作频繁，导致过早失效。
当然选用的电源模块质量较差，其耐浪涌冲击的能力也会下降，但最终防护电路的残压，一定要低于其最大可承受的过压水平。
否则，前级过压的瞬态防护意义就会没有了。
防护电路设计第三招：别引祸上身！某设备现场运行实验时（旁边有晶闸管之类的切换，会产生过压谐振），发现其电源模块的压敏电阻（防护电路设计与浪拓电子提供的相拟，器件参数不一样）运行一周或一个月后，就会短路或自燃（烧坏电源滤波板），导致整个系统掉电（最严重的问题）。
仔细检查，电源屏在AC220V的电源上有防雷，但是其压敏电阻为14D561K（560V动作的）、气体放电管为B5G600(600V直流击穿电压)，该防雷模块由于设备内部的瞬态抑制电路动作（压敏电阻与气体入电管为470V），根本不起作用。
查明原因，并且更换动作电压更高的压敏电阻与气体放电管后（无任何瞬态抑制器件时，该设备的浪涌共模抗干扰能力达到1600V，因此更换防器器件上，不影响浪涌抑制）。
(整理)肖特基二极管结构和内电路
肖特基二极管结构和内电路1．肖特基二极管结构图13-3是肖特基二极管内部结构示意图。
肖特基二极管具有更低的串联电阻和更强的非线性，适合于在射频电路中应用。
某些金属和N型半导体材料接触后，电子会从N型半导体材料中扩散进入金属从而在半导体材料中形成一个耗尽层，具有和常规PN 结类似的特牲，这种由金属和半导体材料接触形成类似PN结势垒的结构称为肖特基结。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小。
如果在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大，如图13-4所示。
2．肖特基二极管内电路引线式肖特基对管又有共阳（两管的正极相连）、共阴（两管的负极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）3种引脚引出方式。
JRC2352图13-5是引线式肖特基对管内电路结构示意图。
贴片式肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，且内电路具体形式多达10余种。
图13-6所示是多种贴片式肖特基二极管内电路。
正极性半波整流电路图11-1所示是经典的正极性半波整流电路。
Tl是电源变压器，V D1是用于整流目的的整流二极管，整流二极管导通后的电流流过负载Rl。
为了分析电路方便，整流电路的负载电路用电阻Rl表示，实用电路中负载是某一个具体电子电路。
1．电路分析输入整流电路的交流电压来自于电源变压器Tl二次绕组输出端。
D1094DB分析整流电路工作原理需要将交流电压分成正、负半周两种情况。
(1)正半周交流电压使整流二极管导通分析。
交流电压正半周期间，交流输入电压使VD1正极上电压高于地线的电压，如图11-2所汞，二极管负极通过Rl与地端相连而为OV，VD1正极电压高于负极电压。
由于交流输入电压幅度足够大，(2) VD1导通时的电流回路分析。
图11-3是VD1导通后电流回路示意图，其回路为：Tl二次绕组上端→VD1正极→VD1负极→电阻Rl→地线→T1二次绕组下端。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
硕凯SOCAY瞬态二极管SMBJ15CA在RS485-RS232防护方案上的应用
硕凯SOCAY瞬态二极管SMBJ15CA在RS485-RS232防护方案上的应用硕凯电子（Sylvia）一、应用背景：1.RS485/232走线很长，易有过压现象2.RS485/232走线置于室外，易受雷击3.RS485/232走线易受其他线路干扰二、方案应用：1.监控/安防系统2.门禁系统3.铁路信号控制灯4.智能交通系统5.电表/水表/仪器仪表6.光端机三、方案说明及注意事项：1.前端采用通流量大的GDT，泄放大电流。
2.后端采用反应时间快的TVS，残压低，有效保护RS485/232芯片。
3.中间采用PTC做退藕，让前端GDT更容易动作，达到泄放电流作用。
4.本方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准，IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌标准。
5.本方案在差模，共模均采用的是同型号的TVS和GDT，防护无死角。
6.可通过10/700μS（等效内阻40ohm）、1.2/50-8/20μS测试，具体防护等级需参考GDT和TVS 的通流量。
四、防护电路图：使用硕凯器件：1、瞬态抑制器：TVS1/TVS2/TVS3型号：SMBJ15CA；Vbr（V）：16.7-18.5；Ir：5μA；Vrwm：15.0V；Ipp：24.59A；Vc（V）：24.4；封装：SMB/DO-214AA。
2、陶瓷气体放电管：GDT型号：UN3E5-470LSMD；直流标称电压（V）：470±20%；冲击电流(8/20μS)：2.5KA x2；Cp：＜1.5pF；电阻：＞1GΩ；备注：中等防护级别。
GDT型号：UN3E6-420MM；直流标称电压（V）：420±20%；冲击电流(8/20μS)：5KA x2；Cp：＜1.5pF；电阻：＞1GΩ；备注：高等防护级别。
3、温度保险丝：PTC1/PTC2型号：JK250-120U；最大冲击电压：250V；最大冲击电流：10A；最大不动作电流：120mA；备注：插件类。
肖特基二极管3A SMB系列
Surface Mount Schottky Barrier Diodes贴片肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），在电源工业领域已经有25年历史，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
Features特性紧凑型封装，易安装高效的过电压保护器件超低的正向压降高频电路的理想产品符合相关焊接国际标准MIL-STD-2023.0Ampere/SMB ELECTRICAL CHARACTERISTICS电气参数SYMBOLS符号/缩写I(AV)……Average Forward Rectified Current正向平均整流电流IRM……Maximum Reverse Leakage Current最大反向漏电流IRRM……Repetitive Peak Reverse Current重复峰值反向电流IRSM……Maximum Non-repetitive Reverse Peak Current最大反向不重复峰值电流VFM……Maximum Forward Voltage最大正向电压VFR……Forward Recovery Voltage正向恢复电压VRRM……Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage重复峰值反向电压TYPICAL CHARACTERISTICS典型曲线SMB B产品尺寸(Dimension Unit:inch/mm)PCB Layout mm/inchPCB Layout定购信息Order Information2500PCS/Reel30,000PCS/BoxNOTE:ALL DATA AND SPECIFICATIONS ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.ALL PRODUCTS COMPATIBLE WITH ROHS注意：所有的规格、参数更新将不例行通知。
详解肖特基二极管的作用及接法
详解肖特基二极管的作用及接法详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的作用肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面，通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
肖特基二极管的作用及其接法肖特基二极管的作用及其接法,肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
1、肖特基二极管的作用及其接法-整流利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。
mos管保护二极管电路
MOS管保护二极管电路1. 介绍在电子电路中，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的器件，用于实现电流放大、开关控制等功能。
然而，MOS管在工作过程中可能会受到过高的电压、过大的电流等因素的损坏。
为了保护MOS管，常常需要添加保护二极管电路。
保护二极管电路是一种简单而有效的电路，通过引入二极管来保护MOS管。
当MOS管受到过高的电压或过大的电流时，二极管将会被导通，将多余的电流或电压绕过MOS管，从而保护MOS管不被损坏。
本文将详细介绍MOS管保护二极管电路的原理、设计和应用。
2. 原理MOS管保护二极管电路的原理基于二极管的特性。
二极管是一种非线性元件，具有正向导通和反向截止的特性。
当二极管处于正向偏置时，即正向电压大于二极管的正向压降时，二极管将导通。
而当二极管处于反向偏置时，即反向电压大于二极管的反向击穿电压时，二极管将截止。
在MOS管保护二极管电路中，二极管被串联在MOS管的源极和漏极之间。
当MOS管的源极电压高于漏极电压时，二极管处于反向偏置，不导通。
而当源极电压低于漏极电压时，二极管处于正向偏置，导通。
这样，当MOS管受到过高的电压时，二极管将导通，将多余的电压绕过MOS管，保护MOS管不被损坏。
3. 设计设计MOS管保护二极管电路需要考虑以下几个方面：3.1 选择二极管在选择二极管时，需要考虑其最大反向电压和最大反向击穿电压。
最大反向电压应大于MOS管的工作电压，以确保二极管不会因过高的电压而损坏。
最大反向击穿电压应远大于MOS管的工作电压，以确保二极管在MOS管受到过高电压时能够可靠导通。
常用的二极管有硅二极管和肖特基二极管。
硅二极管具有较高的最大反向电压和最大反向击穿电压，适用于较高电压的应用。
肖特基二极管具有较低的正向压降和较快的恢复速度，适用于高频应用。
3.2 连接方式MOS管保护二极管电路可以采用并联连接或串联连接的方式。
并联连接的电路如下图所示：+---------+| |----|MOS管 |----| |----|源极 |----| |+----|<---+||二极管||GND串联连接的电路如下图所示：+---------+| |----|MOS管 |----| ||源极 || || ||二极管 || |+----|<---+||GND并联连接的电路简单且常用，适用于大多数情况。
肖特基二极管整流
肖特基二极管整流一、什么是肖特基二极管肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由石墨和金属接触而成。
它具有非常低的回复时间、低电压损耗以及高工作频率的特性，常被用于高速开关、功率整流、电压转换等领域。
二、肖特基二极管的原理肖特基二极管的原理是基于肖特基效应。
当金属与半导体接触时，由于金属与半导体之间的势垒形成，电子会从金属转移到半导体中。
由于金属的电子云密度远高于半导体，电子从金属转移到半导体时不会留下空穴，因此没有复合电流。
这使得肖特基二极管的正向压降（正向偏置时的电压降）相对较低，导通电阻小，自带电压小于标准PN结二极管。
三、肖特基二极管的特点肖特基二极管具有以下特点：1.低电压损耗：由于肖特基二极管没有耗散在扩散区的电流，因此在正向导通时具有较低的电压降，使得能量损耗减少。
2.快速开关速度：由于肖特基二极管的结容量小，载流子注入和抽取速度快，具有较快的开关速度。
3.高工作频率：由于其快速开关速度，肖特基二极管适用于高频率应用，能够满足高速交换要求。
4.低反向漏电流：由于肖特基二极管没有扩散区，只有冲击离子化的反向电流，因此反向漏电流小。
5.温度特性好：肖特基二极管的反向特性稳定，温度变化对其性能影响较小。
四、肖特基二极管的应用1.功率整流器：由于肖特基二极管的低电压损耗和快速开关速度，可以用于功率整流电路，提高整流效率和功率因数。
2.电压倍增器：肖特基二极管可以用于电压倍增电路，实现输入电压的倍增。
3.开关电源：肖特基二极管的快速开关特性和高工作频率使其成为开关电源中的重要元件。
4.频率多重器：由于肖特基二极管的高工作频率，可以用于频率多重器，将输入信号的频率倍增。
5.调制解调器：肖特基二极管可以用于调制解调器中的整流和检波。
6.高频放大器：由于肖特基二极管的低噪声和高频特性，适用于高频放大器。
五、肖特基二极管的选型和应用注意事项选用肖特基二极管时，需要考虑以下因素：1.导通电压降：根据具体应用需求选择合适的导通电压降，以确保电路正常工作。
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防护电路设计1.防护电路中的元器件1.1过压防护器件1.1.1钳位型过压防护器件①压敏电阻MOV电路符号压敏电阻英文varistor或MOV，它以氧化锌为基料，加入多种添加剂，经过混料造粒，压制成坯体，高温烧结，两面印烧银电极，焊接引出端，最后包封等工序而制成。
优点是价格便宜，通流量大，响应速度快，缺点是寄生电容大，不适合用在高频电路中。
压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。
压敏电压的选择：交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍，直流电路选取为工作电压的1.8-2倍。
由于压敏制作时可能存在微小缺陷，或者当承受不同电流冲击，造成管芯的压敏电阻体分布不均，一些部位电阻会降低，导致漏电流增加，最终导致薄弱点微融化，最终导致老化。
所以一般串接热熔点来避免。
压敏可串并联使用。
②TVSTVS电路符号TVS是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。
特点：可分为单双向，响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、并且经过多次瞬变电压后，性能不下降，可靠性高，体积小、易于安装。
缺点是能承受的浪涌电流较小，且功率大的寄生电容也大，低电容的功率较小。
适用于细保护或者二级保护。
选型注意，单双向，电压，功率，电容都要考虑到。
单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性1.1.2开关型过压防护器具①气体放电管GDT电路符号气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分两电极和三电极两种结构。
其基本的工作原理是气体放电。
当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与气体放电管并联的其它器件得到保护。
可分为二极和三极两种。
陶瓷气体放电管具有通流量大（KA级），漏电流小，寄生电容小等优点，缺点是其响应速度慢（μs级），动作电压精度低，有续流现象。
适用于粗保护或者初级保护。
选型方法：min（UDC）≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量，1.15是电源波动系数。
特性曲线②半导体放电管TSS电路符号半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。
其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，但开关型保护器件都有续流问题。
TSS有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。
在通讯行业使用的比较多。
伏安特性曲线注意：开关型过压防护器具，由于都有续流特性，故在电源电路单独使用需谨慎。
1.2 过流防护器件①自恢复保险丝电路符号PPTC采用高分子有机聚合物在高压、高温，硫化反应的条件下，搀加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。
传统保险丝过流保护，仅能保护一次，烧断了需更换，而自恢复保险丝具有过流过热保护，自动恢复双重功能。
PPTC插件类的耐压值有6V，16V，30V，60V，72V，250V，600V，电流从75mA到14A。
贴片系列的有0603，0805，1206，1210，2018，2920封装。
特性曲线②保险管Fuse电路符号对于电源电路上由空气放电管、压敏电阻、TVS管组成的防护电路，必须配有保险管进行保护，以避免设备内的防护电路损坏后设备发生安全问题。
保险管的特性主要有：额定电流、额定电压等。
其中额定电压有直流和交流之分。
防护电路中的保险管，宜选用防爆型慢熔断保险管。
选择时需注意保险管的I2T值，确保保险管在浪涌测试中不会熔断。
热熔值I2T是一个关键的参数，保险丝寿命（可承受的脉冲循环次数）与U（脉冲I2T与保21.3 其他器件①变压器，光耦等变压器、光耦本身并不属于保护器件，但端口电路的设计中可以利用这些器件具有的隔离特性来提高端口电路抗过电压的能力。
线路上设计隔离元件，隔离元件两边的电路不共地，当线路引入雷击过电压时，这个瞬间过电压施加在隔离元件的两边。
只要在过电压作用在隔离元件期间，隔离元件本身不被绝缘击穿，并且隔离元件前高压信号线不对其他低压部分击穿，线路上的雷击过电压就不能够转化为过电流进入设备内部，设备的内部电路也就得到了保护。
这时线路上只需要设计差模保护，防护电路可以大大简化。
例如以太网口的保护就可以采用这种思路。
能够实现这种隔离作用的元件主要有：变压器、光耦等。
②电感，电阻，导线等电感、电阻、导线本身并不是保护器件，但在多个不同保护器件组合构成的防护电路中，可以起到配合的作用。
防护器件中，气体放电管的特点是通流量大、但响应时间慢、冲击击穿电压高；TVS管的通流量小，响应时间最快，电压钳位特性最好；压敏电阻的特性介于这两者之间，当一个防护电路要求整体通流量大，能够实现精细保护的时候，防护电路往往需要这几种防护器件配合起来实现比较理想的保护特性。
但是这些防护器件不能简单的并联起来使用，例如：将通流量大的压敏电阻和通流量小的TVS管直接并联，在过电流的作用下，TVS管会先发生损坏，无法发挥压敏电阻通流量大的优势。
因此在几种防护器件配合使用的场合，往往需要电感、电阻、导线等在不同的防护元件之间进行配合。
电感：在串联式直流电源防护电路中，馈电线上不能有较大的压降，因此极间电路的配合可以采用空心电感退藕电感L>(U1-U2)*(T2-T1)/(I1/2)U1第一级防护器件的残压U2第二级防护器件的钳位电压I1第二级防护器件的通流量T1=8usT2=20us也可以使用功率电感或者共模电感退藕电感的设计应注意的几个问题：1、电感线圈应在流过设备的满配工作电流时能够正常工作而不会过热；2、尽量使用空心电感，带磁芯的电感在过电流作用下会发生磁饱和，电路中的电感量只能以无磁芯时的电感量来计算；3、线圈应尽可能绕制单层，这样做可以减小线圈的寄生电容，同时可以增强线圈对暂态过电压的耐受能力；4、绕制电感线圈导线上的绝缘层应具有足够的厚度，以保证在暂态过电压作用下线圈的匝间不致发生击穿短路。
电阻：在信号线路中，线路上串接的元件对高频信号的抑制要尽量少，因此极间配合可以采用电阻。
电阻应起到的作用与前述电感的作用基本相同。
电阻的取值计算方法为：测得第一级防护器件的冲击击穿电压值U1，查第二级器件（一般为TVS）手册得到其8/20us冲击电流下的最大通流量I1、以及最高钳位电压U2，则电阻的最小取值为：R≥（U1-U2）/I1。
在信号线路中，电阻的使用应注意的几个问题：1、电阻的功率应足够大，避免过电流作用下电阻发生损坏；2、尽量使用线性电阻，使电阻对正常信号传输的影响尽量小。
2.电源端的防护电路2.1 交流电源的防护电路①常用的防护电路②变种电路F1，2一般为温度保险丝③多级防护④使用器件较少的电路⑤最简单常用的三相电防雷方案（3+1）：2.2 直流电源的防护电路1. 室内使用低浪涌等级（500-2KV ）要求常用方案此电路涉及到接口的浪涌防护、静电防护、EFT 、传导、辐射，可根据测试项目选择使用。
保险丝F1，根据客户工作电流和需过的浪涌等级选择，可使用一次性保险丝或PPTC 。
肖特基二极管做防反使用，无要求可去掉。
TVS ，可选择单向或者双向，注意使用单向TVS 的话，如果有防反要求，后面的肖特基或者其①12V 以下直流电路防护方案特点：此电路涉及到接口的浪涌防护、静电防护、EFT 、传导、辐射，可根据测试项目选择使用。
二级保护，气体放电管做粗保护，(如果有绝缘耐压要求则气放管选型需注意)，TVS 做细保护，用空心电感L1退藕，浪涌的残压很低，保险丝F 是为了让气放管或者TVS 短路失效后断开电路，以防止短路电流过大造成火灾，所有器件的选型需根据放浪涌的等级及客户的电路具体分测试波形：以DC12V为例，±6KV测试：+6KV -6KV②12V以上直流电源防护电路特点：此电路涉及到接口的浪涌防护、静电防护、EFT、传导、辐射，可根据测试项目选择使用。
二级保护，压敏电阻和气体放电管做粗保护，(如果有绝缘耐压要求则气放管选型需注意)，TVS做细保护，用空心电感L1退藕，浪涌的残压很低，保险丝F是为了让压敏电阻，气放管或者TVS短路失效后断开电路，以防止短路电流过大造成火灾，所有器件的选型需根据放浪此电路涉及到接口的浪涌防护、静电防护、EFT、传导、辐射，可根据测试项目选择使用。
TVS需要大功率的TVS，贴片的如SM8S系列，插件的5KP，15KP系列气放管如果无绝缘耐压要求，选择90V的，如果有选择高压（2倍绝缘耐压值）的气放管。
此电路涉及到接口的浪涌防护、静电防护、EFT、传导、辐射，可根据测试项目选择使用。
3.信号端的浪涌防护方案3.1 RS232防护电路①防雷等级很高，使用TVS二极管，寄生电容较高，对速率有一定影响。
②防雷等级较高，使用半导体放电管，寄生电容低。
③防静电设计3.2 RS485防护电路①常用常规的485防护方案，防护等级很高，使用TVS，对节点数和通讯速率有影响。
②使用半导体放电管，结电容较低，对485通讯影响较小，防护等级较高③静电防护方案④带电力线误搭接功能的两种方案3.3 百兆网络浪涌防护方案器件推荐：成本较低的方案器件推荐3.4千兆网浪涌防护方案器件推荐4 ESD防护方案4.1 USB2.0防护方案推荐使用的器件ESDSRV05-4，ESDSR05等4.2 USB3.0 ESD 方案器件推荐： ESD1065P或者ESDSR05和ESD0524P 配合使用VBus4.3 HDMI ESD 防护器件推荐 ESD0524P或者每根线使用ESDUCL5V0D8B 或者ESDUCL5V0D9B 接地。
4.4 VGA ESD 防护器件推荐ESDSRVLC05-4，ESD0524P ，或者每根线使用ESDUCL5V0D8B 或者ESDUCL5V0D9B 接地。
Outside wordCase GroundCase GroundSignal GroundOutside word4.5麦克风的ESD 防护4.6 SIM 卡ESD 防护器件推荐：ESDSRV05-4MicrophoneAudio CodecOutside world5.车载防护方案 5.1车载电源方案保险丝：选型需注意I 2T ，防止在7637浪涌测试时，保险丝损坏。
在一些要求不严苛的地方可使用PPTC ，选择时需注意环境温度和耐压要求 肖特基：在这里的作用主要是防反（如果没有这个要求可去掉），注意电压和电流的要求 TVS ：在要求不高如娱乐系统，氛围灯等地方可使用600W ，1500W 的TVS在要求高的位置可以使用大功率的TVS ，如SM8S 系列，5KP ，8KP ，15KP 系列 注意12V 车载系统推荐使用24V ，28V 的TVS ，VC 值在40V 24V 车载系统推荐使用33V ，36V 的TVS ，VC 值在58V 所以后面的器件如DCDC 芯片耐压要注意。