自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为0.46mm的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的0.01uF的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到1.2KV左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为1.2KV左右，若电压偏离1.2KV太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
自制M8晶体管测试仪器创意DIY
自制M8晶体管测试仪器创意DIY话说前几天整理电脑内文件发现图纸库里存着这么一套图纸就是前几年很多电子论坛上炒得非常火的M8晶体管测试仪顾名思义，就是以ATMEL出品的AtMega8为核心的一个自制的电子元件测试装置可以测量诸如电阻、电容、二极管、三极管这些常用元件的简单参数应该说，是一个非常简洁的自制小工具，好像现在作者又对它进行了升级改造，功能更多正好最近工作不忙，于是决定尝试一下这个小东西全套资料齐备，不知道什么时候收藏的测试仪的电路图，非常简单，不得不说MCU功能的强大这要是用分立元件做，那工作可海了去了主核心是ATmega8 MCU和6只精密电阻构成的测试网络使用LCD1602作为显示，左侧两只晶体管组成了自动关机电路考虑到测量电路的核心有6只电阻构成了一个测量网络因此仪器的性能和这6只电阻肯定有很大关系，因此决定这六只电阻采用精密电阻原来想用0.5%的精密电阻，可惜这个精度级的电阻不零卖，最少500只于是只好采用可零售的0.1%精度的精密电阻，718厂的RJ-24A，以前用过很多虽然比较贵，但是质量可靠，性能出色这个电路很简单，在原作者基础上稍加修改单面板即可了，采用SpringLayout画板热转印制版话说这个国产XX硒鼓真是不行，断线很多，转印效果很差和HP原装硒鼓真是没法比，不过打印纸的话效果还可以断线的地方，用记号笔描吧腐蚀，完后打孔涂一层松香酒精溶液，一是为了助焊，二是为了保护铜箔不易氧化线路板做好了，剩下的事情就简单了，按部就班焊接元件即可，都是直插件，焊接简单，要不了一个小时就搞定了先焊跳线焊接好的PCB，4根铜柱用来固定液晶屏1620液晶，使用非常广泛，这里使用单排插针/座进行电气连接方便拆卸这是最重要的核心元件，MCU，型号是ATmega8后续的升级版测试仪可以用ATmega168或328俗话说，硬件是躯体，软件是灵魂，没有软件的支持，再强大的MCU也是垃圾一块，向MCU内写入程序，注入灵魂由于采用片内RC振荡器，因此，烧录程序时，MCU并没有接时钟电路用面包板做的简易烧录器将烧好程序的MCU装好，插上LCD液晶屏，拧紧螺丝，焊上两根电源线M8晶体管测试仪就组装好啦通电测试，一次成功，按下启动按钮，LCD自动点亮测试仪进入测试状态，9V供电下工作电路约87mA应该主要都是LCD背光的耗电，没有接测试元件，因此显示“Test Failed”既然组装好了，那就看看这个小测试仪如何工作吧先抓了一个三极管进行测试能显示一些基本参数这是2N29072N22222SC2060找了一个JFET,对于结型场效应管只能显示管脚HEXFET，这个能被正常识别2N7225，一样可以测试1N54082AP9双二极管半桥也可以被识别，没有被识别成三极管下面测试测试电阻，这个对于这种测试仪来说应该是比较考验精50R，0.01%精密电阻，显示49R，鉴于M8的内置ADC，可以接受500R，显示499R，可以13.5K，这个显示的相当准确啊120K电阻，显示119.2K，也不错了，误差在1%之内再测测电容WIMA 0.22uF西门子0.47uF飞利浦0.01uF MKT国产0.022uF CBB总之，拿这些三极管二极管测试一圈，这个小东西用来玩玩还是辨别元件好坏还是能有很大帮助的，尤其是一些三极管或者MOS 辨别管脚顺序很方便有空再把它升级一下看看效果如何。
基于NE555晶体管快速测试器的设计与制作
基于NE555晶体管快速测试器的设计与制作一、工作原理此电路可以检测出PN结型(PNP、NPN)，用以判断出管子是否良好，检测方便，简单实用。
555集成电路和R1、R2、C1等组成一个无稳态多谐振荡器，其振荡频率为f=1.44／(R1+2R2)C1将待测的晶体三极管的相应极插入管座相对应的e、b、c极孔中(若为二极管，则插入e、c两孔中)。
如果被测管是PNP型，且为良好，它只能在555输出振荡方波低电平时，为PNP管提供导通通路，即在方波低电平时导通，与之串接的LED2发光管得电发光；而在振荡方波为高电平时，PNP管截止，LED1、LED2均不会发光。
如果被测晶体管是NPN型，其管子工作及导通情况，正好与上述的PNP管相反，若为好管，LED1点亮发光，LED2不亮。
因此，由LED1或LED2的发光情况，可判断出是NPN，还是PNP以及其好坏。
对于被损坏断路的三极管，LED1、LED2均不会发光；而对于被击穿c、e极的三极管，则在振荡方波的高、低电平会轮流点亮，只是由于人眼视觉的滞留作用，看起来二者都亮。
因此，在检测三极管时，LED1、LED2二者都亮或都不亮，说明三极管已损坏。
对于二极管，包括硅管或锗管，其好坏的判别方法同三极管，但在插管脚时，只插e孔和c孔即可。
二、实验器材5毫米（红、绿LED各一个）、电阻（100K、200、20K、涤纶223、2K、47K2个）、锁存按键、PCB板、三芯接插座、电烙铁、焊锡丝等三、实物效果四、实验中遇到的问题及解决方法在实验过程中，我们也遇到了不少的问题,比如:焊接实物的问题，我刚开始以为不过是一个NE555和几个电容，电阻应该很简单，但其实是很复杂的，首先对焊板上的元件进行布置，然后进行焊接电路元件，之后要连线。
在此期间，除了对元件较好的焊接外，还要考虑电路元件间的影响（即元件之间信号的干扰等问题），还要考虑元件连线的不相交以及焊板面积的大小、元件摆放和连线的美观性等，所以想要焊出一块实用又美观的板子，还要经过一番考虑和布置。
晶体管在线测试仪课设
目录一、实验验目的 (3)二、实验设计 (3)2.1.1、方案一 (3)2.1.2、实验原理 (3)2.1.3、实验电路 (4)2.1.4、器件选择 (5)2.1.5、测试电路图 (6)2.1.6、模拟电路图 (7)2.1.7、实物图 (8)2.2.1、方案二 (10)三、LNE555简介 (11)四、注意事项 (14)五、心得体会 (15)晶体管在线测试仪一、实验目的运用555和运放电路，制作一个简单测试仪，要求能判断晶体管的类型以及其好坏二、实验设计方案一1、实验原理晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。
对称方波发生器由555 时基电路A2 和阻容元件R3、构成，第三脚输C1 A2 出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。
反向器由555 时基电路A1 构成，它接成施密特触发器，A1 的2、6 两脚输入电平直接取自A2 的第3 脚，当输入低电平时，A1 置位，第3 脚输出高电平；当输入高电平时，A1 复位，第3 脚输出低电平，所以A1 输出与A2 输出始终保持反向。
A1 与A2 共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。
测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2 等组成的双向辅助电源与LED1、LED2 极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。
合上电源开关S，仪器工作指示灯LED3 长亮。
若用鳄鱼夹将一只完好的NPN 三极管按电路所示连接相应c、b、e 插孔，由于被测管集电极 c 和发射极 e 之间存在饱和压降，负半周时，LED1、LED2 均不发光，正半周时，通过R1 提供基极偏流使被测管导通，LED2 被旁路不发光而LED1 发光；当待测的是PNP 三极管时，情况正好相反，LED1 被旁路不发光而LED2 发光，从而可判断晶体管是PNP 型还是NPN 型。
如果被测管是坏管则有3 种情况：①集电极与发射极间短路：此时c-e 间无压降，发光管LED1、LED2 被旁路，且是双向旁路均不发光；②集电极与发射极间开路：这时相当于电路未接入待测管，LED1、LED2 都发光；③基极与集电极（或基极与发射极）存在短路或开路：它们都会使LED1、LED2、发光。
晶体管PC参数测量仪DIY详解
晶体管PC参数测量仪DIY详解
趁长假期间，用洞洞板作了一个PC 机晶体管图示参数测试仪。
用了一天半的时间，搭测试电路和PC 机联调程序测试DAC 和ADC 元件，确定了方案后，再用了1 天时间设计好电路、焊好洞洞板，接下来都是写程序。
电路元件很少。
核心是一块串行多通道DAC（邮购拆机的M62359）和一块串行多通道ADC（美信样品MAX188）。
ADC 基准电压就用拆机KA431，还
有两个78L05 和78L12 对上述ADC DAC 供电，电源用+20V 3A 笔记本电源，M62359 输出驱动1 只大功率管做跟随器扩展电流，总共7 只有源元件和20 只电阻、电容。
整块板面积手掌大小，临时装在一个硬盘的铸铝外壳上，功率管就装在上面，顺便还可以散热。
PC 机通过打印口，用8 芯网线电缆（只用6 芯）连接电路板。
邮购到
M62359（8 通道DAC，可以输出0-12V 电压，电流2.5mA），这样接一只跟随器作电流扩展，远远比加运放进行电压放大简单得多。
并且，输出电压有
12V，扣除功率管压降，估计至少有10V 可以控制，一般测量都可以满足了。
电路使用DAC 两个通道，一个通道控制Vbe 电压（这个通道用不用扩流，
小电流就可以了），一个控制Vce 电压（这个通道要加跟随器扩流）。
ADC 手头有2 块美信样品的MAX188 和一些拆机LTC1090，都是8 通道串行控制的ADC，MAX188 精度更高，所以选用了它。
电路使用4 个ADC 通道，分别测量串在基极回路上采样电阻两端电压，和测量串在集电极回路上采样电阻电压，通过这4 个电压可以换算出Ib、Vbe、Ic、Vce 这4 个参数。
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪 Prepared on 22 November 2020自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB 按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
晶体管耐压测量仪电路a
晶体管耐压测量仪电路a为了保证晶体管能够在电路中正常工作，常常要测量晶体管反向击穿电压。
特别是对要求反向击穿电压比较高的管子，比如OCL功率放大器中差动放大器的管子，反向击穿电压要求大于几十伏．可用晶体管耐压测试电路测试。
电视机视放输出和行输出的管子，要求大于一百几十伏，就更需要测量了。
图5-23a 是一个简易晶体管耐压测试电路，它能够测量晶体二极管、晶体管的厦向击穿电压，还能够测试晶体稳压管的稳压特性。
电路说孵：二极管加上反向电压，反向电流是很小的。
但反向电压加大到某一数值的时候，反向电流急剧增大，管子进入反向击穿状态，如图5-23b所示。
管予进入击穿状态后，通过管子的电流，主要取决于外电路，如果外电路泼有限制电流的措施，电流就会很大，管子就有烧坏的危险。
晶体管反向击穿电压就是反映击穿特性的。
它是指反向电流达到某一个规定值时的反向电压。
这个反向电流的规定值可以从晶体管特性表测试条件中查出。
在图5-23的电路中，变压器把220V的交流电压变成250V的交流电压，经过二极管整流和电容滤波，获取300V的直流高压。
有负载的时候电压要低一些。
电压表用来测量二极管或者晶体管的反向击穿电压，电流表用来监视二极管或者晶俸管反向电流。
(1)测量大功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“大功率”处，可以测量大功率二极管或者晶体管的反佝击穿电压。
比如测量3AD30的集电极发射极反向击穿电压BVceo，电流表进用50mA档，电路如图5-22c所示。
R1和RP1组成限流电阻。
从晶体管特性表中可以查到‘．3AD30的BVceo测试条件是反向电流20mA．调节RP1，使电流表指针落在20mA处。
这时候，电压表的读数就是这个管子的集电极发射极反向击穿电压。
如果测量反向击穿电压BVceo．基极发射极之间接一个规定的电阻。
比如测3AD30的BVceo，要接20fz左右的电阻。
(2)测量小功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“小功率”处，可以测量小功率二极管或晶体管的反向击穿电压。
小功率三极管测试仪的设计制作
摘要在电子类产品中，晶体三极管是电路中最重要的组成部分之一。
其能够放大信号，并且具有良好的功率控制、工作速度快、持久力强等特点，故常被用来构成放大电路，开关电路，并广泛的应用于电子、机械等领域。
面对种类繁多，功能各异的晶体三极管，电路设计人员需要用专用仪器检测其特性参数，并根据检测结果筛选使用合适的三极管。
本课题提出了一款小功率三极管测试仪的设计制作，其实现了晶体三极管引脚的自动识别与直流放大倍数的测试，漏电流的测试。
该测试系统以AT89S52 单片机作为控制的核心，由DA转换器TLC5615作为压控恒流源，能给基极提供稳定的电压；由三个多路开关CD4051组成的自动切换电路，能实现三极管NPN型测量电路及PNP型测量电路的自动切换；再取一个模拟开关CD4051与AD转换器TLC1549共同组成采样电路，以实现引脚电压的自动切换采样。
最后利用单片机对采集所得的数据进行处理，并通过Nokia5110 显示三极管的引脚与管型及直流放大倍数的值和漏电流的值。
本课题的研究内容主要有以下几个方面：⑴介绍了三极管测试技术的现状及未来发展趋势，学习现有技术的优点；⑵详细阐述了系统的测试原理，对主要电路的硬件设计进行了概述和分析；⑶介绍了系统软件设计思路并给出了测量参数的主流程图及各模块流程图；⑷完成了晶体三极管引脚的自动识别及管型的判别，进行放大倍数的测量及漏电流的测量，对测量参数进行必要的误差补偿以提高测量精度。
测试结果表明，所研制的小功率三极管测试仪达到了设计要求，其测试精度高，使用简单，方便，该仪器具有良好的稳定性及较高的性价比。
关键词：AT89S52；模拟开关CD4051；三极管引脚自动识别；三极管放大倍数AbstractIn electronic products, the crystal transistor is the most important integral part of the circuit, which can amplify the signal, and has good power control, work fast, durable and strong features. It is often used to form amplifier circuit, switching circuit, and widely used in electronics, machinery and other fields. Faced with a wide range of different functions of the crystal transistor, circuit designers need to detect the characteristic parameters with special instruments, and screened using a suitable crystal transistor according to test results.This paper presents the design and fabrication of a low power crystal transistor tester, which achieves the automatic identification of the transistor pin and the test of the DC amplification factor, the test of the leakage current. The test system with AT89S52 microcontroller as the core of the control, by the DA converter TLC5615 as a voltage-controlled current source, to give the base to provide a stable voltage; the automatic switching circuit is composed of three multiplexer CD4051, which can automatically switch the measuring circuit of the NPN type to the measuring circuit of the PNP type; Then take a CD4051 analog switch and the AD converter TL1549 together constitute the sampling circuit, in order to achieve automatic switching pin voltage sampling; Finally, the data are analyzed and processed by the MCU, and through the Nokia5110 display the pin and tube type of the crystal transistor, and the value of the DC amplification factor and the value of the leakage current. Contents of this paper are mainly the following aspects:⑴Describes the status of the transistor testing technology and future trends, learn the advantages of the prior art;⑵The testing principle of the system is described in detail, and the hardware design of the main circuit is summarized and analyzed;⑶The design idea of the system software is introduced and the main flow chart of the measurement parameters and the flow chart of each module are given;⑷The automatic identification of the pin of the crystal transistor and the determination of the tube type, the measurement of the amplification factor and the measurement of the leakage current are completed, and the necessary error compensation is made to improve the measurement accuracy.Key words: AT89S52; analog switches CD4051; the crystal transistor pin automatic recognition; triode amplification目录摘要 (I)ABSTRACT (II)1 绪论 (1)1.1课题背景 (1)1.2小功率三极管测试仪的现状 (2)1.3三极管测试技术的发展方向 (2)1.4本章小结 (3)2 小功率三极管测试仪的总体设计 (4)2.1系统实现功能 (4)2.2系统各模块方案的选择 (4)2.2.1恒流源的方案 (4)2.2.2自动切换电路方案 (5)2.2.3最小系统方案 (5)2.2.4采样电路方案 (6)2.2.5显示模块方案 (6)2.2.6供电电源方案 (7)2.3三极管参数的理论分析 (7)2.3.1三极管引脚及管型 (7)2.3.2三极管放大倍数 (8)2.3.3三极管漏电流 (8)2.4本章小结 (8)3 系统硬件电路的设计 (9)3.1系统硬件电路总体设计图 (9)3.1.1单片机最小系统电路 (9)3.1.2D/A转换电路 (11)3.1.3测量电路 (12)3.1.4自动切换电路 (13)3.1.5 A/D转换电路 (14)3.2本章小结 (14)4 系统软件设计 (15)4.1测量模块的编写 (15)4.2液晶模块编写 (16)4.3D/A转换模块编写 (18)4.4A/D转换模块编写 (20)4.5本章小结 (20)5 系统调试 (21)5.1单片机的调试 (21)5.2D/A芯片调试 (21)5.3自动切换电路调试 (21)5.4A/D芯片调试 (21)5.5显示调试 (22)5.6系统整体调试 (22)5.7系统软件调试及误差补偿 (22)6 数据测量与结果分析 (24)6.1管脚的自动识别和管型判别 (24)6.2放大倍数的测量结果 (24)6.3漏电流的测量结果 (24)7 结论 (25)谢辞 (26)参考文献 (27)附录一基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪原理图 (28)附录二基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪PCB图 (29)附录三基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪原程序 (30)1 绪论1.1 课题背景早在1904年弗莱明等人发明出了真空二极管，之后在1906年时德福雷斯特等人又研究出真空三极管，新兴起的电子学以其独特的学科力量迅速壮大起来。
自制晶体管测试仪
自制晶体管测试仪
功能
*自动检测NPN和PNP晶体管，N沟道和P沟道MOSFET，二极管（包括双二极管），晶闸管，
三极管，电阻器和电容器。
*自动检测和测试元件的引脚报告
*检测及晶体管和MOSFET保护二极管显示器
*的放大系数和基数的确定发射极晶体管的正向电压
*测量栅极阈值电压和栅电容的MOSFET
*显示值在文本液晶（2 * 16个字符）液晶型号是CD1602
*有效期组件测试：在2秒（除在较大的电容器）
*一键操作，自动切断
*功率消耗关闭模式：小于20 nA的
对于电阻测量范围约2欧姆为20M欧姆，覆盖了电阻值最大。
其精确度不高。
电容器可以衡量的约0.2 nF至7000μF好。
上面的准确性4000μF日益恶化。
在原则上，大电容的测量还需要较长时间，测量的时间为1分钟是正常的。
注:该测试仪并非本人原创,是一位德国人所作,我只是跟着DIY了一把.
原网站：/articles/AVR-Transistortester
自制晶体管测试仪.rar (548.78 KB)
原理图和代码
以下是制作的图片，使用洞洞板
正面图
反面图
加装电池（9V 6F22），插上液晶
测试小晶体管
外接的测试线
测试线效果
制作要点。
输出的2种电阻值680欧姆和470K尽量精确。
自制GM328晶体管测试仪用户手册
自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。
这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。
两个3.7V 锂离子电池串联。
或AC 适配器。
通电时，直流9V 电流约为30mA 。
控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。
当晶体管测试仪通电时。
短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。
晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。
在测试结束时，在自动关闭之前。
长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。
在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。
要进入特定功能，只需单击RPEWS 。
在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。
测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。
在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。
当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。
如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。
否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。
注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。
在MCU 的端口上只有一点保护。
如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。
无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。
自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。
提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。
现在开始自检，检测仪将提示您下一步。
等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。
检测仪将等待，直到测试到断开。
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自制晶体管耐压测试仪
本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S 在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
由实验可知，Q1的β值越大，则输出电压越高，反之则越低。
当电压基本正常后，加装C5，再测a点电压约为即为正常，然后将万用表串入XA、XB之间，直接测量通过R6的电流。
当S拨在1端时约为70uA,S拨在2端时，约为为正常。
否则，可通过改变R7或R8的阻值来解决。
到此调试工作即告结束，本仪器即可投入使用。
四、注意事项：1.由于本测试仪线路中存在高压，因此在线路布局上要防止高压打火，在使用中要防遭电击；2.测试前把万用表量程拨到大于被测元件耐压值档，若被测元件耐压值不楚时，需先用较大量程档测量；3.由于电路工作时电流较大（200～500mA），故电源GB最好选用镍镉电池或5号干电池。