武汉理工大学模拟电路试卷
武汉理工大学网络教育模拟电子技术
一、判断(共计50分,每题2.5分)1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
A. 正确B. 错误错误:【A】2、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。
A. 正确B. 错误错误:【A】3、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。
A. 正确B. 错误错误:【A】4、将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联在一起，可以组成带阻滤波器。
A. 正确B. 错误错误:【A】5、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】6、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共集组态带负载能力强。
A. 正确B. 错误错误:【A】7、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。
A. 正确B. 错误错误:【A】8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）A. 正确B. 错误错误:【A】9、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。
A. 正确B. 错误错误:【A】10、直流电源一般由下列四部分组成，它们分别为：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。
A. 正确B. 错误错误:【A】11、对于耗尽型MOS管，当栅源电压等于零时，有导电沟道存在。
A. 正确B. 错误错误:【A】12、N型半导体中电子是少数载流子。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】13、结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】14、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】15、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。
A. 正确B. 错误错误:【A】16、场效应管放大电路有共源、共栅、共漏三种组态。
武汉理工大学历年数电试卷和模拟题
3．F3F3四、（共12分）设计一个三人举手表决电路，要求输出Y的状态与三人A、B、C中多数的状态一致：1．列出真值表并写出逻辑表达式；（6分）2．用3/8线译码器74138和与非门实现上述逻辑函数，画出电路图。
（6分）74138集成译码器功能表及符号输入输出G1G2A G2B A2A1A0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y70X X X X X11111111X1X X X X11111111X X1X X X111111111000000111111110000110111111100010110111111000111110111110010011110111100101111110111001101111110110011111111110五、（共12分）分析下列由计数器74LS290和数据选择器74LS151组成的电路：1．画出图中74LS290输出的状态转换图；（3分）2．写出图中74LS151输出Y的逻辑表达式；（3分）3．对照CP画出输出Y的波形图；（3分）4．说明电路的逻辑功能。
（3分）武汉理工大学教务处 试题标准答案及评分标准用纸课程名称 数字电子技术 （ A 卷）一、填空（每空1分，共16分）1.（ 111111.11）B ＝（77.7）O =（3F.C ）H ＝（01100011.01110101）8421BCD 2．()()F A BB C =++，()()'F A B B C =++3．A=C=1，F AB BC AC =++ 4．速度快 5．-5V6．10，8，8 7．0，1，2二、化简（每小题6分，共12分）1．代数法化简：()()()F A B ABC A(B AB)A B AC A A B A+C A A BC A A BC A B+C AB+AC=•+++=•++=++=++=+==2．卡诺图法化简：Y(A,B,C,D)=(0,2,3,4,6,12)(1,7,8,10,14,15)∑+∑m d 三、写表达式（每小题4分，共12分）1．1F A B C =⋅⋅ 2．2F A B B C =⋅+⋅ 3．3F 1= 四、1．真值表：（略）（3分）逻辑表达式：()Y 3,5,6,7m =∑（3分） 2．电路图：（6分）1GA74LS138G 2212AGAY 4 1 Y Y 5 Y2 Y 6 Y Y 7Y 3 0A B C10 0Y图1 例1逻辑五、1．七进制；（3分）2．输出Y 的逻辑表达式()Y 0,1,3,4,5m =∑；（3分）3．1101110；（3分）4．序列码发生器。
参考武汉理工自动化复试题
第一部分：模拟电子技术1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。
2、什么是本征半导体和杂质半导体？答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。
在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。
3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。
4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？答：按百万分之一数量级的比例掺入。
5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。
反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。
P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结。
6、PN结最主要的物理特性是什么？答：单向导电能力和较为敏感的温度特性。
7、PN结还有那些名称？答：空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。
8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为什么具有单向导电性?答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。
这就是PN结的单向导电特性。
9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗?答：并不是完全没有电流，少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。
10、二极管最基本的技术参数是什么？答：最大整流电流11、二极管主要用途有哪些？答：整流、检波、稳压等。
12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?答：通过电流分配关系。
13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管？为什么？答：否；两只二极管相互反接是通过金属电极相接，并没有形成三极管所需要的基区。
武汉理工大学考试试题纸
元件使用，在并联型晶体振荡器中，晶体
二．画出一个调幅模拟通信系统中：（）发射机的原理框图，并画出各对应框的示意波形， （）超外差接收机的原理框图，并标明对应的频率（可用符号或数值表明）。
三、画出用乘法器实现调幅、混频和同步检波的原理框图，并指出它们的异同点。 四、某中频放大器路如图所示。已知放大器工作频率为，回路电容，中
状态；若采用
基极调制，高频功放应选择 状态。（欠压，过压，临界） ．高频功率放大器主要工作在 类，而高频小信号放大器主要工作在
类。
（甲，乙，丙，丁）
．某发射机输出信号()(π )π ()，则该信号的调制度
，带宽 。
．在高频放大器中，多用 作负载，其作用是
。
．在串联型晶体振荡器中，晶体作为 作为 元件使用。
1/2
七、频率为的载波被频率为的正弦信号调制，最大频偏为， （）求此时波的带宽； （）若 Ω 加倍，频率不变，带宽是多少； （）若频率加倍，Ω 不变，带宽是多少。
＋
图
图
2/2
频变压器接入系数，，线圈品质因数。 晶体管的参数（在工作频率上）如下：
0.4m
36.8m
μ
设后级晶体管的型号与参数相同 ，求：（）回路有载值和通频带
（）放大器谐振时的电压增益。
五、某高频功放工作在临界状态，通角 θ°，输出功率为，，所用高频功率
管的 0.5A，管子能安全工作。计算：（）临界负载电阻 ；（）及集电极效率 η。 （注：α（°），α（°）） 六、在图所示的电容三端式电路中，，，μ，试求： （）画交流等效电路（）求电路振荡频率；（）求维持振荡所必须的最小电压增益。
武汉理工大学考试试题纸（卷）
课程名称 高频电子线路 专业班级 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分
武汉理工大学模电试卷
武汉理工大学考试试题 （A 卷）课程名称 模电 专业班级 软件工程0601题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分2020128121612备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一. 填空题：（每空1分，共20分）1.在P 型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。
P 型半导体主要靠（ ）导电。
2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（ ）状态。
3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他们的导电过程仅仅取决于（ ）的运动。
4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（ ）偏置和集电结电压应为（ ）偏置。
5.共射放大电路有（ ）电压增益，（ ）电流增益，温度升高时，其增益均会（ ）。
6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（ ）组态电路。
7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。
二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（ ）。
① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（ ）。
①. I S e U ②. TU U I e S ③. )1e (S －TU U I3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。
① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。
① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ） 。
①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。
1~4章习题课 模电 武汉理工
iD1
V1 uI V2 uI ( i1 iD2 ) ( ) R1 R2
iD1 iD2
2uI 24 5 18 uI 5
+
iD1 D1 i1
iD2 D2 i2 R2 V2
+
D1导通的条件是uI＞12 V
uI
R1 5 kW
模拟电子技术基础
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通 电压VD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正 常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？
解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。 （2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA， R的范围为
R i R b //[rbe (1 )R L ] 18 //(0.56 101 0.11) 7kW
Avs
Ri ( 1 )RL Ri Rs rbe ( 1 )RL
7 101 0.11 0.877 。 7 0.6 0.56 101 0.11
2.2.5 电路如题图所示，设所有稳压管均为硅管 （正向导通电压为VD＝0.7V），且稳定电压VZ＝ 8V，已知vi＝15sinωt (V)，试画出vO1和vO2的 波形。
模拟电子技术基础
当 vi VZ 8V 时，稳压管 DZ 反向击穿，vo＝8V ； 当 vi VD 0.7V 时，稳压 管 DZ 正向导通，vo＝−0.7V ； 当 0.7V VD vi VZ 8V 时，稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿，vo＝vi 。
50 3 3 0.5
150
Vi
Ri Rb1 Rb 2 rbe 0.5k W
武汉理工大学电路分析基础(下)试题
…
…
1 i1 i
i2 2
装 订
线
R
内 不
u1
C
R
i
u2
要 答
题
，
1
2 不
要
题 2－9 图
填 写
考
生
信
10、试用二端口网络的级联求题 2－10 图所示二端口网络的 T 参数矩阵。
息
…
…
1
L
2
… …
…
…
C
试
卷
装
1
2
订 线
…
题 2－10 图
…
…
…
4
得分
三、计算题（10 分）
电路如题 3 图所示，已知US (4 j8)V , IS j4 A 。试用回路分析法按指定的回路电流
R
uS (t)
L
C2 uo (t)
C1
题 2-7 图
3
8、题 2－8 图所示电路原已达稳态，若 t 0 时将开关 S 断开，试画出用电路的复频域分析法
求解的复频域电路模型（运算电路）。
iL
…
6 A S(t 0) 0.5H
… …
2
1 1F uo
… 试
卷 装
订
线
题 2－8 图
…
…
…
…
9、求题 2－9 图所示二端口网络的 Z 参数矩阵。
jM
2
装 订
jL1 • • jL2
线
US
R2
ZL
… … …
…
2
… …
题5图
装 订
线
内
不
要
答
题
武汉理工大学电工电子样卷
（C ）C L R /2= 题三图如图所示，换路前已处于稳态，t=0时开关闭合，试求换路后的电容两端电压题四图题五图武汉理工大学教务处（A 卷）一、填空题（每空1分，共16分）1. －1A 、2V 、1A2. 1000 、 3π 、503. 电压、电流4. 滞后 、容性5. N1/N2、N2/N16. 改变电源相序7.变电源频率f 、变电机极数P 、变转差率S二、单选题（每题2分，共20分）1～5：A B B D C 6～10：A B A A C 三、（10分）解：c 点电位为Vc=1×10=10V （3分）b 点与c 点电位差为U bc =4×3/（4+2）=2V ，故Vb=Vc+U bc =12V （4分） a 点电位为Va=Vb-3=9V （3分） 四、（12分）解：（1）开关未闭合时，电路处于稳态，计算)0(-C U 如图3.1所示，Uab ＝20V ，故101020)0(=-=-C U V （3分） （2）根据换路定则，)0()0(-=+C C U U ＝10V （2分） （3）当电路再次进入稳态后，)(∞C U如图4.2所示，)(∞C U ＝20×（1/4）-10=-5V （3分）(4)等效电阻R ＝10K Ω，故时间常数RC ＝10K Ω×10μF=0.1s （2分） 根据三要素法，可得t C e t U 10155)(-+-=V 。
（2分） 五、（12分）解：（1）求开路电压Uab 。
如图5.1所示电路。
Uab ＝16V （4分） （2）等效电阻R0＝8Ω,如图5.2所示。
（4分） （3）I ＝Uab/(R0+24)=0.5A ，如图5.3所示，（4分）六、（15分）解：由已知条件可知，︒∠=0380ABU V ，s rad /314=ω，则 A 、B 、C 相电压分别为︒-∠=30220A U V ，︒-∠=150220B U V ，︒+∠=90220C U V ，（3分） Ω=⨯⨯==-10108.313143L X L ω，Ω=⨯⨯==-10)10318314/(1)/(16C X C ω（3分）︒-∠==3022/R U I A A A ，︒-∠=-=6022)/(C B B jX U I A ，︒∠==022)/(LC C jX U I A ，（3分） 图4.1 t ＝0－等效电路A I I I I CB A N 3060-∠=++=∙∙∙∙（2分） 相量图如下图所示。
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7.在共射极固定偏置放大电路中，如果NPN管的基极电流增大，则与此
相应的（ B ）和( C )。
A.输入电压减小；B.发射极电流增大；C.管压降减小；D.输出电压
增大
8.单管共射极固定偏置放大电路的电压增益与BJT的电流放大系数β（
B ）。
A.无关； B成正比； C.正反比； D.成递增关系； E.成递减
A.反向； B中断； C.增大； D.不变； 6.在共射极、共基极、共集电极三种基本放大电路中，电压放大倍数约 等于1的是（ B ）组态，输入电阻最大的是（ B ）组态，最小的 是（ C ）组态；输出电阻最大的是（ C ）组态，最小的是（ B ）。
A.共射级电路；B.共集电极电路；C.共基极电路；D.不定
2 KΩ
Dz1 40V
Dz2
图（二3） Uo
4.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极 电流等于（ A ）。
A. 0.98mA； B. 1.02mA； C. 0.8mA； D. 1.2mA； 5.如果改变理想晶体管的基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反 偏，则集电极电流（ B ）。
输入电阻和双端输出电阻；
②双端输出的共模电压增益以及共模抑制比。
答：
五、试用瞬时极性法判断下图（五1）和（五2）中的级间反馈
极性和组态。
（共10分,每小题5分）
R1 +
Vi - R4
R2 +
RL Vo -
R3
图（五2）
R3
T1 Vi
R5
+Vcc R4 T2
Vo
-VEE 图（五1）
图（五1）
A
+ R1
有的负反馈；
C.直流通路中的负反馈；
D.直流耦合电路中才
存在的负反馈
12.交流负反馈是指（ B ）。
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈； B.交流通路中的负反
馈；
C.放大正弦波信号时才有的负反馈； D.变压器耦合电路中
的负反馈
13.在多级直流放大电路中，零点漂移最严重的是（ C ）。
A.输入级； B.中间级； C.输出级； D.放大倍数最高的那
R2
答：电压串联负反馈、电流并联负反馈
六、计算题（12分）
由理想运算放大器A1、A2组成的电路如下图（六1）所示，试写出 与的运算关系式。 R
R1 R/2
图（六1）
R -
A2 +
A1
+ R2
答：
七、计算题（共10分,每小题5分）
由理想二极管组成的电路分别如图（七1）、（七2）所示。 1 指出理想二极管导通还是截止状态； 2 求输出电压 D
二、单项选择题（本大题共20分，每空1分）
1.当PN结外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（ D ）。
A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 2.正偏时，对于某个确定的工作点，普通二极管的交流电阻和直流电阻 相比，（ A ）。
A.； B.； C.； D.说不定哪个大 3.在下图（二3）所示电路中，设的稳定电压为7V，的稳定电压是为 13V，则输出电压等于（ C ）。 A. 20V B. 1.4V C. 7.7V D.13.7V E. 40V
- 1.5kΩ
9V
-
+
6V
图（七2）
D
-
+
6V +
1.5kΩ
6V
-
+
图（七1）
答：图（七1）导通，Vo=3V； 图（七2）截至，Vo= -6V
①计算该电路的静态工作点上的值；
②画出该电路的小信号等效电路；
③计算该电路的电压增益；
④计算输入电阻和输出电阻。
四、计算题（共12 分,第①小题8分，第②小题4 分）
在左图（四1）所示差动放大电路中，已知：
+Vcc
Rc
Rc
RL
+-
T1 T2
Rw
Rs
Rs
+
+
- Re
-
-VEE 图（四1）
求：①双端输出的差模电压增益、 Vs2 Vs1
一级
14.差动放大电路由双端输出变为单端输出，则其空载差模电压增益（
B ）。
A.增加一倍； B.减少一半； C.不变； D.说不定怎样变化
三、计算题（共16分,每小题4分，）
在左图（三1）所示放大电路中，已知：
+Vcc Rc
Rb1
C2
C1
+ Vi Rb2 -
+ TRL Vo Rຫໍສະໝຸດ C3-图（三1）
武汉理工大学考试试题纸（ A 卷）
课程名称 模拟电子技术基础 2011级
专业班级
题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 号
题 20 20 16 12 10 12 10
100
分
备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）
一、 填空题（本大题共20分，每空1分，）：
1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。 2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。 3.当PNP型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位 最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。 4.设某共射极基本放大电路原来没有发生削波失真，现增大，则静态工 作点向 左 方向移动，较容易引起 饱和 失真。 5.设某负反馈放大电路的开环放大倍数，反馈系数，若变化，则变化 0.45% 。 6. 电流并联 负反馈能使放大电路的输入电阻减小，输出电阻变大； 电压并联 负反馈能使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小。 7.若是 差模 电压，是 共模 电压，则差分电路两输入端的电压分别为 ，和 。 8.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 电压增益 ，因 为电流源的 交流电阻 大。
关系
9.如果增大信号源内阻，则放大电路的输入电阻（ C ）。
A.增大； B.减小； C.不变； D.说不定是怎样变化
10. .如果负载电阻增大，则放大电路的输出电阻（ C ）。
A.增大； B.减小； C.不变； D.说不定是怎样变化
11.直流负反馈是指（ C ）。
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈； B.放大直流信号时才