磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪 (2)
磁控溅射仪 Magnetron Sputtering Apparatus
型 号：JGP450 主 要 功 能：磁控溅射法制备各类薄膜材料 主要技术参数： 镀膜室尺寸：φ 450×450 mm；极限真空：6.6×10-5Pa；RF 射频电源：N≦1000W， f=13.56MHz； 直流稳压电源： N≦1000W， 2000W 各一台； 直流偏压电源： N≦2000W， -200V； 气路流量：0~100SCCM 两路，0~50SCCM 一路 操作注意事项： 1 磁控靶、分子泵工作时必须开冷却水。 2 镀膜室暴露大气前须关闭闸板阀，以免损坏分子泵；同时要关闭气路截至阀，以免气 路受污染。 3 镀膜室烘烤时，真空壁面及观察窗温度不得超过 100℃。 4 样品溅射完毕后随炉冷却，真空室温度降至 60℃后才Ar
e Ar＋
E
靶原子
e
溅射靶 N S N
真空室
磁控溅射ti的工艺参数
磁控溅射ti的工艺参数嘿，朋友！咱们今天来聊聊磁控溅射 Ti 的工艺参数，这可是个相当有趣又重要的话题哟！你知道吗，磁控溅射 Ti 就像是一场精心编排的舞蹈，而工艺参数就是指挥这场舞蹈的节拍和旋律。
先来说说溅射功率。
这玩意儿就好比是舞者的力量，功率越大，溅射出的粒子就像充满活力的舞者，跳得更高、更远，沉积的速度也就越快。
但要是功率太大了，那可就像舞者用力过猛，容易出现“乱了阵脚”的情况，导致薄膜质量下降。
所以，控制好溅射功率，那可是关键中的关键呐！再讲讲工作气压。
它就像是舞台上的氛围，气压合适，粒子们就能在“舞台”上有序地表演，形成均匀、致密的薄膜。
要是气压太低，粒子们就像在空旷的舞台上找不到伙伴，孤单又迷茫；气压太高呢，它们又像在拥挤的人群中挤来挤去，乱成一团。
你说这是不是很有趣？还有靶基距。
这相当于舞者和观众的距离。
距离适中，观众能欣赏到精彩的表演，也就是能得到质量良好的薄膜。
距离太近，就像观众贴到舞者跟前，会影响表演效果；距离太远，观众又看不清楚，薄膜的质量也就难以保证啦。
至于溅射时间，那就是舞蹈的时长。
时间短了，薄膜还没成型，就像舞蹈刚刚开场就结束，能精彩吗？时间太长，又可能会出现过度沉积，就像舞者跳得太久累得不行，影响整体效果。
还有靶材的纯度，这可关乎着“舞者”的出身。
纯度高的靶材，就像出身名门的舞者，基础好，表演自然精彩；纯度低的靶材，就像半路出家的舞者，总会有些小瑕疵。
温度也是个重要的参数。
它就像舞台的温度，合适的温度能让舞者发挥得更好，让粒子们更活跃，形成的薄膜性能也就更优越。
总之，磁控溅射 Ti 的工艺参数就像是一场精妙的交响乐，每个参数都是一个独特的音符，只有相互协调，才能演奏出美妙的乐章，得到理想的薄膜。
所以，在实际操作中，咱们可得像个经验丰富的指挥家，精心调整每个参数，让这场“磁控溅射之舞”完美呈现！。
磁控溅射镀膜机技术要求
向上溅射（基片台在腔室顶部，靶在腔室底部）
膜厚不均匀性
≤±5%（靶材匹配范围内）
报警及保护
对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统
设备质保
需要供应商提供不少于1年的设备免费保修服务。
磁控溅射镀膜机技术要求
设备用途
能够进行磁控溅射、蒸发，基片台可用射频电源加负偏压对基片进行反溅清洗活化、辅助溅射功能。该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性膜等。
主要技术指标
真空腔室
304优质不锈钢真空腔室，上开盖结构；观察窗1套
真空系统
涡轮分子泵+直联旋片泵准无油真空系统，数显复合真空计
真空极限大气抽至6.0×10-3Pa≤15min
基片台尺寸
最大可镀基片尺寸/面积：Ф100mm范围内可装卡各种规格基片
基片加热与旋转
基片台加热：室温～400℃，PID控温；基片旋转：0-20转/分钟连续可调；基片台有负偏压装置，可切换射频电源反溅清洗样片
溅射靶及电源
2英寸圆形平面靶1只，靶的角度可调，1对水冷蒸发电极；配冷却循环水机；该靶兼容直流溅射/中频溅射/射频溅射；配2000VA直流溅射电源1台、500VA射频溅射电源1台、2000VA直流蒸发电源1台
高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标
高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标一、系统的主要组成及技术指标溅射室极限真空度：W6.6xl0-spa（经烘烤除气后）；（洁净真空环境）系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.6x10-4Pa;（抽速快，缩短实验准备时间）系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa;膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm1、溅射真空室真空室为圆筒形前开门结构，尺寸e450mmx400mm,全不锈钢结构。
可内烘烤到IOO〜150℃,选用不锈钢材料制造，氮弧焊接，表面进行电化学抛光国内首家钝化处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；手动前开门结构；靶安装在上盖，基片转台安装在下底盘（靶台与样品台可以实现上下互换）。
真空室组件上焊有各种规格的法兰接口与功能部件相连接2、磁控被射系统：3套2.1靶材尺寸：60mm；2.2提供靶材：不锈钢、钛、铁各一块（仅供测试靶材用）；2.3强磁靶可溅射磁性材料，射频溅射与直流溅射兼容，靶内水冷；2.4每个靶都配备气动控制挡板组件1套；2.5靶在上，向下溅射，具有单独溅射、轮流溅射、共溅射功能（靶与样品台的位置可以调换；2.6暴露大气下，磁控靶可手动调节共溅射角度；2.7磁控靶与基片的距离可调，调节距离为：90730mm。
3、旋转加热基片台3.1基片尺寸和数量：最大可放置1片6英寸圆形样品；4英寸范围内膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm（注：工艺部分在乙方现场完成，甲方现场只做安装、调试本机）；3.2基片通过进口加热丝加热方式，样品加热温度：≥700o C,连续可调；加热装置在真空室上法兰上，对基片托板进行加热，通过热电偶控制控温电源实现闭环控制，系统由加热器和1个加热控温电源组成，加热电源配备控温表，控温方式为PlD自动控温及数字显不；3.3基片自转速度5〜20转/分连续可调；3.4气动控制样品挡板组件1套；3.5样品台安装-200V偏压电源（辅助沉积）。
磁控溅射相关
THANKS
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靶材性能对溅射效果影响
靶材纯度
高纯度靶材可以减少薄膜中的杂质含 量，提高薄膜性能。
靶材致密度
高致密度靶材可以提高溅射速率和薄 膜质量。
靶材晶粒大小
细小晶粒的靶材可以提高薄膜的均匀 性和附着力。
靶材成分与组织
不同成分和组织的靶材会影响溅射过 程中粒子的能量和角度分布，从而影 响薄膜的结构和性能。
04
多功能化和智能化
未来的磁控溅射设备将实现多功能化和智能化，具备自动调节、远程监控、数据分析等 功能，提高设备的易用性和生产效率。
环保和可持续发展
环保和可持续发展是未来磁控溅射技术发展的重要方向，将采用更环保的材料和工艺， 降低能耗和废弃物排放。
未来研究方向和挑战
新材料和新工艺的探索
未来需要探索新的靶材、基材 以及工艺参数，以适应不同领 域和应用的需求，并提高磁控 溅射技术的性能。
关键技术参数与性能指标
溅射速率
单位时间内溅射到基片上的物 质质量或厚度，与靶材成分、 电源功率、真空度等因素相关
。
薄膜均匀性
基片上薄膜厚度的均匀程度， 受磁场分布、基片位置、溅射 角度等因素影响。
靶材利用率
靶材被有效利用的比例，与靶 材形状、磁场设计、溅射方式 等因素有关。
设备稳定性与可靠性
设备在长时间运行过程中的稳 定性和故障率，是评价设备性
06
磁控溅射技术应用实例分析
在微电子领域应用案例
薄膜晶体管（TFT）制造
利用磁控溅射技术，在玻璃或塑料基板上沉积薄膜，用于制造TFT显示器，如液晶显示屏 （LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏。
磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸：视窗不锈钢真空室，Ф200 x200mm
真空系统：配置涡轮分子泵、机械泵（带防返油过滤器）
极限压力：≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间：恢复工作背景真空6×10-4Pa：35分钟左右（充干燥氮气）
磁控靶组件：配置两个直径2英寸溅射靶枪，带独立挡板，共焦溅射，可以溅射小于等于4英寸的工件；有一个靶枪为磁场增强型，可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材；直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射；4英寸工件溅射均匀性优于±5%；溅射重复性优于±3%。
样品尺寸：≤4 inches (约100mm)
运动方式： 0~20RPM
气路系统：配置两路进气，采用知名品牌流量计控制（最大流量50sccm）
计算机控制系统：触摸屏控制系统，可以在触摸屏上实现所有设备操作。
磁控溅射系统基本技术要求
磁控溅射镀膜机技术规格1.货物名称、数量磁控溅射镀膜机1套2.工作条件及用途2.1工作条件2.1.1能在电源电压380±10%V、50±2%Hz、室温0℃~40℃的环境下连续正常工作。
2.1.2连续工作时间能力不应少于168小时，设备服役期限15年。
2.2用途主要用于镀制多层金属及金属化合物薄膜。
3.技术规格卖方所提供的磁控溅射镀膜机必须是技术先进，经济合理，成熟可靠的产品。
本条中带*技术指标为关键指标，不允许有超标。
3.1基本要求磁控溅射镀膜机由无油真空系统、溅射系统、气体压强控制装置、气体流量控制装置以及烘烤旋转系统等组成。
可满足样品尺寸为φ50mm，多片（4片以上）同时镀制要求，可满足三靶共溅射要求；溅射室采用1Cr18Ni9Ti不锈钢制造；气体管路采用不锈钢硬管；所有设备要求为集装式。
溅射室的观察窗不少于2个；备用接口不少于2个，溅射室内部应有照明装置。
3.1.1样品尺寸：≥φ50mm，*3.1.2膜厚不均匀性：≤±5%；*3.1.3膜厚重复性≤±3%；3.2真空系统3.2.1真空室直径≥φ500mm。
3.2.2极限真空度：≤6.0⨯10-5Pa*3.2.3恢复抽真空时间：从大气~4×10-3Pa小于15分钟*3.2.4真空测量装置范围：大气~1×10-5Pa3.2.5系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。
3.2.6真空测量：宽量程真空计（用于真空监测）和精度优于1.5%的薄膜规（用于工艺真空控制，建议采用美国MKS产品）；3.3溅射系统3.3.1溅射材料：Ti，Pt，Au，钛酸锶钡等；还可溅射其它金属、氧化物等；*3.3.2溅射靶：溅射靶的数量不少于4个，可满足三靶共溅射要求；要求共溅射和单靶溅射模式转换调节方便；预留一个靶的空位和接口，作为离子源安装备用接口；3个直流靶为高真空型、1个射频靶，其中一个直流靶为磁场增强靶；靶位置：向上溅射；溅射靶与基片距离可调节，每只溅射靶分别配有挡板；4个永磁靶均为摆头靶，可分别实现多层镀膜和掺杂镀膜。
手套箱等设备技术参数
高真空磁控溅射仪等设备技术参数
序号
主要技术要求及配置要求
设备名称及采购数量：高真空磁控溅射仪 1 台
一、技术参数：
1、系统全自动控制方式，具有一键式配方自动功能和参数以及程序的自动控制。
★2、溅射室极限真空度：≤7×10-6 Pa（经烘烤除气后），系统从大气开始抽气到 6.0×10-4
Pa≤25 分钟；
6、设备验收用的标准金属靶材 3 种：Au 靶 1 个（2 mm 厚）；（2 mm 厚）。
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磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸：视窗不锈钢真空室，Ф200 x200mm
真空系统：配置涡轮分子泵、机械泵（带防返油过滤器）
极限压力：≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间：恢复工作背景真空6×10-4Pa：35分钟左右（充干燥氮气）
磁控靶组件：配置两个直径2英寸溅射靶枪，带独立挡板，共焦溅射，可以溅射小于等于4英寸的工件；有一个靶枪为磁场增强型，可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材；直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射；4英寸工件溅射均匀性优于±5%；溅射重复性优于±3%。
样品尺寸：≤4 inches (约100mm)
运动方式： 0~20RPM
气路系统：配置两路进气，采用知名品牌流量计控制（最大流量50sccm）
计算机控制系统：触摸屏控制系统，可以在触摸屏上实现所有设备操作。