《模拟电子技术》总复习
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模电综合复习题
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-，I2=-，I3=。
此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。
《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技术总复习
IE= Ic + IB =(+1)IB IC
12
电容短路,直流电源短路，画出交流通道
ui
RB
RC
RL
uo
13
用晶体管的微变等效电路代替晶体管，画出该电路的 微变等效电路，并计算电压放大倍数、输入电阻、输 出电阻
ii
ib
ic ib
R A u L rbe
ui
RB
rbe
RC
RL
uo
10 F
ui
R E1 RB 2 3.3k 15 RE 2 10 F 1.5k
RB 4 1.8k
5.1k RL
10 F
uo
RE 3 1k
PNP管的 微变等 效电路 与NPN管 完全一 样！
27
例3:
如图所示的两级电压放大电路， 已知β 1= β 2 =50, T1和T2均为硅管。
（1）计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V)； （2）求放大电路的输入电阻和输出电阻； （3）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。
ib
RC RL uo
+
ui
C1
RB 2
RE
-
-
20
3.动态分析 ——电压增益
ib rbe ui RB1 RB 2 RE
ib
RC RL uo
输出回路：uo 输入回路： ui
β ib (Rc || RL )
ib rbe ie Re ib rbe ib (1 β) RE
+24V
RB1 1M C1 + T1
82k
C2 +
RB1
RC2 10k T2
C3 + +
模拟电子技术总复习
vi>VT+时，vo=VOL，vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点： 直流稳压电源组成；整流、滤波和稳压的概
念；桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算；串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算；集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论：PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法：断开 二极管，利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压，若该电压大于 正向导通电压，则导通；反之，则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态： 特点：iC=βiB，即iC受iB控制，与v CE无关，呈近似恒流源性质。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度， 多数载流子浓度取决于掺杂浓度，其值较大且稳定； 少数载流子浓度与本征激发有关，对温度敏感。
end
PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流，称为正向 导通。
PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流，称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作，
原因iB：/?静A 态工作点太低造；成截止失真。
波形：输出电压正半波平顶适（当对增N加PN基）；
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
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半导体的共价键结构：
+ 4
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
载流子 自由电子
空穴
本征激发
动态平衡
复合
本征半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
5
二、 杂质半导体
N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由
电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子， 少数载流子（少子）：空穴。
（2）反向击穿电压：射-基反向极击穿电压U(BR)EBO
集-基反向极击穿电压U(BR)CBO 集-射反向击穿电压U(BR)CEO
（3） 集电极最大允许功耗PCM
4、频率参数：
17
（四） 温度对BJT参数及性能的影响
UBE ↘
↑
T↑
ICEO ↑ U（BR）CBO ↑ U（BR）CEO ↑
18
二、放大电路的组成及分析计算
9
四、 二极管的基本电路及其分析方法
1、图解分析法：
R iD D
+
iD VDD /R
ID Q
VDD
vD -
2、简化模型分析法：
VD
VDD vD
简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型 应用简化模型分析：
10
4 双极型三极管及放大电路基础
一、 BJT的结构、原理与特性
（一） BJT的结构与工作原理: 两种类型：NPN型和PNP型。
模拟电子技术
《模拟电子技术》 期末总复习
1
题型：
一、填空题（12、14分） 二、选择题（16分） 三、分析题（18、16分）（3、2题） 四、计算题（44分） （5题） 五、设计题（10分） （1题） 期中前约 50% 期中后约50%
2
1
绪论
一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号 二、放大电路性能指标： 1、电压放大倍数Au
ICN IC IEN IE
IC =β IB +ICEO IE =IC +IB =( 1+β)IB +ICEO IC =α IE ≈ IE
13
I I CN I C CBO I C I I BN I B CBO I B
（二） BJT的V-I特性曲线
1、输入特性：
UCE=0V UCE =0.5V
IC(mA )
此区域满足 IC=IB称为 线性区（放 100 A 大区）。
80A
60A
40A : I =0， 此区域中 B IC=ICEO，UBE< 死 20A 区电压，称为截 I =0 B 止区。
15
1
3
6
9
12 UCE(V)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：VCEUBE ， IB>IC，
工作过程:
2、载流子在基区的扩散与复合 3、集电区收集载流子
电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB
IB(A)
80
60 40
死区电压， 硅管0.5V， 锗管0.2V。
UCE 1V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
20 0.4 0.8 UBE(V)
14
2、输出特性 此区域中 UCEUBE4 , 集电结正 偏， 3 IB>IC， UCE0.3 V称为饱 2 和区。
P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴
浓度大大增加的杂质。 受主原子（离子） 多子：空穴，少子：自由电子。
6
三、 PN结与半导体二极管
1、 PN结的形成过程：
接触 扩散 形成空间电荷区
动态平衡
内电场
漂移
PN结
空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结
2、PN 结的最主要的特性——单向导电性：
电压增益=20lg|Au| (dB)
2、输入电阻ri
3、输出电阻ro
4、通频带 5、失真： 失真
幅度失真: 线性失真 相位失真: 非线性失真：
3
3 二极管及其电路
一、半导体与本征半导体：
惯性核 价电子
半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性
+ 4 + 4
+ 4 + 4 &#+ 4
NPN型
c N P N
集电极
集电极
c PNP型 P N P e
b
集电结
基极
c
b
b
B
发射结
基 极
c
e
e
发射极
发射极
e
11
三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。
内部结构： 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备 的外部条件是： a.发射结加正向电压(正向偏置): NPN管：Vbe>0； PNP管：Vbe<0 b.集电结加反向电压(反向偏置): NPN管：Vbc<0；PNP管：Vbc<0 1、发射区向基区扩散其多数载流子
PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止
7
3、PN结的伏安特性：
正向特性 反向特性 击穿特性
导通压降: 硅管 0.6~0.7V, 锗 管 0.2~0.3V
V D V T
ID IS (e 1 )
IR= -IS
ID
反向击穿(电击穿)
击穿 稳压二极管利用击穿特性 特性
雪崩击穿和齐纳击穿
VBR
硅管：VCE0.3V 锗管： VCE0.1V
(3) 截止区： VBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
16
（三） BJT的主要参数
1. 电流放大系数：α 、β 2、极间反向电流：
3、极限参数：
（1）集-基极反向饱和电流ICBO （2） 集-射极反向饱和电流ICEO
（1）集电极最大电流ICM
正向 特性 VD
反向 特性
4、 PN结的电容效应：
死区电压 硅 管 0.6V, 锗管0.2V
势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏）
8
5、半导体二极管： 二极管的电路符号：
P
N
分为：点接触型、面接触型、平面型。
主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向 直流电流 IR 等 特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应