电自专09模电期末总复习.
模电期末复习总结
期末考试总结
1.掌握共发射极放大电路组成，各部分功能。
会计算静态工作点、画交流等效
电路，动态参数求解，最大不失真电压求解，如何稳定静态工作点。
2.掌握差动放大电路组成及功能，静态工作点的求取，动态参数的求取，明确
知道共模电压及差模电压的求法，会计算共模抑制比等参数。
3.掌握叠加法与虚短虚断法，解决运算放大器运算问题，
4.掌握，反馈类型的判断，与反馈的作用，会用虚短虚断方法或反馈系数法求
解反馈电压放大倍数；
5.掌握功率放大器的分类，静态参数及Uom，Pom，效率的求解方法；
6.掌握直流稳压电源的各部分组成及功能，会计算输出电压的变化范围。
7.掌握电压比较器的阈值以及电压传输特性的划分
8.掌握根据三极管三极电压判断管脚方法，掌握二极管的单向导通特性，掌握
场效应管静态及动态参数的求取方法。
深入理解杂质半导体的原理及性能。
9.其他各章节知识点。
模电总复习
模拟电子技术考试复习模拟电子技术课程的重点比例：第二章：15%；第三章：10%；第四章：30%；第五章：5%；第六章：5%；第七章：20%；第八章：5%；第九章：5%；第十章：5%。
期末考试重点内容：第二章：运放电路分析；第三章：含二极管的电路分析，PN结的特性；第四章：共基、共集、共射电路分析，三极管基本特性分析，单级与多级放大电路的频率特性；第五章：场效应管的基本特性；第六章：差分放大电路的基本特性；第七章：负反馈放大电路分析；第八章：功率放大电路的基本问题；第九章：正弦波震荡电路的振荡条件，参数分析；第十章：稳压电源基本电路组成，串联反馈式稳压电路分析。
期中考试定在11周周末，题型为填空选择与计算分析。
考试内容：第二章40%，运放电路分析（包括开环和闭环）；第三章20%，二极管（包括稳压管）电路分析，PN结特性分析；第四章40%，三极管基本特性，共基、共集、共射电路分析，多级放大电路的基本特性。
期中考试占期末总评成绩的20%，平时成绩15%，期末考试占65%。
考试重点1、分立元件放大电路的分析以第4章为主，可能会涉及FET和差分电路；2、负反馈放大电路组态和极性的判断；负反馈对放大电路性能的影响；根据负反馈影响，已知欲改善的性能，能自己引入负反馈；深度负反馈下的近似计算3、集成运放的应用电路分析（信号的运算与处理电路）以第二章为主，主要是虚短、虚断的运用，求输出表达式；包含2、6、10章的运放电路。
各章复习要点第1章绪论放大电路的主要性能指标：A v（dB）、R i（A vs）、R o（A vo）及模型；频率响应（幅度失真、相位失真），带宽（f H、f L）。
习题：1.4.1；1.5.5。
第2章运算放大器（信号的运算与处理电路）主要是虚短的运用，求输出表达式.反相比例电路，加减电路，两级运放构成的反馈重点章节：2.2；2.3；2.4习题：2.1.1；2.3.1；2.3.2；2.4.2；2.4.5；2.4.6；2.4.7；2.4.10；2.4.14。
大学期末模电复习总结
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.32. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic =βIb ） （2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
（4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：1.9，1.12 ，共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式作业：1.14结型场效应MOS二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法（静态工作点稳定电路）、共集电极接法的射极输出器的工作原理。
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS） 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 ）
体管。 据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
模电期末复习完整版文档
3.熟练掌握乙与信号产生电路
1. 掌握有源滤波器的构成与特性
掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中的作用。 掌握反馈的基本概念，能熟练判断反馈电路的极性和类型。
2. 掌握正弦波振荡器的振荡条件 第六章 模拟集成电路
了解MOS场效应管工作原理，重点了解场效应管中预夹断的基本概念； 熟练掌握乙类、甲乙类功率放大电路的功率计算。 熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、简化电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合； 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡电路 熟练掌握差分放大电路的静态工作点和动态指标的计算，以及输出输入相位关系。 熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益和共模抑制比的基本概念。
第六章 模拟集成电路
1.掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中 的作用。
2.正确理解直接耦合放大电路中零点漂移（简称零 漂）产生的原因，以及零漂指标的定义方法。
3.熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模 增益和共模抑制比的基本概念。
4.熟练掌握差分放大电路的组成、工作原理以及抑 制零点漂移的原理。
Fundamental of Electronic Technology
第二章 运算放大器
1. 掌握线性工作时，理想运放的两条重要 法则。
2.掌握反相放大器与同相放大器的电路结 构和性能特点。
3.能熟练利用虚短、虚断的概念，分析 各种运算电路的性能。
第三章 二极管及其基本电路
1.了解PN结基本特性； 2.熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、
4. 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡 熟悉三极管放大电路三种分析方法：估算法、图解法及小信号等效电路法。
第三章 二极管及其基本电路 掌握反相放大器与同相放大器的电路结构和性能特点。
模电期末复习重点讲解
VD1
VD3
~220V 50Hz
U21=15V U22=15V
VD2
VD4
U I1 C1 U I2 C2
VDZ1 UZ1 =8V
VDZ2 UZ2 =8V
R
RL1
UO1
RL2
UO2
第3章 半导体二极管
什么是半导体，本征半导体，杂质半导体 杂质半导体的导电机理； PN结的形成及其单向导电性； 半导体二极管的伏安特性； 要注意基本概念与实验的结合。
R4
R5
+VCC
R1
VT2
uO VT 1
uI R2
R3
R6
解：1） ICQ1 ICQ2 1mA
U BQ1
VCC
R2 R1 R2
2.7V
R3
U BQ1 U BE1 I CQ1
2k
2）
U BQ2
VCC
R6 R5 R6
4V
UCQ1 U BQ2 U BE2 3.3V U BQ1 2.7V
3.在如图所示电路中，已知输入电压vi为正弦波，其最大有效值 Vi=0.5,此时负载上得到最大输出功率；运算放大电路为理想运 放；三极管导通时|VBE|均为0.7V，VT3和VT4的饱和管压降 |VCES|＝2V；电路的交越失真可忽略不计。试问： 1)电路的最大输出功率；2)在输出功率最大时，输出级的效率； 3)为使输出功率达到最大，电阻R3至少应取多少千欧？
•可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）
iD 2Kn (vGS VT ) vDS
外围电路补充完整）； 第四步：根据模型图求Av,Ri,Ro
例2：NMOS放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流通路
模电期末复习资料
《模电》复习题1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )；2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。
则该放大电路的输出电阻R。
为（）；答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。
=100Ω一、选择判断题1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为___D______。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴4、N型半导体中的多子是______A___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子5、P型半导体中的多子是______B___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等与7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。
a：:多数载流子扩散形成b：多数载流子漂移形成c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。
a：其反向电流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。
a：单向导电性b：反向击穿特性c：电容特性11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。
大学期末模电复习总结
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业： 1.3 2. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握 Ic=βIb ）（2）掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有 BE 间的输入， CE 间的输出，所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4）理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：主要是饱和区和截止 1.9， 1.12 ， Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2）掌握结型场效应管 （N 沟道 ）的转移特性和输出特性的意义。
3）掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 （静态工作点稳定电路） 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
（1）熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
模电考试期末试题及答案
模电考试期末试题及答案题一：电路基本知识1. 请简要解释以下电路元件的作用：a) 电阻：_________；b) 电容：_________；c) 电感：_________。
2. 根据欧姆定律和基尔霍夫电压定律，推导并解释以下公式：a) U = IR；b) V1 + V2 + V3 = 0。
3. 简述理想电流源和理想电压源的特点及其应用场景。
4. 分析以下电路，求解电流I1和电压V1。
R1 R2 R3------/\/\/\/\------------/\/\/\/\--------| |V1 V25. 简述直流稳压电源的工作原理，并举例说明。
答：1. a) 电阻：电阻用于限制电流的流动，使其符合电路要求。
它通过阻碍电子的自由移动来消耗电能。
b) 电容：电容用于储存电能，能够在充电和放电过程中存储和释放电荷。
它可以对电流的变化产生滞后效应。
c) 电感：电感用于储存磁能，通过电流在线圈中产生磁场。
当电流变化时，电感会产生反向电势，阻碍电流的变化。
2. a) 根据欧姆定律，电压U等于电阻R与电流I的乘积。
即U = IR。
这个公式表示了电阻对电流的阻碍程度。
b) 基尔霍夫电压定律表明，电路中各个节点的电压之和等于零。
即V1 + V2 + V3 = 0。
这个公式成立是因为在闭合电路中，所有的电压要相互平衡。
3. 理想电流源的特点是其输出电流恒定，不受负载电阻的影响。
它的输出电流不会因负载电阻的变化而改变。
适用于对电流要求较高的电路，如稳流器电路。
理想电压源的特点是其输出电压恒定，不受负载电流的影响。
它的输出电压不会因负载电流的变化而改变。
适用于对电压要求较高的电路，如稳压器电路。
4. 根据电路分析法则，可以得到如下方程：(V1 - V2)/R1 + (V1 - V3)/R2 + V1/R3 = 0化简得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V2 - (1/R3)V3 = 0根据基尔霍夫电压定律，V2 = V1 - V3代入得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)(V1 - V3) - (1/R3)V3 = 0化简得到：(4/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V3 = 0继续化简求解得到：V1 = (R2/(4R2 + R1))V3I1 = (V1 - V3)/(R1 + R2 + R3)5. 直流稳压电源通过稳压电路将输入电压转换为稳定的输出电压。
模电各章重点内容及总复习.docx
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如陸和铉。
3、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺朵性。
4、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
6、半导体中存在两种载流子：自由电了和空穴。
7、P型半导体：在纯净半导体中掺入二价杂质元素,便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流了（称多了）而自由电了为少了。
8、N型半导体：在纯净半导体屮掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要曲多了的扩散运动形成的，而反向电流主要由仝子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管佝管）和猪管G管）,按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管曲一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图125二极管的伏安特性。
P7, （121式）二极管方程其死区电压：Si管约0.5V, G。
管约为0.1 V。
其导通压降：&管约0.7V, G管约为0.2 V o这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V,）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U >Uz）时便稳压为Uz。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
12、三极管由两个PN结组成。
从结构看有三个区、两个结、三个极。
（参考PG 三个区：发射区——掺朵浓度很高，其作用是向基区发射电子。
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③ 恒流特性：在放大区，若ib不变，则ic不随uce的变化而变化。 ④ 温度特性：热不稳定性
t 0C IC
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.3 三极管
3. 应用 ① 开关器件 ② 放大器件 ③ 恒流源、高阻有源负载
④ 温度补偿三极管
4. 小信号交流等效电路
注意：微变等效电路只能分析晶体管在小信号输入时的动态情况， 不能用于静态分析。
一、考察什么
会调
——电路调试的方法及步骤 ——调整电路性能指标应改变哪些元件参数、如何改变 ——故障的判断和消除 ——例如
※ 电路中某电阻短路或断路将产生什么现象 ※ 电路出现异常情况可能的原因
二、复习什么
以基本概念、基本电路、基本分析方法为主线 半导体器件 基本放大电路
反馈
理想运放的应用
模拟电子技术
总复 习
一、考察什么
会看：电路的识别及定性分析
——如是哪种电路：
看、算、选、调
※ 共射（共源）、共集（共漏）、共基（共栅）、差分放大电路及哪种接法 ※ 比例、加减、积分、微分……运算电路 ※ 功率放大电路 ※ 单限、滞回电压比较器 ※ 正弦波振荡电路 ※ 低通、高通、带通、带阻滤波器 ※ 串联型直流稳压电源、集成稳压器
正弦波振荡电路
直流稳压电源
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.1 半导体的特性 1.1.1 半导体的基本知识 材料：Si 、 Ge 本证半导体、电子、空穴、电子空穴对
杂质半导体
1.1.2 PN结的形成及特性
载流子的漂移与扩散
PN结的形成 及其 单向导电性 例：PN结反向向偏置时，其内电场被（增强 ）。
PN结的 V-I特性
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.2 二极管（将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来） 1. 主要特性 ① 单向导电性 ② 反向击穿特性 ③ 电容特性 2. 主要应用 ① 整流、检波、开关二极管 ② 稳压二极管 稳压管工作在反向击穿区 ③ 发光二极管、温度补偿二极管
输入电流为零——虚断
rid
i i 0
2 理想运放工作在非线性区的特点 条件：开环或正反馈 输入与输出的传输特性：
uP uN 0时，uo Vom uP uN 0时，uo Vom uP uN 0时，uo不定
虚断，但不虚短
i i 0
④ 压控电阻特性：
VGS rds
3. 应用
① 开关器件 ② 放大器件 ③ 恒流源、高阻有源负载 ④ 可调电阻 ID gm VGS
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.5 集成运放及理想运放
耦合方式？ 对输入级的要求及实现方法（电路） ？ 对中间级的要求及实现方法（电路） ？ 对输出级的要求及实现方法（电路）？
例 1、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即：截止区、 放大区 、饱和区 。 要使三极管工作在放大区必须 发射结正偏，集电结反偏 。 三极管工作在饱和状态的条件是 发射结正偏，集电结正偏 。 三极管工作在截止状态的条件是 发射结反偏，集电结反偏 。
例2： 测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别 为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（？ ）。 书P36 习题1-13 1-15
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.4 场效应管
1. 特点
晶体管：电流控制型器件
ID gm VGS
① 输入电阻高 ② 单极型器件：稳定性好 ③ 电压控制器件
2. 主要特性
①开关特性 在夹断区相当于开关断开；在可变电阻区相当于开关闭合 ② 放大特性 饱和区（放大恒流区） ③ 恒流特性：
理想运放： Avd
KCMR
Ri
Ro 0
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.5 集成运放及理想运放 1 理想运放工作在线性区的特点
uo Aod (u u )
差模输入电压为零——虚短
Aod u u
uo 0 Aod
u u
一、考察什么
会选：根据需求选择电路及元器件
——在已知需求的情况下选择电路形式，如：
※ 是直接耦合、阻容耦合还是变压器耦合； ※ 是采用哪种负反馈：电压串联、电压并联、电流串联、电流并联 ※ 是采用RC振荡电路、LC振荡电路还是石英晶体振荡器。 ——在已知指标情况下选择元器件的参数： ※ 电路中电阻、电容、电感的数值
④ 温度特性 3. 二极管电路的分析
图解法、估算法、画波形法 1.3. 稳压二极管：稳压二极管是利用PN结的反向击穿性 进行稳压的。
例1：小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1 倍，它的两端压降也增加1倍。（ ）
例2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数 都为∞，则此二极管断路；若两次读数都接近零，则此二极管短路； 若读数一次很大，一次读数小，则此二极管正常。
——又如性能如何： ※ 放大倍数的大小、输入电阻的高低、带负载能力的强弱、通频带 ※ 输出功率的大小、效率的高低 ※ 滤波效果的好坏
一、考察什么
会算：电路的定量分析
——例如求解：
※ 电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 ※ 运算关系
※ 输出功率及效率
※ 电压传输特性 ※ 输出电压波形及其频率和幅值 ※ 输出电压的平均值、可调范围
例1：阻容耦合和变压器耦合放大电路能够放大交流信号，但是不 能放大缓慢变化信号和直流信号。 例2：直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，也能 放大交流信号。 例3：集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以减小温漂。 例4： 简单的差分放大器双端输出时，对共模_信号有较强的抑制 能力，而对差模_信号有较强的放大作用。 例5：差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好，而共模放大倍数愈 小愈好。(√)
第1部分 半导体器件（基本特性、基本用途）
1.3 三极管
1. 结构及其特点
NPN管 PNP管 ①
BJT是Biblioteka 电流控制器件。2. 主要特性
开关特性
截止：Je、Jc都反偏，相当于开关断开； 饱和： Je、Jc都正偏，饱和管压降UCES=0.3V，相当于开关闭合。 ② 放大特性 Je正偏、Jc反偏
对NPN管：UC>UB>UE；PNP管：UC<UB<UE