哈尔滨工程大学2009-10哈工程模电期末试卷
哈工大模电期末考试题及答案word资料5页
一、1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。
RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。
6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。
（ × ）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为012f RCπ=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
试题：班号：姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE=0.7V，R bb’=300Ω。
回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点。
（3）画出微变等效电路。
（4）计算该放大电路的动态参数：A，R i和R ou（5）若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b才能消除失真。
图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q：Vcc=I BQ*R b+U BEQ+(1+β) I BQ*R e，即15= I BQ*200kΩ+0.7V+51* I BQ*8kΩ，∴I BQ=0.0235mA （2分）∴I CQ=βI BQ =1.175mA，（2分）∴U CEQ=V cc-I CQ*R C-I EQ*R E≈V cc-I CQ*(R C+R E)=15-1.175*10=3.25V （2分）（3）微变等效电路o（4分）（4）r be=r bb’+(1+β)U T/I EQ=0.2+51*26/1.175=1.33KΩA u=-β(R c//R L)/r be=-50*1.32/1.33=-49.6 （2分）Ri=R b//r be≈1.33KΩ; （2分）Ro≈Rc=2KΩ（2分）（5）是饱和失真，应增大R b （1分）第2 页（共8 页）试题：班号：姓名：三、（24分）回答下列各问。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
哈工大 本科电路期末试题002
哈工大 2005年 秋 季学期电 路 试 题用题院系：2004级，4系、6系。
说明：本试卷共80分，平时成绩为10分，实验成绩为10分。
一 计算下列各题（每小题5分，共10分）1．图示电路中，当Ω=1R 时，V 4=U ；当Ω=2R 时，V 6=U ，求当Ω=10R 时，电压U 为多少?R2．为求一线圈的电阻和电感，在其两端加正弦交流电压，电压源的角频率为100rad/s ，测得其两端电压为100V ，电流为2A ，消耗的平均功率为120W ，求其电阻和电感。
第 1 页 （共 6 页）试 题：电路 班号： 姓名：二 计算下列各题（每小题6分，共12分）1．图示电路中，互感H 6=M 。
若外加正弦电源的角频率rad/s 10=ω，求ab 端的等效阻抗Z 。
2．图示电路，非线性电阻伏安特性为22I U =(单位：V ，A ，0>I )。
试求 电压U 和U 1的值。
9第 2 页 （共 6 页）三 计算下列各题（每小题7分，共28分）1．图示正弦交流电路，已知V 010S ︒∠=U ，求电压abU 和电压源发出的有功功率和无功功率。
ΩΩ2．图示对称三相电路，已知电源线电压为V 380，线路阻抗Ω=2j 1Z ，负载每相阻抗Ω+=)j69(2Z ，求三相负载的线电压、相电流及它吸收的平均功率。
ABC第 3 页 （共 6 页）4．图示电路，已知输入电压1U 和2U 和各电阻参数，（1）求输出电压0U 的表达式；（2）元件参数满足什么条件时，有0U =2211()R U U R -。
0+-第 4 页 （共6 页）三 计算下列各题（每小题10分，共30分）1．图示电路中，已知：V 6S1=U ，V 10S2=U ，A 1S =I ，Ω=2r 。
试求三个独立电源各自发出的功率。
42．图示电路，求电阻L R 为何值时它可以获得最大功率？最大功率=max P ？272U第 5 页 （共 6 页）（2）L 为何值时电流I 为最小？?min =I 并求此时电压1u 。
08级模电试卷
（2）求电路的输入电阻 和输出电阻 ；（6分）
（3）计算电压放大倍数 （6分）
图7
4、（本题10分）
（1）判断图8示电路的反馈极性与反馈类型。（3分）
（2）在深度负反馈条件下估算Avfs。电容CE对交流呈短路。（7分）
图8
五、画波形题（本题共10分）
图9电路，A1，A2为理想运放。稳压管正向导通电压为0。
集 美 大 学试 卷 纸
2009—2010学年 第1学期
课程名称
模拟电子线路
试卷
卷别
A
适用
学院、专业、年级
通信、电子08
考试
方式
闭卷□√
开卷□
备注
考试时间120分钟
总分
题号
一
二
三
四
五
得分
阅卷人
一、填空题(共15分，每空1分)。
1．双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.处于放大电路中的三极管三个电极电位分别是VA=10v,VB=4v,VC=9.3v,则A为_______极，B为_______极，C为_______极.
A、B、
C、D、
图4
三、是非判断题 （本题共10分，每小题2分,）（对的打√， 错的打×）
1、场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。（ ）
2、晶体三极管频率特性参数之间的关系为：>>T。 （ ）
3、现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两极放大电路，其电压放大倍数为10000。 （ ）
（本题共14分）
(1) 、 和 的值；（10分）
(2)A4构成什么电路？设电容的初始电压值为零，经过时间t=3秒，此时V0=？。（4分）
哈工大 模拟电子技术基础期末试卷2010
哈工大 2010 年 春 季学期模拟电子技术基础 试 题 (A)一、(14分)填空和选择填空（每空1分）1．某场效应管的转移特性曲线如图1.1所示，该场效应管为 沟道 型场效应管。
u GS / V=10VV EE (-12V)图1.1图1.22．差分放大电路如图1.2所示，如果静态时U OQ =U CQ1-U CQ2>0，要使U OQ =0V ，应该使电位器R W 滑动端 移。
（左、右）3．放大电路及其输出波形如图1.3所示，该电路出现了 失真，为消除失真，电阻R b1应 （增大、减小）。
tu oO(a) (b)图1.34．具有电流放大能力的双极型晶体管的接法有 。
A ．共射 B ．共集 C ．共基 D ．以上三种接法5．功率放大电路如图1.4所示，V CC =12V ，R L =4Ω。
设U BE >0时，管子立即导通，忽略管子的饱和压降，则每只功率管流过的最大电流为 A ，功率管所能承受的最大管压降为 V ，功率管的最大管耗为 W 。
CCR L u odB /lg 20uA 2040Hz/f 110210310410510610图1.4图1.56．某放大电路的幅度频率特性曲线如图1.5所示，已知中频段的相移为-180 ，则电压增益uA的频率特性表达式为 。
7．在图1.6所示的电路中，应如何进一步连接，才能成为正弦波振荡电路：①接 ，②接 ，③接 。
④①②L图1.68．电路如图 1.7所示，已知变压器二次侧输出电压的有效值U 2=10V ，若电路正常工作，则O(AV)U = 。
220V~u1u 2VD 4R u O1231000µF0.1µFC 1C 2LVD VD VD图1.7二、（14分）电路如图2所示，已知CC 12V V =，B1110k R =Ω，E 12k R =Ω，L 4.7k R =Ω，晶体管VT 的BE 0.7V U =，bb 100r '=Ω，电流放大系数50β=，CQ 1mA I =，CEQ 6.5V U =，电容1C 、2C 、3C 、E C 的容量足够大。
哈工大模拟电子技术试题
）量的一部分
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或者全部反送到（
）回路的过程叫反馈。
3 利用图解法确定静态工作点时应该首先画出（ ）负载线，
分析波形失真应该根据（
）负载线。
4 电子技术中，放大的概念是指（ ）的控制作用，
放大作用是针对（
A、输出电阻为无穷大
B、共模抑制比为无穷大
C、输入电阻为零
D、开环差模电压增益为零
5 集成运算放大器实质上是一个__________
A 直接耦合的多级放大器
B 阻容耦合的多级放大电路
C 变压器耦合的多级放大电路 D 单级放大电路
三 计算题
下面的电路由两个运放构成，第一个运放标号为 A1，第二个标号为 A2
3 要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入________负反馈，射极跟 随器是________负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联
4 分析理想线性集成运算放大器的两个重要结论是__________
A 虚地和反相
B 虚地和虚短
C 虚短和虚断
D 短路和断路
5 桥式整流电容滤波电路参数合适，当输入交流电压的有效值为 10V，则直流输出电压值
3 简述晶体三极管处于放大饱和和截止工作状态的特点。
3
一 填空题：
1、二极管具有
性，用万用表 R 挡测量二极管正反向电阻，阻值较小的一次，黑
表笔接触的是二极管的
极。
2、硅稳压管工作在
区，稳压管的动态电阻越小，稳压性能越
。
3 实际的集成运放基本可以看成理想运放。在线性使用时，两输入端
相等，相当于
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哈工大2009年电力电子技术考试试题
哈工大 2009 年 春 季学期电力电子技术 试 题 A题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分分数阅卷人班号 姓名（注：卷面80分，平时成绩20分）答题所需参考信息：有关波形及其傅立叶级数一、选择题（5分）下列电力电子器件A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFETE.IGBTF.电力二极管 属于半控型器件的是 ， 属于全控型器件的是 , 属于单极型的是 , 属于电流驱动的是 , 工作频率最高的是 ,二、简答题（5 小题，共17分）本题得分1.从晶闸管的物理结构角度，分析为什么晶闸管一旦触发导通之后，就可以自锁导通，而不再需要触发电流？晶闸管导通之后，门极就失去控制作用，那么如何使已导通的晶闸管关断？（4分）2.画出IGBT的RCD缓冲电路的电路图，并简述RCD缓冲电路中各器件的作用。
（5分）3.直流开关电源与直流线性电源相比具有体积小、效率高等优点，试简要分析其原因？（4分）4.双桥反并联的晶闸管直流电动机系统,当电机正向电动时，变流器和电动机的工作状态如图1所示。
试回答：当电机正向制动时，哪组变流器工作? 该变流器工作于整流状态还是逆变状态，并简述理由。
（2分）图15.图2为电力MOSFET的驱动电路，其中光耦的作用是什么？为什么在栅源之间并联稳压管，试分析其作用。
（2分）图2本题得分三．单相桥式晶闸管整流电路如图3所示，交流电源v s的有效值为220V，负载中r d =2Ω，L d值足够大，输出电流平直连续，反电势E d=100V。
回答下列问题：（8分）1）稳态时电机处于电动状态，电机电流的平均值I o=10A，写出此时触发角α的计算表达式。
2）触发角α=45°时，在一个工频电周期内，画出输出电压v d及输入电流i s的波形（两个波形的相位应彼此对应），并计算此时整流电路的功率因数PF。
四．图4为晶闸管三相桥式全控整流电路，输入为三相工频电源，负载电流连续，当α=π/3时，回答下列问题：（6分）1）在图5工频线电压波形上方的对应位置画出各器件的触发脉冲，并标明该脉冲所对应的器件号。
哈工大模电期末考试题及答案
一、填空（16分）1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能,为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。
RC振荡电路、LC振荡电路及石英晶体振荡电路中,___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_.6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量. （×）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（×）（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为的信号，反馈信号U f与输出信号U o 反相,因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
（×）图1第1 页（共8 页）试题：班号：姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE=0。
7V，R bb’=300Ω.回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点.（3）画出微变等效电路。
（4）计算该放大电路的动态参数：，R i和R o（5）若观察到输出信号出现了底部失真,请问应如何调整R b才能消除失真。
图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q：Vcc=I BQ＊R b+U BEQ+(1+β) I BQ*R e，即15= I BQ＊200kΩ+0。
哈尔滨工程大学试卷答案
= 6.72× 8 m 10
d.c
WCA =0 QCA =ΔECA = v CV (TA－TC ) =1500 J WBC =PB (VC－VB ) =－400 J ΔEBC = v CV (TC－TB ) =－1000 J QBC =ΔEBC + WBC =－1400 J
PD iza r F
CV
v0
Tri om
a / N dv 1 ，
0 I3 2r r [ I 1 ln I 2 ln ] 2 r 2r I 0 3 [ I 1 ln 2 I 2 ln 2] 2 I 0 3 ( I 1 I 2 ) ln 2 2
al
r 0 I 3 r I1 I [ d x 2 d x] 2 0 r x 2r x 0
F I3 [
0
r
0 I1 0 I 2 ]d x 2(r x) 2(2r x)
3、 （本题 11 分）
I Il d r 0 I l ln b vt 解：(1) Φ(t ) B d S 0 l d r 0 2r 2 a v t r 2 a vt S
(2)
4、 （本题 10 分） 0→v 0： 2v 0
nI
2 4
7、0 8、2.6108 m/s
12、1.51 13、
Do
dV 1
二、计算题（共 61 分）
1、 （本题 10 分） 解：其中 3/4 圆环在 D 处的场 AB 段在 D 处的磁感强度
ww w
2
cuC
11、150V
10、不变；变长；波长变长某一波长
1 2 1 BC 段在 D 处的磁感强度 B3 [ 0 I /(4b)] ( 2 I B1 、 B2 、 B3 方向相同，可知 D 处总的 B 为 B 0 4 B2 [ 0 I /(4b)] (
哈尔滨工程大学 期末
姓名：
②栈顶内容IP, (SP)+2SP 栈顶内容CS, (SP)+2SP 28.8086 与 8088CPU 的主要区别有哪些? 29.8086 的复位信号是什么?8086CPU 复位后,程序从哪个物理地址开始运行？ 30.入栈操作时，说明堆栈指针寄存器 SP 的变化情况? 四、简单分析设计题（本大题共 2 题,每题 9 分,共 18 分） 31.有一个 2732EPROM（4KX8）芯片的译码电路如下图所示,试求: ① 计算 2732 芯片的存储容量； ② 给出 2732 芯片的地址范围； ③ 是否存在地址重叠区?
共 5 页；第 4 页
请用 DW 伪指令改写上述数据定义语句,要求改写后,保持内存单元中内容不 变。 STRING
27.在指令系统中,段内、段间返回均用 RET 指令,试回答： ①执行段内返回 RET 指令时,执行的操作是： ②执行段间返回 RET 指令时,执行的操作是： ①栈顶内容IP, (SP)+2SP
共 5 页；第 2 页
姓名：
评卷人
（注：卷面满分 90 分，所有答案必须写在答题纸上） 一、单项选择题（每小题 1 分，共 20 分） 1.十进制数－80 用 16 位补码表示是（ ） 。 A. F080H B.8080H C.FF88H D.FFB0H 2.在机器内部操作中，CPU 与存贮器之间信息交换使用的是（ ） 。 A.逻辑地址 B.物理地址 C.有效地址 D.相对地址 3.假设 VAR 为变量， 指令 MOV BX， OFFSET VAR 源操作数的寻址方式是 （ ） A.直接寻址 B.间接寻址 C.立即数寻址 D.存贮器寻址 4.下列操作中，允许段超越的是（ ） 。 A.取指令 B.存目的串 C.以 BP 为基础存取操作数 D.堆栈操作 5.下列指令执行后能使 BX 中数据必为奇数的是( )。 A.XOR BX,01H B.OR BX,01H C.AND BX,01H D.TEST BX,01H 6.设 CL=05H,要获得 CL=0AH,可选用的指令是( )。 A.XOR CL,0FH B. NOT CL C.OR CL,0AH D.AND CL,0FH 7.下列语句中能与“DA1 DB 32H,34H”语句等效的是( )。 A. MOV DA1,32H B. MOV DA1,32 MOV DA1+1,34H MOV DA1+1,34 C.MOV WORD PTR DA1,3234H D.MOV WORD PTR DA1,‟24‟ 8.设 SP=50H,执行段间返回指令 RET 后,寄存器 SP 的内容是( )。 A.5AH B.5CH C.54H D.44H 9.使用 DOS 功能调用时,子程序编号应放在( )寄存器中。 A.AL B.AH C.AX D.任意指定 10.寄存器 BX 和 DX 中存放有 32 位二进制数,其中 BX 中放高 16 位,下列程序 段完成对这 32 位数扩大 4 倍的功能,那么该程序段中方框里应填的语句是 ( )。