QX7135+QX7136【应用指导】内建MOS的用于驱动高压灯串的应用 20140708
mos管的功能作用讲解
mos管的功能作用讲解1. MOS管的基本概念在电子世界里，MOS管可是个大明星，嘿，别小看它！MOS管，全名金属氧化物半导体场效应晶体管，听起来是不是有点复杂？其实，它就是一个可以控制电流流动的小开关，像是你家里的灯开关一样，但它的作用可大得多哦。
无论是手机、电脑，还是家里的冰箱、洗衣机，几乎所有的电子设备里都离不开它。
这小家伙能帮助设备省电，调节功率，让我们的生活更加智能、方便。
2. MOS管的工作原理2.1 电子“开关”想象一下，MOS管就像是个电子世界里的开关，控制着电流的流动。
它通过电场来控制电流，简单来说，就是用电压来打开或关闭电流，就像你用遥控器控制电视机一样。
这种特性让它在电路中如鱼得水，能够实现各种复杂的功能。
你只需给它一个电压，它就能乖乖地让电流流动或者停止，简直是个小乖乖！2.2 省电高手说到省电，MOS管真是个高手。
由于它在工作时的导通电阻很低，所以即使是大电流，也能轻松应对，避免了能量的浪费。
比如，家里用的LED灯，靠的就是这种神奇的器件，让光线亮得更加节能。
它就像一个勤奋的“守门员”，只在有需要的时候才放电，让我们的钱包也跟着“省省省”！3. MOS管的应用场景3.1 家电中的英雄家电产品中，MOS管的身影随处可见，真的是忙得不可开交。
比如，冰箱的温控系统、洗衣机的马达控制，都是靠它来调节电流的。
想象一下，洗衣机里那一缸水咕噜咕噜地转，背后少不了MOS管的功劳，它在默默为我们分担着电流的“重任”。
就像一位无名英雄，平时不显山露水，一到关键时刻，就发挥出色，让生活变得顺畅。
3.2 电子设备的“护航员”除了家电，MOS管在各类电子设备中也扮演着重要角色。
从手机到电脑，几乎每个小零件都能找到它的身影。
比如，在手机的电源管理中，MOS管帮助调节电压，确保电池不会因为过载而损坏。
这就像是个细心的“保姆”，时刻照顾着设备的安全，保护我们的小宝贝。
4. 未来的无限可能4.1 新技术的引领者随着科技的飞速发展，MOS管的未来可谓是光明无限。
mos开关管工作原理和使用方法
mos开关管工作原理和使用方法MOs开关管是一种常用的电子元件，它在电路中起着重要的作用。
本文将详细介绍MOs开关管的工作原理和使用方法。
一、工作原理MOs开关管是一种场效应晶体管，它由沟道、栅极和漏源极组成。
当栅极施加一定电压时，形成电场，改变沟道中的载流子浓度，从而控制沟道中的电流。
MOs开关管具有低电压驱动、高速开关和低功耗的特点，广泛应用于各种电子设备中。
MOs开关管的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 输入电压：将输入电压施加在MOs开关管的栅极上。
这个电压的大小和极性会影响栅极与漏源极之间的电场强度。
2. 电场控制：栅极上的电场会控制沟道中的载流子浓度。
当电场强度较小时，沟道中的载流子浓度较低，电流较小；当电场强度较大时，沟道中的载流子浓度较高，电流较大。
3. 输出电流：根据输入电压的大小和极性，MOs开关管会输出相应的电流。
这个电流可以用来驱动其他电子元件，或者作为信号的放大。
二、使用方法MOs开关管的使用方法相对简单，但需要注意以下几点：1. 极性：MOs开关管有正负两个极性，正确连接是确保正常工作的前提。
一般来说，栅极应连接到输入信号源，漏源极连接到负载，源极连接到地。
2. 输入电压：根据MOs开关管的规格书，选择适当的输入电压范围。
过高或过低的电压都可能导致MOs开关管无法正常工作或损坏。
3. 输入电流：MOs开关管的输入电流一般较小，但也需要注意不要超过规定的最大值，以避免电流过载。
4. 温度：MOs开关管在工作过程中会产生一定的热量，需要注意散热问题。
可以通过散热片或风扇等方式进行散热，以保持MOs开关管的正常工作温度。
5. 防静电：在使用MOs开关管时，需要注意防止静电的产生和积累。
可以通过接地、使用防静电手套等方式来保护MOs开关管。
总结：MOs开关管是一种常用的电子元件，具有低电压驱动、高速开关和低功耗的特点。
它的工作原理是通过栅极电场控制沟道中的载流子浓度，从而控制输出电流。
常见mos管及其应用讲解
常见mos管及其应用讲解电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ管应防止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6SO-8N型IRF78221830SO-8N型IRF78361730 5.7 SO-8N型IRF81131730 5.6 SO-8N 型SI440417308 SO-8N型FDS668816306 SO-8N型IRF7805Z1630 6.8 SO-8N型IRF747714308.5 SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N 型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N 型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P 型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8TO-220N型IRL3803140306TO-220N型IRF140513155 5.3TO-220N型IRF3205110558TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型05N0575509.5TO-220N型IRF280475402TO-220N型60N06606014TO-220N型50N03L282521TO-220N型BTS12019100100TO-220N型BTS11010100200TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
mos管在工业电源上的应用
MOS管在工业电源上的应用
MOS管在工业电源上的应用主要体现在以下几个方面：
1．开关应用：在工业电源中，MOS管可以作为开关使用，实现对输入电源的高效转换和调节。
通过快速切换MOS管的开关状态，可以改变输出电源的电压和电流，从而满足不同设备的电源需求。
2．保护电路：MOS管同时也可以用于保护电源电路。
当输出电流过大或者电源短路时，MOS管可以迅速切断电路，防止电源设备和负载设备受损。
3．精准控制：在复杂的电源管理系统中，MOS管也发挥着重要作用。
例如在电池管理系统中，MOS管可以精准地控制电池的充电和放电过程，以保护电池并延长其使用寿命。
4．增强系统性能：在智能电网和可再生能源系统中，MOS管也有广泛的应用。
例如在光伏发电系统中，MOS管可以用于最大功率点跟踪(MPPT)，从而大大提高了系统的发电效率。
5．放大电路：由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
此外，场效应管很高的输入阻抗非常适合做阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
6．可变电阻和恒流源：场效应管可以用作可变电阻和恒流源，这些应用在需要精确控制电阻或电流的情况下非常有用。
总的来说，MOS管在工业电源上的应用非常广泛，它不仅可以作为开关使用，还可以用于保护电路、精准控制以及增强系统性能等。
QX7136线性恒流驱动IC(可调电流)
订货信息
QX7136
应用
LED 照明驱动
方框图
VDD EN
Low voltage protection Thermal protection bandgap Soft start 50mV
QX7136
DR LED
CS GND
SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司
VDD=3V to 5.5V 100 250 2.3 2.5
2
mA/V mV uA
2.7
V
SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司
13620971652
Preliminary
QX7136
封装信息
SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司
8 -0.3~VDD+0.3 500 0.5 -20~85 -40~165 2000
V V mA W
o
电流 功率消耗 温度
ILEDmax PSOT-89-5 Tmin-max Tstorage
C
o
C
抗静电能力
VESD
V
电子特性
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单 位 t mA V mV % mA/V
13620971652
Preliminary
QX7136
管脚分配
LED 5 QX VDD DRV 4
管脚定义:
管脚序号 1 2 3 4 5
管脚名称 CS GND VDD DRV LED
描述 输出电流检测 电源地 电源 外部 MOS 驱动脚 LED 阴极输入脚
管脚功能描述:
MOS管基础知识及应用
2，MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
ห้องสมุดไป่ตู้
小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
下图是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
在设计便携
式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。
※ uGS＞开启电压UT：MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD?rDS/(RD+rDS),如果rDS＜＜RD，则
mos管应用在汽车领域的相关方案
mos管应用在汽车领域的相关方案
随着汽车电子化和智能化的不断推进，mos管应用在汽车领域的相关方案也越来越多。
mos管具有体积小、高效率、可靠性高等优点，广泛应用于汽车电子控制系统中。
1. 发动机控制系统
mos管可以在发动机控制系统中扮演重要角色。
例如，mos管可以控制发动机的燃油喷射、点火时间等，从而实现发动机的高效运行，降低排放和油耗。
2. 车身控制系统
mos管可以在车身控制系统中扮演多种角色。
例如，mos管可以控制车辆的制动、转向、启动等，从而提高驾驶者的安全性和舒适性。
3. 车载电源系统
mos管可以在车载电源系统中扮演重要角色。
例如，mos管可以控制车载电池的充放电、发电机的输出等，从而保证车载电子设备的正常运行。
4. 安全系统
mos管可以在汽车安全系统中扮演重要角色。
例如，mos管可以控制车辆的安全气囊、防抱死制动系统等，从而提高驾驶者的安全性。
总之，mos管的应用已经成为了汽车电子化的重要组成部分。
未来，mos管将继续在汽车领域的发展中发挥重要作用，助力汽车行业的不断进步。
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【干货】MOS管应用概述
【干货】MOS管应用概述MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS 管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。
这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型。
(一)：等效模型MOS管等效电路及应用电路如下图所示：把MOS管的微观模型叠加起来，就如下图所示：我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相工作的运放，如下图：有了以上模型，就好办了，尤其从运放这张图中，可以一眼看出，这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。
所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡：因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且前段信号变化快，后端供电电压高，三者结合起来，就会引起积分过充振荡，这个等价于温控的PID中的I模型，要想解决解决这个米勒振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，其次比较有效的方式是增加Cgs电容。
在条件允许的情况下，可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做吸收电路。
下图给出雨滴科技常用的三颗大功率MOS管的电容值：LCR电桥直接测量，具体型号就不提了。
从图上可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能，它的各个指标都很小，当米勒振荡通过其他手段无法降低时，可以考虑更换更小的米勒电容MOS管，尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。
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内建MOS的QX7135，QX7136用于驱动高压灯串的应用
由于QX7135，QX7136均内建了MOSFET，且采用了CMOS
5V工艺，各引脚端子最高的耐压值为6.5V。
因此，我们可以充分利用这一点，达到驱动多达3个以上串联灯珠的目的。
1.设计合理的Vdd供电输入。
由于QX7135，QX7136最大的工作电流Idd为1000UA，以及。
因此，我们需要设计一个合理的限流电阻器和稳压管。
A.由于QX7135/6的Vdd常规工作电压最大为5.5V左右，因此，稳压管可以选择5.1V或5.6V的稳压管。
B.QX7135/6的Vdd工作电流Idd最大为700UA。
则限流电阻器R1《（Vin-5.6V）/700UA.
譬如，ZD1为5.6V稳压管，Vin=15V，则R1<(15-5.6)/100UA=9.4kΩ
2.考虑LED引脚的耐压值。
A.白光LED的特性是：额定功率时的Vf值是3.2V，当无电流通过时Vf值为2.3V。
如下图：
因此，由于QX7135/6的规格书所指定的芯片最大耐压值为6.5V，则从上图可以看出，实际的在LED熄灭时，在QX7135/6的LED引脚上的电压为：
V IC=V in-N*2.3v <6.5V N为灯珠的数量。
3.考虑到SOT89封装，在常规的散热焊盘下，稳定工作的最大耗散功率Pd（max）=350mW。
对于线性驱动IC，需要确保实际的耗散功率Pd=(V in-V f[LED])*I LED <0.35w
如果设计者充分考虑到SOT89的散热，则SOT89的最大耗散功率可以高达0.4w。
@QXMD FAE054 2014-7-8 FAE DEP.。