半桥逆变snubbber电路
半桥逆变电路工作原理
半桥逆变电路工作原理
半桥逆变电路是一种常用的电子电路，常用于直流电源向交流电源的转换。
它由两个逆变器组成，每个逆变器分别由两个开关管、两个电容和一个负载组成。
在半桥逆变电路中，两个开关管交替开关。
当第一个开关管打开时，电源电压施加在负载上，并且电容开始充电。
同时，第二个开关管关闭，阻止负载电流流过它。
当第一个开关管关闭时，电容会开始放电，将负载电流继续供应。
接着，第二个开关管打开，将电源电压施加在负载上。
逆变电路中的开关管不断地进行开关操作，使得电源电压以交替的方式施加在负载上，从而实现直流到交流的转换。
通过控制开关管的开关时间，可以调整输出交流电压的频率和形态。
此外，半桥逆变电路还可以实现输出电压的调节，通过改变开关管的开关周期和占空比来控制输出电压的大小。
在实际应用中，半桥逆变电路通常用于电力电子设备和交流驱动器中。
它具有结构简单、效率高、可靠性好等优点，广泛应用于工业生产和家庭用电领域。
同时，半桥逆变电路的工作原理也为其他类型的逆变电路提供了基础和参考。
小只推荐：详解半桥软开关逆变式焊机的电路原理
小只推荐：详解半桥软开关逆变式焊机的电路原理宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。
各个行业皆是如此。
在电源网论坛里，就存在这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。
本文来自专业逆变电源的精华帖。
--------小编语。
这是一种新型的半桥软开关逆变技术，可使逆变开关器件在软开通软关断的条件下工作，其开关电压应力和电流应力都大为减小，开关损耗也大为减小，器件发热大为减小，同时电磁干扰幅度也大为减小，由于采用半桥，器件成本也相应降低了。
为达到以上目的，“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路、一次侧整流滤波电路、半桥软开关逆变电路、隔离变压器和二次侧整流滤波电路以及主控制板电路，主控制板电路既和二次整流滤波电路联通又和半桥软开关逆变电路联通。
如图一所示：“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路1、一次侧整流滤波电路2、半桥软开关逆变电路3、隔离变压器4和二次侧整流滤波电路5以及主控制板电路6。
主控制板电路6既和二次整流滤波电路5联通又和半桥软开关逆变电路3联通。
图一中各电路的构成和相互连接关系见图二。
如图二所示： 输入滤波电路1由电源开关S1，差模滤波电容C27和C28，共模滤波电容C29、C30、C31、C32以及共模滤波电感L1组成。
电网干扰信号通过上述滤波器的滤除，使得本焊机免受外界电磁干扰，提高稳定性；同样，本焊机产生的干扰信号会也会被上述滤波器滤除，使得本焊接不会对外界产生电磁干扰，提高其他设备的稳定性。
一次侧整流滤波电路2由整流桥BR1和电容C34、C35组成。
送入机内的交流电压、电流通过整流桥BR1整流成直流电压、电流，经过电容C34、C35滤波后送半桥软开关逆变电路3。
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这是一种新型的半桥软开关逆变技术，可使逆变开关器件在软开通软关断的条件下工作，其开关电压应力和电流应力都大为减小，开关损耗也大为减小，器件发热大为减小，同时电磁干扰幅度也大为减小，由于采用半桥，器件成本也相应降低了。
为达到以上目的，“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路、一次侧整流滤波电路、半桥软开关逆变电路、隔离变压器和二次侧整流滤波电路以及主控制板电路，主控制板电路既和二次整流滤波电路联通又和半桥软开关逆变电路联通。
如图一所示：“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路1、一次侧整流滤波电路2、半桥软开关逆变电路3、隔离变压器4和二次侧整流滤波电路5以及主控制板电路6。
主控制板电路6既和二次整流滤波电路5联通又和半桥软开关逆变电路3联通。
图一中各电路的构成和相互连接关系见图二。
半桥逆变电路原理
半桥逆变电路原理
半桥逆变电路原理是一种常见的逆变电路，其基本原理是利用MOSFET管的导通和截止来实现直流电压到交流电压的转换。
半桥逆变电路主要由两个MOSFET管、两个二极管和一个中
间电路组成。
其中一个MOSFET管和一个二极管组成一个半桥，两个半桥并联连接在一个中间电路上。
输入端连接直流电源，而输出端则可以得到需要的交流电压。
当输入端有电压时，两个MOSFET管的门极被驱动，使其分
别导通和截止，从而实现交替的导通和截止，使得输出端得到一个交流电压。
当一个MOSFET管导通时，输出电压为正，
而另一个MOSFET管截止时，输出电压为零。
然后，当两个MOSFET管的状态互换时，输出电压变为负，从而实现完整
的交流电压。
半桥逆变电路的工作原理可以通过PWM（脉宽调制）来实现。
通过控制两个MOSFET管的导通时间比例，可以调节输出电
压的幅值。
脉宽调制技术可以通过改变PWM信号的占空比来
调整输出电压的幅值。
通过合理地控制PWM信号的占空比，
可以得到所需的输出电压。
需要注意的是，半桥逆变电路在工作时需要注意MOSFET管
的开关时间，以避免短路和过电流等问题的发生。
另外，在设计和搭建半桥逆变电路时，还需要考虑电路的损耗和效率等因素，以达到最优的工作效果。
总的来说，半桥逆变电路通过两个MOSFET管的导通和截止来实现直流电压到交流电压的转换。
控制PWM信号的占空比可以实现对输出电压幅值的调节。
在设计中需要注意电路的工作时间和效率等因素，以确保电路的正常运行。
半桥逆变电路的工作原理
半桥逆变电路的工作原理老铎半桥逆变电路技术应用于电子节能灯、电子变压器、高压低压逆变技术。
电容C7、C8组成无源半桥支路，半桥的中点电压为直流电压的一半，即为E/2，灯管作为负载与电感L2相串联，跨接在两个半桥中点之间。
VT1、VT2是半桥逆变电路中的重要组件，起着功率开关的作用，选择时，应优先考虑其开关参数。
其工作原理是：加上电源后，由直流电压VDC(E)提供的电流经R1对积分电容C5充电，一旦此电压达到并超过触发二极管VDB3的转折电压(约30～40V)后，该二极管击穿导通，并有电流流入VT2的基极，使VT2导通，此时，电流流经的路径为电源VC3→C7→灯丝→C6→灯丝→电感L 2→磁环变压器Tr的初级绕组N3→VT2的集电极→地。
VT2集电极电流的增长趋势在磁环变压器的初级绕组N3上产生感应电动势，同时在其次级(N1、N2)也产生感应电动势，其极性是使各绕组上用•表示的同名端为正，从而使VT2的基极电位升高，基极电流、集电极电流进一步加大，即在电路中产生如下的连锁反应.连锁式的正反馈作用使VT2导通并饱和。
顺便指出，在VT2导通后，电容Cs的电荷通过二极管VD。
和晶体管VT2放电，其电压下降，不再使触发管导通，该支路也不再对VT2基极产生影响。
所以，由R1、C5及VDB3提供的触发信号只在电源接通后对VT2起触发作用。
在VT1、VT2轮流工作后，其工作频率较高，VT2截止时间很短，在这样短的时间内C5来不及得到充分的充电。
而VT2导通后，C5又放电。
这样，它上面的电压是一些幅度很小的锯齿波，达不到足以使VDB3导通的电压。
因此，一旦电路转换，VT1、VT2轮流导通与截止后，VDB3将不再能导通，对VT2也不起任何作用。
当VT2电流增加使磁环趋向饱和，各绕组感应电动势急剧下降，VT2基极电位也下降，ic2减小，在磁环变压器中将产生与ic2以增加时相反极性的电动势，即各绕组中用•表示的同名端电压为负，这样一来，VT1的基极电位上升，集电极电流ic1增加，电流的流通路径为Vc3→VT1集电极→电感L2→灯丝→C6→灯丝→C8→地。
半桥逆变snubbber电路
半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计
IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计引言：无源逆变器是一种将直流电源转换为交流电源的电力电子装置。
在工业和家庭中，无源逆变器被广泛应用于交流电源的供应，如电机驱动、照明系统和电力供应等。
本文将介绍IGBT单相电压型半桥无源逆变电路的设计原理和方法。
一、无源逆变器原理：无源逆变器的基本原理是通过DC电源，经过电容滤波以及交流输出变压器等，将直流电源转换为交流电源。
在半桥无源逆变器中，瞬时电流流经其两个输出电容之一，从而实现交流输出。
二、电路设计：1.IGBT选择：由于半桥无源逆变器所需承受较高的电压和电流，因此需要选择耐压能力强的IGBT。
根据要求，选择耐压大于输入电压和输出电压的IGBT装置。
2.控制电路设计：半桥无源逆变器需要一个合适的控制电路来控制IGBT的开关状态。
一种常见的控制方法是采用PWM（脉冲宽度调制）技术。
PWM技术可通过控制转换器的开关时间，来实现输出电压的调节。
3.输出滤波电路设计：在半桥无源逆变器中，输出的交流电压通常需要通过滤波电路进行过滤，以消除输出中的谐波和噪音。
滤波电路通常由电感和电容组成，可根据需求选择适当的参数。
4.保护电路设计：为了确保无源逆变器的安全运行，需要设计相应的保护电路。
保护电路可以包括过压保护、过流保护、温度保护等功能，以防止电路过载、过热等情况发生。
三、实际应用：1.交流电机驱动：无源逆变器常用于交流电机驱动中，通过将直流电源逆变成交流电源，实现电机的控制和调速。
逆变器可以根据需要变换频率和电压，以满足不同负载的要求。
2.照明系统：无源逆变器也可以应用于照明系统中，通过逆变电路将直流电源转换成交流电源，供给照明设备。
逆变器可以实现对照明的调亮调暗和调色调温等功能，提高照明系统的灵活性。
3.电力供应：无源逆变器可以将直流电源转换为交流电源，用于电力供应。
逆变器可以应用于太阳能和风能等可再生能源系统中，将直流电源转换为交流电源，供给家庭和工业用电等。
半桥结构串联谐振逆变电路原理图
半桥结构串联谐振逆变电路原理图半桥结构串联谐振逆变电路原理图该电源采用半桥结构串联谐振逆变电路，主电路原理如图3所示。
在大功率IGBT谐振式逆变电路中，主电路的结构设计十分重要，由于电路中存在引线寄生电感，IGBT开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi／dt不可忽视，由于本电源采用的是半桥逆变电路，相对全桥电路来说，将产生比全桥电路更大的di／dt。
正确设计过压保护即缓冲电路，对IGBT的正常工作十分重要。
如果缓冲电路设计不当，将造成缓冲电路损耗增大，会导致电路发热严重，容易损坏元件，不利于长期工作。
过程是：当VT2开通时，随着电流的上升，在线路杂散电感Lm 的作用下，使得Uab下降到Vcc－Ldi／dt，此时前一工作周期以被充电到Vcc的缓冲电容C1，通过VT1的反并联二极管VD1、VT2和缓冲电阻R2放电。
在缓冲电路中，流过反并联二极管VD1的瞬时导通电流ID1为流过线路杂散电感电流IL和流过缓冲电容C1的电流IC之和。
即ID1＝IL＋IC，因此IL和di／dt相对于无缓冲电路要小得多。
当VT1关断时，由于线路杂散电感Lm的作用，使Uce迅速上升，并大于母线电压Vcc，这时缓冲二极管VD1正向偏置，Lm中的储能（LmI2／2）向缓冲电路转移，缓冲电路吸收了贮能，不会造成Uce 的明显上升。
缓冲元件的计算与选择式中：f—开关频率；Rtr—开关电流上升时间；IO—最大开关电流；Ucep—瞬态电压峰值。
在缓冲电路的元件选择中，电容要选择耐压较高的电容，二极管最好选择高性能的快恢复二极管，电阻要用无感电阻。
6 结束语该电源已经成功地应用于大功率电力测试仪器，与传统方法相比，不仅测量精度高，而且提高了工作效率，增加了工作安全性，降低了劳动强度。
参考文献1 李萌金．电力电子器件绝缘栅——双极晶体管及其应用．电测与仪表，1997（10）2 任天良．300W零电流型准谐振直流电源设计．电力电子技术，2000（3）3 田建等．大功率IGBT瞬态保护研究．电力电子技术，2000（4）。
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半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
图108、D2的反相恢复完毕，Q1上流过负载电流I，同时，C S1的放电、C S2的充电仍然继续（图11）。
图119、进入正桥臂稳态工作的情况（一个工作周期结束）。
三、SNUBBER电路定量分析1、RCD SNUBBER电路考虑线路主要分布电感，电路原理简图如图12。
图12“过程4”中U CE1达到最大，其值约等于U CS1，根据上面对电路工作过程的分析可以知道，将电路再次呈现在下面（图13）。
图13由电路有：2*V BUS =dtdiL u dt di L L CS S 22111-+ （1） 由于i L2=I-i S1，代入（1）式得： 2*V BUS =1121)(CS S u dtdi L L ++ (2) 由于i S1=dtdu C CS S 11，代入（2）式得： 2*V BUS =1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++ (3) (3)式是一个“二阶常系数非齐次线性微分方程”，它的通解等于对应的齐次方程的通解加上它的一个特解，其对应的齐次方程为：1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++＝0 （4） 对应的特征方程为：01)(2121=++s C L L S (5) 解之：S=±121)(S C L L j +令ω=+121)(1S C L L ，（4）式的解为： u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt (6)可求出（3）式的一个特解为：u CS1*=2V BUS ，则（3）式的通解为： u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt+2V BUS (7) 由于u CS1(0)=2V BUS ，所以K1=0，（7）式化为：u CS1= K2sin ωt+2V BUS （8） 所以：i S1=C S1t C K dtdu S CS ωωcos 211= （9） 由于i S1(0)=I ，所以K2=1S C Iω，则（3）式的通解为： u CS1=1S C Iω sin ωt ＋2V BUS (10） 所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为：△U=1S C Iω sin ωt （11） 其最大值为： △U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (12)2、 变形的RCD SNUBBER 电路计算u CE 的微分方程完全与RCD SNUBBER 一样，即：△U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (13)3、 RC SNUBBER 电路电路简图如图14图14根据图有：2*V BUS =111212121)(CS CS S CS S u dt du C R dt u d C L L +++ (14) 对应的齐次线性微分方程为：1111212121)(CS CS S S CS S u dt du C R dtu d C L L +++＝0 （15） 其特征方程为：01)(112121=+++S C R S C L L S S S （16）由于△＝R S12C 2-4(L1+L2)C S1的符号未知，所以（16）式的解有多种不同情况，这里只讨论△<0的情况，令111212121)(CS CS S CS S u dtdu CR dtu d C L L +++，则：S=-2111])21(2[)21(1)21(2L L R C L L j L L R S S S +-+±+ （17）令-)21(21L L R S +＝α、211])21(2[)21(1L L R C L L S S +-+＝ωd ，则（15）式的解为：u CS1=)sin 2cos 1(t K t K e d t ωαα+ （18） 由于u CS1(0)=0，所以K1=0，则（18）式化为：u CS1=t K e d t ωαsin 2 （19） 所以： i S1==dtdu C cs S 11C S1()cos 2sin 2t K t e K d d t ωωωαα+ （20） 由于i S1（0）=I ，所以K2=1S d C Iω，则（15）式的通解为：u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1(21)可以求出（14）式的一个特解u CS1*=2V BUS ，则（14）式的通解为： u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1＋2V BUS (22)所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为： △U=t e C Id t S d ωωαsin 1（23）由于α<0，所以te α<1，则： △U (MAX)=1S d C Iω （24）四、三种SNUBBER 电路的比较1、 U CE 的最大尖峰电压（C S 的最大过充电压△U (MAX)）RCD SNUBBER ：△U 1=1S C Iω变形的RCD SNUBBER ：△U 2=1S C IωRC SNUBBER ：△U 3=1S d C Iω因为ωd =22αω-，所以△U 1＝△U 2<△U 3，即在同等条件下RC SNUBBER 电路抑制电压尖峰的能力最差。
2、 开关管损耗RCD 、RC 电路的C 中电荷要经过开关管泄放，开关管损耗较大；变形的RCD 电路的C 中电荷不会经过开关管泄放，开关管损耗较小。
3、 R S 功耗RC 电路中的R S 在C S 充放电过程中都有损耗，损耗较大，令损耗为P RS1，则：P RS1=2CS S U KC f(f 为开关频率，K 为损耗系数，因为C S 中电荷不可能全部损耗在R S 上，所以K<1) RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗，损耗居中，令损耗为P RS2，则： P RS2=221CS S U KC f 变形的RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗，且C S 中的电压变化幅度为△U ，所以损耗最小，令损耗为P RS3，则： P RS3=221U KC S ∆ f 4、 EMI三种电路都能降低di/dt ，从这方面看EMI 差不多。
RCD 电路降低了开关管关断过程的du/dt ，EMI 最好；RC 电路虽然也降低了开关管关断过程的du/dt ，但由于RC 常数较大，du/dt 比RCD 电路大，EMI 居中；变形的RCD 电路不能抑制开关管关断过程的du/dt ，EMI 最差。
五、3A3-15KS 逆变SNUBBER 电路设计1、 允许C S 的过充电压△UBUS 电压V BUS 最高取450V ，则2*V BUS =900V ，如果选用1200V 的管子，则 △U<1200-900V ＝300V这里留有一定裕量，取△U ＝250V 。
2、 分布电感估算布线电感的经验估算公式为：L=710)432(ln 2--d l l (H) 3A3-15KS BUS 电容与IGBT 间用长导线连接，其长导线为主要分布电感来源，正BUS 线长0.3m 、负BUS 长0.26m ，都采用10＃线，线径为0.003m ，所以有： L=2*0.56*710*)43003.056.0*2(ln --＝5.8*10-7H 3、 C S 选择(先根据RCD SNUBBER 计算，软件限流点为90A ，实际上由于采样点在开关周期的中点，所以电流有超过90A 的可能，这里取I=100A 进行计算)根据（12）式△U MAX =121S C L L I +有： C S1===∆+-27222250)10*8.5(100)21(MAX U L L I 0.09*10-6 F=0.09uF 这里取104/1000V 电容。
4、 R S 损耗计算(取损耗系数K=0.1)RCD SNUBBER ：P RS2=221CS S U KC =0.5*0.1*0.1*10-6*11502*19200=114W RC SNUBBER ：P RS1=2CS S U KC =0.1*0.1*10-6*11502*19200=228W变形的RCD SNUBBER ：P RS3=2U KC S ∆=0.5*0.1*0.1*10-6*2502*19200=6W5、 SNUUBER 电路选择从R S 损耗计算中可以看出，选择RCD SNUBBER 电路损耗会非常大，而选择RC SNUBBER 电路损耗会再增大一倍，因此需选择变形的RCD SNUBBER 电路（CLAMPING 电路）。
6、 D S 选择根据上面的分析可以知道，在D S 开始导通的瞬间，D S 将流过所有的负载电流，软件限流点为90A ，实际上电流有超过90A 的可能，所以D S 的I FSM 应该大于150A ，这里选择RHRP15120(15A/1200V)，其I FSM =200A 。