808nm激光器端面镀膜技术
·168 ·
© 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
·167 ·ห้องสมุดไป่ตู้
© 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS Vol. 27 No. 2
3 实验及结果
3. 1 器件结构 本实验采用折射率渐变分别限制异质结单量子
阱结构 ( GRIN2SC H2SQ W) 激光器 。如图 1 所示 , 采用 MB E ,在 n + 2GaA s 衬底上 (掺 Si , n = (1～3) × 1018 / cm3 ) ,依次生长 0. 5μm n2GaA s 缓冲层 (掺 Si , n = 1 ×1018 / cm3 ) , 1 μm n2Al0. 7 Ga0. 3 A s 下 限制 层 (掺 Si , n = 1 ×1018 / cm3 ) ,0. 1μm Al x Ga1 - x A s 线性 折射率渐变层 (非掺 , x = 0. 7～0. 3) ,单量子阱层 , 0. 1μm Al x Ga1 - x A s 线性折射率渐变层 (非掺 , x = 0. 3～0. 7) , 1μm p2Al0. 7 Ga0. 3 A s 上限制层 (掺 Be , p = 1 ×1018 / cm3 ) ,0. 2μm p + 2GaA s 层 (掺 Be , p = (1～4) ×1019 / cm3 ) 。为了抑制阵列器件中的侧向 光振荡 ,采用标准光刻技术和湿法化学腐蚀方法在 激光器激射单元条之间形成光隔离沟道 ,沟道内淀 积介质膜并制备出电极条形窗口 。p 面和 n 面电极 分别蒸镀 AuZn/ A u 和 A u GeNi 合金后 ,将外延晶 片沿条形垂直方向解理成 1 000μm 腔长 ,宽 1 cm 的 Bar 。
2 理论分析
2. 1 前端面增透膜理论分析 对于激光器谐振腔的前端面 (即激光出射端
面) ,采用单层膜就能达到要求 。 由薄膜光学知 ,要得到理想的单层增透膜 (即透
射率为 100 %) ,其条件有二 : 一是膜层的光学厚度 为四分之一波长 ,二是其折射率为激光器有源区材 料与空气折射率乘积的平方根 。
摘 要 : 通过对 Al GaA s/ GaA s 808 nm 半导体激光器谐振腔的前后端面分别蒸镀 Ta2 O5 / SiO2 膜系高反膜和 Al2 O3 单层增透膜 ,使得前后端面的反射率分别达到 11 %和 98. 42 %。器件在 同一驱动电流下镀膜后的输出功率比镀膜前增加了一倍多 ,同时镀膜还有效地保护了端面 ,延长了 器件工作寿命 。
流密度 ,W 为条宽 ,L 为腔长 , d 为有源区厚度 ,β为
增益有关常数 。从式中可以看出 ,如果前端面的透
射率为 100 % ,即 Rf = 0 ,激光器阈值电流就会是无
限大 ,这显然不符合实际的设计和生产 。从实验得
知 ,当 Rf 与 Rr 的乘积小于 0. 1 的时候 ,阈值电流会
迅速增大 。这显然不符合我们对在尽量小的工作电
《半导体光电》2006 年 4 月第 27 卷第 2 期
材料 、结构及工艺
唐婷婷 等 : 808 nm 激光器端面镀膜技术
808 nm 激光器端面镀膜技术
唐婷婷1 , 王 锐1 , 刘刚明2 , 廖 柯2
( 1. 重庆邮电大学 光电工程学院 ,重庆 400065 ; 2. 重庆光电技术研究所 ,重庆 400060)
《半导体光电》2006 年 4 月第 27 卷第 2 期
唐婷婷 等 : 808 nm 激光器端面镀膜技术
Ta2 O5 的折射率在 2. 0～2. 2 ,膜层致密度极高 ,填 充密度趋于 1 ,激光破坏阈值略高于 TiO2 [8] 。同时 , 该膜系对 GaA s 材料的粘附性很好 ,并且在 808 nm 波段对光的吸收较 Si/ Al2 O3 膜系小得多 。而选用 Al2 O3 做增透膜是因为 Al2 O3 对 Al GaA s 的粘附性 很好 ,并且它是一种非常稳定的材料 。当它经历更 多的设备集成过程时能够不受结构和成分变化的影 响[9] 。同时其工艺相对简单 ,重复性好 ,并且能达到 我们对透射率的要求 。 3. 3 实验数据
Apr. 2006
但是实验证明 ,对于激光器的前端面并不要求 达到 100 %的透射率 。这是由于 :
Ith WL
=
d
βΓv
αi
+
ln[1/
( Rf 2L
Rr
)
]
+ dJ 0
(1)
式中 : Ith 为阈值电流 ,αi 为内损耗 , Гv 为光限制因
子 , Rf 、Rr 分别为前后腔面反射率 , J 0 为透明阈值电
设由折射率为 nH (高折射率层) 和 nL (低折射率 层) 组成的全介质膜系 ,其每层厚度均为λ0 / 4 ,两边 的最外层均为高折射率层 。这样组合膜系的导纳为
Y = nH 2 S n2H
(2)
nL
ng
式中 , ng 是基片的折射率 ,2 S + 1 是多层膜的层数 。
当从空气中垂直入射时 ,中心波长的反射率
图 1 GRIN2SC H2SQW 激光器的外延结构
3. 2 镀膜材料的选取 大功率半导体激光器高反射腔面膜通常采用
Ta2 O5 / SiO2 , Si/ Al2 O3 [2～4 ] , Hf O2 / SiO2 [5 ] 等膜系以 及α2Si H/ Al2 O3 [6] 膜系的所谓的无吸收腔面 (相对 于吸收比较大的 Si/ Al2 O3 膜系而言) ,出光面一般 采用 Al2 O3 , ZrO2 , Hf O2 / SiO2 等单层膜或双层膜 。 本实验采用 Ta2 O5 / SiO2 膜系做器件的高反膜 ; 选 用 Al2 O3 做增透膜 ,单层就能达到要求 。
关键词 : 高反膜 ; 增透膜 ; 反射率 ; 输出功率 中图分类号 : TN248. 4 文献标识码 : A 文章编号 : 1001 - 5868 (2006) 02 - 0167 - 03
Plating Film on Facets of 808 nm Semiconductor Laser TAN G Ting2ting1 , WAN G Rui1 , L IU Gang2ming2 , L IAO Ke2
收稿日期 :2005 - 07 - 01.
大 ,从而降低了激光器的使用寿命[1] 。为了降低阈 值电流 ,提高激光输出功率和工作寿命 ,有效地保护 器件端面 ,有必要在激光器的前后端面分别镀上增 透膜和高反膜 。半导体激光器极小的出光面积 (单 管只为十几平方微米) ,极高的光功率密度 (一般为 几兆瓦每平方厘米以上) 以及 GaA s 晶体的特性决 定了这种激光器端面膜的特殊性与制备的难度 。
在 Bar 的前端面镀上单层 Al2 O3 ,后端面镀上 Ta2 O5 / SiO2 膜系的高反膜 。经过准确的测量 ,前端 面的反射率在 808 nm 处为 Rf = 11 % ,后端面的反 射率曲线如图 2 所示 。从图中可以看到 ,在 808 nm 处 ,后端面的反射率达到了 Rr = 98. 42 %。如图 3 所示 ,OA ,OB 分别表示单 Bar 镀膜前后的 P2I 曲 线 。在室温 (约 25 ℃) ,无致冷的条件下 ,镀膜前输 入 80 A 电流时输出功率为 25 W ,而镀膜后达到了 60 W ,增加了一倍多 。可见通过端面镀膜极大地提 高了器件的输出功率和电光转换效率 。
流下得到尽量高的输出功率这一目标的追求 。经过
多次试验发现前腔面的反射率为 11 %时 ,器件能够 达到较理想的工作状态 。
2. 2 后端面高反膜的理论分析 由薄膜光学知 ,用高低折射率交替的多层介质
膜 (每层λ0 / 4 厚) 能够得到很高的反射率 。这是因 为从膜系所有界面上反射的光束 ,当他们回到前表 面时具有相同的位相 ,从而产生相长干涉 。这种膜 系在理论上有望达到 100 %的反射率 。
Abstract : Thro ugh evapo rating Ta2 O5 / SiO2 high reflecting film and Al2 O3 anti2reflective coating o n t he f ro nt and back cavit y surfaces of Al GaA s/ GaA s 808 nm LD , t he reflectivities of 11 % and 98. 42 % are achieved respectively. The o utp ut power af ter plating t he film co uld be t wo times more t han before plating t he film when it is working at t he same driving current . At t he same time t he film makes t he facet s p rotected effectively and al so t he device lifetime enhanced.
( 1. College of Optoelectronic Engineering ,Chongqing University of Posts and Telecommunications ,Chongqing 400065 ,CHN; 2. Chongqing Optoelectronics Research Institute ,Chongqing 400060 , CHN)
44瓦超高功率808nm半导体激光器设计与制作
44瓦超高功率808 nm半导体激光器设计与制作仇伯仓，胡海，何晋国深圳清华大学研究院深圳瑞波光电子有限公司1. 引言半导体激光器采用III-V化合物为其有源介质，通常通过电注入，在有源区通过电子与空穴复合将注入的电能量转换为光子能量。
与固态或气体激光相比，半导体激光具有十分显著的特点：1）能量转换效率高，比如典型的808 nm高功率激光的最高电光转换效率可以高达65%以上[1]，与之成为鲜明对照的是，CO2气体激光的能量转换效率仅有10%，而采用传统灯光泵浦的固态激光的能量转换效率更低, 只有1%左右；2）体积小。
一个出射功率超过10 W 的半导体激光芯片尺寸大约为mm3, 而一台固态激光更有可能占据实验室的整整一张工作台；3）可靠性高，平均寿命估计可以长达数十万小时[2]；4）价格低廉。
半导体激光也同样遵从集成电路工业中的摩尔定律，即性能指标随时间以指数上升的趋势改善，而价格则随时间以指数形式下降。
正是因为半导体激光的上述优点，使其愈来愈广泛地应用到国计民生的各个方面，诸如工业应用、信息技术、激光显示、激光医疗以及科学研究与国防应用。
随着激光芯片性能的不断提高与其价格的持续下降，以808 nm 以及9xx nm为代表的高功率激光器件已经成为激光加工系统的最核心的关键部件。
高功率激光芯片有若干重要技术指标，包括能量转换效率以及器件运行可靠性等。
器件的能量转换效率主要取决于芯片的外延结构与器件结构设计，而运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。
本文首先简要综述高功率激光的设计思想以及腔面处理方法，随后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发808nm高功率单管激光芯片方面所取得的主要进展。
2.高功率激光结构设计图1. 半导体激光外延结构示意图图2. 外延结构以及与之对应的光场分布图3. 量子阱限制因子与SCH层厚度之间的关系图4. 光束发散角与SCH层厚度之间的关系图1给出了一个典型的基于AlGaAs材料的808 nm半导体激光外延结构示意图，由其可见，外延结构由有源区量子阱、AlGaAs波导以及AlGaAs包层材料组成，在材料选取上包层材料的Al 组分要高于波导层材料的Al组分，以保证在材料生长方向形成波导结构，即材料对其中的光场有限制作用（见图2）。
新品808nm近红外激光灯的应用
新品808nm近红外激光灯
新品808nm近红外激光灯管芯采用日本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有很强的抗干扰性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，新品808nm近红外激光灯特别适于工业工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
新品808nm近红外激光灯多用于触摸桌面类、互动投影类产品中，该激光器出光后打出一个扇面，在目标上形成一条人眼看不到的直线，配合专门的设备观察（如CCD摄像机）等实现触控-互动投影。
同类产品还有：
808nm半导体红外一字线、多点触控-互动投影用808nm--200mw红外一字线激光器、电子
波长激励方式
输出功率光斑模式
运行方式供电电压
工作电流光学透镜
光束发散度出光张角度
直线度线宽
工作温度储存温度
尺寸；
使用寿命
1）激光定位灯使用应注意相关的激光使用安全规定，不能直射人眼；
2）激光器中半导零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌体激光管属静电敏感器件，应遵守相关的静电防护规定。
测试和使用环境应保证没有静电；
3）电源线请勿用力拽拉；
4）电源电压不要超过DC5V，最好选用激光器专用直流稳压电源供电，“+”（红线）、“−”（黑线）极性绝对不可接反；
5）激光器通电时，“+”（红线）、“−”（黑线）极电源线绝对不可短路，以免烧毁激光器；
6）自制稳压电源请注意消除浪涌脉冲电压电流，稳压5V或<5V将延长使用寿命，避免在各种浪涌脉冲较大的场合中使用激光器；Yxl。
红外808nm激光器
红外808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，红外808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可拨打零贰玖-陆捌伍捌壹柒零捌
输出波长：780nm 808nm 980nm
输出功率：780nm 5～150mw
808nm 100～5000mw
980nm 50～3000mw
工作电压：3~6V DC
工作电流：≤5500mA
光束发散度：0.5～50mrad
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ10.8×25mm；Φ12×40mm；Φ16×55mm；Φ22×80mm；Φ26×100mm；
39×39×100mm；49×49×130mm（可定制）
工作温度：－10～40℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb
yxl。
高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
大学生核酸检测志愿者心得体会1500字（精选14篇）大学生核酸检测志愿者心得体会1500字（精选14篇）当我们积累了新的体会时，心得体会是很好的记录方式，它可以帮助我们了解自己的这段时间的学习、工作生活状态。
到底应如何写心得体会呢？以下是小编收集整理的大学生核酸检测志愿者心得体会1500字（精选14篇），欢迎大家分享。
大学生核酸检测志愿者心得体会1阳春三月，本是可以踏春赏花的日子，却再次被那些惊人的数字牵动了心。
山东疫情的爆发，让齐鲁大地陷入了一丝恐慌。
好在，我们万众一心，配合排查工作，期待着春暖花开，疫情退散。
今天，山东大学也积极组织了全校师生的排查工作。
十分荣幸自己能尽微薄之力，穿上红色的志愿服装，在现场,帮助医护人员与师生一起完成排查工作。
“您好，请从南门出”，“老师同学没扫码的请先扫下码”，“条码一会儿就会告诉您……”这些志愿者们和安保人员、老师的声音让现场井然有序;“嘴巴再张大点”，“放轻松”……医务人员的耐心和细心让现场多了很多温度;“这样填对吗”，“是不是在这做啊”，“谢谢啊”……参与核酸检测师生的配合，让核算进程颇具效率。
真的很感动，我们从来都不是孤岛，我们是一体，我们有我们。
真的很感谢这次志愿服务机会，穿上志愿服装，感觉肩上扛着责任，也更有动力和力量把事情做好，为大家服务，去传递爱与希望。
山大的花正一点点的开放，排查工作也在紧张且有条不紊的进行。
疫情会过去的,等花都绽放开了，我们就相约去赏花。
大学生核酸检测志愿者心得体会2当我穿戴好防护服和防护面具的那一刻，心中的使命感和责任感油然而生。
在志愿服务的几个小时里，我负责协助医护人员进行核酸检测，穿着密不透风的防护服，无法去卫生间，也不能吃饭、喝水。
身上不透气，汗水很快将衣服打湿了，又因为带着口罩，哈气上升到防护面具上凝结成了水雾，不断的模糊视线。
这时候我才真正体会到了一线抗疫医护人员的艰辛，没有从天而降的英雄，只有挺身而出的凡人，向那些长期坚守在防疫一线的医护人员致敬！我坚信疫情终将散去，让我们静候春暖花开，加油！大学生核酸检测志愿者心得体会3两个小时的志愿服务体验卡，让我的口头禅变成了“没扫码的老师和同学记得过来扫个码”，“做完核酸请从南门离开”。
激光表面处理技术
常规淬火硬度高5%~20%, 可获得极细的硬 化层组织。
( 3) 由于激光加热速度快, 因而热影响区小, 淬火应力及变形小。一股认为激光淬火处理几乎不产生变形, 而且相变硬化可以使表面产生大于4 000 MPa 的压应力, 有助 于提高零件的疲劳强度; 但厚度小于5mm 的零件其变形仍不 可忽视。
激光表面熔敷
激光表面熔敷技术是在激光束作用下将合金 粉末或陶瓷粉末与基体表面迅速加热并熔化, 光束移开后自激冷却的一种表面强化方法。
激光表面熔敷特点
( 1) 冷却速度快(高达106 K/s)，组织具有快 速
凝固的典型特征； ( 2) 热输入和畸变较小，涂层稀释率低(一
般 小于5%)，与基体呈冶金结合；
激光表面处理技术优 点
( 5) 通常只能处理一些薄板金属，不适宜处理 较厚的板材；
( 6) 由于激光对人眼的伤害性影响工作人员的 安全，因此要致力于发展安全设施。
激光表面处理技术
美国正在研究用激光淬火处理飞机的重载 齿轮，以取代渗碳淬火的化学热处理工艺。
----直升飞机辅助动力装置的行星齿轮 ----飞机主传动装置的传动齿轮 用激光硬化的飞机重载齿轮，不需要最后 研磨，大大降低了生产成本，提高生产率。 ----采用激光硬化飞机发动机气缸内壁，比 氮化处理快14倍，且所得到的硬化层比经过 10～20h氮化处理的硬化层还厚，质量优 良，几乎无变形。
下优点:
激光表面处理技术优 点
( 1) 能量传递方便，可以对被处理工件表面有 选择的局部强化；
( 2) 能量作用集中，加工时间短，热影响区小， 激光处理后，工件变形小；
激光表面处理技术优 点
( 3) 处理表面形状复杂的工件，而且容易实 现自动化生产线；
808nm激光器
808nm激光器
（cl）808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可按客户实际需要订制。
本产品采用原装进口激光二极管，体积小，光线清晰，出光张角大，直线度高。
我们可以制作固定焦点同时可以制作可调焦的红光线状激光器，请打零贰玖捌捌柒贰陆柒柒叁客户可以根据各种要求调整焦点。
输出功率：635nm 0.5～30mw
650nm 0.5～200mw
660nm 0.5～300mw
工作电压：2.7~24V DC
工作电流：≤450mA
光束发散度：0.1～1.5mrad
出光张角：10º～135º
光线直径：≤0.5mm ＠0.5m；≤1.0mm ＠3.0m；≤1.5mm ＠6.0m；直线度：≤1.0mm ＠6.0m
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ8×25mm；Φ9×35mm；Φ11×37mm；Φ12×40mm；Φ
16×55mm；Φ16×65mm；Φ16×80mm；Φ22×85mm；Φ26×110mm （可定制）
工作温度：－10～75℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb。
808nm高功率半导体激光巴条
808nm高功率半导体激光巴条：创新驱动的激光技术应用随着科技的不断发展，激光技术已经渗透到各个领域，为人们的生产和生活带来了前所未有的变革。
在众多激光技术中，808nm高功率半导体激光巴条以其独特的优势和应用前景，正逐渐受到业界的关注和重视。
一、808nm高功率半导体激光巴条简介808nm高功率半导体激光巴条是一种采用808nm波长的半导体激光器制造的激光巴条。
这种激光巴条具有高功率、高亮度、高可靠性等特点，被广泛应用于材料加工、医疗、科研等领域。
与传统的激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的光电转换效率、更长的使用寿命和更低的成本，成为了一种极具竞争力的激光技术。
二、808nm高功率半导体激光巴条的应用领域1．材料加工领域在材料加工领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于金属和非金属材料的切割、焊接、熔覆等加工过程。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的加工效率、更低的加工成本和更好的加工质量。
此外，由于其高功率和高亮度的特点，还可以实现大型工件的远程加工，从而降低了工件表面的热影响区和变形量。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在材料加工领域具有广泛的应用前景。
2．医疗领域在医疗领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于皮肤科、外科等领域，用于治疗血管瘤、雀斑、痤疮等皮肤疾病。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有无痛、无副作用、恢复快等优点。
此外，由于其高精度和高稳定性的特点，还可以实现精确的皮肤重塑和美容整形手术。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在医疗领域具有广泛的应用前景。
3．科研领域在科研领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于光谱分析、激光雷达、光学通信等领域。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的精度和稳定性，以及更长的使用寿命和更低的维护成本。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在科研领域具有广泛的应用前景。
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源单肖楠;刘云;曹军胜【摘要】A kind of beam shaping technique was presented to improve the beam quality of a semiconductor laser and to achieve the beam splitting, translating, and rearranging by a parallel plate glass stack. The experiment uses a 20-layer 808 nm semiconductor laser array designed by ourselves with the output power of 60 W per bar, 19 light-emitting points of 1 μm× 135 μm each and 30％ filling factor to expand beam at a slow axis through a telescope system,and also uses a focusing lens to focus on both the slow axis and the fast one at the same time. Experiments show that the technique can achieve the 1 kW output power on the focal plane, focused spot of 1 mm × 1 mm and coupling efficiency of 90 ％,which basically satisfies the needs of laser cladding and welding.%提出了一种新型光束整形技术,该技术通过平行平板玻璃堆实现光束的分割、平移、重排,从而改善半导体激光的光束质量.该试验采用自主设计的中心波长为808 nm,连续输出功率为60W/bar,填充因子为30 %,具有19个发光点,每个发光点尺寸为1μm×135μm的20层半导体激光叠阵,通过望远镜系统对慢轴方向进行扩束后用一个聚焦镜同时对快慢轴聚焦,最终在焦平面上得到了1kW输出,且聚焦光斑达到1mm×1mm,耦合效率达到90%,基本满足激光熔覆和激光焊接的要求.【期刊名称】《光学精密工程》【年(卷),期】2011(019)002【总页数】5页(P452-456)【关键词】高功率激光器;半导体激光器;光束整形【作者】单肖楠;刘云;曹军胜【作者单位】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033【正文语种】中文【中图分类】TN248.4千瓦级半导体激光系统在工业、军事、核能等领域都有广泛的应用。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种常见的激光器泵浦技术。
它采用光纤将半导体激光器的红外激光传输到需要激发的介质中，具有高效率、紧凑和可靠等优势。
本文将从原理、结构、工作原理和应用等方面对808nm光纤耦合半导体激光泵浦源进行详细介绍。
首先，我们来了解808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的原理。
其原理基于半导体激光器能够产生高能量的激光，并且可以通过单模光纤进行传输。
808nm激光是一种红外激光，具有较长的波长和高能量，可以实现高效的激发效果。
通过光纤耦合技术，将808nm激光器的输出光纤耦合到需要激发的介质中，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的结构主要由激光器模块、光纤连接器和激光输出端口等组成。
激光器模块包括激光二极管芯片、散热器和光学系统。
光纤连接器用于连接激光器模块和激光输出端口，确保激光的传输效率和稳定性。
激光输出端口用于调节激光器的输出功率和波长等参数。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的工作原理是通过激光二极管芯片产生激光，并经过散热器散去热量。
然后，激光经过光学系统，通过光纤连接器传输到激光输出端口。
在激发介质中，808nm激光被吸收，并转化为其他波长的激光，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源在许多领域都有广泛的应用。
首先，在医学美容领域，它常用于激光除毛、皮肤美白、血管疾病治疗等。
其次，在工业领域，它常用于激光切割、激光打标、激光焊接等加工工艺。
再次，在科学研究领域，它常用于生物医学、光谱分析、光学显微镜等实验研究。
总之，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种高效率、紧凑和可靠的激光器泵浦技术。
它通过光纤传输808nm激光到介质中，实现对介质的激发。
在医学美容、工业加工和科学研究等领域都有广泛的应用。
随着激光技术的不断发展，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源将会有更广阔的应用前景。
808nm半导体激光器的腔面反射率设计
Ｃ Ｎ Ｈｏ ｇｔｉ，Ｌ ａｊ ｇ ，Ｐ ＮＧ Ｈａ． ｏ， ＨＥ ｎ — Ｉ － ｎ ａ Ｙ ｉ Ｅ ｉ ａ ｔ
（１ＤｅｔＩ ｏ＆Ｅ ｇ， ｂｉ ｎｖｒｉ ｅｈｏｏｙ Ｅａｊ ０ １０ Ｃ ｉａ ． ｐ．ｎ ｆ ｎ ｉ ｅ Ｕ ｉ ｓｙｏ ｃｎ ｌ ， ｎｉ ３ ０ ３ ， ｈ ； Ｈｅ ｅ ｔ ｆＴ ｇ ｎ ｎ
ｅ ｐ ｒ ｎ ｓ Ｅ ｐ ｒ ｎａ ｅ ｕ ｔ ａ ｅ ｗｅ ｌ ｏ ｓｓｅ ｔ ｈ ｈ ｏ ｅ ｉａ ｒ ｄ ｃｉ ｎ ｔ ｒ ｕ ｈ ｃ ｍｐ ｒ ｏ ． ｅ ｍａ ｉ ｌ ｘ ｅ ｍｅ ｔ ． ｘ ｅ ｍｅ ｔ ｌｒｓ ｌ ｒ ｌ ｃ ｎ ｉ ｄ ｗｉ ｔ ｅ ｔ ｅ ｒｔｃ ｌｐ ｅ ｉｔ ｈ ｏ ｇ ｏ ａ ｓ ｎ Ｔ ｘｍａ ｉ ｉ ｓ ｔ ｈ ｏ ｉ ｈ２ ０ 年 ９月 ０８
光 电工 程
Ｏｐ ｏ Ｅｌｃｒ ｎｉ ｔ — ｅ ｔｏ ｃＥｎｇ ｎ ｅ ｉ ｇ ｉ ｅ ｒｎ
Ｖｏ ． ５ Ｎ ｏ． １３ ． ９
Ｓｅ ２０ ８ ｐ， ０
文章编号 ：１０ — ０ Ｘ（０ ８０ — ０ １０ ０ ３ ５ １ ２ ０ ）９ ０４ — ４
中 图 分类 号 ：Ｔ ４ Ｎ２ ８ 文 献 标 志 码 ：Ａ
Ｄｅｉｎｏ ｖｔ ａ ｅ ｆ ｃｉｉ ｒ８ ８ａ Ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ ａ ｅ ｓ ｓ ｆ ｇ Ｃａ ｉ Ｆ ｃ ｔ ｌ ｔ ｔ ｆ ０ ｍ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ ｓ ｒ ｙ Ｒｅ ｅ ｖｙ ｏ Ｌ
ＤＵ ｅ． ａ 一 ， ＹＡＮＧ Ｗ ｉｈｕ Ｈｏｎ ． ｉ ， ＣＨＥＮ ｇ ｗｅ ２ Ｇｕｏ ｙｉ － ｎｇ ，
１ 引 言
由于具 有较 高的输 出功 率和功率 转换效 率 ，８８ｎ ｌ ０ ｌ 半导体激 光器 已成 为 固体激 光器不 可或 缺的泵 浦 Ｔ